Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5673) > Сторінка 35 з 95

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 54 63 72 81 90 95  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KBP210G KBP210G GeneSiC Semiconductor kbp206g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W GBPC3504W GeneSiC Semiconductor gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.07 грн
10+258.86 грн
25+237.20 грн
100+195.07 грн
250+178.75 грн
500+167.34 грн
1000+154.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N2128AR GeneSiC Semiconductor 1n2128a.pdf Description: DIODE STANDARD REV 50V 60A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E-TR GeneSiC Semiconductor GE06MPS06E.pdf Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.64 грн
10+185.75 грн
25+158.63 грн
100+120.10 грн
250+105.97 грн
500+97.28 грн
1000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBP208G KBP208G GeneSiC Semiconductor kbp206g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.70 грн
10+53.94 грн
25+44.41 грн
100+31.14 грн
250+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KBP202G KBP202G GeneSiC Semiconductor kbp201g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.74 грн
10+324.60 грн
25+310.14 грн
100+271.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N1199A 1N1199A GeneSiC Semiconductor 1n1199a.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N3893 GeneSiC Semiconductor 1n3889.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP206G KBP206G GeneSiC Semiconductor kbp206g.pdf description Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W GBPC3510W GeneSiC Semiconductor gbpc3506t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.07 грн
10+258.86 грн
25+237.20 грн
100+195.07 грн
250+178.75 грн
500+167.34 грн
1000+154.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ402G GeneSiC Semiconductor kbj4005g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100 MBRT120100 GeneSiC Semiconductor mbrt120100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100R MBRT120100R GeneSiC Semiconductor mbrt120100.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7535 GeneSiC Semiconductor mbr7520.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7545 GeneSiC Semiconductor mbr75100.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100A MSRT250100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100A MSRTA400100A GeneSiC Semiconductor MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100A MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100A MSRTA600100A GeneSiC Semiconductor MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W GBPC3501W GeneSiC Semiconductor gbpc35005t.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+335.07 грн
10+258.86 грн
25+237.20 грн
100+195.07 грн
250+178.75 грн
500+167.34 грн
1000+154.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBL406G GeneSiC Semiconductor kbl406g.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206%7EKBP210.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTRL MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60020CTRL.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT MBR60020CT GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor mbr60020ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor mbr600150ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP208 GeneSiC Semiconductor KBP206%7EKBP210.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.55 грн
10+94.63 грн
25+74.14 грн
100+65.13 грн
250+60.40 грн
400+50.77 грн
1200+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.27 грн
10+85.26 грн
25+64.20 грн
100+51.94 грн
250+45.10 грн
500+40.60 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2502W GBPC2502W GeneSiC Semiconductor gbpc2502w.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+326.96 грн
10+256.23 грн
25+203.40 грн
100+177.00 грн
250+161.48 грн
500+150.61 грн
1000+146.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2504T KBPC2504T GeneSiC Semiconductor kbpc2504t.pdf Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.42 грн
10+236.59 грн
25+187.10 грн
100+161.48 грн
250+145.95 грн
500+137.41 грн
1000+133.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3508W KBPC3508W GeneSiC Semiconductor kbpc3508w.pdf Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.62 грн
10+250.87 грн
25+198.74 грн
100+173.12 грн
250+158.37 грн
500+147.50 грн
1000+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15G GBU15G GeneSiC Semiconductor gbu15g-3477831.pdf Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.39 грн
10+98.21 грн
25+74.53 грн
100+60.86 грн
250+53.10 грн
500+47.98 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2510G KBJ2510G GeneSiC Semiconductor kbj2510g-3477718.pdf Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC15005W KBPC15005W GeneSiC Semiconductor kbpc15005w.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.64 грн
10+225.87 грн
25+178.56 грн
100+154.49 грн
250+140.52 грн
500+130.42 грн
1000+126.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502W KBPC1502W GeneSiC Semiconductor kbpc1502w.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.64 грн
10+225.87 грн
25+178.56 грн
100+154.49 грн
250+140.52 грн
500+130.42 грн
1000+126.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2501W KBPC2501W GeneSiC Semiconductor kbpc2501w.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.42 грн
10+236.59 грн
25+187.10 грн
100+162.25 грн
250+147.50 грн
500+137.41 грн
1000+133.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC35005W KBPC35005W GeneSiC Semiconductor kbpc35005w.pdf Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.62 грн
10+250.87 грн
25+198.74 грн
100+173.12 грн
250+158.37 грн
500+147.50 грн
1000+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3501T KBPC3501T GeneSiC Semiconductor kbpc3501t.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.62 грн
10+250.87 грн
25+198.74 грн
100+173.12 грн
250+158.37 грн
500+147.50 грн
1000+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1501W KBPC1501W GeneSiC Semiconductor kbpc1501w-3481915.pdf Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2504G KBJ2504G GeneSiC Semiconductor kbj2504g-2450633.pdf Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.98 грн
10+152.67 грн
25+119.55 грн
100+101.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
W02M GeneSiC Semiconductor W005M%7EW10M.pdf %5BLumimax%5DW005M-W10M.pdf Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.27 грн
10+84.46 грн
25+64.20 грн
100+51.94 грн
250+45.10 грн
500+40.60 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1004 KBU1004 GeneSiC Semiconductor kbu1004.pdf Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508W GBPC3508W GeneSiC Semiconductor gbpc3508w.pdf Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.66 грн
10+283.90 грн
25+226.69 грн
100+197.96 грн
250+181.66 грн
500+170.02 грн
1000+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W GBPC3510W GeneSiC Semiconductor gbpc3510w.pdf Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.66 грн
10+283.90 грн
25+226.69 грн
100+197.96 грн
250+181.66 грн
500+170.02 грн
1000+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC5006T KBPC5006T GeneSiC Semiconductor kbpc5006t.pdf Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+331.49 грн
10+260.69 грн
25+207.28 грн
100+180.11 грн
250+167.69 грн
500+154.49 грн
1000+150.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3502W KBPC3502W GeneSiC Semiconductor kbpc3502w.pdf Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR305 BR305 GeneSiC Semiconductor br305.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.18 грн
10+85.26 грн
25+64.36 грн
100+52.01 грн
600+40.68 грн
1000+36.57 грн
2600+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BR68 BR68 GeneSiC Semiconductor br68-3480678.pdf Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.63 грн
10+106.24 грн
25+80.74 грн
100+67.46 грн
200+59.47 грн
600+54.11 грн
1000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3506W KBPC3506W GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP210G kbp206g.pdf
KBP210G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3504W gbpc35005t.pdf
GBPC3504W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.07 грн
10+258.86 грн
25+237.20 грн
100+195.07 грн
250+178.75 грн
500+167.34 грн
1000+154.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N2128AR 1n2128a.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD REV 50V 60A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E-TR GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.64 грн
10+185.75 грн
25+158.63 грн
100+120.10 грн
250+105.97 грн
500+97.28 грн
1000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBP208G kbp206g.pdf
KBP208G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.70 грн
10+53.94 грн
25+44.41 грн
100+31.14 грн
250+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KBP202G kbp201g.pdf
KBP202G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.74 грн
10+324.60 грн
25+310.14 грн
100+271.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N1199A 1n1199a.pdf
1N1199A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 50V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K gbu6j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M gbu6j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N3893 1n3889.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K gbu4j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP206G description kbp206g.pdf
KBP206G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W gbpc3506t.pdf
GBPC3510W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.07 грн
10+258.86 грн
25+237.20 грн
100+195.07 грн
250+178.75 грн
500+167.34 грн
1000+154.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M gbu4j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ402G kbj4005g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A KBJ
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100 mbrt120100.pdf
MBRT120100
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRT120100R mbrt120100.pdf
MBRT120100R
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 100V 60A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7535 mbr7520.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 35V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 35 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR7545 mbr75100.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 75A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 75 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRT250100A
MSRT250100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 250A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA400100A MSRTA40060%28A%29%7EMSRTA400100%28A%29.pdf
MSRTA400100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 400A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 400 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA500100A
MSRTA500100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSRTA600100A MSRTA60060%28A%29%7EMSRTA600100%28A%29.pdf
MSRTA600100A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3501W gbpc35005t.pdf
GBPC3501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.07 грн
10+258.86 грн
25+237.20 грн
100+195.07 грн
250+178.75 грн
500+167.34 грн
1000+154.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBL406G kbl406g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP206 KBP206%7EKBP210.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTL MBR60020CTL.pdf
MBR60020CTL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTRL MBR60020CTRL.pdf
MBR60020CTRL
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CT mbr60020ctr.pdf
MBR60020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR60020CTR mbr60020ctr.pdf
MBR60020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 20V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR600200CTR mbr600150ct.pdf
MBR600200CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 200V 300A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP208 KBP206%7EKBP210.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBP
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 2 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G kbu8g.pdf
KBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.55 грн
10+94.63 грн
25+74.14 грн
100+65.13 грн
250+60.40 грн
400+50.77 грн
1200+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8d.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.27 грн
10+85.26 грн
25+64.20 грн
100+51.94 грн
250+45.10 грн
500+40.60 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC2502W gbpc2502w.pdf
GBPC2502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 25 A
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+326.96 грн
10+256.23 грн
25+203.40 грн
100+177.00 грн
250+161.48 грн
500+150.61 грн
1000+146.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2504T kbpc2504t.pdf
KBPC2504T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400 V - 25 A
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.42 грн
10+236.59 грн
25+187.10 грн
100+161.48 грн
250+145.95 грн
500+137.41 грн
1000+133.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3508W kbpc3508w.pdf
KBPC3508W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.62 грн
10+250.87 грн
25+198.74 грн
100+173.12 грн
250+158.37 грн
500+147.50 грн
1000+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBU15G gbu15g-3477831.pdf
GBU15G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 15A Bridge Rectifier
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.39 грн
10+98.21 грн
25+74.53 грн
100+60.86 грн
250+53.10 грн
500+47.98 грн
1000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2510G kbj2510g-3477718.pdf
KBJ2510G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 25A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC15005W kbpc15005w.pdf
KBPC15005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 15 A
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.64 грн
10+225.87 грн
25+178.56 грн
100+154.49 грн
250+140.52 грн
500+130.42 грн
1000+126.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1502W kbpc1502w.pdf
KBPC1502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 15 A
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.64 грн
10+225.87 грн
25+178.56 грн
100+154.49 грн
250+140.52 грн
500+130.42 грн
1000+126.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC2501W kbpc2501w.pdf
KBPC2501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 25 A
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.42 грн
10+236.59 грн
25+187.10 грн
100+162.25 грн
250+147.50 грн
500+137.41 грн
1000+133.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC35005W kbpc35005w.pdf
KBPC35005W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.62 грн
10+250.87 грн
25+198.74 грн
100+173.12 грн
250+158.37 грн
500+147.50 грн
1000+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3501T kbpc3501t.pdf
KBPC3501T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 35 A
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.62 грн
10+250.87 грн
25+198.74 грн
100+173.12 грн
250+158.37 грн
500+147.50 грн
1000+143.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC1501W kbpc1501w-3481915.pdf
KBPC1501W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100 V - 15 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ2504G kbj2504g-2450633.pdf
KBJ2504G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 25A Bridge Rectifier
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.98 грн
10+152.67 грн
25+119.55 грн
100+101.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
W02M W005M%7EW10M.pdf %5BLumimax%5DW005M-W10M.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J gbu8j.pdf
GBU8J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.27 грн
10+84.46 грн
25+64.20 грн
100+51.94 грн
250+45.10 грн
500+40.60 грн
1000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1004 kbu1004.pdf
KBU1004
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 10A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3508W gbpc3508w.pdf
GBPC3508W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 35 A
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.66 грн
10+283.90 грн
25+226.69 грн
100+197.96 грн
250+181.66 грн
500+170.02 грн
1000+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GBPC3510W gbpc3510w.pdf
GBPC3510W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 35A Si Bridge Rectifier
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.66 грн
10+283.90 грн
25+226.69 грн
100+197.96 грн
250+181.66 грн
500+170.02 грн
1000+165.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC5006T kbpc5006t.pdf
KBPC5006T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 50 A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+331.49 грн
10+260.69 грн
25+207.28 грн
100+180.11 грн
250+167.69 грн
500+154.49 грн
1000+150.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3502W kbpc3502w.pdf
KBPC3502W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR305 br305.pdf
BR305
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 3A 50P/35R
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.18 грн
10+85.26 грн
25+64.36 грн
100+52.01 грн
600+40.68 грн
1000+36.57 грн
2600+32.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BR68 br68-3480678.pdf
BR68
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.63 грн
10+106.24 грн
25+80.74 грн
100+67.46 грн
200+59.47 грн
600+54.11 грн
1000+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3506W kbpc3506w.pdf
KBPC3506W
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 45 54 63 72 81 90 95  Наступна Сторінка >> ]