Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149380) > Сторінка 1253 з 2490
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR540ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2031 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR5505TRPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2319 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFR825TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 490 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL60B216 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLB8314PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML0040TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2244TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML5203TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML6302PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 150 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLML6401TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 145 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLR2905ZTRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLR3636TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLR8721TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRLZ44NSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SPW20N60C3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 52 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SPW47N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKW40N60DT | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKW50N65F5 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
SGP15N120XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 293 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BFR181WH6327 | Infineon Technologies | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BFS17WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FS50R06W1E3 | Infineon Technologies | 600 V, 50 A sixpack IGBT module |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
FM25V05-G | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BTS432D2 E3062A | Infineon Technologies | ИС переключателя для электропитания TO-220AB/5 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ITS4100S-SJ-N | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
1ED020I12F2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-DSO-16-15 Output current: -2...2A Number of channels: 1 Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V Voltage class: 0.6/1.2kV Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1EDC10I12MHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Case: PG-DSO-8 Output current: -1...1A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V Number of channels: 1 Voltage class: 600/650/1200V Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated Technology: EiceDRIVER™ Topology: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1EDC30I12MHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Case: PG-DSO-8 Output current: -3...3A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V Number of channels: 1 Voltage class: 600/650/1200V Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated Technology: EiceDRIVER™ Topology: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1EDC60I12AHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-DSO-8 Output current: -6...6A Number of channels: 1 Integrated circuit features: galvanically isolated Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V Voltage class: 600/650/1200V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 603 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1EDI05I12AFXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Case: PG-DSO-8 Output current: -0.5...0.5A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V Number of channels: 1 Voltage class: 1.2kV Integrated circuit features: galvanically isolated Technology: EiceDRIVER™ Topology: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2096 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1EDN7512BXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™ Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-SOT23-5 Output current: -8...4A Number of channels: 1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
1EDN7550BXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™ Kind of package: reel; tape Case: PG-SOT23-6 Type of integrated circuit: driver Technology: EiceDRIVER™ Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Topology: single transistor Output current: -8...4A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...20V Voltage class: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2ED020I12-FI | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A Type of integrated circuit: driver Technology: EiceDRIVER™ Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Topology: IGBT half-bridge Case: PG-DSO-18 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Protection: undervoltage UVP Output current: -2...1A Supply voltage: 0...5V; 14...18V Number of channels: 2 Voltage class: 1.2kV Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 408 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDL05N06PFXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.36A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Technology: EiceDRIVER™ Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2EDN7524FXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Technology: EiceDRIVER™ Kind of package: reel; tape Output current: -5...5A Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...20V Voltage class: 20V Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Mounting: SMD Protection: undervoltage UVP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2EDN8524FXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver Type of integrated circuit: driver кількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
2N7002H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5827 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIGW40N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIGW40N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 160ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRFB8405 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 163W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 107nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AUIRGSL4062D1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: Trench Type of transistor: IGBT Case: TO262 Turn-on time: 35ns Gate charge: 77nC Turn-off time: 176ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39A Pulsed collector current: 72A Power dissipation: 123W Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BA592E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: switching Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 20nA Capacitance: 0.6...1.4pF кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BA592E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape Type of diode: switching Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Case: SOD323 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Leakage current: 20nA Capacitance: 0.6...1.4pF кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BA885E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 50V Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Type of diode: switching Semiconductor structure: single diode Capacitance: 0.19...0.45pF Leakage current: 20nA Load current: 50mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BA89202VH6127XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V Max. off-state voltage: 35V Load current: 0.1A Case: SC79 Kind of package: reel; tape Max. forward voltage: 1V Capacitance: 0.6...1.4pF Leakage current: 20nA Reverse recovery time: 120ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Mounting: SMD Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAR6302VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V Type of diode: switching Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SC79 Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Max. forward voltage: 1.2V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BAR6303WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Case: SOD323 Mounting: SMD Type of diode: switching Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Max. forward voltage: 1.2V Max. off-state voltage: 50V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-ch. DPAK TO-252
P-ch. DPAK TO-252
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR540ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR5505TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK=TO-252
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFR825TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSF N CH 500V 6A DPAK
MOSF N CH 500V 6A DPAK
на замовлення 48 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт, IPAK
Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт, IPAK
на замовлення 490 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRL60B216 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 305A TO-220
MOSFET N-CH 60V 305A TO-220
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
на замовлення 75 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML0040TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SOT-23
SOT-23
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2402TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23
на замовлення 55 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML5203TR |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML6302PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23
MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3
N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
на замовлення 145 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLR2905ZTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
MOSFET N-CH 55V 43A DPAK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLR3636TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
(MFET,N-CH,60V,50A,DPAK)
(MFET,N-CH,60V,50A,DPAK)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLR8721TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK (TO-252-3)
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK (TO-252-3)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLTS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRLZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 47A TO-263-3 (D2PAK)
MOSFET N-CH 55V 47A TO-263-3 (D2PAK)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SPW20N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SPW47N60C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247
MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IKW40N60DT |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IKW40N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IKW50N65F5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IKW75N60T | ![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
SGP15N120XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BFR181WH6327 |
Виробник: Infineon Technologies
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BFS17WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT-323
RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT-323
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FS50R06W1E3 |
Виробник: Infineon Technologies
600 V, 50 A sixpack IGBT module
600 V, 50 A sixpack IGBT module
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
FM25V05-G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
FRAM, 512Kb, SPI, - 40 C to + 85 C, SOIC8
FRAM, 512Kb, SPI, - 40 C to + 85 C, SOIC8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
BTS432D2 E3062A |
Виробник: Infineon Technologies
ИС переключателя для электропитания TO-220AB/5
ИС переключателя для электропитания TO-220AB/5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
ITS4100S-SJ-N |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
1ED020I12F2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 327.40 грн |
5+ | 259.48 грн |
10+ | 238.46 грн |
13+ | 235.61 грн |
25+ | 227.06 грн |
1EDC10I12MHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -1÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -1...1A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 236.35 грн |
5+ | 215.08 грн |
1EDC30I12MHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -3...3A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -3÷3A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -3...3A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...18V
Number of channels: 1
Voltage class: 600/650/1200V
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 262.95 грн |
7+ | 192.39 грн |
17+ | 174.81 грн |
50+ | 169.11 грн |
1EDC60I12AHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -6÷6A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-8
Output current: -6...6A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 600/650/1200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 603 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.98 грн |
5+ | 200.28 грн |
1EDI05I12AFXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.5...0.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Number of channels: 1
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.5...0.5A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Number of channels: 1
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: galvanically isolated
Technology: EiceDRIVER™
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.17 грн |
10+ | 120.37 грн |
13+ | 92.16 грн |
34+ | 87.41 грн |
250+ | 84.56 грн |
1EDN7512BXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.02 грн |
10+ | 40.15 грн |
1EDN7550BXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Case: PG-SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 77.76 грн |
10+ | 66.50 грн |
25+ | 44.84 грн |
69+ | 42.47 грн |
3000+ | 40.76 грн |
2ED020I12-FI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: IGBT half-bridge
Case: PG-DSO-18
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -2...1A
Supply voltage: 0...5V; 14...18V
Number of channels: 2
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-side,IGBT gate driver; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Topology: IGBT half-bridge
Case: PG-DSO-18
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
Output current: -2...1A
Supply voltage: 0...5V; 14...18V
Number of channels: 2
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: built-in comparator; built-in operational amplifier; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 377.54 грн |
7+ | 174.63 грн |
19+ | 159.61 грн |
500+ | 153.91 грн |
1000+ | 152.96 грн |
2EDL05N06PFXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.15 грн |
5+ | 119.38 грн |
12+ | 98.81 грн |
31+ | 94.06 грн |
500+ | 90.26 грн |
2EDN7524FXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Output current: -5...5A
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 20V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Mounting: SMD
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 86.97 грн |
20+ | 58.41 грн |
50+ | 56.15 грн |
55+ | 53.11 грн |
2500+ | 51.11 грн |
2EDN8524FXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 45.12 грн |
2N7002DWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.53 грн |
19+ | 15.79 грн |
22+ | 13.02 грн |
50+ | 9.22 грн |
100+ | 7.97 грн |
343+ | 3.27 грн |
944+ | 3.09 грн |
2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 10.23 грн |
34+ | 8.88 грн |
38+ | 7.60 грн |
52+ | 5.59 грн |
100+ | 4.87 грн |
316+ | 3.55 грн |
868+ | 3.35 грн |
AIGW40N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 529.99 грн |
3+ | 510.07 грн |
AIGW40N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 667.09 грн |
3+ | 442.00 грн |
8+ | 402.82 грн |
240+ | 387.62 грн |
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 378.56 грн |
3+ | 322.62 грн |
5+ | 268.87 грн |
12+ | 253.67 грн |
250+ | 245.12 грн |
AUIRFB8405 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 435.86 грн |
3+ | 370.96 грн |
4+ | 321.12 грн |
10+ | 304.02 грн |
AUIRGSL4062D1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Trench
Type of transistor: IGBT
Case: TO262
Turn-on time: 35ns
Gate charge: 77nC
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 72A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: Trench
Type of transistor: IGBT
Case: TO262
Turn-on time: 35ns
Gate charge: 77nC
Turn-off time: 176ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39A
Pulsed collector current: 72A
Power dissipation: 123W
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.02 грн |
3+ | 239.74 грн |
10+ | 223.26 грн |
BA592E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.35 грн |
25+ | 13.22 грн |
100+ | 11.21 грн |
115+ | 9.98 грн |
310+ | 9.41 грн |
3000+ | 9.12 грн |
BA592E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.35 грн |
25+ | 13.22 грн |
100+ | 11.21 грн |
115+ | 9.98 грн |
310+ | 9.41 грн |
3000+ | 9.12 грн |
BA885E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.19...0.45pF
Leakage current: 20nA
Load current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 50V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.19...0.45pF
Leakage current: 20nA
Load current: 50mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
64+ | 4.81 грн |
66+ | 4.54 грн |
BA89202VH6127XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.6...1.4pF
Leakage current: 20nA
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 0.6...1.4pF
Leakage current: 20nA
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.80 грн |
58+ | 5.13 грн |
100+ | 3.77 грн |
403+ | 2.77 грн |
1107+ | 2.62 грн |
BAR6302VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC79
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC79
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. forward voltage: 1.2V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.53 грн |
17+ | 18.25 грн |
25+ | 14.02 грн |
100+ | 8.75 грн |
239+ | 4.70 грн |
656+ | 4.45 грн |
3000+ | 4.43 грн |
BAR6303WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 13.30 грн |
29+ | 10.26 грн |
33+ | 8.74 грн |
38+ | 7.51 грн |
100+ | 6.18 грн |
195+ | 5.70 грн |
535+ | 5.42 грн |