Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148587) > Сторінка 1288 з 2477
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFU13N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFU220NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFU3607PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK Case: IPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A On-state resistance: 9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 143W Polarisation: unipolar Case: IPAK Mounting: THT Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFU4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFU5305PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1921 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFU7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFU9024NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 12.7nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1151 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ24NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 17A Power dissipation: 45W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFZ34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 26A Power dissipation: 56W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 22.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ34NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 29A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFZ44EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ44ESTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFZ44NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFZ44NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 49A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRFZ44VPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFZ44VZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRFZ44VZSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 92W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ44ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 36A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFZ44ZSTRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 36A Power dissipation: 80W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFZ46NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 53A Power dissipation: 120W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 48nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ46NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 46A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 48nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ48NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFZ48NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRG4BC40W-STRRP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRG4IBC10UDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRG4IBC30WPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRG4PH20KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRG4PH20KPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 11A Power dissipation: 60W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRG4PSH71KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 78A Power dissipation: 350W Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRG4PSH71UDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 99A Power dissipation: 350W Case: SUPER247 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRG4RC10KDTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRG4RC10UDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRG7PH35UD-EP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 70W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 240ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRG7PH44K10D-EPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRGB6B60KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRGIB7B60KDPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRGP4066DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector current: 75A Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 454W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRGP4263DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 90A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 325W Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRGS6B60KDTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRGSL4062DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Collector current: 48A Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 250W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL1004PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRL100HS121 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRL1404STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRL1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 75nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 790A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRL1404ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK Case: D2PAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 75nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 790A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 658 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRL2203NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 116A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL2505PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 104A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 482 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRL2505STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 74A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRL2910STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 55A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL3103STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 64A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL3705NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Case: TO220AB Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 65.3nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 524 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRL3705NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 86A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL3803PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 93.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRL3803STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 140A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IRL520NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFU120NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.11 грн |
10+ | 46.32 грн |
29+ | 37.89 грн |
78+ | 35.86 грн |
525+ | 34.49 грн |
IRFU13N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU13N20DPBF THT N channel transistors
IRFU13N20DPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU220NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU3607PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU3910PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
IRFU3910PBF THT N channel transistors
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.62 грн |
28+ | 39.18 грн |
76+ | 37.06 грн |
IRFU4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 112.90 грн |
10+ | 84.99 грн |
16+ | 69.89 грн |
43+ | 66.21 грн |
150+ | 64.37 грн |
450+ | 63.45 грн |
IRFU4615PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4615PBF THT N channel transistors
IRFU4615PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU5305PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.17 грн |
10+ | 70.67 грн |
19+ | 57.93 грн |
51+ | 55.18 грн |
150+ | 53.34 грн |
IRFU7440PBF |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU7440PBF THT N channel transistors
IRFU7440PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFU9024NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.50 грн |
25+ | 41.35 грн |
46+ | 23.45 грн |
126+ | 22.16 грн |
IRFZ24NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ34NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.30 грн |
10+ | 60.64 грн |
38+ | 29.06 грн |
102+ | 27.50 грн |
10000+ | 26.48 грн |
IRFZ34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44EPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.03 грн |
10+ | 81.17 грн |
23+ | 47.82 грн |
63+ | 45.98 грн |
IRFZ44ESTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 48A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 48A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 100.02 грн |
18+ | 60.69 грн |
49+ | 57.02 грн |
IRFZ44NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44VPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.12 грн |
23+ | 47.82 грн |
62+ | 45.06 грн |
IRFZ44VZPBF |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.84 грн |
18+ | 62.53 грн |
48+ | 58.85 грн |
IRFZ44VZSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 92W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 92W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 148.55 грн |
10+ | 127.01 грн |
12+ | 95.64 грн |
32+ | 91.04 грн |
500+ | 87.36 грн |
IRFZ44ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ44ZSTRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFZ46NLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 96.45 грн |
10+ | 77.25 грн |
17+ | 67.13 грн |
45+ | 63.45 грн |
IRFZ46NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.88 грн |
10+ | 77.83 грн |
27+ | 40.46 грн |
74+ | 38.26 грн |
1000+ | 36.78 грн |
IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.34 грн |
10+ | 57.87 грн |
32+ | 34.12 грн |
87+ | 32.28 грн |
IRFZ48NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4BC40W-STRRP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4IBC10UDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4IBC30WPBF |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4PH20KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4PH20KPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4PSH71KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 78A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 78A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4PSH71UDPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4RC10KDTRPBF |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10KDTRPBF SMD IGBT transistors
IRG4RC10KDTRPBF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG4RC10UDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG7PH35UD-EP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRG7PH44K10D-EPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG7PH44K10D-EPBF THT IGBT transistors
IRG7PH44K10D-EPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRGB6B60KDPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRGIB7B60KDPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRGP4066DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 454W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 454W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRGP4263DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 90A; 325W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 90A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 325W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRGS6B60KDTRLP |
![]() ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRGSL4062DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 48A; 250W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Collector current: 48A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL1004PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 149.54 грн |
10+ | 125.10 грн |
14+ | 80.01 грн |
37+ | 75.41 грн |
IRL100HS121 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL100HS121 SMD N channel transistors
IRL100HS121 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL1404STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL1404STRLPBF SMD N channel transistors
IRL1404STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 790A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 790A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 182.22 грн |
10+ | 130.83 грн |
11+ | 105.75 грн |
28+ | 100.24 грн |
250+ | 99.32 грн |
500+ | 96.56 грн |
IRL1404ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 790A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 75nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 790A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.17 грн |
10+ | 130.83 грн |
13+ | 84.60 грн |
35+ | 80.01 грн |
500+ | 77.25 грн |
IRL2203NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL2505PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.29 грн |
10+ | 136.56 грн |
11+ | 98.40 грн |
30+ | 93.80 грн |
1000+ | 92.88 грн |
2000+ | 90.12 грн |
IRL2505STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL2910STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 55A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3103STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3705NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 65.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 65.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.76 грн |
10+ | 93.59 грн |
22+ | 48.74 грн |
61+ | 46.90 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3705ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 86A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 86A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3803PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL3803STRLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRL520NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL520NPBF THT N channel transistors
IRL520NPBF THT N channel transistors
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.52 грн |
31+ | 35.04 грн |
85+ | 33.20 грн |