Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149883) > Сторінка 2453 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31590A7878FA8&compId=IGB50N60T-DTE.pdf?ci_sign=60db27e8dc1b6cad47cbf90a3606a38d6dfebaed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B359F284B34FA8&compId=IGP50N60T-DTE.pdf?ci_sign=2b05383ced2cbae508f7c97aac42cd7ba476fbe1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.96 грн
4+229.35 грн
11+217.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+375.42 грн
4+226.29 грн
11+214.06 грн
30+212.53 грн
120+205.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.47 грн
7+132.26 грн
19+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+380.36 грн
4+273.69 грн
9+258.40 грн
120+254.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.80 грн
3+314.97 грн
8+298.15 грн
30+292.03 грн
120+286.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.11 грн
4+278.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE1A560ED2F820&compId=IKFW50N60ET.pdf?ci_sign=1dc63477d7ea1d12e4dda3141dab1803566a6fe8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 61ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.92 грн
9+47.09 грн
21+43.27 грн
25+42.20 грн
57+40.90 грн
100+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.45 грн
10+51.07 грн
34+26.30 грн
94+24.85 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.17 грн
56+6.88 грн
72+5.38 грн
100+4.82 грн
358+2.49 грн
985+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.44 грн
3+321.09 грн
8+303.50 грн
10+302.74 грн
60+292.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 IGW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.87 грн
3+336.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 IKW60N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.13 грн
3+378.42 грн
7+357.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 IKFW60N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9F00A97F393D1&compId=IKFW60N60DH3E.pdf?ci_sign=66fa90d9f11cedce9cdc0e769fa76651b50686b7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 44A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 120W
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.42 грн
10+106.26 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
250+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.38 грн
10+73.93 грн
25+59.02 грн
28+31.96 грн
77+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+119.38 грн
10+78.05 грн
27+33.64 грн
74+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E0CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irl540n.pdf?ci_sign=fffe8e2f0bd2c3ceeafab0607703bfe148937036 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.62 грн
25+65.06 грн
29+31.34 грн
79+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.04 грн
6+165.13 грн
15+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C338FC109074A&compId=SPP24N60C3.pdf?ci_sign=9b76c37c48399245f85e35d54b51d528dfd0f521 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.74 грн
10+39.75 грн
25+36.08 грн
33+27.60 грн
89+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF IRF3710LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.96 грн
10+64.98 грн
19+48.16 грн
51+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.25 грн
10+87.69 грн
20+45.18 грн
55+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F625028A726F1A303005056AB0C4F&compId=irf3710zpbf.pdf?ci_sign=70754467c74fb0376ae6b25e3bd2dab2f3f80757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.48 грн
10+113.91 грн
13+71.86 грн
35+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.47 грн
10+145.25 грн
15+60.39 грн
41+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.76 грн
9+100.91 грн
25+95.56 грн
100+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.73 грн
10+249.22 грн
12+77.98 грн
32+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.96 грн
6+157.48 грн
16+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.77 грн
10+138.37 грн
13+72.63 грн
34+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4A5F4C2AA11CC&compId=IKP08N65H5-DTE.pdf?ci_sign=10d18d1a8c7b016c4dba2298e11ded404d5503e4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 22nC
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 SPA08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-FP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+191.00 грн
10+98.62 грн
25+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.25 грн
7+136.84 грн
19+129.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.14 грн
10+94.80 грн
12+78.74 грн
32+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB6450028E1820&compId=IGB15N65S5.pdf?ci_sign=dd7b19603f2615207670bc20e8bbe5e272f470ce Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE92E3A7A2ABEFC0D5&compId=IKA15N65ET6.pdf?ci_sign=a5d0997715c8dfdacffa9de02f1033ffc16b814e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 22W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 37nC
Manufacturer series: T6
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 57.5A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD4741CB2AD820&compId=IKB15N65EH5.pdf?ci_sign=f41aca0c31e21ad8910ab653a5cd8be8dccade59 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+351.55 грн
3+294.33 грн
4+246.17 грн
10+232.40 грн
30+228.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
3+181.95 грн
6+163.60 грн
15+155.19 грн
50+152.90 грн
100+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+37.71 грн
16+24.54 грн
41+9.48 грн
50+9.02 грн
100+8.56 грн
117+7.64 грн
321+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327 BC850CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+9.88 грн
59+6.57 грн
100+4.33 грн
250+3.69 грн
322+2.78 грн
884+2.62 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 BFP450H6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DDA96116A11C&compId=BFP450H6327-dte.pdf?ci_sign=869aabd374218b38f27d0b850e6b9558fedfe383 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 24GHz
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.52 грн
12+32.49 грн
40+22.55 грн
110+21.33 грн
250+21.25 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC18200CC175EA&compId=IR2113SPBF.pdf?ci_sign=445f264982eff687f2c3ea74a5c723ef83eaa518 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.98 грн
3+229.35 грн
6+175.83 грн
14+165.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31590A7878FA8&compId=IGB50N60T-DTE.pdf?ci_sign=60db27e8dc1b6cad47cbf90a3606a38d6dfebaed
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B359F284B34FA8&compId=IGP50N60T-DTE.pdf?ci_sign=2b05383ced2cbae508f7c97aac42cd7ba476fbe1
IGP50N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+344.96 грн
4+229.35 грн
11+217.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.42 грн
4+226.29 грн
11+214.06 грн
30+212.53 грн
120+205.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.47 грн
7+132.26 грн
19+125.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+380.36 грн
4+273.69 грн
9+258.40 грн
120+254.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.80 грн
3+314.97 грн
8+298.15 грн
30+292.03 грн
120+286.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 60ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.11 грн
4+278.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE1A560ED2F820&compId=IKFW50N60ET.pdf?ci_sign=1dc63477d7ea1d12e4dda3141dab1803566a6fe8
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 61ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.92 грн
9+47.09 грн
21+43.27 грн
25+42.20 грн
57+40.90 грн
100+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPD350N06LGBTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC2F9789B411C&compId=IPD350N06LG-DTE.pdf?ci_sign=87fae814c5bc9e76dd51c3647c62fa14ffec9864
IPD350N06LGBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.45 грн
10+51.07 грн
34+26.30 грн
94+24.85 грн
1000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D76070127F1A303005056AB0C4F&compId=irf7313pbf.pdf?ci_sign=e7bd49b91212a50639a11cd438aa89f6c9fcf565
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA928F8980DED1CC&compId=BSS84PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=2d44725811f51a5fc8637fd959b8cb9ee3677c90
BSS84PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.17 грн
56+6.88 грн
72+5.38 грн
100+4.82 грн
358+2.49 грн
985+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4AFA32A35D1CC&compId=IKW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=a514e131da34fbe6b92466a983691a3367199936
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.44 грн
3+321.09 грн
8+303.50 грн
10+302.74 грн
60+292.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37B44CF164FA8&compId=IGW60N60H3-DTE.pdf?ci_sign=fb021fd10fc060d67c3fe8c683c021df2d088a5e
IGW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.87 грн
3+336.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW60N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2CB8CEA107820&compId=IKW60N60H3.pdf?ci_sign=0a1ce94180d85bd783cd0fa622d1eaeca2db3871
IKW60N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H3
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 180A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.13 грн
3+378.42 грн
7+357.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9F00A97F393D1&compId=IKFW60N60DH3E.pdf?ci_sign=66fa90d9f11cedce9cdc0e769fa76651b50686b7
IKFW60N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 44A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d
IRFP9140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 120W
Gate charge: 64.7nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.42 грн
10+106.26 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
250+55.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E47020E91F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf640n.pdf?ci_sign=a9c4739e332ce1226d87e9114bce505a5c92ddab
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.38 грн
10+73.93 грн
25+59.02 грн
28+31.96 грн
77+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F67C6956B2FF1A303005056AB0C4F&compId=irf640npbf.pdf?ci_sign=c65d3861a70faebe14223419d628e69e4794476e
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+119.38 грн
10+78.05 грн
27+33.64 грн
74+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7E0CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irl540n.pdf?ci_sign=fffe8e2f0bd2c3ceeafab0607703bfe148937036
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 49.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.62 грн
25+65.06 грн
29+31.34 грн
79+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C092F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4668pbf.pdf?ci_sign=45a153989e46de31f118c0c4d47723eb943f959c
IRFP4668PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Power dissipation: 520W
Gate charge: 161nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.04 грн
6+165.13 грн
15+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C338FC109074A&compId=SPP24N60C3.pdf?ci_sign=9b76c37c48399245f85e35d54b51d528dfd0f521
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373NH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698AF53C194611C&compId=BSP373NH6327-DTE.pdf?ci_sign=1be32fe62dee5c6145f94a436eb224a821e0b90f
BSP373NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.74 грн
10+39.75 грн
25+36.08 грн
33+27.60 грн
89+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7A9BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710.pdf?ci_sign=58420826307cbd2f57fbdcc4bdcc928b163a71e8
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.96 грн
10+64.98 грн
19+48.16 грн
51+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F622D9B27ADF1A303005056AB0C4F&compId=irf3710spbf.pdf?ci_sign=4814b0e51e25decfe7691d9c359408b3b5fd0620
IRF3710STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AA9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3710z.pdf?ci_sign=f9d6d4f1059e7eaeb12e5a0e9cd515b090f6184f
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
10+87.69 грн
20+45.18 грн
55+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F625028A726F1A303005056AB0C4F&compId=irf3710zpbf.pdf?ci_sign=70754467c74fb0376ae6b25e3bd2dab2f3f80757
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAAEBDC8FAB880E0C7&compId=irfp250mpbf.pdf?ci_sign=ce2f9fec1af75e4313268991e3189becda06ef59
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.48 грн
10+113.91 грн
13+71.86 грн
35+68.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAB8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp250n.pdf?ci_sign=efbdd605b5da163688cfe68402cea5bf7e3f98b6
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.47 грн
10+145.25 грн
15+60.39 грн
41+56.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BEC03C8E98F1A303005056AB0C4F&compId=irfp260mpbf.pdf?ci_sign=4f4a731c521cae55b4f5ea375c88274ca42c4872
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.76 грн
9+100.91 грн
25+95.56 грн
100+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACABFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp260n.pdf?ci_sign=f3e8a7b27a58ae203b2eeadd5c846979cd6cf1ff
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.73 грн
10+249.22 грн
12+77.98 грн
32+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACACDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp2907.pdf?ci_sign=4baf6082075992952a372b584b3f66e1a7437e61
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.96 грн
6+157.48 грн
16+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.77 грн
10+138.37 грн
13+72.63 грн
34+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF irf1407spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db309b18ca
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4A5F4C2AA11CC&compId=IKP08N65H5-DTE.pdf?ci_sign=10d18d1a8c7b016c4dba2298e11ded404d5503e4
IKP08N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 22nC
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 24A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
On-state resistance: 0.65Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3-FP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+191.00 грн
10+98.62 грн
25+93.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.25 грн
7+136.84 грн
19+129.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EFAAFFDA7933D6&compId=IKA10N65ET6.pdf?ci_sign=357318a9289c8383d9971a53bdf9a9a379462c13
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 9A
Pulsed collector current: 42.5A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Technology: TRENCHSTOP™ 6
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.14 грн
10+94.80 грн
12+78.74 грн
32+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB6450028E1820&compId=IGB15N65S5.pdf?ci_sign=dd7b19603f2615207670bc20e8bbe5e272f470ce
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 147ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N65ET6XKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE92E3A7A2ABEFC0D5&compId=IKA15N65ET6.pdf?ci_sign=a5d0997715c8dfdacffa9de02f1033ffc16b814e
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 22W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 37nC
Manufacturer series: T6
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 11A
Pulsed collector current: 57.5A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD4741CB2AD820&compId=IKB15N65EH5.pdf?ci_sign=f41aca0c31e21ad8910ab653a5cd8be8dccade59
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 172ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDA57DFD7A71BF&compId=IKP15N65H5-DTE.pdf?ci_sign=a152a4dcb39347c0c777a80d3988833d2f0dbb62
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 105W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C16093F72474A&compId=SPW20N60C3.pdf?ci_sign=afd7f24a2b3398c2d40ac67fa04a496e8428135d
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+351.55 грн
3+294.33 грн
4+246.17 грн
10+232.40 грн
30+228.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.29 грн
3+181.95 грн
6+163.60 грн
15+155.19 грн
50+152.90 грн
100+149.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77F99D575011C&compId=BSS169H6327XTSA1.pdf?ci_sign=a9bbcd26f3e9a35aa02625482f4f09ca1954ddc4
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+37.71 грн
16+24.54 грн
41+9.48 грн
50+9.02 грн
100+8.56 грн
117+7.64 грн
321+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327
BC850CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 4043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+9.88 грн
59+6.57 грн
100+4.33 грн
250+3.69 грн
322+2.78 грн
884+2.62 грн
3000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BFP450H6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191DDA96116A11C&compId=BFP450H6327-dte.pdf?ci_sign=869aabd374218b38f27d0b850e6b9558fedfe383
BFP450H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 0.17A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 0.17A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 24GHz
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.52 грн
12+32.49 грн
40+22.55 грн
110+21.33 грн
250+21.25 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC18200CC175EA&compId=IR2113SPBF.pdf?ci_sign=445f264982eff687f2c3ea74a5c723ef83eaa518
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.98 грн
3+229.35 грн
6+175.83 грн
14+165.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]