Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149103) > Сторінка 1247 з 2486

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1242 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1488 1736 1984 2232 2480 2486  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6 BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5 BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914 BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.38 грн
31+36.64 грн
83+33.38 грн
500+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC097N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38C25CDBE7C611C&compId=BSC100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=d3a515f2e8fe5598d360f552b9155b246cfe36f8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.75 грн
10+55.58 грн
40+27.30 грн
108+25.85 грн
2000+25.40 грн
2500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D78CCFF2B411C&compId=BSC105N10LSFG-DTE.pdf?ci_sign=32f6b127d23e115ccf0cd1ecc059a3e7f4f9f4b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D950ECCBD011C&compId=BSC109N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=73b03e08e383856ad99c6b662e0bfa1e3d0a5de9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D96AA8069611C&compId=BSC110N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=00f412b49613db1927099a64c96e7667ef282ced Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9A69886D211C&compId=BSC117N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=23efda944c0554f017e600157a0f280e1d331efa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9DCDB846011C&compId=BSC118N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=677f6c93c2498a7ba9596957c0f0ef730c263662 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA054235A211C&compId=BSC120N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=946238703efb8cfb797f73bad01e4f824095455e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA2C2B695E11C&compId=BSC120N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=1534942e68b54aa8c7996b16f304df746fc732c3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.25 грн
10+79.31 грн
21+53.43 грн
56+50.43 грн
500+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA96CD3C5811C&compId=BSC123N10LSG-DTE.pdf?ci_sign=502e468ba211a3d90ef62890cb82e0b16657e541 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6CDBBD7E411C&compId=BSC12DN20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=a25373e9ee75a46b52f6339ff91ce7cebfbad060 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAF9708D3411C&compId=BSC160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=40b99f03d0385a774315a98299c6b275c55d6333 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 BSC16DN25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6DE8A553411C&compId=BSC16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=da8a4c7c5c75536fe143cf3873658d8ba84f863b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC63B17224A11C&compId=BSC190N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=350ea8f47ffd494294b14350634a85a9fee75355 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.18 грн
3+143.18 грн
10+129.71 грн
25+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB2068F3D811C&compId=BSC196N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=da8b6e507176b595fdb7cb5dc1e045ec2ef98bb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48 BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Drain current: 40A
On-state resistance: 25.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46 BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571 BSC320N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a BSC340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.09 грн
51+21.13 грн
138+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC520N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948 BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD214SN_Rev_2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011b01d1628230a0 BSD214SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.47 грн
19+15.54 грн
50+10.25 грн
100+8.71 грн
156+6.95 грн
428+6.57 грн
500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.21 грн
13+23.36 грн
15+18.78 грн
50+12.15 грн
100+10.16 грн
175+6.08 грн
478+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.35 грн
19+15.45 грн
50+12.25 грн
100+9.80 грн
141+7.53 грн
389+7.08 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.44 грн
19+15.26 грн
50+12.61 грн
100+9.89 грн
187+5.71 грн
512+5.44 грн
9000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF030NE2LQ-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF035NE2LQXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF134N10NJ3GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834 BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF450NE7NH3XUMA1 BSF450NE7NH3XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DDAA4129A411C&compId=BSF450NE7NH3-DTE.pdf?ci_sign=c06da7dc27e6cb8fcb421beb0727bad5d85a6bb3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.77 грн
10+43.90 грн
51+20.86 грн
140+19.77 грн
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL214N.pdf BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.82 грн
48+22.59 грн
130+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL296SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.80 грн
10+35.89 грн
50+26.94 грн
65+16.51 грн
178+15.60 грн
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.89 грн
10+34.76 грн
40+29.93 грн
53+20.32 грн
145+19.14 грн
500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.10 грн
12+25.15 грн
50+19.05 грн
60+18.50 грн
91+11.70 грн
250+11.07 грн
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.43 грн
7+41.26 грн
10+34.56 грн
50+25.58 грн
58+18.78 грн
159+17.69 грн
500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 Infineon-BSC090N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4276e193c2f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC090N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0911NDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0923NDIATMA1 Infineon-BSC0923NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136caa90c9e00b6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0923NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0924NDIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0925NDATMA1 Infineon-BSC0925ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cec562a24914
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0925NDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.38 грн
31+36.64 грн
83+33.38 грн
500+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NS-DTE.pdf
BSC097N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 46A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon-BSC098N10NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae95ab4221bfd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC098N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38C25CDBE7C611C&compId=BSC100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=d3a515f2e8fe5598d360f552b9155b246cfe36f8
BSC100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 45nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4646 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.75 грн
10+55.58 грн
40+27.30 грн
108+25.85 грн
2000+25.40 грн
2500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D78CCFF2B411C&compId=BSC105N10LSFG-DTE.pdf?ci_sign=32f6b127d23e115ccf0cd1ecc059a3e7f4f9f4b8
BSC105N10LSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D950ECCBD011C&compId=BSC109N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=73b03e08e383856ad99c6b662e0bfa1e3d0a5de9
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
On-state resistance: 10.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N06NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D96AA8069611C&compId=BSC110N06NS3G-DTE.pdf?ci_sign=00f412b49613db1927099a64c96e7667ef282ced
BSC110N06NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC117N08NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9A69886D211C&compId=BSC117N08NS5-DTE.pdf?ci_sign=23efda944c0554f017e600157a0f280e1d331efa
BSC117N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
On-state resistance: 11.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38D9DCDB846011C&compId=BSC118N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=677f6c93c2498a7ba9596957c0f0ef730c263662
BSC118N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 11.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA054235A211C&compId=BSC120N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=946238703efb8cfb797f73bad01e4f824095455e
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 33A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC120N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA2C2B695E11C&compId=BSC120N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=1534942e68b54aa8c7996b16f304df746fc732c3
BSC120N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 28W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.25 грн
10+79.31 грн
21+53.43 грн
56+50.43 грн
500+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N10LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA96CD3C5811C&compId=BSC123N10LSG-DTE.pdf?ci_sign=502e468ba211a3d90ef62890cb82e0b16657e541
BSC123N10LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6CDBBD7E411C&compId=BSC12DN20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=a25373e9ee75a46b52f6339ff91ce7cebfbad060
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11.3A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11.3A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAF9708D3411C&compId=BSC160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=40b99f03d0385a774315a98299c6b275c55d6333
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC16DN25NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC6DE8A553411C&compId=BSC16DN25NS3G-DTE.pdf?ci_sign=da8a4c7c5c75536fe143cf3873658d8ba84f863b
BSC16DN25NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 0.165Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N12NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC63B17224A11C&compId=BSC190N12NS3G-DTE.pdf?ci_sign=350ea8f47ffd494294b14350634a85a9fee75355
BSC190N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.18 грн
3+143.18 грн
10+129.71 грн
25+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSC196N10NSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB2068F3D811C&compId=BSC196N10NSG-DTE.pdf?ci_sign=da8b6e507176b595fdb7cb5dc1e045ec2ef98bb3
BSC196N10NSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 78W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
On-state resistance: 19.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC22DN20NS3GATMA1 BSC22DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b1582d2df1a48
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Drain current: 40A
On-state resistance: 25.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC265N10LSFGATMA1 BSC265N10LSF+G_+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a375207b46
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC265N10LSFGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC320N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3G_rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae81c21f2563a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.09 грн
51+21.13 грн
138+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d01254a567c041b4e&fileId=db3a304328c6bd5c012936a5026a2e2c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC360N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC500N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC520N15NS3GATMA1 BSC520N15NS3G-DTE.pdf
BSC520N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 57W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 57W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC600N25NS3GATMA1 BSC600N25NS3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496ab13871948
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC600N25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD214SNH6327XTSA1 BSD214SN_Rev_2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011b01d1628230a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD214SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.47 грн
19+15.54 грн
50+10.25 грн
100+8.71 грн
156+6.95 грн
428+6.57 грн
500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.21 грн
13+23.36 грн
15+18.78 грн
50+12.15 грн
100+10.16 грн
175+6.08 грн
478+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1.pdf
BSD235NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.35 грн
19+15.45 грн
50+12.25 грн
100+9.80 грн
141+7.53 грн
389+7.08 грн
3000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSD316SNH6327XTSA1 Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.44 грн
19+15.26 грн
50+12.61 грн
100+9.89 грн
187+5.71 грн
512+5.44 грн
9000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSF030NE2LQXUMA1 BSF030NE2LQ-DTE.pdf
BSF030NE2LQXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF035NE2LQXUMA1 Infineon-BSF035NE2LQ-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30433f764301013f7fe8a925463c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3+G_Rev+2.4_.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432e779412012e7afa4a6c3834
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSF450NE7NH3XUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DDAA4129A411C&compId=BSF450NE7NH3-DTE.pdf?ci_sign=c06da7dc27e6cb8fcb421beb0727bad5d85a6bb3
BSF450NE7NH3XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 2W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.77 грн
10+43.90 грн
51+20.86 грн
140+19.77 грн
3000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL214NH6327XTSA1 BSL214N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.82 грн
48+22.59 грн
130+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL296SNH6327XTSA1 BSL296SNH6327XTSA1.pdf
BSL296SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.80 грн
10+35.89 грн
50+26.94 грн
65+16.51 грн
178+15.60 грн
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794
BSL308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.89 грн
10+34.76 грн
40+29.93 грн
53+20.32 грн
145+19.14 грн
500+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.10 грн
12+25.15 грн
50+19.05 грн
60+18.50 грн
91+11.70 грн
250+11.07 грн
3000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSL372SNH6327XTSA1 INFN-S-A0000110228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.43 грн
7+41.26 грн
10+34.56 грн
50+25.58 грн
58+18.78 грн
159+17.69 грн
500+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1242 1243 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1488 1736 1984 2232 2480 2486  [ Наступна Сторінка >> ]