Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149886) > Сторінка 1252 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.35Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 604 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSD316SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3936 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSF030NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 75A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSF035NE2LQXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSF134N10NJ3GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSF450NE7NH3XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 15A Power dissipation: 18W Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSG0811NDATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL211SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSL214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSL296SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain current: 1.4A Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.56Ω Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Power dissipation: 0.5W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 1.4/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.191/0.177Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL372SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 4797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSL802SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSM200GB60DLC | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 730W Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO033N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 3.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO080P03SHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.79W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.1A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO150N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.3A Power dissipation: 1.56W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO201SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -12A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO203PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -7A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO203SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -7A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO220N03MDGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO301SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.6A Power dissipation: 1.79W Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO303SPHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD On-state resistance: 21mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Case: PG-DSO-8 Technology: OptiMOS™ P Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.2A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSO613SPVGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Case: SO8 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -13.8A Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.44A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA On-state resistance: 6.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1659 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Case: SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 60Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 632 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS® Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 842 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 894 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP50H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP603S2L | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP61H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223 Mounting: SMD Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1747 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP742RIXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BSD235CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
13+ | 23.63 грн |
15+ | 18.99 грн |
50+ | 12.29 грн |
100+ | 10.27 грн |
174+ | 6.15 грн |
477+ | 5.87 грн |
BSD235NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
19+ | 15.62 грн |
50+ | 12.38 грн |
100+ | 9.91 грн |
141+ | 7.61 грн |
389+ | 7.25 грн |
3000+ | 6.97 грн |
BSD316SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
19+ | 15.43 грн |
50+ | 12.75 грн |
100+ | 10.00 грн |
186+ | 5.78 грн |
510+ | 5.50 грн |
9000+ | 5.41 грн |
BSF030NE2LQXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 75A; 28W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: CanPAK™ SQ; MG-WDSON-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSF035NE2LQXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
BSF035NE2LQXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSF134N10NJ3GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
BSF134N10NJ3GXUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSF450NE7NH3XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
Power dissipation: 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 15A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 15A
Power dissipation: 18W
Case: CanPAK™ S; MG-WDSON-2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSG0811NDATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.36 грн |
10+ | 44.39 грн |
51+ | 21.10 грн |
140+ | 19.91 грн |
3000+ | 19.17 грн |
BSL211SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL211SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL214NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.44 грн |
48+ | 22.84 грн |
130+ | 21.56 грн |
BSL296SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.4A; 2W; TSOP6; ESD
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain current: 1.4A
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.56Ω
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSL307SPH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.37 грн |
10+ | 36.30 грн |
50+ | 27.25 грн |
65+ | 16.60 грн |
177+ | 15.78 грн |
3000+ | 15.32 грн |
BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.42 грн |
10+ | 35.15 грн |
40+ | 30.27 грн |
53+ | 20.55 грн |
145+ | 19.36 грн |
500+ | 18.71 грн |
BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.53 грн |
12+ | 25.44 грн |
50+ | 19.27 грн |
60+ | 18.71 грн |
91+ | 11.83 грн |
250+ | 11.19 грн |
3000+ | 11.01 грн |
BSL372SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL372SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.73 грн |
58+ | 18.62 грн |
159+ | 17.61 грн |
BSL802SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL802SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSM200GB60DLC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 730W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 200A
Case: AG-34MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 730W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO033N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO080P03SHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.79W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO150N03MDGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO201SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO203PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO203SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.53 грн |
BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
12+ | 25.15 грн |
25+ | 22.38 грн |
53+ | 20.55 грн |
100+ | 20.46 грн |
145+ | 19.45 грн |
BSO220N03MDGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO301SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.6A; 1.79W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 1.79W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO303SPHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.2A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSO613SPVGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13.8A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.18 грн |
10+ | 54.21 грн |
36+ | 29.91 грн |
99+ | 28.26 грн |
1000+ | 27.34 грн |
BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 64.22 грн |
10+ | 50.97 грн |
35+ | 31.10 грн |
95+ | 29.45 грн |
250+ | 28.71 грн |
500+ | 28.35 грн |
BSP129H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.20 грн |
25+ | 45.35 грн |
28+ | 39.17 грн |
76+ | 37.06 грн |
250+ | 36.60 грн |
1000+ | 35.69 грн |
BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.42 грн |
10+ | 83.84 грн |
28+ | 39.26 грн |
75+ | 37.15 грн |
1000+ | 35.78 грн |
BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.64 грн |
10+ | 80.50 грн |
26+ | 41.10 грн |
72+ | 38.90 грн |
1000+ | 37.89 грн |
BSP149H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS®
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.86 грн |
10+ | 59.07 грн |
43+ | 25.14 грн |
117+ | 23.85 грн |
2000+ | 22.93 грн |
BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
10+ | 50.78 грн |
25+ | 34.13 грн |
46+ | 23.30 грн |
100+ | 21.38 грн |
500+ | 21.19 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 72.12 грн |
10+ | 50.40 грн |
25+ | 39.45 грн |
39+ | 28.16 грн |
106+ | 26.60 грн |
500+ | 26.33 грн |
1000+ | 25.60 грн |
BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.58 грн |
38+ | 28.35 грн |
105+ | 26.79 грн |
BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 75.08 грн |
10+ | 52.30 грн |
50+ | 21.74 грн |
137+ | 20.55 грн |
BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.33 грн |
50+ | 21.74 грн |
136+ | 20.55 грн |
BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.53 грн |
36+ | 29.91 грн |
99+ | 28.35 грн |
BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.10 грн |
10+ | 51.06 грн |
37+ | 29.91 грн |
100+ | 28.26 грн |
500+ | 27.15 грн |
BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.61 грн |
33+ | 32.75 грн |
91+ | 31.01 грн |
BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.69 грн |
6+ | 49.54 грн |
25+ | 43.30 грн |
33+ | 33.12 грн |
89+ | 31.28 грн |
5000+ | 30.92 грн |
BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.57 грн |
10+ | 181.01 грн |
11+ | 105.50 грн |
28+ | 100.00 грн |
2000+ | 96.33 грн |
BSP50H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 45V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP603S2L |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 102.75 грн |
10+ | 66.78 грн |
21+ | 53.02 грн |
50+ | 50.46 грн |
56+ | 50.09 грн |
100+ | 48.16 грн |
BSP61H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.5W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP742R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.15 грн |
10+ | 147.66 грн |
13+ | 85.32 грн |
35+ | 79.81 грн |
2500+ | 77.06 грн |
BSP742RIXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.