Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149103) > Сторінка 1246 з 2486
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC027N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC028N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC028N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 98A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC030N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC030N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC030N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC031N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC032N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSC032NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC034N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC034N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC035N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC035N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC036NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC037N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC039N06NS | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC040N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC040N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC042N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC042N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC042NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC046N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC047N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC0501NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain current: 100A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC0503NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain current: 100A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC0504NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain current: 64A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 66A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 72A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC050N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC050NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC052N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC054N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 81A Power dissipation: 57W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC057N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC057N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC059N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC059N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC060P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC061N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC066N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC070N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC072N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 74A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC076N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC077N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC082N10LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC084P03NS3EGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC084P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 100A Mounting: SMD On-state resistance: 1.9mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TDSON-8 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 100A Mounting: SMD On-state resistance: 2mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 89A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 48W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4596 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSC0904NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC0906NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3012 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 34V Drain current: 44A On-state resistance: 9.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BSC027N06LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 84A; Idm: 400A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS®
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC028N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC028N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC028N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 191.46 грн |
10+ | 152.60 грн |
11+ | 97.06 грн |
31+ | 91.61 грн |
500+ | 88.89 грн |
BSC030N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 98A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 98A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC030N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC030N04NSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC030N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC030N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC031N06NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC032N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.80 грн |
5+ | 81.01 грн |
18+ | 62.59 грн |
47+ | 58.96 грн |
500+ | 58.05 грн |
BSC032NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC032NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC032NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC034N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC034N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC034N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC035N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC035N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC035N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC035N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC035N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC036NE7NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC036NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC037N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC037N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC039N06NS |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC040N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC040N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC040N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC042N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC042N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC042N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC042NE7NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC042NE7NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC046N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC046N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC047N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC047N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0501NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0503NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0504NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 64A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 64A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC050N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC050N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC050N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC050N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC050NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC050NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC050NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC052N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC052N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC054N04NSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 81A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC057N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC057N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC057N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC057N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC059N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
BSC059N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC059N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC059N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC060N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC060N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC060N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC060P03NS3EGATMA |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
BSC060P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC061N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC061N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC066N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC066N06NSATMA1 SMD N channel transistors
BSC066N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC067N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC070N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC070N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC070N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC070N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC070N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC070N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC072N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC076N06NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC076N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC076N06NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC077N12NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC077N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSC077N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC080N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC080N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC080N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.28 грн |
39+ | 27.30 грн |
107+ | 25.85 грн |
5000+ | 25.81 грн |
BSC082N10LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC082N10LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC084P03NS3EGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
BSC084P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC084P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
BSC084P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0901NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0901NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 100A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0902NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0902NSATMA1 SMD N channel transistors
BSC0902NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0902NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.57 грн |
5+ | 64.24 грн |
23+ | 48.08 грн |
50+ | 47.98 грн |
61+ | 45.44 грн |
100+ | 45.08 грн |
250+ | 43.63 грн |
BSC0904NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0904NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC0904NSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC0906NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.29 грн |
7+ | 46.72 грн |
25+ | 34.74 грн |
39+ | 27.48 грн |
107+ | 25.94 грн |
250+ | 24.94 грн |
BSC0909NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.80 грн |
10+ | 33.35 грн |
54+ | 19.96 грн |
147+ | 18.87 грн |
1000+ | 18.32 грн |
5000+ | 18.14 грн |