Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148586) > Сторінка 1284 з 2477
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB4410PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 83nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 855 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 58nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A On-state resistance: 13.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 521 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFB4620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 466 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB52N15DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 320W Case: TO220AB Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A On-state resistance: 32mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB5615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB5620PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 173 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 317A Power dissipation: 294W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 216nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 250A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 208A On-state resistance: 2.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 208W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 90nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7446PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 123A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 99W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 62nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Gate charge: 274nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7534PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 195A Power dissipation: 294W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 186nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB7537PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFB7540PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 88nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB7546PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFB7730PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 246A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFB7734PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFH3702TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFH4210DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 255A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 255A Power dissipation: 3.5W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Trade name: FastIRFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH4234TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 22A Power dissipation: 3.5W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Trade name: FastIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1653 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH4251DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 31W; PQFN5X6; FastIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 31W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel Trade name: FastIRFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFH5004TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFH5006TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFH5007TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 17A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5010TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5015TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 10A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5020TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.1A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5025TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 3.8A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFH5053TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFH5110TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5210TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5215TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5250DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5250TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5300TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5301TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5302DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 29A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5302TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5304TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 22A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH5406TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH6200TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 45A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFH7004TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFH7084TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH7110TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A Power dissipation: 3.6W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH7440TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 40V Drain current: 85A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 92nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFH7446TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 65nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFH7545TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFH7914TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6 Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 15A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFH7921TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFH7934TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH8201TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 324A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH8303TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 280A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFH8307TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 42A Power dissipation: 156W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRFB4321PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.31 грн |
8+ | 149.93 грн |
21+ | 136.10 грн |
2000+ | 131.50 грн |
IRFB4332PbF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.77 грн |
8+ | 157.57 грн |
20+ | 143.46 грн |
IRFB4410PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.42 грн |
10+ | 114.60 грн |
15+ | 73.57 грн |
41+ | 69.89 грн |
250+ | 67.13 грн |
IRFB4410ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.76 грн |
10+ | 68.76 грн |
19+ | 57.02 грн |
52+ | 54.26 грн |
IRFB4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.63 грн |
10+ | 100.27 грн |
17+ | 63.45 грн |
47+ | 59.77 грн |
500+ | 57.93 грн |
IRFB4610PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 521 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 192.13 грн |
10+ | 154.71 грн |
14+ | 81.84 грн |
37+ | 77.25 грн |
IRFB4615PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFB4620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.71 грн |
3+ | 207.23 грн |
7+ | 155.41 грн |
20+ | 147.14 грн |
50+ | 142.54 грн |
IRFB52N15DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
On-state resistance: 32mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
On-state resistance: 32mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 202.03 грн |
9+ | 132.74 грн |
24+ | 120.47 грн |
500+ | 117.71 грн |
1000+ | 115.87 грн |
IRFB5615PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 148.55 грн |
10+ | 99.32 грн |
17+ | 67.13 грн |
45+ | 63.45 грн |
1000+ | 60.69 грн |
IRFB5620PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB5620PBF THT N channel transistors
IRFB5620PBF THT N channel transistors
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 218.87 грн |
9+ | 119.55 грн |
25+ | 113.11 грн |
IRFB7430PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7430PBF THT N channel transistors
IRFB7430PBF THT N channel transistors
на замовлення 173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 345.63 грн |
6+ | 209.67 грн |
15+ | 197.71 грн |
IRFB7434PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.74 грн |
10+ | 166.17 грн |
11+ | 103.92 грн |
29+ | 98.40 грн |
500+ | 94.72 грн |
IRFB7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 149.54 грн |
10+ | 79.26 грн |
17+ | 66.21 грн |
45+ | 62.53 грн |
250+ | 60.69 грн |
500+ | 59.77 грн |
IRFB7440PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.74 грн |
10+ | 78.31 грн |
18+ | 59.77 грн |
50+ | 57.02 грн |
100+ | 54.26 грн |
IRFB7446PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 127.75 грн |
10+ | 75.44 грн |
19+ | 57.02 грн |
52+ | 54.26 грн |
250+ | 51.50 грн |
IRFB7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.47 грн |
10+ | 122.24 грн |
14+ | 83.68 грн |
37+ | 79.09 грн |
100+ | 76.33 грн |
IRFB7534PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 186nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.62 грн |
10+ | 100.27 грн |
12+ | 91.96 грн |
33+ | 87.36 грн |
500+ | 83.68 грн |
IRFB7537PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7537PBF THT N channel transistors
IRFB7537PBF THT N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.81 грн |
15+ | 73.57 грн |
41+ | 68.97 грн |
IRFB7540PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 88nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 88nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.59 грн |
10+ | 76.40 грн |
23+ | 48.10 грн |
62+ | 45.43 грн |
IRFB7545PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.51 грн |
10+ | 42.02 грн |
34+ | 32.09 грн |
93+ | 30.35 грн |
500+ | 29.24 грн |
IRFB7546PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7546PBF THT N channel transistors
IRFB7546PBF THT N channel transistors
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.97 грн |
20+ | 54.26 грн |
55+ | 51.50 грн |
IRFB7730PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 315.92 грн |
3+ | 274.08 грн |
6+ | 210.59 грн |
15+ | 198.63 грн |
IRFB7734PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB7734PBF THT N channel transistors
IRFB7734PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH3702TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH3702TRPBF SMD N channel transistors
IRFH3702TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH4210DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 255A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 255A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 255A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 255A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH4234TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.79 грн |
15+ | 20.44 грн |
100+ | 19.59 грн |
IRFH4251DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 31W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 31W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5004TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5004TRPBF SMD N channel transistors
IRFH5004TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5006TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors
IRFH5006TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5007TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 17A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 17A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5010TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5015TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 10A
Power dissipation: 250W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5020TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.1A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5025TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 3.8A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5053TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
IRFH5053TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5110TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5210TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5215TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5250TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5300TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5301TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5302DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 29A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 29A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 29A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5302TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5304TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH5406TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH6200TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 45A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 45A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7004TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7084TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7110TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7440TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.87 грн |
10+ | 106.00 грн |
13+ | 88.28 грн |
35+ | 83.68 грн |
500+ | 82.76 грн |
1000+ | 80.92 грн |
IRFH7446TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 65nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 117A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 78W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 65nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7545TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7545TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7545TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7914TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7921TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7921TRPBF SMD N channel transistors
IRFH7921TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH7934TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 3.1W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 3.1W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH8201TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 324A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 324A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 324A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH8303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 280A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 280A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFH8307TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.