Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148451) > Сторінка 1247 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
BSZ042N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ0506NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain current: 40A On-state resistance: 4.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ050N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ050N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ058N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ065N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 26W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ067N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ068N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ075N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ084N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ086P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES | BSZ086P03NS3EGATMA SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ088N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ088N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ0901NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Mounting: SMD On-state resistance: 2mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ0901NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 69W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain current: 40A Mounting: SMD On-state resistance: 2.1mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ0902NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ096N10LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A On-state resistance: 9.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
BSZ097N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ0994NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ099N06LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ100N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 36A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ100N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A Power dissipation: 30W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ105N04NSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 29A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Case: PG-TSDSON-8 Gate charge: 13nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 50W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ110N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ120P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 On-state resistance: 12.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ12DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ130N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Power dissipation: 25W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ130N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ150N10LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Power dissipation: 63W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ15DC02KDHXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ160N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ180P03NS3EGATMA | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A Power dissipation: 40W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BSZ180P03NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -39.6A Power dissipation: 40W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BSZ22DN20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ240N12NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 29W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
BSZ520N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 3066 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
BTF3035EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BTF3050EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BTF3080EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
BTF3125EJXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31 Mounting: SMD Supply voltage: 3...5.5V DC On-state resistance: 0.11Ω Turn-on time: 1.35µs Turn-off time: 2µs Output voltage: 40V Output current: 2A Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Operating temperature: -40...150°C Case: PG-TDSO-8-31 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BTF50060-1TEA | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 16.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5 Type of integrated circuit: power switch Output current: 16.5A Case: TO252-5 Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: P-Channel Supply voltage: 6...19V DC Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: high-side On-state resistance: 6.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
BTN8962TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Technology: NovalithIC™ Case: PG-TO263-7 Output current: -27...30A Number of channels: 1 Mounting: SMD On-state resistance: 14.2mΩ Operating temperature: -40...150°C Operating voltage: 5.5...40V DC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
BTS117BKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
BTS118D | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 2.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TO252-3 On-state resistance: 0.1Ω Technology: HITFET® Output voltage: 42V Power dissipation: 21W кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
BTS133BKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BSZ040N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.76 грн |
22+ | 49.93 грн |
60+ | 47.27 грн |
5000+ | 47.18 грн |
BSZ042N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0506NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ050N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ050N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ058N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ065N03LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ068N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ084N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ084N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ086P03NS3EGATMA |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ086P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
BSZ086P03NS3EGATMA SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ086P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
BSZ086P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ088N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ088N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ088N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ088N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ088N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ088N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0901NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0901NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 40A
Mounting: SMD
On-state resistance: 2.1mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0902NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ0902NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0902NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
BSZ0902NSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0909NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ0909NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ096N10LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ096N10LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ097N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 84.18 грн |
10+ | 54.15 грн |
25+ | 43.77 грн |
35+ | 31.63 грн |
94+ | 29.89 грн |
BSZ097N10NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSZ097N10NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ0994NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ0994NS SMD N channel transistors
BSZ0994NS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ099N06LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
BSZ099N06LS5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ100N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ105N04NSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Gate charge: 13nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 29A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSDSON-8
Gate charge: 13nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
BSZ120P03NS3GATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ12DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ130N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ130N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 31A; 25W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ15DC02KDHXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
BSZ15DC02KDHXTMA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ160N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ160N10NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ16DN25NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ16DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ180P03NS3EGATMA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ180P03NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -39.6A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ22DN20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ22DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ240N12NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ240N12NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ340N08NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ42DN25NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.75 грн |
5+ | 70.29 грн |
24+ | 45.52 грн |
66+ | 43.04 грн |
1000+ | 42.49 грн |
BSZ520N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ520N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSZ900N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.72 грн |
24+ | 46.16 грн |
65+ | 43.59 грн |
BSZ900N20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.64 грн |
13+ | 84.60 грн |
35+ | 80.01 грн |
BTF3035EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3035EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
BTF3035EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTF3050EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3050EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
BTF3050EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTF3080EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTF3080EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
BTF3080EJXUMA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTF3125EJXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...5.5V DC
On-state resistance: 0.11Ω
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
Output voltage: 40V
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-TDSO-8-31
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TDSO-8-31
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...5.5V DC
On-state resistance: 0.11Ω
Turn-on time: 1.35µs
Turn-off time: 2µs
Output voltage: 40V
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Operating temperature: -40...150°C
Case: PG-TDSO-8-31
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTF50060-1TEA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 16.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 16.5A
Case: TO252-5
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Supply voltage: 6...19V DC
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 6.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 16.5A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 16.5A
Case: TO252-5
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Supply voltage: 6...19V DC
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: high-side
On-state resistance: 6.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTN8962TAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 408.02 грн |
4+ | 310.37 грн |
11+ | 282.32 грн |
100+ | 271.28 грн |
BTS117BKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS117BKSA1 Power switches - integrated circuits
BTS117BKSA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTS118D |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 21W
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 0.1Ω
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Power dissipation: 21W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTS133BKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS133BKSA1 Power switches - integrated circuits
BTS133BKSA1 Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.