Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149880) > Сторінка 1290 з 2498

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1293 1294 1295 1494 1743 1992 2241 2490 2498  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560caf2b1d3f IRF7910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7946pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cc0a41d43 IRF7946TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.28 грн
10+99.08 грн
17+64.22 грн
47+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AD9BA81268F1A303005056AB0C4F&compId=irf8010spbf.pdf?ci_sign=96016d20f638b230a1eae1ea6fde48bebe5d8df7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF IRF8113TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8301mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d0e7a1d58 IRF8301MTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d38521d63 IRF8313TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF IRF8707TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 17.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 88A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8714pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d6f0f1d71 IRF8714TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF IRF8721TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE4CA56DBBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8721pbf.pdf?ci_sign=4d7ba651820880c0d9f9856e81437904f3f7d3b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.89 грн
10+60.59 грн
36+30.73 грн
97+29.08 грн
2000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d IRF8910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91 IRF8915TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF IRF9317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF36409D0BF1A303005056AB0C4F&compId=irf9317pbf.pdf?ci_sign=8a0f5023cdbb5a2b9e43b14f674edeb990a3138a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain current: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9328pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356112e591d9d IRF9328TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561136b71d9f IRF9332TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9335pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561147881da3 IRF9335TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5 IRF9358TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF IRF9362TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B00322F7EAF1A303005056AB0C4F&compId=irf9362pbf.pdf?ci_sign=daec17103d69b620a36fa31b8c45e333a8f32cd4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.42 грн
10+35.63 грн
49+22.02 грн
134+20.82 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.46 грн
10+38.96 грн
50+30.09 грн
54+20.18 грн
148+19.08 грн
500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611a0c11db9 IRF9410TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.60 грн
10+77.17 грн
25+59.54 грн
30+36.33 грн
81+34.40 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B182AD9381F1A303005056AB0C4F&compId=irf9530nspbf.pdf?ci_sign=a436f2e5acc92f8ab7878b6b87b589830d094258 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3 IRF9530NSTRRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.47 грн
10+113.37 грн
27+103.66 грн
1000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B648F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9540n.pdf?ci_sign=1c565e0baf6d9ae4245f976eea01225d24493d80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
On-state resistance: 0.117Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.41 грн
21+54.49 грн
57+49.63 грн
1000+47.98 грн
5000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611e1a61dcd description IRF9910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF IRF9952TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9952pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9956pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561210491dd9 IRF9956TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 12.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.43 грн
41+27.15 грн
113+24.68 грн
10000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.83 грн
25+44.01 грн
37+28.99 грн
102+27.43 грн
2000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561231771de3 IRFB260NPBF THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.23 грн
9+123.85 грн
24+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 IRFB3004PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356123f051de7 IRFB3006GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3006pbf.pdf?ci_sign=af7f6f1ff8f7a54d3a732ebdbab42c7601952b23 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+331.95 грн
6+202.92 грн
16+184.39 грн
50+177.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.17 грн
10+132.42 грн
11+105.50 грн
28+100.00 грн
1000+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+296.39 грн
10+175.29 грн
12+96.33 грн
31+90.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.81 грн
15+77.17 грн
40+70.64 грн
2000+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6B370EE5BF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3207pbf.pdf?ci_sign=9d5c11df231dd7c9061d11989f17acc39f514a7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+334.92 грн
3+290.56 грн
6+213.75 грн
14+201.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2F0373A9EF1A303005056AB0C4F&compId=irfb3207zgpbf.pdf?ci_sign=0f418ffa88abe060375491d71bbeed16a4ddf772 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3207zpbf.pdf?ci_sign=d9a881f5e50cc8dfcd68d3e1192d7da63798c2e4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.36 грн
8+158.14 грн
20+144.03 грн
100+142.19 грн
500+138.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.59 грн
18+65.73 грн
47+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169 IRFB3307PBF THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.24 грн
8+137.61 грн
22+129.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+223.28 грн
10+158.14 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
1000+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=98d0685c947b09aa259e1947e7ed20d67c6bfc89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.54 грн
26+44.39 грн
69+40.46 грн
2000+39.26 грн
5000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a IRFB3806PBF THT N channel transistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.80 грн
26+42.84 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.00 грн
12+98.13 грн
32+89.90 грн
2000+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+152.14 грн
10+95.93 грн
25+44.22 грн
50+44.13 грн
67+41.74 грн
500+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.47 грн
10+72.40 грн
42+66.97 грн
100+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+321.09 грн
7+185.77 грн
17+169.72 грн
100+163.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+150.17 грн
10+118.13 грн
12+96.33 грн
25+92.66 грн
31+90.82 грн
100+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBF IRFB4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA26580F5B5EA&compId=IRFB4137PBF.pdf?ci_sign=5b0ba6a15b558079509649f4bc5e8ff398f62088 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+362.58 грн
6+191.49 грн
17+174.30 грн
50+167.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7910TRPBF irf7910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560caf2b1d3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7946TRPBF irf7946pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cc0a41d43
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7946TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D852BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf8010.pdf?ci_sign=d280f417751b4795fda78b32f97b3dbddff52aba
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.28 грн
10+99.08 грн
17+64.22 грн
47+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AD9BA81268F1A303005056AB0C4F&compId=irf8010spbf.pdf?ci_sign=96016d20f638b230a1eae1ea6fde48bebe5d8df7
IRF8010STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8113TRPBF description irf8113pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560ceb611d50
IRF8113TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.8A; Idm: 135A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 135A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8301MTRPBF irf8301mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d0e7a1d58
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8301MTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8313TRPBF irf8313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d38521d63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8313TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8707TRPBF irf8707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d57f81d6b
IRF8707TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.1A; Idm: 88A; 1.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 17.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 88A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBF irf8714pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d6f0f1d71
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8714TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8721TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE4CA56DBBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8721pbf.pdf?ci_sign=4d7ba651820880c0d9f9856e81437904f3f7d3b6
IRF8721TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 2.5W
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.89 грн
10+60.59 грн
36+30.73 грн
97+29.08 грн
2000+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8736TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE837B9ABBF1A303005056AB0C4F&compId=irf8736pbf.pdf?ci_sign=9f437ccc0e59342b4111934b0de47bb61ce0fc80
IRF8736TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE9E8C17B9F1A303005056AB0C4F&compId=irf8788pbf.pdf?ci_sign=f0fcf5faf3394f41f78b4d6575d17f702fe54c98
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8910TRPBF irf8910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610ec101d8d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8915TRPBF irf8915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535610fd2d1d91
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8915TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9317TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF36409D0BF1A303005056AB0C4F&compId=irf9317pbf.pdf?ci_sign=8a0f5023cdbb5a2b9e43b14f674edeb990a3138a
IRF9317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -16A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Drain current: -16A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9321TRPBF irf9321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561125fc1d9b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9321TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9328TRPBF irf9328pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356112e591d9d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9328TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9332TRPBF irf9332pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561136b71d9f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9332TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9335TRPBF irf9335pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561147881da3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9335TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9358TRPBF irf9358pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356114ffa1da5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9358TRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9362TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B00322F7EAF1A303005056AB0C4F&compId=irf9362pbf.pdf?ci_sign=daec17103d69b620a36fa31b8c45e333a8f32cd4
IRF9362TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC9C6E07FC35EA&compId=IRF9389TRPBF.pdf?ci_sign=ea3b1216efc13bc500124d935d1fdf6b8d441c11
IRF9389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.8/-4.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-4.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27/64mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.42 грн
10+35.63 грн
49+22.02 грн
134+20.82 грн
500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
IRF9393TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 19.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.46 грн
10+38.96 грн
50+30.09 грн
54+20.18 грн
148+19.08 грн
500+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9410TRPBF irf9410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611a0c11db9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9410TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+77.17 грн
25+59.54 грн
30+36.33 грн
81+34.40 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B182AD9381F1A303005056AB0C4F&compId=irf9530nspbf.pdf?ci_sign=a436f2e5acc92f8ab7878b6b87b589830d094258
IRF9530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NSTRRPBF irf9530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611c2011dc3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9530NSTRRPBF SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.47 грн
10+113.37 грн
27+103.66 грн
1000+99.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B648F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9540n.pdf?ci_sign=1c565e0baf6d9ae4245f976eea01225d24493d80
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
On-state resistance: 0.117Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.41 грн
21+54.49 грн
57+49.63 грн
1000+47.98 грн
5000+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9910TRPBF description irf9910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611e1a61dcd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9910TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9952TRPBF irf9952pbf.pdf
IRF9952TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3.5/-2.3A
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9956TRPBF irf9956pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561210491dd9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9956TRPBF Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 12.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
41+27.15 грн
113+24.68 грн
10000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.83 грн
25+44.01 грн
37+28.99 грн
102+27.43 грн
2000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF irfb260npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561231771de3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB260NPBF THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.23 грн
9+123.85 грн
24+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3004PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBF irfb3006gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356123f051de7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3006GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6AAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3006pbf.pdf?ci_sign=af7f6f1ff8f7a54d3a732ebdbab42c7601952b23
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 200nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.95 грн
6+202.92 грн
16+184.39 грн
50+177.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+150.17 грн
10+132.42 грн
11+105.50 грн
28+100.00 грн
1000+97.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+296.39 грн
10+175.29 грн
12+96.33 грн
31+90.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.81 грн
15+77.17 грн
40+70.64 грн
2000+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6B370EE5BF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3207pbf.pdf?ci_sign=9d5c11df231dd7c9061d11989f17acc39f514a7b
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.92 грн
3+290.56 грн
6+213.75 грн
14+201.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2F0373A9EF1A303005056AB0C4F&compId=irfb3207zgpbf.pdf?ci_sign=0f418ffa88abe060375491d71bbeed16a4ddf772
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3207zpbf.pdf?ci_sign=d9a881f5e50cc8dfcd68d3e1192d7da63798c2e4
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.36 грн
8+158.14 грн
20+144.03 грн
100+142.19 грн
500+138.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6CDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3306pbf.pdf?ci_sign=3eff737cd65f7676704d1e680efaba849ec13fe8
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.59 грн
18+65.73 грн
47+59.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF irfs3307pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563689292169
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3307PBF THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.24 грн
8+137.61 грн
22+129.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.28 грн
10+158.14 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
1000+85.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=98d0685c947b09aa259e1947e7ed20d67c6bfc89
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.54 грн
26+44.39 грн
69+40.46 грн
2000+39.26 грн
5000+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFB3806PBF THT N channel transistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+98.80 грн
26+42.84 грн
69+40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.00 грн
12+98.13 грн
32+89.90 грн
2000+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+152.14 грн
10+95.93 грн
25+44.22 грн
50+44.13 грн
67+41.74 грн
500+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 100W
Gate charge: 18nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.47 грн
10+72.40 грн
42+66.97 грн
100+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.09 грн
7+185.77 грн
17+169.72 грн
100+163.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B721F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4127pbf.pdf?ci_sign=ddafc47e6f7b0c1ae62e3c82167c1dd582ee261f
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+150.17 грн
10+118.13 грн
12+96.33 грн
25+92.66 грн
31+90.82 грн
100+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4137PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA26580F5B5EA&compId=IRFB4137PBF.pdf?ci_sign=5b0ba6a15b558079509649f4bc5e8ff398f62088
IRFB4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.58 грн
6+191.49 грн
17+174.30 грн
50+167.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1285 1286 1287 1288 1289 1290 1291 1292 1293 1294 1295 1494 1743 1992 2241 2490 2498  [ Наступна Сторінка >> ]