Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149642) > Сторінка 2453 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Power: 1W
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.04 грн
10+152.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.63 грн
5+113.21 грн
10+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.63 грн
10+89.76 грн
50+69.55 грн
100+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.05 грн
10+125.34 грн
50+110.79 грн
100+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.49 грн
10+167.40 грн
25+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.12 грн
10+103.51 грн
25+81.68 грн
50+64.69 грн
100+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+137.60 грн
10+97.04 грн
20+91.38 грн
50+84.10 грн
100+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.31 грн
10+60.17 грн
25+55.72 грн
50+52.64 грн
100+49.81 грн
250+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+137.60 грн
10+97.85 грн
50+77.63 грн
100+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE4945L INFINEON TECHNOLOGIES TLE49x5L.PDF Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.76 грн
10+88.15 грн
25+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.05 грн
10+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.93 грн
10+71.97 грн
50+62.27 грн
100+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.32 грн
16+26.36 грн
25+23.78 грн
50+22.24 грн
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.48 грн
10+40.68 грн
25+37.28 грн
50+35.18 грн
100+33.32 грн
200+31.78 грн
250+31.21 грн
500+29.92 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.92 грн
25+134.24 грн
50+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 169ns
Turn-on time: 26ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Manufacturer series: H5
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.95 грн
10+177.10 грн
50+115.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.75 грн
3+219.96 грн
10+196.51 грн
50+176.29 грн
250+166.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+431.09 грн
3+360.67 грн
10+318.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.09 грн
10+69.71 грн
25+60.17 грн
50+52.73 грн
100+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.05 грн
10+90.41 грн
50+70.68 грн
100+63.72 грн
250+55.64 грн
500+50.22 грн
800+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.31 грн
10+66.88 грн
50+59.03 грн
100+55.48 грн
250+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES auirf3205z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002DWH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.29 грн
34+11.97 грн
40+10.27 грн
56+7.28 грн
100+6.28 грн
500+4.52 грн
1000+3.94 грн
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irf2804s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 320A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N65C3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 BCR135E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E23AC7DD19DD45F1A303005056AB0C4F&compId=bcr135.pdf?ci_sign=f190940651e503aa918cf5d2d095221b489a28f9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
104+4.22 грн
115+3.53 грн
500+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT6202VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.64 грн
25+16.74 грн
100+14.07 грн
250+11.08 грн
500+9.22 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.55 грн
33+12.45 грн
36+11.24 грн
100+8.33 грн
500+6.79 грн
1000+6.23 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
47+8.73 грн
54+7.52 грн
78+5.24 грн
100+4.44 грн
250+3.54 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.44 грн
5+94.62 грн
10+88.95 грн
25+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.41 грн
10+97.04 грн
25+85.72 грн
50+78.44 грн
100+71.97 грн
250+64.69 грн
500+61.46 грн
1000+57.42 грн
2000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.65 грн
10+141.52 грн
50+113.21 грн
100+103.51 грн
250+92.19 грн
500+84.10 грн
800+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.81 грн
10+243.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.20 грн
10+169.01 грн
30+145.56 грн
60+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+383.19 грн
10+311.34 грн
20+276.57 грн
30+257.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.67 грн
10+41.65 грн
25+38.33 грн
50+35.91 грн
100+33.56 грн
250+30.65 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 52ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 218ns
Collector current: 40A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.84 грн
10+229.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS138NH6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.93 грн
41+9.87 грн
50+8.25 грн
77+5.30 грн
100+4.47 грн
500+3.25 грн
1000+2.94 грн
3000+2.62 грн
6000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+86.22 грн
7+67.12 грн
10+59.03 грн
50+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 40A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.56 грн
5+173.87 грн
10+164.16 грн
30+156.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW40N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 52ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 160ns
Collector current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+141.08 грн
10+71.97 грн
50+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.47 грн
10+95.42 грн
25+86.53 грн
50+80.06 грн
100+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D6FF78EF1F1A303005056AB0C4F&compId=irlms6802pbf.pdf?ci_sign=b1d046298cbd8012bab5b087e26b2481180c634e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.55 грн
28+14.80 грн
31+13.10 грн
50+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.31 грн
10+237.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Mounting: THT
Power: 1W
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.04 грн
10+152.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.63 грн
5+113.21 грн
10+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.63 грн
10+89.76 грн
50+69.55 грн
100+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.05 грн
10+125.34 грн
50+110.79 грн
100+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.49 грн
10+167.40 грн
25+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.12 грн
10+103.51 грн
25+81.68 грн
50+64.69 грн
100+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.60 грн
10+97.04 грн
20+91.38 грн
50+84.10 грн
100+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.31 грн
10+60.17 грн
25+55.72 грн
50+52.64 грн
100+49.81 грн
250+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.60 грн
10+97.85 грн
50+77.63 грн
100+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL auirf1404s.pdf
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL auirf1404z.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE49x5L.PDF
TLE4945L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.76 грн
10+88.15 грн
25+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.05 грн
10+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.93 грн
10+71.97 грн
50+62.27 грн
100+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.32 грн
16+26.36 грн
25+23.78 грн
50+22.24 грн
100+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Gate charge: 47.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.48 грн
10+40.68 грн
25+37.28 грн
50+35.18 грн
100+33.32 грн
200+31.78 грн
250+31.21 грн
500+29.92 грн
1000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.92 грн
25+134.24 грн
50+107.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5.pdf
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 169ns
Turn-on time: 26ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5.pdf
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 200ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 48nC
Manufacturer series: H5
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.95 грн
10+177.10 грн
50+115.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD.pdf
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.75 грн
3+219.96 грн
10+196.51 грн
50+176.29 грн
250+166.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.09 грн
3+360.67 грн
10+318.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.09 грн
10+69.71 грн
25+60.17 грн
50+52.73 грн
100+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.05 грн
10+90.41 грн
50+70.68 грн
100+63.72 грн
250+55.64 грн
500+50.22 грн
800+46.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.31 грн
10+66.88 грн
50+59.03 грн
100+55.48 грн
250+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z auirf3205z.pdf
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1.pdf
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.29 грн
34+11.97 грн
40+10.27 грн
56+7.28 грн
100+6.28 грн
500+4.52 грн
1000+3.94 грн
3000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP irf2804s-7ppbf.pdf
IRF2804STRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain current: 320A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3F.pdf
SPW47N65C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E23AC7DD19DD45F1A303005056AB0C4F&compId=bcr135.pdf?ci_sign=f190940651e503aa918cf5d2d095221b489a28f9
BCR135E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
104+4.22 грн
115+3.53 грн
500+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 104
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e
BAT6202VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.64 грн
25+16.74 грн
100+14.07 грн
250+11.08 грн
500+9.22 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.55 грн
33+12.45 грн
36+11.24 грн
100+8.33 грн
500+6.79 грн
1000+6.23 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
47+8.73 грн
54+7.52 грн
78+5.24 грн
100+4.44 грн
250+3.54 грн
500+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.44 грн
5+94.62 грн
10+88.95 грн
25+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.41 грн
10+97.04 грн
25+85.72 грн
50+78.44 грн
100+71.97 грн
250+64.69 грн
500+61.46 грн
1000+57.42 грн
2000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.65 грн
10+141.52 грн
50+113.21 грн
100+103.51 грн
250+92.19 грн
500+84.10 грн
800+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.81 грн
10+243.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.20 грн
10+169.01 грн
30+145.56 грн
60+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+383.19 грн
10+311.34 грн
20+276.57 грн
30+257.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.67 грн
10+41.65 грн
25+38.33 грн
50+35.91 грн
100+33.56 грн
250+30.65 грн
500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 52ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 218ns
Collector current: 40A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.84 грн
10+229.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2.pdf
BSS138NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.93 грн
41+9.87 грн
50+8.25 грн
77+5.30 грн
100+4.47 грн
500+3.25 грн
1000+2.94 грн
3000+2.62 грн
6000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.92A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+86.22 грн
7+67.12 грн
10+59.03 грн
50+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3-DTE.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 40A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.56 грн
5+173.87 грн
10+164.16 грн
30+156.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94
IHW40N60RFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3E.pdf
IKFW40N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 52ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 160ns
Collector current: 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60T-DTE.pdf
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.08 грн
10+71.97 грн
50+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.47 грн
10+95.42 грн
25+86.53 грн
50+80.06 грн
100+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D6FF78EF1F1A303005056AB0C4F&compId=irlms6802pbf.pdf?ci_sign=b1d046298cbd8012bab5b087e26b2481180c634e
IRLMS6802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.55 грн
28+14.80 грн
31+13.10 грн
50+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.31 грн
10+237.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]