Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149103) > Сторінка 1249 з 2486

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1488 1736 1984 2232 2480 2486  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.61 грн
26+11.12 грн
30+9.25 грн
100+5.78 грн
281+3.81 грн
772+3.60 грн
6000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.32 грн
22+13.38 грн
29+9.43 грн
50+7.82 грн
100+6.59 грн
296+3.62 грн
814+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+48.84 грн
8+35.42 грн
10+29.12 грн
50+19.96 грн
65+16.42 грн
179+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.33 грн
18+15.73 грн
25+12.06 грн
50+10.25 грн
100+8.89 грн
143+7.53 грн
391+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.49 грн
20+14.79 грн
25+11.14 грн
50+9.13 грн
100+7.51 грн
224+4.80 грн
614+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.47 грн
22+12.90 грн
50+7.66 грн
100+6.30 грн
364+2.94 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.58 грн
23+12.43 грн
28+10.07 грн
50+6.69 грн
100+5.63 грн
292+3.67 грн
802+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.10 грн
89+12.34 грн
245+11.25 грн
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS159NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.35 грн
15+18.84 грн
98+10.88 грн
269+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.74 грн
10+30.24 грн
25+11.25 грн
50+10.70 грн
100+10.16 грн
118+9.07 грн
324+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.91 грн
10+30.71 грн
50+25.31 грн
70+15.33 грн
192+14.51 грн
1000+14.24 грн
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.42 грн
18+16.39 грн
25+12.74 грн
50+10.78 грн
100+9.04 грн
212+4.99 грн
583+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.65 грн
30+9.61 грн
50+7.86 грн
100+6.15 грн
251+4.24 грн
689+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.33 грн
16+17.90 грн
50+10.59 грн
100+9.39 грн
195+5.45 грн
250+5.44 грн
536+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS214NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.32 грн
21+13.85 грн
50+8.93 грн
100+7.73 грн
200+5.32 грн
550+5.03 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS215PH6327-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.33 грн
15+19.50 грн
25+13.06 грн
50+10.52 грн
100+8.89 грн
167+6.35 грн
460+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.49 грн
24+12.06 грн
28+9.98 грн
50+8.80 грн
100+7.71 грн
225+4.72 грн
617+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS225H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.98 грн
10+40.69 грн
50+21.86 грн
137+20.68 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.28 грн
171+6.26 грн
470+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.36 грн
10+28.54 грн
50+19.05 грн
100+16.33 грн
172+6.26 грн
472+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+24.42 грн
19+15.54 грн
50+10.65 грн
100+9.14 грн
215+4.99 грн
590+4.72 грн
2500+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06 BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.05 грн
159+6.71 грн
435+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.63 грн
34+8.48 грн
50+6.15 грн
100+5.41 грн
347+3.09 грн
952+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS606NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.91 грн
10+30.05 грн
50+23.77 грн
75+14.24 грн
206+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS670S2LH6327XTSA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.49 грн
22+13.00 грн
50+8.98 грн
100+7.74 грн
245+4.37 грн
672+4.14 грн
1500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.14 грн
219+4.86 грн
602+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.33 грн
14+21.10 грн
19+14.79 грн
36+7.73 грн
213+4.99 грн
585+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.35 грн
16+18.56 грн
25+13.88 грн
50+11.79 грн
100+9.98 грн
182+5.90 грн
499+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.58 грн
25+11.59 грн
100+8.14 грн
284+3.74 грн
781+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.21 грн
15+19.12 грн
25+14.33 грн
50+11.79 грн
100+9.71 грн
197+5.44 грн
540+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.61 грн
29+9.80 грн
50+7.55 грн
100+6.80 грн
250+5.91 грн
400+2.68 грн
1098+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+15.63 грн
34+8.48 грн
50+6.39 грн
100+5.71 грн
360+2.98 грн
991+2.81 грн
9000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS87H6327FTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Case: SOT89-4
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.98 грн
11+27.22 грн
50+21.59 грн
63+17.05 грн
172+16.06 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513 BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.47 грн
10+61.23 грн
49+56.24 грн
100+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2 BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ025N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ028N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ034N04LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113cefe327502e4 BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ035N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddeb998f02e7 BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ040N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.85 грн
10+72.63 грн
22+49.25 грн
60+46.53 грн
500+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ0506NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ065N03LS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6 BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8 BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ084N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7986F2E9A110B&compId=BSS123NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9a7693d8bcaa2b783851a85885fc7097b4b467a7
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.61 грн
26+11.12 грн
30+9.25 грн
100+5.78 грн
281+3.81 грн
772+3.60 грн
6000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.32 грн
22+13.38 грн
29+9.43 грн
50+7.82 грн
100+6.59 грн
296+3.62 грн
814+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 700Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+48.84 грн
8+35.42 грн
10+29.12 грн
50+19.96 грн
65+16.42 грн
179+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
On-state resistance: 500Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4791 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.33 грн
18+15.73 грн
25+12.06 грн
50+10.25 грн
100+8.89 грн
143+7.53 грн
391+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS131H6327XTSA1 BSS131H6327XTSA1.pdf
BSS131H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.49 грн
20+14.79 грн
25+11.14 грн
50+9.13 грн
100+7.51 грн
224+4.80 грн
614+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d
BSS138NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.47 грн
22+12.90 грн
50+7.66 грн
100+6.30 грн
364+2.94 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.92A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.58 грн
23+12.43 грн
28+10.07 грн
50+6.69 грн
100+5.63 грн
292+3.67 грн
802+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.12A
Technology: SIPMOS®
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1.pdf
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.10 грн
89+12.34 грн
245+11.25 грн
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2.pdf
BSS159NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.35 грн
15+18.84 грн
98+10.88 грн
269+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.74 грн
10+30.24 грн
25+11.25 грн
50+10.70 грн
100+10.16 грн
118+9.07 грн
324+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS192PH6327FTSA1 BSS192PH6327FTSA1-dte.pdf
BSS192PH6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.91 грн
10+30.71 грн
50+25.31 грн
70+15.33 грн
192+14.51 грн
1000+14.24 грн
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.42 грн
18+16.39 грн
25+12.74 грн
50+10.78 грн
100+9.04 грн
212+4.99 грн
583+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.65 грн
30+9.61 грн
50+7.86 грн
100+6.15 грн
251+4.24 грн
689+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1.pdf
BSS214NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.33 грн
16+17.90 грн
50+10.59 грн
100+9.39 грн
195+5.45 грн
250+5.44 грн
536+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1.pdf
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.32 грн
21+13.85 грн
50+8.93 грн
100+7.73 грн
200+5.32 грн
550+5.03 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215PH6327XTSA1 BSS215PH6327-DTE.pdf
BSS215PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.33 грн
15+19.50 грн
25+13.06 грн
50+10.52 грн
100+8.89 грн
167+6.35 грн
460+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.49 грн
24+12.06 грн
28+9.98 грн
50+8.80 грн
100+7.71 грн
225+4.72 грн
617+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327FTSA1.pdf
BSS225H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.98 грн
10+40.69 грн
50+21.86 грн
137+20.68 грн
500+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.28 грн
171+6.26 грн
470+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928895033F11CC&compId=BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2bf63919c5470e9e78796983318a7cd255dfb425
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.36 грн
10+28.54 грн
50+19.05 грн
100+16.33 грн
172+6.26 грн
472+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS314PEH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928A4924BFF1CC&compId=BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=baff2f0168140fd475d707cb4164bca628a06e7f
BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+24.42 грн
19+15.54 грн
50+10.65 грн
100+9.14 грн
215+4.99 грн
590+4.72 грн
2500+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS315PH6327XTSA1 BSS315P_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f686060130ff61f31b7f06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.05 грн
159+6.71 грн
435+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS316NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7E99C6B1FB10B&compId=BSS316NH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7c35a3609d9f80ea9f399ecf296e3a2809057254
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+15.63 грн
34+8.48 грн
50+6.15 грн
100+5.41 грн
347+3.09 грн
952+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1.pdf
BSS606NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.91 грн
10+30.05 грн
50+23.77 грн
75+14.24 грн
206+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6327XTSA.pdf
BSS670S2LH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+21.49 грн
22+13.00 грн
50+8.98 грн
100+7.74 грн
245+4.37 грн
672+4.14 грн
1500+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060131184c5bf6450b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.14 грн
219+4.86 грн
602+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.33 грн
14+21.10 грн
19+14.79 грн
36+7.73 грн
213+4.99 грн
585+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1.pdf
BSS806NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.35 грн
16+18.56 грн
25+13.88 грн
50+11.79 грн
100+9.98 грн
182+5.90 грн
499+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.58 грн
25+11.59 грн
100+8.14 грн
284+3.74 грн
781+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928D6EDF37B1CC&compId=BSS83PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=af6b6a3bc6b9093bad4b1410edb90e4f35d69241
BSS83PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.33A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.21 грн
15+19.12 грн
25+14.33 грн
50+11.79 грн
100+9.71 грн
197+5.44 грн
540+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD636A07D1395EA&compId=BSS84P.pdf?ci_sign=4872a4e661c9d1e5d5d410492037d03658d4e911
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.61 грн
29+9.80 грн
50+7.55 грн
100+6.80 грн
250+5.91 грн
400+2.68 грн
1098+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT-323
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+15.63 грн
34+8.48 грн
50+6.39 грн
100+5.71 грн
360+2.98 грн
991+2.81 грн
9000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1.pdf
BSS87H6327FTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Case: SOT89-4
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+42.98 грн
11+27.22 грн
50+21.59 грн
63+17.05 грн
172+16.06 грн
500+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSV236SPH6327XTSA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358600cb67339f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSV236SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ014NE2LS5IFATMA1 Infineon-BSZ014NE2LS5IF-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d000b50402513
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ014NE2LS5IFATMA SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSATMA1 BSZ018NE2LS-DTE.pdf
BSZ018NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.47 грн
10+61.23 грн
49+56.24 грн
100+54.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ018NE2LSIATMA1 BSZ018NE2LSI_Rev+2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f013093cc4a9471d2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSIATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ019N03LSATMA1 BSZ019N03LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304326dfb1300126fb3bec803f1a&fileId=db3a304326dfb1300126fb7ddf173f4e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ019N03LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ025N04LSATMA1 BSZ025N04LS-DTE.pdf
BSZ025N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ028N04LSATMA1 BSZ028N04LS-DTE.pdf
BSZ028N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LS-DTE.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 52W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 52W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03LSGATMA1 BSZ035N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113cefe327502e4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ035N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ035N03MSGATMA1 BSZ035N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddeb998f02e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ035N03MSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ040N04LSGATMA1 BSZ040N04LSG-DTE.pdf
BSZ040N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.85 грн
10+72.63 грн
22+49.25 грн
60+46.53 грн
500+44.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ042N06NSATMA1 BSZ042N06NS_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a3043345a30bc013465d4bf1862fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ042N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0506NSATMA1 BSZ0506NS-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 27W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 40A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG-DTE.pdf
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSG-DTE.pdf
BSZ050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ058N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N03LS-DTE.pdf
BSZ065N03LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ067N06LS3GATMA1 BSZ067N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0f41537ff6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ067N06LS3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ068N06NSATMA1 Infineon-BSZ068N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c918e60710e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon-BSZ075N08NS5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd5743e61f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ075N08NS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ084N08NS5ATMA1 BSZ084N08NS5-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 63W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3EGATMA BSZ086P03NS3EGATMA-DTE.pdf
BSZ086P03NS3EGATMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 69W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GATMA1-dte.pdf
BSZ086P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: -40A
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.6mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ088N03LSGATMA1 BSZ088N03LSG-DTE.pdf
BSZ088N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1244 1245 1246 1247 1248 1249 1250 1251 1252 1253 1254 1488 1736 1984 2232 2480 2486  [ Наступна Сторінка >> ]