Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149881) > Сторінка 1284 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPW60R180P7XKSA1 IPW60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.58 грн
3+239.12 грн
6+199.07 грн
15+188.06 грн
120+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 IPW60R190E6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952BDAA97951BF&compId=IPW60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=7436ed58470f076cb950dae64fbcfc721f70253d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1 IPW60R199CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DE899C65D1BF&compId=IPW60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=8633e0ce83a8feedd0e7cc8d4606163b0f64beb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952581FF26B1BF&compId=IPW60R280C6-DTE.pdf?ci_sign=e60f596b485e85c4b8207311423c3bc90ab9094f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280E6FKSA1 IPW60R280E6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952A490237D1BF&compId=IPW60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=b6947e8bff4ec18032ca878fc86a7f543738e376 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 IPW60R280P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5954138267DF1BF&compId=IPW60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=12445d377c5a1acad00e0c56c8efd6e1e601bd0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1 IPW60R299CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DC1E9E42B1BF&compId=IPW60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=8119d6d1da96d49cea4c2f247bd22ecf791abcfd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1 IPW60R330P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBFB08E807C143&compId=IPW60R330P6.pdf?ci_sign=8f3765fccc89d1f705e81841d8079e376b4c7e3a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 IPW65R019C7FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAAD717D771BF&compId=IPW65R019C7-DTE.pdf?ci_sign=715ed5a1b31fe8938352d25ce1874b5c4aaf05bb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R037C6FKSA1 IPW65R037C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAC6AC68FD1BF&compId=IPW65R037C6-DTE.pdf?ci_sign=f5c1bf79ad12e8c39d7b44b727cdf6d83cedefa8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 IPW65R041CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAD2A3F2ED1BF&compId=IPW65R041CFD-DTE.pdf?ci_sign=a8617e30d987107d126992e6736cae96b434da95 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAFD47D4B11BF&compId=IPW65R045C7-DTE.pdf?ci_sign=8d648a3816212f060a23a19c0413946ef1df3829 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R065C7XKSA1 IPW65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB141E3B7D1BF&compId=IPW65R065C7-DTE.pdf?ci_sign=b697dc6a7d602251722a4e5644a03c8ef601f8a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R070C6FKSA1 IPW65R070C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB2904349D1BF&compId=IPW65R070C6-DTE.pdf?ci_sign=96122680c69aef64fea226adc12d211f04bd9e24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDA IPW65R080CFDA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58D403245ADE74A&compId=IPW65R080CFDA.pdf?ci_sign=3cc3370567a07f40c2f18445a503b992be7d8ae8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 IPW65R080CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB3522BD531BF&compId=IPW65R080CFD-DTE.pdf?ci_sign=9425d7ac9df299ed19596fbda93012c2681a7a80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1 IPW65R190CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBC3CBE2E551BF&compId=IPW65R190CFD-DTE.pdf?ci_sign=60664da403736c52558797a28919c148db632515 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0 IPW65R280C6FKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1 IPW65R310CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBC95B371731BF&compId=IPW65R310CFD-DTE.pdf?ci_sign=fd54e2f6131f8472cd466427d66d47a1c1b2bd82 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBCA67145851BF&compId=IPW65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=0d183952d44e9096ba03d9cc41c07ddb26aec1c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+247.98 грн
3+214.35 грн
6+199.07 грн
10+192.65 грн
15+188.06 грн
30+181.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1 IPW65R660CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBCC2E3AB391BF&compId=IPW65R660CFD-DTE.pdf?ci_sign=51c33f24ae5199d9dcd374c039b7fc6d37c17cac Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 62.5W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc IPW80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+439.64 грн
5+266.96 грн
12+253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a IPW80R360P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 IPZ40N04S53R1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5DEF7DBF97E28&compId=IPZ40N04S53R1.pdf?ci_sign=0ae6e10a5f9e2726964daefd2523a88b8caa579c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4 IPZ40N04S5-5R4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA847358E2A74A&compId=IPZ40N04S5-5R4.pdf?ci_sign=d87690e2b52440f710216f339021a29a7c9476cb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4 IPZ40N04S5-8R4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8787BDAF274A&compId=IPZ40N04S5-8R4.pdf?ci_sign=5350b58bf3f81c9b318e130a2519f3d855f10390 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8 IPZ40N04S5L-2R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA89F61D20874A&compId=IPZ40N04S5L-2R8.pdf?ci_sign=ee02b7778856d447f739e700de60e47ffaae1978 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8 IPZ40N04S5L-4R8 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8C03AFC8874A&compId=IPZ40N04S5L-4R8.pdf?ci_sign=e072796b1966f97ce0e1301759d47316f5d24d7e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4 IPZ40N04S5L-7R4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8F50F7EDE74A&compId=IPZ40N04S5L-7R4.pdf?ci_sign=38c31f7871204bf2af0450c5372a4ea55b9e53b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZ60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc275c6b7da2 IPZ60R017C7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59552626D78D1BF&compId=IPZ60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=1d1709cb23ef90f3adae91e68c26105e3f8c2550 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1260.63 грн
3+1149.87 грн
10+1098.11 грн
30+1064.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb IPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPZ65R045C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e5a5024013e6a50664963da IPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS28762-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b44b73b44837 IPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R037P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160314fe3b963ab IPZA60R037P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454244a483a IPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R060P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R080P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801604532868c1948 IPZA60R099P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPZA60R180P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Output current: -2.5...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Output current: -4...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Output current: -4...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -3...3A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+517.69 грн
3+449.66 грн
4+335.76 грн
9+317.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF IR2010SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1980 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF IR2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2011SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+324.05 грн
6+196.32 грн
16+186.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBF IR2085STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 100V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 1W
Supply voltage: 10...15V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.69 грн
8+151.47 грн
21+137.61 грн
2500+132.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101SPBF IR2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2101SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+296.39 грн
5+123.85 грн
13+87.15 грн
34+82.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD859AC4CE1F5EA&compId=IR2101SPBF.pdf?ci_sign=cf114e828503fc9421e769ef0cc9eb118ca9e5cf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.58 грн
10+81.93 грн
18+61.46 грн
48+58.71 грн
500+56.88 грн
1000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF IR2102SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33DAF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2101_2102.pdf?ci_sign=177f6e77fff8b7d19eecd1ca54cf7c1ecd5b16eb description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.63 грн
10+95.27 грн
13+84.40 грн
35+79.81 грн
50+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.47 грн
5+108.60 грн
12+89.90 грн
33+84.40 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R180P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBE97122B28143&compId=IPW60R180P7.pdf?ci_sign=8c6446c121bdf566d55c0a9926608d4dd0617f73
IPW60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c
IPW60R190C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.58 грн
3+239.12 грн
6+199.07 грн
15+188.06 грн
120+185.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190E6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952BDAA97951BF&compId=IPW60R190E6-DTE.pdf?ci_sign=7436ed58470f076cb950dae64fbcfc721f70253d
IPW60R190E6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R199CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DE899C65D1BF&compId=IPW60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=8633e0ce83a8feedd0e7cc8d4606163b0f64beb2
IPW60R199CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952581FF26B1BF&compId=IPW60R280C6-DTE.pdf?ci_sign=e60f596b485e85c4b8207311423c3bc90ab9094f
IPW60R280C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280E6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5952A490237D1BF&compId=IPW60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=b6947e8bff4ec18032ca878fc86a7f543738e376
IPW60R280E6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R280P6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5954138267DF1BF&compId=IPW60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=12445d377c5a1acad00e0c56c8efd6e1e601bd0f
IPW60R280P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 60 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R299CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DC1E9E42B1BF&compId=IPW60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=8119d6d1da96d49cea4c2f247bd22ecf791abcfd
IPW60R299CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 98W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 98W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R330P6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBFB08E807C143&compId=IPW60R330P6.pdf?ci_sign=8f3765fccc89d1f705e81841d8079e376b4c7e3a
IPW60R330P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.6A; 93W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 93W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R019C7FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAAD717D771BF&compId=IPW65R019C7-DTE.pdf?ci_sign=715ed5a1b31fe8938352d25ce1874b5c4aaf05bb
IPW65R019C7FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R037C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAC6AC68FD1BF&compId=IPW65R037C6-DTE.pdf?ci_sign=f5c1bf79ad12e8c39d7b44b727cdf6d83cedefa8
IPW65R037C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 83.2A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 83.2A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R041CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAD2A3F2ED1BF&compId=IPW65R041CFD-DTE.pdf?ci_sign=a8617e30d987107d126992e6736cae96b434da95
IPW65R041CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 68.5A; 500W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 68.5A
Power dissipation: 500W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R045C7FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBAFD47D4B11BF&compId=IPW65R045C7-DTE.pdf?ci_sign=8d648a3816212f060a23a19c0413946ef1df3829
IPW65R045C7FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R065C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB141E3B7D1BF&compId=IPW65R065C7-DTE.pdf?ci_sign=b697dc6a7d602251722a4e5644a03c8ef601f8a2
IPW65R065C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R070C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB2904349D1BF&compId=IPW65R070C6-DTE.pdf?ci_sign=96122680c69aef64fea226adc12d211f04bd9e24
IPW65R070C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53.5A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53.5A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58D403245ADE74A&compId=IPW65R080CFDA.pdf?ci_sign=3cc3370567a07f40c2f18445a503b992be7d8ae8
IPW65R080CFDA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R080CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBB3522BD531BF&compId=IPW65R080CFD-DTE.pdf?ci_sign=9425d7ac9df299ed19596fbda93012c2681a7a80
IPW65R080CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R190CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBC3CBE2E551BF&compId=IPW65R190CFD-DTE.pdf?ci_sign=60664da403736c52558797a28919c148db632515
IPW65R190CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R280C6FKSA1 IPW65R280C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30432a7fedfc012a8aceded858e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R280C6FKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R310CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBC95B371731BF&compId=IPW65R310CFD-DTE.pdf?ci_sign=fd54e2f6131f8472cd466427d66d47a1c1b2bd82
IPW65R310CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 104.2W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 104.2W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBCA67145851BF&compId=IPW65R420CFD-DTE.pdf?ci_sign=0d183952d44e9096ba03d9cc41c07ddb26aec1c1
IPW65R420CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 83.3W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.98 грн
3+214.35 грн
6+199.07 грн
10+192.65 грн
15+188.06 грн
30+181.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R660CFDFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AFBBCC2E3AB391BF&compId=IPW65R660CFD-DTE.pdf?ci_sign=51c33f24ae5199d9dcd374c039b7fc6d37c17cac
IPW65R660CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 62.5W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.64 грн
5+266.96 грн
12+253.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R360P7XKSA1 Infineon-IPW80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b56d7ed84018a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW80R360P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095
IPW90R800C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S53R1ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5DEF7DBF97E28&compId=IPZ40N04S53R1.pdf?ci_sign=0ae6e10a5f9e2726964daefd2523a88b8caa579c
IPZ40N04S53R1ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-5R4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA847358E2A74A&compId=IPZ40N04S5-5R4.pdf?ci_sign=d87690e2b52440f710216f339021a29a7c9476cb
IPZ40N04S5-5R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5-8R4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8787BDAF274A&compId=IPZ40N04S5-8R4.pdf?ci_sign=5350b58bf3f81c9b318e130a2519f3d855f10390
IPZ40N04S5-8R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-2R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA89F61D20874A&compId=IPZ40N04S5L-2R8.pdf?ci_sign=ee02b7778856d447f739e700de60e47ffaae1978
IPZ40N04S5L-2R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-4R8 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8C03AFC8874A&compId=IPZ40N04S5L-4R8.pdf?ci_sign=e072796b1966f97ce0e1301759d47316f5d24d7e
IPZ40N04S5L-4R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ40N04S5L-7R4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA8F50F7EDE74A&compId=IPZ40N04S5L-7R4.pdf?ci_sign=38c31f7871204bf2af0450c5372a4ea55b9e53b1
IPZ40N04S5L-7R4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Case: PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R017C7XKSA1 Infineon-IPZ60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc275c6b7da2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ60R017C7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59552626D78D1BF&compId=IPZ60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=1d1709cb23ef90f3adae91e68c26105e3f8c2550
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1260.63 грн
3+1149.87 грн
10+1098.11 грн
30+1064.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon-IPZ65R019C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e5a5024013e78cb788341cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ65R019C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R045C7XKSA1 DS_IPZ65R045C7_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30433e5a5024013e6a50664963da
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ65R045C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ65R065C7XKSA1 INFNS28762-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R024P7XKSA1 Infineon-IPZA60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b44b73b44837
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R024P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R037P7XKSA1 Infineon-IPZA60R037P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160314fe3b963ab
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R037P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R045P7XKSA1 Infineon-IPZA60R045P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454244a483a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R045P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R060P7XKSA1 IPZA60R060P7.pdf
IPZA60R060P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R080P7XKSA1 IPZA60R080P7.pdf
IPZA60R080P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R099P7XKSA1 Infineon-IPZA60R099P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801604532868c1948
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZA60R099P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R180P7XKSA1 IPZA60R180P7.pdf
IPZA60R180P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75
IR1161LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Output current: -2.5...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584
IR11688STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Output current: -4...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d
IR1169STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Output current: -4...1A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -3...3A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.69 грн
3+449.66 грн
4+335.76 грн
9+317.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1980 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011PBF description IR2011SPBF.pdf
IR2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -1...1A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 80ns
Turn-off time: 60ns
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+324.05 грн
6+196.32 грн
16+186.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2085STRPBF Infineon-IR2085S-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bb0f752184828
IR2085STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 100V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 1W
Supply voltage: 10...15V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52
IR2101PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.69 грн
8+151.47 грн
21+137.61 грн
2500+132.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101SPBF description IR2101SPBF.pdf
IR2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+296.39 грн
5+123.85 грн
13+87.15 грн
34+82.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD859AC4CE1F5EA&compId=IR2101SPBF.pdf?ci_sign=cf114e828503fc9421e769ef0cc9eb118ca9e5cf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.58 грн
10+81.93 грн
18+61.46 грн
48+58.71 грн
500+56.88 грн
1000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33DAF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2101_2102.pdf?ci_sign=177f6e77fff8b7d19eecd1ca54cf7c1ecd5b16eb
IR2102SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.63 грн
10+95.27 грн
13+84.40 грн
35+79.81 грн
50+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.47 грн
5+108.60 грн
12+89.90 грн
33+84.40 грн
500+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1279 1280 1281 1282 1283 1284 1285 1286 1287 1288 1289 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]