Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148587) > Сторінка 1289 з 2477
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRL530NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.8W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4038 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 44mΩ Mounting: THT Gate charge: 49.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 869 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRL540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 36A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 314 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRL60B216 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL60HS118 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRL6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL6372TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL7833PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRL7833STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK Case: D2PAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRL80HS120 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLB3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 343A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3036PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 252 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB3813PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 260A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB4030PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB4132PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 620A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 871 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8314PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 664A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8721PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 62A Power dissipation: 65W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 7.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8743PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 150A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 345 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLB8748PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 92A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 276 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLH5030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLHM620TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLHM630TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.7W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLHS2242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Case: PQFN3.3X3.3 Drain-source voltage: -20V Drain current: -7.2A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLHS6242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 1.98W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLHS6276TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2 Case: PQFN2X2 Drain-source voltage: 20V Drain current: 12A Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 4.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRLHS6342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLHS6376TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.5W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL014NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 55V Drain current: 2A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4.4A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.4nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLL024ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRLL2703TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRLL2705TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 3.8A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1615 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8029 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0040TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4353 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML0100TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17562 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2883 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2060TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3416 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML2803TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 0.3Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3514 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML5103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -0.61A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3.5nC On-state resistance: 46mΩ Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5366 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6302PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.62A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.4nC On-state resistance: 0.6Ω Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLML6302TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.78A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC On-state resistance: 80mΩ Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 17A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13721 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6401TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -4.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML6402TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.2A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLML9301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2744 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLML9303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRLMS1503TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS1902TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS2002TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS5703TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.3A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLMS6802TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.6A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRLP3034PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC Drain-source voltage: 40V Drain current: 327A On-state resistance: 1.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 341W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 108nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRL530NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.72 грн |
10+ | 90.63 грн |
30+ | 37.15 грн |
80+ | 35.13 грн |
IRL540NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.83 грн |
25+ | 81.27 грн |
29+ | 37.70 грн |
79+ | 35.59 грн |
IRL540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.42 грн |
10+ | 132.74 грн |
18+ | 60.69 грн |
49+ | 57.93 грн |
IRL60B216 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL60B216 THT N channel transistors
IRL60B216 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL60HS118 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL60HS118 SMD N channel transistors
IRL60HS118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.24 грн |
61+ | 17.84 грн |
166+ | 16.92 грн |
IRL6372TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.55 грн |
37+ | 29.34 грн |
101+ | 27.77 грн |
IRL7833PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL7833PBF THT N channel transistors
IRL7833PBF THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 160.44 грн |
14+ | 81.84 грн |
37+ | 77.25 грн |
IRL7833STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL80HS120 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL80HS120 SMD N channel transistors
IRL80HS120 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLB3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 343A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 343A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 316.91 грн |
6+ | 187.17 грн |
17+ | 170.13 грн |
250+ | 163.69 грн |
IRLB3036PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 91nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 342.66 грн |
5+ | 233.97 грн |
14+ | 212.43 грн |
IRLB3813PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.01 грн |
10+ | 108.51 грн |
12+ | 93.80 грн |
32+ | 88.28 грн |
IRLB4030PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 267.39 грн |
7+ | 168.08 грн |
19+ | 152.65 грн |
500+ | 149.90 грн |
1000+ | 147.14 грн |
IRLB4132PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 620A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 871 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.98 грн |
10+ | 59.02 грн |
31+ | 35.68 грн |
84+ | 33.75 грн |
500+ | 32.55 грн |
2000+ | 32.46 грн |
IRLB8314PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.88 грн |
10+ | 57.49 грн |
31+ | 35.40 грн |
84+ | 33.47 грн |
5000+ | 32.19 грн |
IRLB8721PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 62A; 65W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 62A
Power dissipation: 65W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 7.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.00 грн |
10+ | 53.19 грн |
32+ | 34.12 грн |
87+ | 32.28 грн |
150+ | 32.19 грн |
250+ | 31.08 грн |
IRLB8743PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.49 грн |
10+ | 63.45 грн |
20+ | 54.26 грн |
55+ | 51.50 грн |
IRLB8748PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 276 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.97 грн |
5+ | 70.86 грн |
10+ | 61.34 грн |
33+ | 32.92 грн |
50+ | 32.83 грн |
91+ | 31.08 грн |
IRLH5030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHM620TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHM620TRPBF SMD N channel transistors
IRLHM620TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHM630TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS2242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.55 грн |
10+ | 28.74 грн |
50+ | 20.05 грн |
78+ | 13.89 грн |
213+ | 13.15 грн |
500+ | 12.69 грн |
IRLHS6242TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 1.98W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Power dissipation: 1.98W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS6276TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 12A; 4.5W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 12A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 4.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS6342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6342TRPBF SMD N channel transistors
IRLHS6342TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLHS6376TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; 1.5W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.46 грн |
10+ | 37.43 грн |
50+ | 27.50 грн |
61+ | 17.75 грн |
167+ | 16.74 грн |
1000+ | 16.09 грн |
IRLL014NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.46 грн |
10+ | 37.53 грн |
50+ | 29.06 грн |
61+ | 17.75 грн |
167+ | 16.74 грн |
2500+ | 16.09 грн |
IRLL024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.32 грн |
10+ | 47.18 грн |
48+ | 22.62 грн |
131+ | 21.43 грн |
1000+ | 20.78 грн |
2500+ | 20.60 грн |
IRLL024ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.33 грн |
10+ | 46.22 грн |
32+ | 34.67 грн |
86+ | 32.74 грн |
100+ | 32.28 грн |
500+ | 32.19 грн |
IRLL2703TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLL2703TRPBF SMD N channel transistors
IRLL2703TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLL2705TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.30 грн |
10+ | 58.35 грн |
38+ | 29.06 грн |
103+ | 27.50 грн |
5000+ | 26.48 грн |
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.71 грн |
17+ | 17.86 грн |
100+ | 11.40 грн |
161+ | 6.71 грн |
443+ | 6.35 грн |
IRLML0040TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
13+ | 22.82 грн |
50+ | 15.17 грн |
100+ | 13.15 грн |
140+ | 7.72 грн |
385+ | 7.26 грн |
6000+ | 6.99 грн |
IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4353 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.59 грн |
12+ | 25.88 грн |
50+ | 18.67 грн |
100+ | 16.55 грн |
140+ | 7.72 грн |
385+ | 7.26 грн |
24000+ | 7.08 грн |
IRLML0100TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17562 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.71 грн |
12+ | 25.12 грн |
50+ | 19.40 грн |
100+ | 17.10 грн |
143+ | 7.54 грн |
391+ | 7.17 грн |
IRLML2030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.69 грн |
16+ | 17.95 грн |
50+ | 13.24 грн |
100+ | 11.68 грн |
213+ | 5.06 грн |
586+ | 4.78 грн |
IRLML2060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.70 грн |
15+ | 19.86 грн |
50+ | 14.35 грн |
171+ | 6.35 грн |
470+ | 5.98 грн |
IRLML2244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
25+ | 11.75 грн |
100+ | 8.91 грн |
194+ | 5.56 грн |
533+ | 5.26 грн |
45000+ | 5.16 грн |
IRLML2246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.79 грн |
18+ | 15.95 грн |
50+ | 11.13 грн |
100+ | 9.47 грн |
194+ | 5.61 грн |
533+ | 5.24 грн |
3000+ | 5.15 грн |
IRLML2502TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
14+ | 21.01 грн |
50+ | 15.08 грн |
100+ | 13.43 грн |
132+ | 8.18 грн |
364+ | 7.72 грн |
9000+ | 7.54 грн |
IRLML2803TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.69 грн |
13+ | 23.11 грн |
15+ | 18.85 грн |
50+ | 12.97 грн |
100+ | 11.04 грн |
139+ | 7.72 грн |
382+ | 7.36 грн |
IRLML5103TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.68 грн |
14+ | 20.53 грн |
50+ | 14.25 грн |
100+ | 12.32 грн |
171+ | 6.35 грн |
470+ | 5.98 грн |
3000+ | 5.79 грн |
IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
13+ | 23.78 грн |
50+ | 15.82 грн |
100+ | 13.43 грн |
152+ | 7.08 грн |
417+ | 6.71 грн |
3000+ | 6.62 грн |
IRLML6244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.69 грн |
15+ | 20.25 грн |
50+ | 13.98 грн |
100+ | 12.14 грн |
205+ | 5.24 грн |
563+ | 4.97 грн |
IRLML6246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.71 грн |
17+ | 17.48 грн |
50+ | 11.90 грн |
100+ | 10.24 грн |
219+ | 4.93 грн |
601+ | 4.66 грн |
6000+ | 4.57 грн |
IRLML6302PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.4nC
On-state resistance: 0.6Ω
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLML6302TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.78A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.78A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.74 грн |
15+ | 20.44 грн |
50+ | 14.25 грн |
100+ | 12.32 грн |
141+ | 7.63 грн |
386+ | 7.17 грн |
30000+ | 7.08 грн |
IRLML6344TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.75 грн |
17+ | 17.57 грн |
50+ | 12.51 грн |
75+ | 11.50 грн |
100+ | 10.85 грн |
149+ | 7.26 грн |
409+ | 6.81 грн |
IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13721 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
17+ | 17.28 грн |
50+ | 11.50 грн |
100+ | 9.84 грн |
155+ | 6.99 грн |
425+ | 6.62 грн |
1000+ | 6.53 грн |
IRLML6401TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.68 грн |
16+ | 18.34 грн |
50+ | 13.15 грн |
100+ | 11.68 грн |
205+ | 5.24 грн |
563+ | 4.97 грн |
IRLML6402TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLML9301TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
13+ | 23.40 грн |
50+ | 16.18 грн |
100+ | 13.98 грн |
155+ | 6.99 грн |
425+ | 6.62 грн |
3000+ | 6.53 грн |
IRLML9303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.74 грн |
19+ | 15.18 грн |
50+ | 10.21 грн |
100+ | 9.01 грн |
178+ | 6.07 грн |
487+ | 5.79 грн |
3000+ | 5.61 грн |
IRLMS1503TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS1902TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS2002TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS5703TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLMS6802TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLP3034PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 108nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 108nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 438.72 грн |
6+ | 203.41 грн |
10+ | 194.96 грн |
16+ | 184.84 грн |
400+ | 177.48 грн |