Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148587) > Сторінка 1287 з 2477
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR825TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFR8314TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 127A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9024NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9024NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -11A Power dissipation: 38W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9120NTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFR9120NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -6.5A Power dissipation: 39W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFR9N20DTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.4A; 86W; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.4A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS23N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Power dissipation: 170W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 57nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS3004TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Pulsed drain current: 1.31kA Power dissipation: 380W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.75mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS3006TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 293A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS3006TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 191A Pulsed drain current: 1.08kA Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS3107TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 260A Power dissipation: 370W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS3107TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 370W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS31N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 31A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS3206TRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS3207TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 75V Drain current: 180A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS3306TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Pulsed drain current: 620A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 517 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFS3307ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 120A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS3607TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 80A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS3806TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 60V Drain current: 31A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 71W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS38N20DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 44A Power dissipation: 320W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS4010TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 740A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS4010TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A On-state resistance: 4.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 143nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4020TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 200V Drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS4115TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4227TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4229TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 45A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4310TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4310ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4321TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 330W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFS4410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel Drain-source voltage: 100V Drain current: 96A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFS4510TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: D2PAK Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 250A Drain current: 43A On-state resistance: 13.9mΩ кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS4610TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS4615TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 33A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS4620TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFS52N15DTRLP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFS52N15DTRRP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFS7430TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRFS7434TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS7437TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET Gate charge: 236nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 688 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 295A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 274nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRFS7534TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRFS7540TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFS7730TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 174A Pulsed drain current: 984A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 407nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 637 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFS7734TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 130A Power dissipation: 290W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 180nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 300W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL3207ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 300W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL4010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL4410ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 97A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: TO262 Kind of package: tube Mounting: THT Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 301A Power dissipation: 375W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 300nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRFSL7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 225nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFSL7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 147A Pulsed drain current: 772A Power dissipation: 208W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFTS8342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.2A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFTS9342TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6 Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 648 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFR825TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR825TRPBF SMD N channel transistors
IRFR825TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR8314TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 154.49 грн |
10+ | 99.03 грн |
20+ | 54.44 грн |
55+ | 51.41 грн |
1000+ | 49.47 грн |
IRFR9024NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9024NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 96.06 грн |
10+ | 55.96 грн |
47+ | 22.90 грн |
130+ | 21.61 грн |
4000+ | 21.15 грн |
10000+ | 20.78 грн |
IRFR9120NTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR9120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.96 грн |
10+ | 71.34 грн |
31+ | 35.68 грн |
83+ | 33.75 грн |
1000+ | 32.55 грн |
2000+ | 32.46 грн |
IRFR9N20DTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.4A; 86W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.4A; 86W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.4A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 86W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS23N20DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3004TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3006TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3006TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3107TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3107TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS31N20DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3206TRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3207TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3306TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 517 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 255.51 грн |
10+ | 119.37 грн |
26+ | 108.51 грн |
250+ | 104.83 грн |
IRFS3307ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3607TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS3806TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
On-state resistance: 15.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
On-state resistance: 15.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 71W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS38N20DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4010TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; Idm: 740A; 380W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4010TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 143nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
On-state resistance: 4.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 143nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4020TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4127TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4227TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4229TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4310TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4310ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.33 грн |
9+ | 134.65 грн |
23+ | 123.23 грн |
250+ | 119.55 грн |
500+ | 117.71 грн |
IRFS4410TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4410ZTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS4410ZTRLPBF SMD N channel transistors
IRFS4410ZTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4510TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4610TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4615TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS4620TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS52N15DTRLP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS52N15DTRLP SMD N channel transistors
IRFS52N15DTRLP SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS52N15DTRRP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS52N15DTRRP SMD N channel transistors
IRFS52N15DTRRP SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7430TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7430TRL7PP SMD N channel transistors
IRFS7430TRL7PP SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7434TRL7PP SMD N channel transistors
IRFS7434TRL7PP SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7437TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.60 грн |
3+ | 203.41 грн |
8+ | 137.02 грн |
22+ | 128.74 грн |
IRFS7440TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 208W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Gate charge: 236nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 226.79 грн |
8+ | 152.80 грн |
21+ | 139.78 грн |
800+ | 137.02 грн |
5600+ | 134.26 грн |
IRFS7530TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 274nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 274nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors
IRFS7534TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7540TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 288.19 грн |
9+ | 128.92 грн |
24+ | 117.71 грн |
500+ | 113.11 грн |
IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL3207ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL4010PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 369.40 грн |
8+ | 157.57 грн |
20+ | 143.46 грн |
IRFSL4310ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL4410ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL4510PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL7430PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 300nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 300nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFSL7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.33 грн |
10+ | 109.82 грн |
14+ | 81.84 грн |
37+ | 77.25 грн |
1000+ | 75.41 грн |
IRFSL7440PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.17 грн |
10+ | 68.05 грн |
19+ | 59.77 грн |
51+ | 56.10 грн |
IRFTS8342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.62 грн |
11+ | 26.55 грн |
85+ | 12.78 грн |
231+ | 12.05 грн |
3000+ | 11.59 грн |
IRFTS9342TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.54 грн |
10+ | 33.52 грн |
25+ | 25.01 грн |
50+ | 20.05 грн |
99+ | 10.85 грн |
271+ | 10.30 грн |
1000+ | 9.93 грн |