Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 63 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MURT20005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20010 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20010 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20010R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20010R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| MURT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
|
MURT20040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 160 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT20060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 160 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30010 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30010 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30010R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30010R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30020R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT30040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30040 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30040R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT30040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT30060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MURT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40060R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MURT20005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT20060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT30060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10151.33 грн |
| 10+ | 8687.57 грн |
| 25+ | 8289.18 грн |
| MURT40060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MURT40060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


