Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 1286 з 2080
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CY7C1019DV33-10BVXI | Infineon Technologies |
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-48 Од. вим: шткількість в упаковці: 480 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| S25FL128SAGNFI001 | Infineon Technologies |
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шткількість в упаковці: 82 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| S25HL512TDPNHI010 | Infineon Technologies |
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Очікується: 520 Окількість в упаковці: 338 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| S70FL01GSAGMFI013 | Infineon Technologies |
Послідовна енергозалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 1 Гбайт, Орг. пам. = 128М x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-16 Очікується: 6 Од. вим: шткількість в упаковці: 1450 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BTH500301LUAAUMA1 | Infineon Technologies |
Драйвер живлення N-канальний, Uживл, В = 12...54, Тексп, °C = -40...+150, К-сть каналів = 1, Iвих, А = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-PowerSFN Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SLB9672XU20FW1521XTMA1 | Infineon Technologies |
Мікросхема захисту, Тексп, °C = -40...+85, Пам. = 51 Кбайт, Інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PG-UQFN Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SLB9673AU20FW2610XTMA1 | Infineon Technologies |
Мікросхема захисту, Uживл, В = 1,6, 1,95, 3, 3,6, Тексп, °C = -40...+105, Розр. шини = 32 біт, Інтерф. = I2C, F 400 кГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UQFN-32 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SLS32AIA010MKUSON10XTMA2 | Infineon Technologies |
Мікросхема захисту, Iживл = 14 мА, Uживл, В = 1,62...5,5, Тексп, °C = -40...+85, F = 1 МГц, Інтерфейс = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: USON-10 Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 | Infineon Technologies |
Мікросхема захисту, Iживл = 14 мА, Uживл, В = 1,62...5,5, Тексп, °C = -40...+105, Інтерфейс = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 10-UFDFN Од. вим: шткількість в упаковці: 4000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BGS12SN6E6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Широкосмуговий RF-перемикач з цифровим керуванням, F = 6 ГГц, Uживл, В = 1,8...3,6, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSNP-6-2 Од. вим: шткількість в упаковці: 2025 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| PEB3324HLV1.4 | Infineon Technologies |
Codec VOIP... Інтегральні мікросхеми Корпус: LQFP-176 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PEF22622FV1.4 | Infineon Technologies |
Трансівер, Інтерфейси = HDLC, SDSL, SHDSL,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LQFP-144 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PEF24628EV1.2-G | Infineon Technologies |
16-ти канальн. SHDSL (для цифр. телеф. линии) приемопередатчик SOCRATES , совмест с стандартами ETSI TS 101524, ITU G.991.2 (G.SHDSL/G.SHDSL.bis), скорость перед. до 6 Мбит/с... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-LBGA-324 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PEF80912HV1.4 | Infineon Technologies |
2B1Q Modular ISDN NT 2-го покоління Q-SMINT®O (U- и S-приймопередатчик, для NT1 in ISDN, Vs=3.3V +/-5%, P=235mW, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-MQFT-44 Од. вим: шткількість в упаковці: 96 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| ICE1QS01G | Infineon Technologies |
Контроллер импульсного ИП (квазирезонансный, PFC-корректор, режим standby < 1 Вт, для ИП мощностей 0-300 Вт, -25 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TDA4605-3 | Infineon Technologies |
Контроллер напруги, Тексп, °С = -20...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-DIP-8-1 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| KITXMC142GOTOBO1 | Infineon Technologies |
Налагоджувальний засіб для оцінювання XMC1400,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| OPTIGATRUSTMV3S2GOTOBO1 | Infineon Technologies |
Налагоджувальна плата,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TPM9672FW1610RPIEBTOBO1 | Infineon Technologies |
Налагоджувальна плата,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TPM9673FW2610RPIEBTOBO1 | Infineon Technologies |
Налагоджувальна плата, Сімейства ІС, що підтр. = TPM 9673 FW26.10 RPI EB SP005750438,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PVN012APBF | Infineon Technologies |
Твердотільне реле, Конфіг. ком. гр. = SPST-NO, Uк, В = 0...20, Iк = 4 А, Uвх, В = 1,2, Тексп, °С = -40...+85, Тип кер. U = АС/DC, Тип монт. = Вивідний, Ro, Ом = 0,05,... Реле Корпус: DIP-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| FB10R06KL4G | Infineon Technologies |
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 69,5, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+80, td(on), нс = 30, td(off), нс = 230,... Транзистори Корпус: 56x45.6x20.5mm Од. вим: шткількість в упаковці: 20 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 74 А, Pmax, Вт = 255, tз, мс = 0,019, Uce(on), В = 2,1, Тексп, °C = -40..+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IKCM10H60GAXKMA1 | Infineon Technologies |
Транзистор IGBT 3-фазовий, Uceb, В = 6 000, Ic = 10 А, Тексп, °C = -40...+125, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: PowerDIP-24 Од. вим: шткількість в упаковці: 14 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IKCM10H60HAXKMA1 | Infineon Technologies |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+150, Тип монт = вивідний, Uізол = 2000 В,... Транзистори Корпус: PowerDIP-24 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шткількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BC 847C E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| bc807-40w | Infineon Technologies |
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=250mW, B=250-630@I=100mA, f>200MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BC846BE6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BC848AE6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BC849CE6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, ft,МГц = 250 MHz, Ic = 100 mA, Ptot,Вт = 250 mW, VCEO,В = 30 V, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BC860B | Infineon Technologies |
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мA, 100 мA, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCP 55 E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 40 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65..+150,... Транзистори Корпус: SOT-223-4 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BCP5616H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BCV 61B E6433 | Infineon Technologies |
Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143-4 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BCV61BE6327 | Infineon Technologies |
Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143-4 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 369 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCV61C | Infineon Technologies |
Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCW61BE6327 | Infineon Technologies |
Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,55 @ 1,25 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BCX 42 E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCX 53-10 E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1A, P=1W, fm=145MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-89 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BCX41E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCX41E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 399 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCX68-25E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 3 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BCX70J | Infineon Technologies |
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)... Транзистори Корпус: SOT23 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BF771E6327 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN (Uce=12V, Ic=80mA, P=580mW, B>50@I=30mA, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC009NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Транзистори Корпускількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очікукількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC014N04LSI | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 FL Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC014N04LSIATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC014N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Коркількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 887 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC015NE2LS5IATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 79 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC019N06NSATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 Окількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC022N04LS | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 20, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 1,8 мОм, Ugs(th) = 1,2 В, Р, Вт = 2,5, 69, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 798 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC024NE2LS | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10, Rds = 2,4 @ 30, 10, Ugs(th) = 2 @ 250, Р, Вт = 48, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC028N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSC030P03NS3GAUMA1 | Infineon Technologies |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC037N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERTDFN-8 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| BSC040N10NS5 | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4100 @ 50, Qg, нКл = 58, Rds = 4 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 139, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1200 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||
| BSC0702LS | Infineon Technologies |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| CY7C1019DV33-10BVXI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 480 шт
Статична пам'ять SRAM, Uживл, В = 3...3,6, Об'єм RAM = 1 Мбіт, Орг. пам. = 128K x 8, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: VFBGA-48 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 480 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 480+ | 240.93 грн |
| S25FL128SAGNFI001 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 82 шт
Послідовна Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 128 Мбіт, Орг. пам. = 16М x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Од. вим: шт
кількість в упаковці: 82 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 299.82 грн |
| 164+ | 256.98 грн |
| S25HL512TDPNHI010 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Очікується: 520 О
кількість в упаковці: 338 шт
Послідовна енергонезалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Послідовний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: WDFN-8 (Exp. Pad) Очікується: 520 О
кількість в упаковці: 338 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S70FL01GSAGMFI013 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Послідовна енергозалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 1 Гбайт, Орг. пам. = 128М x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-16 Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1450 шт
Послідовна енергозалежна NOR Flash-пам'ять, Uживл, В = 2,7...3,6, Об'єм RAM = 1 Гбайт, Орг. пам. = 128М x 8, Тдост/Частота = 133 МГц, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: SOIC-16 Очікується: 6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1450 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1450+ | 1164.59 грн |
| BTH500301LUAAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Драйвер живлення N-канальний, Uживл, В = 12...54, Тексп, °C = -40...+150, К-сть каналів = 1, Iвих, А = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-PowerSFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Драйвер живлення N-канальний, Uживл, В = 12...54, Тексп, °C = -40...+150, К-сть каналів = 1, Iвих, А = 25,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 8-PowerSFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SLB9672XU20FW1521XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Мікросхема захисту, Тексп, °C = -40...+85, Пам. = 51 Кбайт, Інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PG-UQFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Мікросхема захисту, Тексп, °C = -40...+85, Пам. = 51 Кбайт, Інтерф. = SPI,... Інтегральні мікросхеми Корпус: PG-UQFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SLB9673AU20FW2610XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Мікросхема захисту, Uживл, В = 1,6, 1,95, 3, 3,6, Тексп, °C = -40...+105, Розр. шини = 32 біт, Інтерф. = I2C, F 400 кГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UQFN-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Мікросхема захисту, Uживл, В = 1,6, 1,95, 3, 3,6, Тексп, °C = -40...+105, Розр. шини = 32 біт, Інтерф. = I2C, F 400 кГц,... Інтегральні мікросхеми Корпус: UQFN-32 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SLS32AIA010MKUSON10XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Мікросхема захисту, Iживл = 14 мА, Uживл, В = 1,62...5,5, Тексп, °C = -40...+85, F = 1 МГц, Інтерфейс = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: USON-10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
Мікросхема захисту, Iживл = 14 мА, Uживл, В = 1,62...5,5, Тексп, °C = -40...+85, F = 1 МГц, Інтерфейс = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: USON-10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SLS32AIA010MLUSON10XTMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Мікросхема захисту, Iживл = 14 мА, Uживл, В = 1,62...5,5, Тексп, °C = -40...+105, Інтерфейс = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 10-UFDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
Мікросхема захисту, Iживл = 14 мА, Uживл, В = 1,62...5,5, Тексп, °C = -40...+105, Інтерфейс = I2C,... Інтегральні мікросхеми Корпус: 10-UFDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGS12SN6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Широкосмуговий RF-перемикач з цифровим керуванням, F = 6 ГГц, Uживл, В = 1,8...3,6, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSNP-6-2 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2025 шт
Широкосмуговий RF-перемикач з цифровим керуванням, F = 6 ГГц, Uживл, В = 1,8...3,6, Тексп, °C = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSNP-6-2 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2025 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2025+ | 35.32 грн |
| PEB3324HLV1.4 |
Виробник: Infineon Technologies
Codec VOIP... Інтегральні мікросхеми Корпус: LQFP-176 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Codec VOIP... Інтегральні мікросхеми Корпус: LQFP-176 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEF22622FV1.4 |
Виробник: Infineon Technologies
Трансівер, Інтерфейси = HDLC, SDSL, SHDSL,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LQFP-144 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Трансівер, Інтерфейси = HDLC, SDSL, SHDSL,... Інтегральні мікросхеми Корпус: LQFP-144 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PEF24628EV1.2-G |
Виробник: Infineon Technologies
16-ти канальн. SHDSL (для цифр. телеф. линии) приемопередатчик SOCRATES , совмест с стандартами ETSI TS 101524, ITU G.991.2 (G.SHDSL/G.SHDSL.bis), скорость перед. до 6 Мбит/с... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-LBGA-324 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
16-ти канальн. SHDSL (для цифр. телеф. линии) приемопередатчик SOCRATES , совмест с стандартами ETSI TS 101524, ITU G.991.2 (G.SHDSL/G.SHDSL.bis), скорость перед. до 6 Мбит/с... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-LBGA-324 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PEF80912HV1.4 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
2B1Q Modular ISDN NT 2-го покоління Q-SMINT®O (U- и S-приймопередатчик, для NT1 in ISDN, Vs=3.3V +/-5%, P=235mW, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-MQFT-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
2B1Q Modular ISDN NT 2-го покоління Q-SMINT®O (U- и S-приймопередатчик, для NT1 in ISDN, Vs=3.3V +/-5%, P=235mW, -40 to +85C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-MQFT-44 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 96 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ICE1QS01G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Контроллер импульсного ИП (квазирезонансный, PFC-корректор, режим standby < 1 Вт, для ИП мощностей 0-300 Вт, -25 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Контроллер импульсного ИП (квазирезонансный, PFC-корректор, режим standby < 1 Вт, для ИП мощностей 0-300 Вт, -25 to +150C).... Інтегральні мікросхеми Корпус: SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TDA4605-3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Контроллер напруги, Тексп, °С = -20...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-DIP-8-1 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Контроллер напруги, Тексп, °С = -20...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: P-DIP-8-1 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 84.02 грн |
| 100+ | 68.43 грн |
| 1000+ | 63.86 грн |
| KITXMC142GOTOBO1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Налагоджувальний засіб для оцінювання XMC1400,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Налагоджувальний засіб для оцінювання XMC1400,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| OPTIGATRUSTMV3S2GOTOBO1 |
Виробник: Infineon Technologies
Налагоджувальна плата,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Налагоджувальна плата,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPM9672FW1610RPIEBTOBO1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Налагоджувальна плата,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Налагоджувальна плата,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TPM9673FW2610RPIEBTOBO1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Налагоджувальна плата, Сімейства ІС, що підтр. = TPM 9673 FW26.10 RPI EB SP005750438,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Налагоджувальна плата, Сімейства ІС, що підтр. = TPM 9673 FW26.10 RPI EB SP005750438,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: Board Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PVN012APBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Твердотільне реле, Конфіг. ком. гр. = SPST-NO, Uк, В = 0...20, Iк = 4 А, Uвх, В = 1,2, Тексп, °С = -40...+85, Тип кер. U = АС/DC, Тип монт. = Вивідний, Ro, Ом = 0,05,... Реле Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Твердотільне реле, Конфіг. ком. гр. = SPST-NO, Uк, В = 0...20, Iк = 4 А, Uвх, В = 1,2, Тексп, °С = -40...+85, Тип кер. U = АС/DC, Тип монт. = Вивідний, Ro, Ом = 0,05,... Реле Корпус: DIP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FB10R06KL4G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 69,5, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+80, td(on), нс = 30, td(off), нс = 230,... Транзистори Корпус: 56x45.6x20.5mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 20 шт
Транзистор IGBT, Pmax, Вт = 69,5, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+80, td(on), нс = 30, td(off), нс = 230,... Транзистори Корпус: 56x45.6x20.5mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 20 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGW40N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 74 А, Pmax, Вт = 255, tз, мс = 0,019, Uce(on), В = 2,1, Тексп, °C = -40..+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Транзистор IGBT, Uceb, В = 650, Ic = 74 А, Pmax, Вт = 255, tз, мс = 0,019, Uce(on), В = 2,1, Тексп, °C = -40..+175, Тип монт. = Вивідний, Uge(th), В = 15, td(off), нс = 160,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKCM10H60GAXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT 3-фазовий, Uceb, В = 6 000, Ic = 10 А, Тексп, °C = -40...+125, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: PowerDIP-24 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 14 шт
Транзистор IGBT 3-фазовий, Uceb, В = 6 000, Ic = 10 А, Тексп, °C = -40...+125, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: PowerDIP-24 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 14 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKCM10H60HAXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+150, Тип монт = вивідний, Uізол = 2000 В,... Транзистори Корпус: PowerDIP-24 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic, А = 10, Тексп, °С = -40...+150, Тип монт = вивідний, Uізол = 2000 В,... Транзистори Корпус: PowerDIP-24 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
Транзистор IGBT, Uceb, В = 600, Ic = 80 А, Pmax, Вт = 428, tз, мс = 0,033, Uce(on), В = 2, Р, Вт = 428, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = на плату, td(off), нс = 330,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Очікується: 50 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 170.02 грн |
| 120+ | 145.73 грн |
| BC 847C E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 4000 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| bc807-40w |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=250mW, B=250-630@I=100mA, f>200MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=250mW, B=250-630@I=100mA, f>200MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-323 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC846BE6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=200-450@I=2mA, f>100MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC848AE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 110 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC849CE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, ft,МГц = 250 MHz, Ic = 100 mA, Ptot,Вт = 250 mW, VCEO,В = 30 V, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, ft,МГц = 250 MHz, Ic = 100 mA, Ptot,Вт = 250 mW, VCEO,В = 30 V, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC860B |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мA, 100 мA, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 45, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 220 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.65 @ 5 мA, 100 мA, Р, Вт = 0,33 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 0.92 грн |
| BCP 55 E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 40 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65..+150,... Транзистори Корпус: SOT-223-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 60, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 40 @ 15 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65..+150,... Транзистори Корпус: SOT-223-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCP5616H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 2, Uceo, В = 80, Ic = 1 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 150 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV 61B E6433 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Подвоєний транзистор NPN, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCV61BE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143-4 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 369 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| BCV61C |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Подвоєний транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,3, Uceo, В = 30, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 250, hFE = 520 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-143 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.05 грн |
| BCW61BE6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,55 @ 1,25 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 250, hFE = 180 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 20 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,55 @ 1,25 мA, 50 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX 42 E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,33, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 150, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мA, 300 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.48 грн |
| BCX 53-10 E6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1A, P=1W, fm=145MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-89 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор PNP (Uce=80V, Ic=1A, P=1W, fm=145MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-89 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX41E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Ptot,Вт = 0.33, VCEO,В = 125, Ic = 800 мА, Тип монт. = smd, ft,МГц = 100, hFE = 40 @ 200 мА, 1 В, Icutoff-max = 10 мкА, VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.9 @ 30 мА, 300 мА, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.70 грн |
| BCX41E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 125, Ic = 800 мА, ft, МГц = 100, hFE = 40, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,9 @ 30 мА, 300 мА, Р, Вт = 0,33, Тексп, °C = макс. +150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.26 грн |
| BCX68-25E6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 3 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 20, Ic = 1 А, ft, МГц = 100, hFE = 250 @ Ic = 500 mA, Vce = 1 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 3 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-89-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 39.61 грн |
| BCX70J |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)... Транзистори Корпус: SOT23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор Trans NPN 40V 200mA (SOT23)... Транзистори Корпус: SOT23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BF771E6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN (Uce=12V, Ic=80mA, P=580mW, B>50@I=30mA, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN (Uce=12V, Ic=80mA, P=580mW, B>50@I=30mA, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFS481H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 12, Ic = 20 мА, ft, МГц = 8 000, hFE = 70, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,175, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-363 Очікується: 250 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 49.65 грн |
| BSC009NE2LS5IATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Транзистори Корпус
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 40 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3200 @ 12, Qg, нКл = 49 @ 10 В, Rds = 0,95 мОм @ 30 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 74,... Транзистори Корпус
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 79.82 грн |
| BSC010N04LSTATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очіку
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 39 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 9520 @ 20, Qg, нКл = 133 @ 10 В, Rds = 1 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3, 167, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd, Id2 = 100 А,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Очіку
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 154.67 грн |
| BSC014N04LSI |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 FL Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, 96, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 FL Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 71.06 грн |
| BSC014N04LSIATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20, Qg, нКл = 55, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 96 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 59.82 грн |
| BSC014N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6500 @ 30, Qg, нКл = 89 @ 10 В, Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 2,8 В @ 120 мкА, Р, Вт = 2,5 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 100 A, Ptot2, Вт = 156,... Транзистори Кор
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 124.66 грн |
| BSC015NE2LS5IATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1000 @ 12, Qg, нКл = 30 @ 10 В, Rds = 1,5 @ 30 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 63.19 грн |
| BSC019N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 5250 @ 30, Qg, нКл = 77 @ 10 В, Rds = 1,95 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,3 В @ 74 мкА, Р, Вт = 136, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 FL Очікується: 4 О
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 256.02 грн |
| BSC022N04LS |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 20, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 1,8 мОм, Ugs(th) = 1,2 В, Р, Вт = 2,5, 69, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2600 @ 20, Qg, нКл = 37 @ 10 В, Rds = 1,8 мОм, Ugs(th) = 1,2 В, Р, Вт = 2,5, 69, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 798 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 82.56 грн |
| BSC024NE2LS |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10, Rds = 2,4 @ 30, 10, Ugs(th) = 2 @ 250, Р, Вт = 48, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10, Rds = 2,4 @ 30, 10, Ugs(th) = 2 @ 250, Р, Вт = 48, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 66.14 грн |
| BSC028N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 25, Id = 110 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1700 @ 12, Qg, нКл = 23 @ 10 В, Rds = 2,4 мОм @ 30 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 48 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| BSC030P03NS3GAUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 14000 @ 15, Qg, нКл = 186 @ 10 В, Rds = 3 @ 50 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,1 В, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 18 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 65.71 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4200, Qg, нКл = 58 @ 10 В, Rds = 3,7 мОм @ 50 A, 10 В, Ugs(th) = 3,8 В @ 72 мкА, Р, Вт = 2,5, 114, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERTDFN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC040N10NS5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4100 @ 50, Qg, нКл = 58, Rds = 4 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 139, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4100 @ 50, Qg, нКл = 58, Rds = 4 мОм, Ugs(th) = 2,2 В, Р, Вт = 139, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TDSON-8 Очікується: 1200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 88.59 грн |
| BSC0702LS |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 100 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4400 pF @ 30 V, Rds = 2.3mOhm @ 50A, 10V, Ugs(th) = 30 nC @ 4.5 V, Р, Вт = 83W, Тексп, °C = -55°C ~ 150°C,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.


