Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148441) > Сторінка 1245 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSF134N10NJ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSF450NE7NH3XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 2W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL211SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSL214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSL296SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Case: PG-TSOP-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.4/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.191/0.177Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL372SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSOP-6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL802SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSM200GB60DLC | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Power dissipation: 1.79W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.3A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 1.56W Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Drain current: 50mA On-state resistance: 6.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 240V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Case: SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS® Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Case: SOT223 Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 623 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP50H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP603S2L | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP603S2L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP61H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP742RIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSP742T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP742T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP752R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Case: SO8 On-state resistance: 0.15Ω Output voltage: 52V Output current: 1.3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2679 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP752T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP752T Power switches - integrated circuits |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP752TXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP762T | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Output current: 2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 70mΩ Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Case: PG-SOT223-4 Output voltage: 42V Output current: 1.4A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BSF134N10NJ3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSF450NE7NH3XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
BSF450NE7NH3XUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSG0811NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.49 грн |
10+ | 44.50 грн |
51+ | 21.15 грн |
140+ | 19.96 грн |
3000+ | 19.22 грн |
BSL211SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL214NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.57 грн |
48+ | 22.90 грн |
130+ | 21.61 грн |
BSL296SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL296SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.50 грн |
10+ | 36.38 грн |
50+ | 27.31 грн |
65+ | 16.74 грн |
178+ | 15.82 грн |
3000+ | 15.36 грн |
BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Case: PG-TSOP-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Case: PG-TSOP-6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.54 грн |
10+ | 35.24 грн |
40+ | 30.35 грн |
53+ | 20.97 грн |
145+ | 19.86 грн |
400+ | 19.50 грн |
500+ | 19.13 грн |
BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
12+ | 25.50 грн |
50+ | 19.31 грн |
60+ | 18.76 грн |
91+ | 11.86 грн |
250+ | 11.22 грн |
3000+ | 11.04 грн |
BSL372SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.34 грн |
7+ | 41.83 грн |
10+ | 35.04 грн |
50+ | 25.93 грн |
58+ | 19.04 грн |
159+ | 17.93 грн |
500+ | 17.38 грн |
BSL802SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSM200GB60DLC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO033N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO033N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO033N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO080P03SHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO150N03MDGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO201SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO201SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO201SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO203PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO203PHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO203PHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO203SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO203SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO203SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.50 грн |
8+ | 37.43 грн |
25+ | 32.74 грн |
BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
12+ | 25.21 грн |
25+ | 23.63 грн |
BSO220N03MDGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.56W
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.56W
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO301SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO301SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO303SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO303SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO303SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO613SPVGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO613SPVGXUMA1 SMD P channel transistors
BSO613SPVGXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.34 грн |
10+ | 54.34 грн |
36+ | 30.07 грн |
99+ | 28.42 грн |
1000+ | 27.40 грн |
BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.37 грн |
10+ | 51.09 грн |
35+ | 31.36 грн |
95+ | 29.61 грн |
250+ | 28.78 грн |
500+ | 28.51 грн |
BSP129H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.36 грн |
25+ | 45.46 грн |
28+ | 39.36 грн |
76+ | 37.15 грн |
250+ | 36.69 грн |
1000+ | 35.77 грн |
BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.73 грн |
10+ | 84.04 грн |
28+ | 39.45 грн |
76+ | 37.34 грн |
1000+ | 35.86 грн |
BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.91 грн |
10+ | 80.70 грн |
27+ | 41.38 грн |
72+ | 39.08 грн |
1000+ | 37.98 грн |
BSP149H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 94.08 грн |
10+ | 59.21 грн |
43+ | 25.29 грн |
118+ | 23.91 грн |
2000+ | 22.99 грн |
BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.23 грн |
10+ | 50.90 грн |
25+ | 34.21 грн |
47+ | 23.36 грн |
100+ | 21.43 грн |
500+ | 21.24 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.29 грн |
10+ | 50.52 грн |
25+ | 39.54 грн |
39+ | 28.23 грн |
106+ | 26.76 грн |
500+ | 26.39 грн |
1000+ | 25.75 грн |
BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.76 грн |
38+ | 28.42 грн |
105+ | 26.85 грн |
BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.92 грн |
50+ | 21.70 грн |
137+ | 20.51 грн |
BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.52 грн |
50+ | 21.79 грн |
136+ | 20.60 грн |
BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.26 грн |
7+ | 43.93 грн |
25+ | 38.07 грн |
36+ | 30.71 грн |
99+ | 29.06 грн |
1000+ | 28.14 грн |
BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.73 грн |
37+ | 29.70 грн |
100+ | 28.14 грн |
BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.80 грн |
33+ | 32.83 грн |
91+ | 31.08 грн |
BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.95 грн |
6+ | 49.66 грн |
25+ | 43.41 грн |
33+ | 33.29 грн |
89+ | 31.45 грн |
5000+ | 30.99 грн |
BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 282.25 грн |
10+ | 181.44 грн |
11+ | 106.67 грн |
28+ | 100.24 грн |
2000+ | 96.56 грн |
BSP50H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP603S2L |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP603S2L SMD N channel transistors
BSP603S2L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.00 грн |
10+ | 66.94 грн |
21+ | 53.06 грн |
50+ | 50.58 грн |
56+ | 50.21 грн |
100+ | 48.28 грн |
BSP61H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP61H6327XTSA1 PNP SMD Darlington transistors
BSP61H6327XTSA1 PNP SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP742R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.71 грн |
10+ | 148.02 грн |
13+ | 84.60 грн |
35+ | 80.01 грн |
2500+ | 77.25 грн |
BSP742RIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP742T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
BSP742T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.50 грн |
12+ | 91.96 грн |
33+ | 87.36 грн |
BSP752R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 151.52 грн |
3+ | 128.92 грн |
10+ | 112.19 грн |
11+ | 107.59 грн |
29+ | 102.08 грн |
1000+ | 100.24 грн |
2500+ | 97.48 грн |
BSP752T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752T Power switches - integrated circuits
BSP752T Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP752TXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP762T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.93 грн |
5+ | 171.89 грн |
10+ | 114.95 грн |
27+ | 108.51 грн |
2500+ | 104.83 грн |
BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Case: PG-SOT223-4
Output voltage: 42V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Case: PG-SOT223-4
Output voltage: 42V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 192.13 грн |
3+ | 117.46 грн |
17+ | 68.05 грн |
45+ | 64.37 грн |
1000+ | 62.53 грн |