Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149103) > Сторінка 1248 з 2486
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSL802SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSM200GB60DLC | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.3A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2213 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA On-state resistance: 6.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Case: SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1025 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS® Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 891 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD On-state resistance: 0.24Ω Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP50H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP603S2L | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP603S2L SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP61H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1763 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP742RIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSP742T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP742T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP752R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Output voltage: 52V Output current: 1.3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP752T | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Output voltage: 52V Output current: 1.3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSP752TXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP762T | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V On-state resistance: 70mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 1.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-SOT223-4 Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP772T | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 50mΩ Technology: Classic PROFET Supply voltage: 5...34V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP77E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 2.17A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 70mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3753 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP78 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 On-state resistance: 35mΩ Output voltage: 42V Output current: 3A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Mounting: SMD Case: SOT223-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2761 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP88H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 343 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 428 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSR302NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.7A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA On-state resistance: 2.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.63nC Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.77A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1668 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BSL802SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSM200GB60DLC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 730W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO033N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO033N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO033N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO080P03SHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO080P03SHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO080P03SHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO150N03MDGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO201SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO201SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO201SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO203PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO203PHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO203PHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO203SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO203SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO203SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.80 грн |
8+ | 36.93 грн |
25+ | 32.29 грн |
BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.33 грн |
12+ | 24.87 грн |
25+ | 23.31 грн |
BSO220N03MDGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO220N03MDGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO220N03MDGXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO301SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO301SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO303SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO303SPHXUMA1 SMD P channel transistors
BSO303SPHXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO613SPVGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO613SPVGXUMA1 SMD P channel transistors
BSO613SPVGXUMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.43 грн |
10+ | 53.60 грн |
37+ | 29.66 грн |
100+ | 28.03 грн |
1000+ | 27.03 грн |
BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.50 грн |
10+ | 50.40 грн |
35+ | 31.20 грн |
95+ | 29.48 грн |
250+ | 28.39 грн |
BSP129H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.47 грн |
25+ | 44.84 грн |
28+ | 38.73 грн |
76+ | 36.65 грн |
250+ | 36.19 грн |
1000+ | 35.29 грн |
BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.97 грн |
10+ | 82.89 грн |
28+ | 38.91 грн |
76+ | 36.83 грн |
1000+ | 35.38 грн |
BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 110.38 грн |
10+ | 79.60 грн |
27+ | 40.82 грн |
50+ | 40.73 грн |
73+ | 38.55 грн |
1000+ | 37.46 грн |
BSP149H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.80 грн |
10+ | 58.40 грн |
43+ | 24.94 грн |
118+ | 23.58 грн |
2000+ | 22.68 грн |
BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.15 грн |
10+ | 50.21 грн |
25+ | 33.74 грн |
47+ | 23.04 грн |
100+ | 21.13 грн |
500+ | 20.95 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.31 грн |
10+ | 49.83 грн |
25+ | 39.00 грн |
39+ | 27.85 грн |
106+ | 26.40 грн |
500+ | 26.03 грн |
1000+ | 25.40 грн |
BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.73 грн |
38+ | 28.03 грн |
105+ | 26.49 грн |
BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.83 грн |
50+ | 21.41 грн |
137+ | 20.23 грн |
BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.44 грн |
50+ | 21.50 грн |
136+ | 20.32 грн |
BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.22 грн |
7+ | 43.33 грн |
25+ | 37.55 грн |
36+ | 30.30 грн |
99+ | 28.66 грн |
1000+ | 27.76 грн |
BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.79 грн |
37+ | 29.30 грн |
100+ | 27.76 грн |
BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.69 грн |
33+ | 32.38 грн |
91+ | 30.66 грн |
BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.24Ω
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.24Ω
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.48 грн |
6+ | 48.98 грн |
25+ | 42.81 грн |
33+ | 32.84 грн |
90+ | 31.02 грн |
5000+ | 30.57 грн |
BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 278.40 грн |
10+ | 178.97 грн |
11+ | 106.13 грн |
28+ | 99.78 грн |
2000+ | 96.15 грн |
BSP50H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
BSP50H6327XTSA1 NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP603S2L |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP603S2L SMD N channel transistors
BSP603S2L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.59 грн |
10+ | 66.03 грн |
21+ | 52.43 грн |
50+ | 49.89 грн |
57+ | 49.53 грн |
100+ | 47.62 грн |
BSP61H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP742R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.51 грн |
10+ | 146.00 грн |
13+ | 85.27 грн |
35+ | 79.82 грн |
2500+ | 77.10 грн |
BSP742RIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP742T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
BSP742T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 151.41 грн |
12+ | 90.71 грн |
33+ | 86.17 грн |
BSP752R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 263.75 грн |
10+ | 167.67 грн |
11+ | 106.13 грн |
28+ | 99.78 грн |
1000+ | 96.15 грн |
BSP752T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP752TXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP762T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
On-state resistance: 70mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
On-state resistance: 70mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 287.20 грн |
10+ | 116.80 грн |
27+ | 106.13 грн |
1000+ | 103.41 грн |
2500+ | 102.50 грн |
BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 190.49 грн |
10+ | 117.75 грн |
17+ | 66.22 грн |
45+ | 62.59 грн |
1000+ | 61.68 грн |
2000+ | 59.87 грн |
BSP772T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 309.66 грн |
8+ | 147.89 грн |
21+ | 134.25 грн |
500+ | 129.71 грн |
BSP77E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 220.77 грн |
10+ | 137.53 грн |
15+ | 73.47 грн |
40+ | 69.85 грн |
2000+ | 67.12 грн |
BSP78 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.38 грн |
10+ | 149.77 грн |
13+ | 87.08 грн |
34+ | 82.54 грн |
1000+ | 80.73 грн |
2000+ | 79.82 грн |
BSP88H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.95 грн |
48+ | 22.42 грн |
131+ | 21.20 грн |
BSP89H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.89 грн |
10+ | 33.06 грн |
25+ | 27.03 грн |
47+ | 23.13 грн |
127+ | 21.86 грн |
500+ | 21.23 грн |
1000+ | 21.13 грн |
BSP92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.85 грн |
65+ | 16.42 грн |
178+ | 15.51 грн |
BSR202NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR202NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.23 грн |
61+ | 17.60 грн |
167+ | 16.60 грн |
BSR302NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.07 грн |
11+ | 26.38 грн |
50+ | 20.59 грн |
80+ | 13.33 грн |
219+ | 12.61 грн |
1000+ | 12.15 грн |
BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.91 грн |
11+ | 27.98 грн |
61+ | 17.51 грн |
167+ | 16.51 грн |
1000+ | 15.87 грн |
BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.14 грн |
69+ | 15.60 грн |
188+ | 14.69 грн |
BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.95 грн |
79+ | 13.42 грн |
218+ | 12.70 грн |
BSS119NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.84 грн |
19+ | 15.07 грн |
50+ | 9.89 грн |
100+ | 8.53 грн |
171+ | 6.35 грн |
470+ | 5.99 грн |
1000+ | 5.81 грн |
BSS123IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.63nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 17.58 грн |
33+ | 8.67 грн |
42+ | 6.57 грн |
50+ | 5.66 грн |
100+ | 4.82 грн |
363+ | 2.95 грн |
998+ | 2.78 грн |