Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 63 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MURT10010R MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010R MURT10010R GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020 MURT10020 GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020 MURT10020 GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020R MURT10020R GeneSiC Semiconductor murt10005.pdf Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020R MURT10020R GeneSiC Semiconductor murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040 MURT10040 GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040 MURT10040 GeneSiC Semiconductor murt10040-2451894.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040R MURT10040R GeneSiC Semiconductor murt10040r-2452616.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor murt10060-2452462.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060 MURT10060 GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10060r-2452184.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060R MURT10060R GeneSiC Semiconductor murt10040.pdf Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005 MURT20005 GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005 GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005R MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005R MURT20005R GeneSiC Semiconductor murt20005_thru_murt20020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010 MURT20010 GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010 MURT20010 GeneSiC Semiconductor murt20010-2452108.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010R MURT20010R GeneSiC Semiconductor murt20010r-2452619.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010R MURT20010R GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020 MURT20020 GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020 MURT20020 GeneSiC Semiconductor murt20020-2452465.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020R MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20005.pdf Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020R MURT20020R GeneSiC Semiconductor murt20020r-2452111.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040 MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040 MURT20040 GeneSiC Semiconductor murt20040-2452771.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040R MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040r-2451963.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040R MURT20040R GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor 28murt20040_thru_murt20060r.pdf Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor murt20060-2452940.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060 MURT20060 GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060R MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20040.pdf Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060R MURT20060R GeneSiC Semiconductor murt20060r-2452468.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005 MURT30005 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005 MURT30005 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005R MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005R MURT30005R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30010-2452942.pdf Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010 MURT30010 GeneSiC Semiconductor murt30005.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30010r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010R MURT30010R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020 MURT30020 GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020 MURT30020 GeneSiC Semiconductor murt30020-3482446.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020R MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30005_thru_murt30020r.pdf Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020R MURT30020R GeneSiC Semiconductor murt30020r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040 MURT30040 GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040 MURT30040 GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040R MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040.pdf Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040R MURT30040R GeneSiC Semiconductor murt30040r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060 MURT30060 GeneSiC Semiconductor murt30040_thru_murt30060r.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060 MURT30060 GeneSiC Semiconductor murt30060-3482605.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060R MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30060r.pdf Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060R MURT30060R GeneSiC Semiconductor murt30040_thru_murt30060r.pdf Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005 MURT40005 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005 MURT40005 GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005R MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005R MURT40005R GeneSiC Semiconductor murt40005_thru_murt40020r.pdf Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010R murt10005.pdf
MURT10010R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10010R murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10010R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020 murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020 murt10005.pdf
MURT10020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 200V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020R murt10005.pdf
MURT10020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10020R murt10005_thru_murt10020r-1132897.pdf
MURT10020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040 murt10040.pdf
MURT10040
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040 murt10040-2451894.pdf
MURT10040
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040R murt10040.pdf
MURT10040R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10040R murt10040r-2452616.pdf
MURT10040R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060 murt10060-2452462.pdf
MURT10060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060 murt10040.pdf
MURT10060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 600V 50A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060R murt10060r-2452184.pdf
MURT10060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT10060R murt10040.pdf
MURT10060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005 murt20005_thru_murt20020r.pdf
MURT20005
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005 murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005R murt20005_thru_murt20020r-1133708.pdf
MURT20005R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20005R murt20005_thru_murt20020r.pdf
MURT20005R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010 murt20005.pdf
MURT20010
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010 murt20010-2452108.pdf
MURT20010
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010R murt20010r-2452619.pdf
MURT20010R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 200A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20010R murt20005.pdf
MURT20010R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020 murt20005.pdf
MURT20020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020 murt20020-2452465.pdf
MURT20020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020R murt20005.pdf
MURT20020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20020R murt20020r-2452111.pdf
MURT20020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040 murt20040.pdf
MURT20040
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040 murt20040.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 400V 200A 90ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040 murt20040-2452771.pdf
MURT20040
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040R murt20040r-2451963.pdf
MURT20040R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20040R murt20040.pdf
MURT20040R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060 28murt20040_thru_murt20060r.pdf
MURT20060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 200A 110ns 3-Pin Three Tower
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060 murt20060-2452940.pdf
MURT20060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060 murt20040.pdf
MURT20060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060R murt20040.pdf
MURT20060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 100A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 160 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT20060R murt20060r-2452468.pdf
MURT20060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005 murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf
MURT30005
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005 murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30005
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005R murt30005_thru_murt30020r-1132740.pdf
MURT30005R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30005R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30005R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010 murt30010-2452942.pdf
MURT30010
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010 murt30005.pdf
MURT30010
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010R murt30010r.pdf
MURT30010R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 300A100P/71R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30010R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30010R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020 murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020 murt30020-3482446.pdf
MURT30020
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020R murt30005_thru_murt30020r.pdf
MURT30020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30020R murt30020r.pdf
MURT30020R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040 murt30040.pdf
MURT30040
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040 murt30040.pdf
MURT30040
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040R murt30040.pdf
MURT30040R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30040R murt30040r.pdf
MURT30040R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A400P/283R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060 murt30040_thru_murt30060r.pdf
MURT30060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060 murt30060-3482605.pdf
MURT30060
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060R murt30060r.pdf
MURT30060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V300A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT30060R murt30040_thru_murt30060r.pdf
MURT30060R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005 murt40005_thru_murt40020r.pdf
MURT40005
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005 murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf
MURT40005
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005R murt40005_thru_murt40020r-1132944.pdf
MURT40005R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURT40005R murt40005_thru_murt40020r.pdf
MURT40005R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]