Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149833) > Сторінка 1249 з 2498
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFP650FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4 Mounting: SMD Case: TSFP-4 Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 42GHz Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Technology: SiGe:C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1698 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP650H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Frequency: 42GHz Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 0.15A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Technology: SiGe:C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP740H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 44GHz Technology: SiGe:C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2541 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFP760H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.24W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 45GHz Technology: SiGe:C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFQ19SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.12A Power dissipation: 1W Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5.5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 722 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR106E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23 Case: SOT23 Frequency: 5GHz Collector-emitter voltage: 16V Collector current: 0.21A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.7W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR181E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23 Type of transistor: NPN Case: SOT23 Frequency: 8GHz Collector-emitter voltage: 12V Current gain: 70...140 Collector current: 20mA Power dissipation: 0.175W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: RF Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR181WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 20mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.175W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT323 Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR182WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 35mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT323 Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR193E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR193FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSFP-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR193L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSLP-3-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.58W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: SOT323 Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BFR35APE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BFR360FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.21W Case: TSFP-3 Kind of package: reel; tape Frequency: 14GHz Mounting: SMD Current gain: 90...160 Collector-emitter voltage: 6V Collector current: 35mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2972 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR380FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.38W Case: TSFP-3 Kind of package: reel; tape Frequency: 14GHz Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 80mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR380L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.38W Case: TSLP-3-1 Kind of package: reel; tape Frequency: 14GHz Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 80mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BFR740L3RHE6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BFR92PE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5769 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR93AWH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BFS481H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BFS483H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2741 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BGA524N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape Type of integrated circuit: RF amplifier Bandwidth: 1550...1615MHz Mounting: SMT Number of channels: 1 Case: TSNP6 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Application: global navigation satellite systems (GPS) Integrated circuit features: low noise Operating voltage: 1.5...3.3V Noise Figure: 0.55dB кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGS12P2L6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz Supply voltage: 1.65...3.4V DC Application: telecommunication Output configuration: SPDT Mounting: SMD Case: TSLP-6-4 Type of integrated circuit: RF switch Bandwidth: 0.05...6GHz кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGS12SN6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz Supply voltage: 1.8...3.5V DC Application: telecommunication Output configuration: SPDT Mounting: SMD Case: TSNP6 Type of integrated circuit: RF switch Number of channels: 2 Bandwidth: 0.1...6GHz кількість в упаковці: 15000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGS13S4N9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGS14MPA9E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz Case: ATSLP-9-3 Mounting: SMD Bandwidth: 0.05...6GHz Application: telecommunication Output configuration: SP4T Supply voltage: 1.65...1.95V DC Type of integrated circuit: RF switch Interface: MIPI Number of channels: 4 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGSA14GN10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz Type of integrated circuit: RF switch Output configuration: SP4T Number of channels: 4 Case: TSNP10 Supply voltage: 1.8...3.6V DC Mounting: SMD Application: telecommunication Bandwidth: 0.1...5GHz кількість в упаковці: 7500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BGSX22G2A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz Output configuration: DPDT Supply voltage: 1.65...3.4V DC Type of integrated circuit: RF switch Number of channels: 2 Bandwidth: 0.1...6GHz Application: telecommunication Mounting: SMD Case: ATSLP-10-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BGSX22G5A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGSX24MU16E6327XUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape Supply voltage: 3.2...3.4V DC Frequency: 24...24.25GHz DC supply current: 45mA Type of integrated circuit: interface Open-loop gain: 26dB Kind of package: reel; tape Number of receivers: 1 Number of transmitters: 1 Case: TSNP16 Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver Operating temperature: -40...85°C Noise Figure: 10dB Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BGT24MTR11E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BGT24MTR12E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BGX50AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.14A Case: SOT143 Semiconductor structure: bridge rectifier Features of semiconductor devices: fast switching Mounting: SMD Power dissipation: 0.21W Kind of package: reel; tape Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSB008NE2LXXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSB012NE2LXIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 170A On-state resistance: 1.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSB013NE2LXIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 25V Drain current: 103A On-state resistance: 1.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 57W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSB014N04LX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSB015N04NX3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 89W Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSB028N06NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSB044N08NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSB056N10NN3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSB104N08NP3GXUSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSB165N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2 Drain-source voltage: 150V Drain current: 45A On-state resistance: 16.5mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSB280N15NZ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC007N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSC009NE2LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC009NE2LS5IATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC009NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC010N04LS6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 150W Case: PG-TDSON-8 FL On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC010N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC010N04LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 139W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC010NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 39A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC010NE2LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 38A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 1.05mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC011N03LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSC011N03LSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSC014N03LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSC014N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BFP650FH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4
Mounting: SMD
Case: TSFP-4
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; TSFP-4
Mounting: SMD
Case: TSFP-4
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
14+ | 21.91 грн |
25+ | 20.09 грн |
100+ | 19.17 грн |
BFP650H6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 42GHz
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.20 грн |
7+ | 45.54 грн |
25+ | 38.71 грн |
32+ | 33.58 грн |
88+ | 31.74 грн |
BFP740H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.00 грн |
25+ | 21.63 грн |
55+ | 19.91 грн |
100+ | 18.44 грн |
500+ | 18.07 грн |
BFP760H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
Technology: SiGe:C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
13+ | 22.86 грн |
25+ | 19.82 грн |
57+ | 19.08 грн |
100+ | 17.52 грн |
250+ | 17.25 грн |
BFQ19SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.12A; 1W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 722 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.34 грн |
10+ | 42.39 грн |
43+ | 25.23 грн |
118+ | 23.85 грн |
BFR106E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Case: SOT23
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.67 грн |
15+ | 20.20 грн |
100+ | 14.86 грн |
106+ | 10.27 грн |
290+ | 9.72 грн |
3000+ | 9.63 грн |
BFR181E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Frequency: 8GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Case: SOT23
Frequency: 8GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Collector current: 20mA
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.54 грн |
12+ | 25.63 грн |
25+ | 19.17 грн |
100+ | 12.84 грн |
128+ | 8.44 грн |
353+ | 7.98 грн |
1000+ | 7.89 грн |
BFR181WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
16+ | 18.48 грн |
25+ | 12.20 грн |
50+ | 10.55 грн |
100+ | 9.08 грн |
155+ | 6.88 грн |
425+ | 6.61 грн |
BFR182WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 35mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 12.84 грн |
34+ | 8.48 грн |
39+ | 7.16 грн |
50+ | 6.51 грн |
100+ | 6.05 грн |
194+ | 5.60 грн |
533+ | 5.23 грн |
BFR193E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
14+ | 21.15 грн |
100+ | 13.12 грн |
114+ | 9.54 грн |
312+ | 8.99 грн |
1000+ | 8.72 грн |
BFR193FH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.74 грн |
19+ | 15.72 грн |
100+ | 10.83 грн |
142+ | 7.61 грн |
390+ | 7.25 грн |
3000+ | 7.16 грн |
6000+ | 6.97 грн |
BFR193L3E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
17+ | 17.05 грн |
67+ | 16.15 грн |
100+ | 14.68 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
11+ | 27.25 грн |
50+ | 15.23 грн |
100+ | 12.84 грн |
119+ | 8.99 грн |
327+ | 8.53 грн |
3000+ | 8.26 грн |
BFR35APE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR35APE6327HTSA1 NPN SMD transistors
BFR35APE6327HTSA1 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BFR360FH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Current gain: 90...160
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 6V; 35mA; 0.21W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Current gain: 90...160
Collector-emitter voltage: 6V
Collector current: 35mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.57 грн |
14+ | 20.58 грн |
50+ | 13.67 грн |
100+ | 11.74 грн |
131+ | 8.16 грн |
359+ | 7.71 грн |
3000+ | 7.52 грн |
BFR380FH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
12+ | 24.20 грн |
100+ | 13.94 грн |
104+ | 10.37 грн |
284+ | 9.82 грн |
500+ | 9.72 грн |
1000+ | 9.45 грн |
BFR380L3E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.75 грн |
19+ | 15.15 грн |
100+ | 10.27 грн |
157+ | 6.79 грн |
431+ | 6.42 грн |
10000+ | 6.33 грн |
15000+ | 6.24 грн |
BFR740L3RHE6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFR740L3RHE6327 NPN SMD transistors
BFR740L3RHE6327 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BFR92PE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.76 грн |
20+ | 14.48 грн |
100+ | 9.41 грн |
199+ | 5.42 грн |
548+ | 5.13 грн |
24000+ | 4.94 грн |
BFR93AE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.55 грн |
10+ | 28.58 грн |
100+ | 18.35 грн |
189+ | 5.69 грн |
518+ | 5.41 грн |
BFR93AWH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.87 грн |
39+ | 7.34 грн |
100+ | 5.87 грн |
213+ | 5.04 грн |
585+ | 4.76 грн |
3000+ | 4.70 грн |
12000+ | 4.46 грн |
BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
BFS481H6327XTSA1 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS483H6327 NPN SMD transistors
BFS483H6327 NPN SMD transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
32+ | 34.13 грн |
87+ | 32.29 грн |
BGA524N6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS12P2L6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Bandwidth: 0.05...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; TSLP-6-4; 1.65÷3.4VDC; 0.05÷6GHz
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSLP-6-4
Type of integrated circuit: RF switch
Bandwidth: 0.05...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSNP6
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Application: telecommunication
Output configuration: SPDT
Mounting: SMD
Case: TSNP6
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
кількість в упаковці: 15000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS13S4N9E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
BGS13S4N9 Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGS14MPA9E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Case: ATSLP-9-3
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.05...6GHz
Application: telecommunication
Output configuration: SP4T
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Interface: MIPI
Number of channels: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGSA14GN10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
кількість в упаковці: 7500 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; TSNP10; 1.8÷3.6VDC; 0.1÷5GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: TSNP10
Supply voltage: 1.8...3.6V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Bandwidth: 0.1...5GHz
кількість в упаковці: 7500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.02 грн |
25+ | 55.04 грн |
BGSX22G5A10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
BGSX22G5A10 Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGSX24MU16E6327XUSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
BGSX24MU16E6327 Analog multiplexers and switches
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGT24LTR11N16E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: Integrated circuits - others
Description: IC: interface; MMIC,RF transceiver; TSNP16; -40÷85°C; reel,tape
Supply voltage: 3.2...3.4V DC
Frequency: 24...24.25GHz
DC supply current: 45mA
Type of integrated circuit: interface
Open-loop gain: 26dB
Kind of package: reel; tape
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Case: TSNP16
Kind of integrated circuit: MMIC; RF transceiver
Operating temperature: -40...85°C
Noise Figure: 10dB
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGT24MTR11E6327XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
BGT24MTR11 Integrated circuits - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BGT24MTR12E6327XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 967.21 грн |
3+ | 933.90 грн |
BGX50AE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.14A
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.95 грн |
100+ | 10.19 грн |
143+ | 7.61 грн |
393+ | 7.16 грн |
3000+ | 6.97 грн |
BSB008NE2LXXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
BSB008NE2LXXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB012NE2LXIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 170A; 57W
Case: CanPAK™ M; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 170A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB013NE2LXIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 103A; 57W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 103A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB014N04LX3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB015N04NX3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 89W
Case: CanPAK™ MX; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB028N06NN3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB028N06NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB044N08NN3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB044N08NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB056N10NN3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB056N10NN3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB104N08NP3GXUSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
BSB104N08NP3GXUSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB165N15NZ3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: CanPAK™ MZ; MG-WDSON-2
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
On-state resistance: 16.5mΩ
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB280N15NZ3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSB280N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSB280N15NZ3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC007N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
BSC007N04LS6ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC009NE2LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
BSC009NE2LS5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC009NE2LS5IATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC009NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010N04LS6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010N04LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 39A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 39A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC010NE2LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 38A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 38A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.05mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC011N03LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC011N03LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014N03LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC014N03LSGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSC014N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.