Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149102) > Сторінка 1245 з 2486
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFR93AWH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BFS481H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BFS483H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BGA524N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape Type of integrated circuit: RF amplifier Bandwidth: 1550...1615MHz Mounting: SMT Number of channels: 1 Case: TSNP6 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Application: global navigation satellite systems (GPS) Integrated circuit features: low noise Operating voltage: 1.5...3.3V Noise Figure: 0.55dB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGS12P2L6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz Supply voltage: 1.65...3.4V DC Application: telecommunication Output configuration: SPDT Mounting: SMD Case: TSLP-6-4 Type of integrated circuit: RF switch Bandwidth: 0.05...6GHz кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGS12SN6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz Supply voltage: 1.8...3.5V DC Application: telecommunication Output configuration: SPDT Mounting: SMD Case: TSNP6 Type of integrated circuit: RF switch Number of channels: 2 Bandwidth: 0.1...6GHz кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGS13S4N9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGS14MPA9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz Case: ATSLP-9-3 Mounting: SMD Bandwidth: 0.05...6GHz Application: telecommunication Output configuration: SP4T Supply voltage: 1.65...1.95V DC Type of integrated circuit: RF switch Interface: MIPI Number of channels: 4 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGSA14GN10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz Type of integrated circuit: RF switch Output configuration: SP4T Number of channels: 4 Case: TSNP10 Supply voltage: 1.8...3.6V DC Mounting: SMD Application: telecommunication Bandwidth: 0.1...5GHz кількість в упаковці: 7500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BGSX22G2A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz Output configuration: DPDT Supply voltage: 1.65...3.4V DC Type of integrated circuit: RF switch Number of channels: 2 Bandwidth: 0.1...6GHz Application: telecommunication Mounting: SMD Case: ATSLP-10-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BGSX22G5A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGSX24MU16E6327XUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape Supply voltage: 3.2...3.4V DC Frequency: 24...24.25GHz DC supply current: 45mA Type of integrated circuit: interface Open-loop gain: 26dB Kind of package: reel; tape Number of receivers: 1 Number of transmitters: 1 Case: TSNP16 Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver Operating temperature: -40...85°C Noise Figure: 10dB Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BGT24MTR11E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BGT24MTR12E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
BGX50AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.14A Case: SOT143 Semiconductor structure: bridge rectifier Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD Power dissipation: 0.21W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
BSB008NE2LXXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSB012NE2LXIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSB013NE2LXIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 103A On-state resistance: 1.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSB014N04LX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSB015N04NX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSB028N06NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSB104N08NP3GXUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSB165N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 150V Drain current: 45A On-state resistance: 16.5mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSB280N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W Drain-source voltage: 150V Drain current: 30A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSC007N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC009NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSC009NE2LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSC009NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSC010N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSC010N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSC010N04LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSC010NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC010NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC011N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC011N03LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC014N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSC014N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSC014N04LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSC014N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSC014NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSC016N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSC016N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
BSC016N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSC017N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC018N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC019N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC019N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC019N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC022N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 28nC Technology: OptiMOS™ 6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 FL кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSC022N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 2.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BSC024NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC025N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC026N02KSGAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC026N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BSC026NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
BSC027N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BFR93AWH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.75 грн |
38+ | 7.54 грн |
100+ | 6.03 грн |
215+ | 4.99 грн |
590+ | 4.72 грн |
12000+ | 4.57 грн |
BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS483H6327 NPN SMD transistors
BFS483H6327 NPN SMD transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 73.26 грн |
32+ | 33.74 грн |
87+ | 31.93 грн |
BGA524N6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Bandwidth: 0.05...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Bandwidth: 0.05...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSNP6
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSNP6
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS13S4N9E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS14MPA9E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGSA14GN10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
кількість в упаковці: 7500 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
кількість в упаковці: 7500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 83.03 грн |
5+ | 70.65 грн |
18+ | 61.68 грн |
25+ | 60.77 грн |
48+ | 58.96 грн |
100+ | 57.15 грн |
BGSX22G5A10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGSX24MU16E6327XUSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGT24MTR11E6327XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 956.34 грн |
3+ | 923.41 грн |
BGX50AE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.82 грн |
100+ | 10.08 грн |
145+ | 7.44 грн |
399+ | 7.08 грн |
3000+ | 6.89 грн |
BSB008NE2LXXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB012NE2LXIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors
BSB012NE2LXIXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB014N04LX3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB104N08NP3GXUSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; 57W
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC009NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC009NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010N04LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC010NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC010NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010NE2LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC010NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC010NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC011N03LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC011N03LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC011N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC011N03LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC011N03LSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC011N03LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014N04LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014NE2LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
BSC014NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC016N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC016N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC016N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC017N04NSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC017N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC018N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC018N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC019N02KSGAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
BSC019N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC019N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC019N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC019N04NSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC019N04NSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC022N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 79W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ 6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8 FL
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC022N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC024NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC024NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC025N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC025N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC026N02KSGAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
BSC026N02KSGAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC026N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
BSC026N04LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC026N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC026N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC026NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC026NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC027N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.