Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149887) > Сторінка 1293 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 78A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4332PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC Mounting: THT Drain-source voltage: 250V Drain current: 57A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 360W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO247AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4368PBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 380nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Power dissipation: 520W Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 355 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4568PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A On-state resistance: 5.9mΩ Power dissipation: 517W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Power dissipation: 520W Gate charge: 161nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 219 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 517W Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC Drain-source voltage: 40V Drain current: 404A On-state resistance: 1.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 366W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 300nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: THT Case: TO247AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP7530PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 281A Power dissipation: 341W Case: TO247AC Mounting: THT Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET On-state resistance: 2mΩ Kind of package: tube Gate charge: 274nC Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP7537PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFP90N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 94A Power dissipation: 580W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 634 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP9140NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -21A Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.117Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 120W Gate charge: 64.7nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFR024NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 16A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR1010ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 91A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR1010ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 91A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR1018ETRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR1205TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 107W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFR120NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 39W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR120ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.7A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR13N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 14A Power dissipation: 86W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR13N20DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 14A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR15N20DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFR18N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFR220NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR220NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Power dissipation: 43W Case: DPAK Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFR2307ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR2405TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR2405TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 56A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR2407TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR24N15DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 24A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR2607ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 45A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR2905ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 55V Drain current: 42A On-state resistance: 14.5mΩ Gate charge: 44nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 240A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFR3411TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR3504ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Power dissipation: 90W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFR3518TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR3607TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR3709ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 86A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR3709ZTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 86A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR3710ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 56A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 140W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2595 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFR3711TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFR3711ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR3806TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR3910TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR3910TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 52W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR4104TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 119A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1351 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR4105TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 25A Power dissipation: 48W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFR4105ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFR4510TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 143W Polarisation: unipolar Case: DPAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 252A Drain current: 45A On-state resistance: 13.9mΩ кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFR4615TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 200V Drain current: 24A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFR48ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3765 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR5410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 392 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR5410TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Power dissipation: 66W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFR5505TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -18A Power dissipation: 57W Case: DPAK On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFR6215TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: -150V Drain current: -13A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFP4321PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 78A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 78A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 340.84 грн |
7+ | 172.43 грн |
18+ | 157.79 грн |
400+ | 151.37 грн |
IRFP4332PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Mounting: THT
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 99nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 408.03 грн |
6+ | 218.16 грн |
15+ | 199.07 грн |
100+ | 197.24 грн |
400+ | 191.73 грн |
IRFP4368PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 380nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 380nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 574.99 грн |
4+ | 321.05 грн |
10+ | 292.65 грн |
IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 407.04 грн |
5+ | 226.74 грн |
14+ | 206.41 грн |
100+ | 198.16 грн |
IRFP4568PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
On-state resistance: 5.9mΩ
Power dissipation: 517W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 151nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP4668PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 324.05 грн |
6+ | 205.78 грн |
15+ | 187.15 грн |
1000+ | 183.48 грн |
1200+ | 179.81 грн |
IRFP4868PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 517W
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 517W
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 701.45 грн |
3+ | 517.30 грн |
6+ | 471.54 грн |
IRFP7430PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 366W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
On-state resistance: 1.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 366W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 300nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 270.70 грн |
8+ | 142.90 грн |
22+ | 130.27 грн |
400+ | 124.76 грн |
IRFP7530PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 347.76 грн |
5+ | 226.74 грн |
14+ | 207.33 грн |
50+ | 198.16 грн |
IRFP7537PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7537PBF THT N channel transistors
IRFP7537PBF THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.83 грн |
7+ | 157.79 грн |
19+ | 148.62 грн |
IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 527.57 грн |
6+ | 221.97 грн |
14+ | 201.82 грн |
IRFP9140NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 120W
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 120W
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.51 грн |
10+ | 132.42 грн |
15+ | 73.39 грн |
41+ | 68.80 грн |
250+ | 66.97 грн |
IRFR024NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR024NTRLPBF SMD N channel transistors
IRFR024NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.34 грн |
10+ | 42.20 грн |
31+ | 35.23 грн |
50+ | 33.30 грн |
100+ | 32.02 грн |
IRFR1010ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR1010ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 91A; 140W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 91A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR1018ETRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR1205TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 121.52 грн |
10+ | 78.21 грн |
29+ | 38.07 грн |
78+ | 35.96 грн |
IRFR120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors
IRFR120NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 39W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR120ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR13N15DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 86W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
Power dissipation: 86W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR13N20DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR15N20DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR18N15DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR18N15DTRPBF SMD N channel transistors
IRFR18N15DTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR220NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR220NTRLPBF SMD N channel transistors
IRFR220NTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR220NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.04 грн |
10+ | 68.97 грн |
45+ | 24.22 грн |
122+ | 22.93 грн |
2000+ | 22.84 грн |
IRFR2307ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR2307ZTRLPBF SMD N channel transistors
IRFR2307ZTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR2405TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR2405TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR2407TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 42A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR24N15DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 24A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR2607ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 45A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 45A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 45A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR2905ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
On-state resistance: 14.5mΩ
Gate charge: 44nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
On-state resistance: 14.5mΩ
Gate charge: 44nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 240A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3410TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3410TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3410TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3411TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3411TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3411TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3504ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 77A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3518TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3518TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3518TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3607TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3709ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3709ZTRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 86A; 79W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 86A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 79W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3710ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 148.19 грн |
10+ | 103.17 грн |
20+ | 55.50 грн |
54+ | 52.47 грн |
2000+ | 51.47 грн |
4000+ | 50.46 грн |
IRFR3711TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3711TRPBF SMD N channel transistors
IRFR3711TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3711ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR3711ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR3711ZTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3806TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.59 грн |
10+ | 75.07 грн |
33+ | 33.30 грн |
90+ | 31.47 грн |
6000+ | 30.55 грн |
IRFR3910TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR3910TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 52W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 52W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.82 грн |
10+ | 64.78 грн |
28+ | 38.44 грн |
77+ | 36.33 грн |
1000+ | 35.14 грн |
IRFR4104TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.74 грн |
10+ | 84.79 грн |
17+ | 65.13 грн |
46+ | 61.46 грн |
500+ | 58.71 грн |
IRFR4105TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR4105ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR4105ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR4105ZTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR4510TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 252A
Drain current: 45A
On-state resistance: 13.9mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 252A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Case: DPAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 252A
Drain current: 45A
On-state resistance: 13.9mΩ
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR4615TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR4615TRLPBF SMD N channel transistors
IRFR4615TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 144W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR48ZTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR48ZTRPBF SMD N channel transistors
IRFR48ZTRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR5305TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 115.59 грн |
10+ | 76.31 грн |
34+ | 31.56 грн |
94+ | 29.82 грн |
6000+ | 29.45 грн |
IRFR5305TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR5410TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.42 грн |
10+ | 86.12 грн |
33+ | 33.30 грн |
90+ | 31.47 грн |
4000+ | 30.27 грн |
IRFR5410TRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR5505TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.72 грн |
10+ | 71.93 грн |
41+ | 26.24 грн |
113+ | 24.86 грн |
IRFR6215TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.47 грн |
10+ | 87.36 грн |
24+ | 45.41 грн |
66+ | 42.93 грн |
2000+ | 41.28 грн |