Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148451) > Сторінка 1246 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP772T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP772T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP77E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP77E6433 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 3985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP78 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 35mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2773 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 343 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSR302NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.7A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.63nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Case: SOT23 Gate charge: 0.6nC Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.021A On-state resistance: 500Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4791 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 0.92A Technology: SIPMOS® кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.22A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.12A Technology: SIPMOS® кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSS139H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7844 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A On-state resistance: 8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS169H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.17A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Case: PG-SOT89 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.19A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23 Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6001 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Drain-source voltage: -20V Drain current: -630mA On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: PG-SOT-323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4604 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5605 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Case: PG-SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2038 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: PG-SOT-323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.09A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 6915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Case: PG-SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4730 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 8017 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 4251 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: PG-SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS670S2LH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 5024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS7728NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS806NEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS806NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3929 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A On-state resistance: 8Ω Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 0.37nC Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT-323 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A On-state resistance: 8Ω Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 0.37nC Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6277 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS87H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 911 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSV236SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 4974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ018NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSZ019N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSZ025N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSZ028N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 20A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSZ034N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 52W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSZ035N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSZ035N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSZ036NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BSP772T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 212.92 грн |
8+ | 143.46 грн |
21+ | 136.10 грн |
BSP77E6433 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP77E6433 Power switches - integrated circuits
BSP77E6433 Power switches - integrated circuits
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.50 грн |
14+ | 78.17 грн |
38+ | 74.49 грн |
BSP78 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.65 грн |
10+ | 151.84 грн |
13+ | 88.28 грн |
34+ | 83.68 грн |
1000+ | 81.84 грн |
2000+ | 80.92 грн |
BSP88H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.68 грн |
48+ | 22.73 грн |
131+ | 21.49 грн |
BSP89H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.54 грн |
10+ | 33.52 грн |
25+ | 27.40 грн |
47+ | 24.00 грн |
127+ | 22.71 грн |
500+ | 21.89 грн |
BSP92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.64 грн |
65+ | 16.64 грн |
178+ | 15.73 грн |
BSR202NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.91 грн |
61+ | 17.84 грн |
167+ | 16.83 грн |
BSR302NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
11+ | 26.74 грн |
50+ | 20.87 грн |
80+ | 13.52 грн |
219+ | 12.78 грн |
1000+ | 12.32 грн |
BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
11+ | 28.36 грн |
61+ | 17.75 грн |
167+ | 16.74 грн |
1000+ | 16.09 грн |
BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.81 грн |
69+ | 15.82 грн |
188+ | 14.90 грн |
BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.50 грн |
79+ | 13.61 грн |
218+ | 12.87 грн |
BSS119NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.16 грн |
19+ | 15.28 грн |
50+ | 10.02 грн |
100+ | 8.64 грн |
171+ | 6.44 грн |
470+ | 6.07 грн |
1000+ | 5.89 грн |
BSS123IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.83 грн |
33+ | 8.79 грн |
42+ | 6.66 грн |
50+ | 5.74 грн |
100+ | 4.88 грн |
360+ | 2.99 грн |
990+ | 2.82 грн |
BSS123NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.84 грн |
26+ | 11.27 грн |
30+ | 9.38 грн |
100+ | 5.86 грн |
281+ | 3.83 грн |
772+ | 3.62 грн |
6000+ | 3.49 грн |
BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.60 грн |
22+ | 13.56 грн |
29+ | 9.56 грн |
50+ | 7.93 грн |
100+ | 6.69 грн |
294+ | 3.67 грн |
808+ | 3.47 грн |
BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.52 грн |
8+ | 35.91 грн |
10+ | 29.52 грн |
50+ | 20.23 грн |
65+ | 16.74 грн |
100+ | 16.64 грн |
177+ | 15.82 грн |
BSS127H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
18+ | 15.95 грн |
25+ | 12.23 грн |
50+ | 10.39 грн |
100+ | 9.01 грн |
143+ | 7.54 грн |
391+ | 7.17 грн |
BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.79 грн |
20+ | 14.99 грн |
25+ | 11.29 грн |
50+ | 9.25 грн |
100+ | 7.61 грн |
226+ | 4.87 грн |
500+ | 4.86 грн |
BSS138NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.78 грн |
22+ | 13.08 грн |
50+ | 7.76 грн |
100+ | 6.38 грн |
362+ | 2.99 грн |
994+ | 2.82 грн |
BSS138NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS138WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.83 грн |
23+ | 12.61 грн |
28+ | 10.21 грн |
50+ | 6.79 грн |
100+ | 5.71 грн |
292+ | 3.70 грн |
802+ | 3.49 грн |
BSS138WH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
89+ | 12.51 грн |
245+ | 11.40 грн |
3000+ | 10.94 грн |
BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
15+ | 19.10 грн |
99+ | 11.04 грн |
270+ | 10.48 грн |
BSS169H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.36 грн |
10+ | 30.65 грн |
25+ | 11.40 грн |
50+ | 10.85 грн |
100+ | 10.30 грн |
117+ | 9.29 грн |
321+ | 8.74 грн |
BSS192PH6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
10+ | 31.13 грн |
50+ | 25.66 грн |
70+ | 15.45 грн |
192+ | 14.62 грн |
1000+ | 14.44 грн |
3000+ | 14.07 грн |
BSS205NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 24.76 грн |
18+ | 16.62 грн |
25+ | 12.91 грн |
50+ | 10.92 грн |
100+ | 9.17 грн |
212+ | 5.06 грн |
583+ | 4.78 грн |
BSS209PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.86 грн |
30+ | 9.74 грн |
50+ | 7.96 грн |
100+ | 6.23 грн |
250+ | 4.30 грн |
500+ | 4.29 грн |
687+ | 4.06 грн |
BSS214NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
16+ | 18.14 грн |
50+ | 10.74 грн |
100+ | 9.52 грн |
195+ | 5.53 грн |
250+ | 5.52 грн |
536+ | 5.22 грн |
BSS214NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.60 грн |
21+ | 14.04 грн |
50+ | 9.05 грн |
100+ | 7.84 грн |
200+ | 5.39 грн |
549+ | 5.09 грн |
1000+ | 5.03 грн |
BSS215PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
15+ | 19.77 грн |
25+ | 13.24 грн |
50+ | 10.67 грн |
100+ | 9.01 грн |
167+ | 6.44 грн |
460+ | 6.07 грн |
BSS223PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.79 грн |
24+ | 12.22 грн |
28+ | 10.12 грн |
50+ | 8.92 грн |
100+ | 7.82 грн |
224+ | 4.78 грн |
614+ | 4.51 грн |
BSS225H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.81 грн |
10+ | 41.25 грн |
50+ | 22.16 грн |
137+ | 20.97 грн |
500+ | 20.32 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.70 грн |
171+ | 6.35 грн |
470+ | 5.98 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.63 грн |
13+ | 23.11 грн |
50+ | 16.09 грн |
100+ | 14.07 грн |
175+ | 6.35 грн |
482+ | 5.98 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.95 грн |
214+ | 5.05 грн |
586+ | 4.77 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.54 грн |
159+ | 6.81 грн |
435+ | 6.44 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 18.82 грн |
28+ | 10.41 грн |
50+ | 7.61 грн |
100+ | 6.69 грн |
283+ | 3.79 грн |
777+ | 3.59 грн |
BSS606NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
10+ | 30.46 грн |
50+ | 24.09 грн |
75+ | 14.44 грн |
206+ | 13.61 грн |
BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.22 грн |
245+ | 4.40 грн |
672+ | 4.17 грн |
BSS7728NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.29 грн |
219+ | 4.93 грн |
602+ | 4.65 грн |
BSS806NEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
14+ | 21.39 грн |
19+ | 14.99 грн |
36+ | 7.84 грн |
212+ | 5.06 грн |
583+ | 4.78 грн |
BSS806NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
16+ | 18.81 грн |
25+ | 14.07 грн |
50+ | 11.95 грн |
100+ | 10.12 грн |
180+ | 5.98 грн |
495+ | 5.61 грн |
BSS816NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.83 грн |
25+ | 11.75 грн |
100+ | 8.25 грн |
283+ | 3.79 грн |
776+ | 3.59 грн |
BSS83PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.84 грн |
29+ | 9.93 грн |
50+ | 7.65 грн |
100+ | 6.90 грн |
250+ | 5.99 грн |
397+ | 2.72 грн |
1090+ | 2.57 грн |
BSS84PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.85 грн |
34+ | 8.59 грн |
50+ | 6.47 грн |
100+ | 5.79 грн |
360+ | 3.00 грн |
988+ | 2.83 грн |
9000+ | 2.73 грн |
BSS87H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.25 грн |
63+ | 17.29 грн |
172+ | 16.28 грн |
BSV236SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ018NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.86 грн |
17+ | 66.21 грн |
45+ | 62.53 грн |
5000+ | 62.07 грн |
BSZ018NE2LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ019N03LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ025N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ028N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ034N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ035N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ035N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ036NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.