Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148451) > Сторінка 1246 з 2475

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1241 1242 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1482 1729 1976 2223 2470 2475  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP772T INFINEON TECHNOLOGIES BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.92 грн
8+143.46 грн
21+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP77E6433 Power switches - integrated circuits
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.50 грн
14+78.17 грн
38+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78 INFINEON TECHNOLOGIES BSP78.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.65 грн
10+151.84 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
1000+81.84 грн
2000+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8 BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.68 грн
48+22.73 грн
131+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP89H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.54 грн
10+33.52 грн
25+27.40 грн
47+24.00 грн
127+22.71 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.64 грн
65+16.64 грн
178+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72 BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.91 грн
61+17.84 грн
167+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.61 грн
11+26.74 грн
50+20.87 грн
80+13.52 грн
219+12.78 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
11+28.36 грн
61+17.75 грн
167+16.74 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1 BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.81 грн
69+15.82 грн
188+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1 BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.50 грн
79+13.61 грн
218+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS119NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.16 грн
19+15.28 грн
50+10.02 грн
100+8.64 грн
171+6.44 грн
470+6.07 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.83 грн
33+8.79 грн
42+6.66 грн
50+5.74 грн
100+4.88 грн
360+2.99 грн
990+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.84 грн
26+11.27 грн
30+9.38 грн
100+5.86 грн
281+3.83 грн
772+3.62 грн
6000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.60 грн
22+13.56 грн
29+9.56 грн
50+7.93 грн
100+6.69 грн
294+3.67 грн
808+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+49.52 грн
8+35.91 грн
10+29.52 грн
50+20.23 грн
65+16.74 грн
100+16.64 грн
177+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.72 грн
18+15.95 грн
25+12.23 грн
50+10.39 грн
100+9.01 грн
143+7.54 грн
391+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.79 грн
20+14.99 грн
25+11.29 грн
50+9.25 грн
100+7.61 грн
226+4.87 грн
500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.78 грн
22+13.08 грн
50+7.76 грн
100+6.38 грн
362+2.99 грн
994+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138WH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.83 грн
23+12.61 грн
28+10.21 грн
50+6.79 грн
100+5.71 грн
292+3.70 грн
802+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
89+12.51 грн
245+11.40 грн
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.73 грн
15+19.10 грн
99+11.04 грн
270+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.36 грн
10+30.65 грн
25+11.40 грн
50+10.85 грн
100+10.30 грн
117+9.29 грн
321+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
10+31.13 грн
50+25.66 грн
70+15.45 грн
192+14.62 грн
1000+14.44 грн
3000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.76 грн
18+16.62 грн
25+12.91 грн
50+10.92 грн
100+9.17 грн
212+5.06 грн
583+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.86 грн
30+9.74 грн
50+7.96 грн
100+6.23 грн
250+4.30 грн
500+4.29 грн
687+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.72 грн
16+18.14 грн
50+10.74 грн
100+9.52 грн
195+5.53 грн
250+5.52 грн
536+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.60 грн
21+14.04 грн
50+9.05 грн
100+7.84 грн
200+5.39 грн
549+5.09 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.72 грн
15+19.77 грн
25+13.24 грн
50+10.67 грн
100+9.01 грн
167+6.44 грн
460+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.79 грн
24+12.22 грн
28+10.12 грн
50+8.92 грн
100+7.82 грн
224+4.78 грн
614+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.81 грн
10+41.25 грн
50+22.16 грн
137+20.97 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.70 грн
171+6.35 грн
470+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.63 грн
13+23.11 грн
50+16.09 грн
100+14.07 грн
175+6.35 грн
482+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.95 грн
214+5.05 грн
586+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.54 грн
159+6.81 грн
435+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS316NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+18.82 грн
28+10.41 грн
50+7.61 грн
100+6.69 грн
283+3.79 грн
777+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
10+30.46 грн
50+24.09 грн
75+14.44 грн
206+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094 BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.22 грн
245+4.40 грн
672+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.29 грн
219+4.93 грн
602+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.72 грн
14+21.39 грн
19+14.99 грн
36+7.84 грн
212+5.06 грн
583+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.73 грн
16+18.81 грн
25+14.07 грн
50+11.95 грн
100+10.12 грн
180+5.98 грн
495+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.83 грн
25+11.75 грн
100+8.25 грн
283+3.79 грн
776+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance:
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.84 грн
29+9.93 грн
50+7.65 грн
100+6.90 грн
250+5.99 грн
397+2.72 грн
1090+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance:
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.85 грн
34+8.59 грн
50+6.47 грн
100+5.79 грн
360+3.00 грн
988+2.83 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.25 грн
63+17.29 грн
172+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513 BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.86 грн
17+66.21 грн
45+62.53 грн
5000+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ025N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ028N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ034N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP772T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.92 грн
8+143.46 грн
21+136.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP77E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP77E6433 Power switches - integrated circuits
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.50 грн
14+78.17 грн
38+74.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP78 BSP78.pdf
BSP78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.65 грн
10+151.84 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
1000+81.84 грн
2000+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP88H6327XTSA1 Infineon-BSP88-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b4b657acf0ca8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.68 грн
48+22.73 грн
131+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP89H6327XTSA1 BSP89H6327XTSA1.pdf
BSP89H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.54 грн
10+33.52 грн
25+27.40 грн
47+24.00 грн
127+22.71 грн
500+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP92PH6327XTSA1 Infineon-BSP92P-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b5fd12d3d575e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.64 грн
65+16.64 грн
178+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR202NL6327HTSA1 BSR202N_Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a3043156fd573011622e5576e1f72
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.91 грн
61+17.84 грн
167+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.61 грн
11+26.74 грн
50+20.87 грн
80+13.52 грн
219+12.78 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1.pdf
BSR316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
11+28.36 грн
61+17.75 грн
167+16.74 грн
1000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSR802NL6327HTSA1 BSR802N_Rev2.1.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b129302297bc1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.81 грн
69+15.82 грн
188+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSR92PH6327XTSA1 Infineon-BSR92P-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ac3aa43e1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.50 грн
79+13.61 грн
218+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1.pdf
BSS119NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.16 грн
19+15.28 грн
50+10.02 грн
100+8.64 грн
171+6.44 грн
470+6.07 грн
1000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.83 грн
33+8.79 грн
42+6.66 грн
50+5.74 грн
100+4.88 грн
360+2.99 грн
990+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.84 грн
26+11.27 грн
30+9.38 грн
100+5.86 грн
281+3.83 грн
772+3.62 грн
6000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.60 грн
22+13.56 грн
29+9.56 грн
50+7.93 грн
100+6.69 грн
294+3.67 грн
808+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2.pdf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+49.52 грн
8+35.91 грн
10+29.52 грн
50+20.23 грн
65+16.74 грн
100+16.64 грн
177+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
18+15.95 грн
25+12.23 грн
50+10.39 грн
100+9.01 грн
143+7.54 грн
391+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.79 грн
20+14.99 грн
25+11.29 грн
50+9.25 грн
100+7.61 грн
226+4.87 грн
500+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2.pdf
BSS138NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.78 грн
22+13.08 грн
50+7.76 грн
100+6.38 грн
362+2.99 грн
994+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1.pdf
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.83 грн
23+12.61 грн
28+10.21 грн
50+6.79 грн
100+5.71 грн
292+3.70 грн
802+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
89+12.51 грн
245+11.40 грн
3000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.73 грн
15+19.10 грн
99+11.04 грн
270+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.36 грн
10+30.65 грн
25+11.40 грн
50+10.85 грн
100+10.30 грн
117+9.29 грн
321+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Case: PG-SOT89
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
10+31.13 грн
50+25.66 грн
70+15.45 грн
192+14.62 грн
1000+14.44 грн
3000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.76 грн
18+16.62 грн
25+12.91 грн
50+10.92 грн
100+9.17 грн
212+5.06 грн
583+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.86 грн
30+9.74 грн
50+7.96 грн
100+6.23 грн
250+4.30 грн
500+4.29 грн
687+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
16+18.14 грн
50+10.74 грн
100+9.52 грн
195+5.53 грн
250+5.52 грн
536+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1.pdf
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.60 грн
21+14.04 грн
50+9.05 грн
100+7.84 грн
200+5.39 грн
549+5.09 грн
1000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
15+19.77 грн
25+13.24 грн
50+10.67 грн
100+9.01 грн
167+6.44 грн
460+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.79 грн
24+12.22 грн
28+10.12 грн
50+8.92 грн
100+7.82 грн
224+4.78 грн
614+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.81 грн
10+41.25 грн
50+22.16 грн
137+20.97 грн
500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.70 грн
171+6.35 грн
470+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.63 грн
13+23.11 грн
50+16.09 грн
100+14.07 грн
175+6.35 грн
482+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.95 грн
214+5.05 грн
586+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.54 грн
159+6.81 грн
435+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.82 грн
28+10.41 грн
50+7.61 грн
100+6.69 грн
283+3.79 грн
777+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
10+30.46 грн
50+24.09 грн
75+14.44 грн
206+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2L_Rev2.5.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f68606013109e4a7fb0094
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.22 грн
245+4.40 грн
672+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.29 грн
219+4.93 грн
602+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.72 грн
14+21.39 грн
19+14.99 грн
36+7.84 грн
212+5.06 грн
583+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.73 грн
16+18.81 грн
25+14.07 грн
50+11.95 грн
100+10.12 грн
180+5.98 грн
495+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.83 грн
25+11.75 грн
100+8.25 грн
283+3.79 грн
776+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance:
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.84 грн
29+9.93 грн
50+7.65 грн
100+6.90 грн
250+5.99 грн
397+2.72 грн
1090+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance:
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+15.85 грн
34+8.59 грн
50+6.47 грн
100+5.79 грн
360+3.00 грн
988+2.83 грн
9000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 Infineon-BSS87-DS-v01_42-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b60b6e9436ddb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.25 грн
63+17.29 грн
172+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ee77f32012f072b132a57fc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.86 грн
17+66.21 грн
45+62.53 грн
5000+62.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LS-DTE.pdf
BSZ025N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LS-DTE.pdf
BSZ028N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LS-DTE.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSG-DTE.pdf
BSZ035N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSG-DTE.pdf
BSZ035N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1241 1242 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1482 1729 1976 2223 2470 2475  Наступна Сторінка >> ]