Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149615) > Сторінка 2453 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 700Ω
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.22 грн
14+28.50 грн
16+24.94 грн
65+14.41 грн
179+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 ICE3BR4765JGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE30FC061DBA259&compId=ICE3BR4765JG.pdf?ci_sign=95a7f62974d2cfe45acb074f63d500b1e43f11f2 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+109.13 грн
5+94.21 грн
12+83.92 грн
31+79.17 грн
500+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G ICE3PCS01G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3A1FC0F2E8259&compId=ICE3PCS01G.pdf?ci_sign=c391d469f96c741ae49b2f5803c8ebf735bcd417 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Frequency: 21...100kHz
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
Duty cycle factor: 0...98.5%
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.67 грн
10+100.55 грн
26+95.01 грн
1000+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA1 ICE3PCS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ice3pcs02g-ds-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67fab472b4b Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 ICE3PCS03GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3A4F0D40C8259&compId=ICE3PCS03G.pdf?ci_sign=681fdf327e579491c7b3fdba419e20770ca4b24b Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.67 грн
6+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C788DD8CBFF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=bd195fc092e1dd6bd534dd7e189505e734d16645 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534BB2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=abd65b35981b36614dd577031107c0e246651bd3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.40 грн
15+26.44 грн
17+23.59 грн
50+16.39 грн
74+12.67 грн
204+11.95 грн
250+11.64 грн
500+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA6802EB73DEAE0D3&compId=BFP420F.pdf?ci_sign=afe946604d1ec31861261cc2d930ed7d8b1c36f1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD1BBF77AAA60D4&compId=BFP420.pdf?ci_sign=d4cbda62faac15f665da1a426c49eaee3d955f1b Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.35 грн
29+13.93 грн
100+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E267CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlz44n.pdf?ci_sign=29c4c6da092dd5917ede6f2c8e0f88e0cbd6dda1 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.97 грн
10+42.04 грн
25+40.06 грн
31+30.40 грн
85+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222829258BE4CF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44nspbf.pdf?ci_sign=54f1cf0a982b6a0bce7784544748b957c0758101 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22282B0EE823FF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44zpbf.pdf?ci_sign=df99f847f67bd5c950d2033f908855d7b1e7f3f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B313D524DA4FA8&compId=IGB30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=05eee272f2f32c94c4edda458aab4b05290465f5 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB73666C9E5820&compId=IGB30N60T.pdf?ci_sign=a0ac3756ccabfc993586f145ae667cbc69bf930c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.37 грн
3+175.76 грн
7+142.51 грн
18+134.59 грн
30+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.78 грн
3+217.72 грн
7+140.13 грн
19+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.53 грн
4+158.34 грн
8+133.01 грн
20+123.51 грн
30+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE83D6F52D7820&compId=IKW30N60T.pdf?ci_sign=f9d49fbbf5bca8e2a26c4d0279100b423dab6e45 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA88A350E5F820&compId=AIKW30N60CT.pdf?ci_sign=6968bf3033f29af22d372328b518782c7464a095 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.02 грн
5+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302STRPBF IR2302STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF IR21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F55BB632FD7F1A303005056AB0C4F&compId=ir2106.pdf?ci_sign=60c198277c5b13b4cf45f2a24e9c68803eb545df Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F55BB632FD7F1A303005056AB0C4F&compId=ir2106.pdf?ci_sign=60c198277c5b13b4cf45f2a24e9c68803eb545df Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.78 грн
5+171.01 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF IR2102SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33DAF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2101_2102.pdf?ci_sign=177f6e77fff8b7d19eecd1ca54cf7c1ecd5b16eb description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.20 грн
10+79.17 грн
13+73.63 грн
35+69.67 грн
50+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF IR21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.94 грн
4+117.97 грн
10+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR2109PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.27 грн
8+133.01 грн
20+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF IR2109STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.85 грн
7+65.71 грн
10+58.59 грн
25+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3BTMA1 SPD08N50C3BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC055B0CF746143&compId=SPD08N50C3.pdf?ci_sign=b862188d80ca98611ca5bbb3552eb42de1934d70 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.82 грн
6+72.05 грн
10+64.13 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.94 грн
10+88.67 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 80mA
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.84 грн
18+22.64 грн
50+13.14 грн
100+11.08 грн
119+7.84 грн
327+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.67 грн
10+52.25 грн
36+26.13 грн
99+24.70 грн
2500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 IGP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.34 грн
10+75.21 грн
17+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 IKD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.31 грн
10+59.93 грн
22+43.07 грн
60+40.77 грн
100+39.82 грн
500+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 IKP06N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.48 грн
10+87.09 грн
15+64.92 грн
40+61.75 грн
100+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 BSZ100N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.80 грн
10+102.92 грн
12+78.38 грн
33+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+199.51 грн
10+135.38 грн
11+91.84 грн
28+86.30 грн
500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBF IRF2804STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC55F4DADF75EA&compId=IRF2804STRRPBF.pdf?ci_sign=9690775b0b0968417ea458182b3ffc7d6f880934 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51A6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf2804.pdf?ci_sign=48273ccb52c8944e4920d69227ea85c7a621f551 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4062D AUIRGP4062D INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC726401B1413D7&compId=AUIRGP4062D.pdf?ci_sign=abe2566713006bbfdcfca57c4d542d338b09fdab Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP IRFS23N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBEF4AA2A1A2143&compId=IRFS23N20DTRLP.pdf?ci_sign=9f6ed2347050e53086604115e4da51f6ccbf05a5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C606F53EBAF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3006-7ppbf.pdf?ci_sign=d684293d8cda10b025102521ccf3680057339b6f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF IRFS3107TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C696F861C1F1A303005056AB0C4F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=f600ccb40e2eaf3741d1c40e5d7debb5a1899fde Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.26 грн
10+98.96 грн
26+93.42 грн
200+91.84 грн
250+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF IRFS3307ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF49FF83CD95EA&compId=IRFS3307ZTRLPBF.pdf?ci_sign=106fcfce984a17d8761c0f0f26faa5bffc97d713 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS126H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77048F4AD011C&compId=BSS126H6327XTSA2.pdf?ci_sign=a8118681e49b825d7c988d404c2198fcba1dd1cf
BSS126H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 700Ω
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.22 грн
14+28.50 грн
16+24.94 грн
65+14.41 грн
179+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR4765JGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE30FC061DBA259&compId=ICE3BR4765JG.pdf?ci_sign=95a7f62974d2cfe45acb074f63d500b1e43f11f2
ICE3BR4765JGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 2.32A; 65kHz; Ch: 1; PG-DSO-12; flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-12
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 24/16.5W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 2.32A
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.13 грн
5+94.21 грн
12+83.92 грн
31+79.17 грн
500+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS01G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3A1FC0F2E8259&compId=ICE3PCS01G.pdf?ci_sign=c391d469f96c741ae49b2f5803c8ebf735bcd417
ICE3PCS01G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-14; boost; 90÷270V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Frequency: 21...100kHz
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
Duty cycle factor: 0...98.5%
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.67 грн
10+100.55 грн
26+95.01 грн
1000+91.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS02GXUMA1 infineon-ice3pcs02g-ds-en.pdf?fileId=db3a304329a0f6ee0129a67fab472b4b
ICE3PCS02GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3PCS03GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3A4F0D40C8259&compId=ICE3PCS03G.pdf?ci_sign=681fdf327e579491c7b3fdba419e20770ca4b24b
ICE3PCS03GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; 21÷100kHz; PG-DSO-8; boost; 90÷270V; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Frequency: 21...100kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: boost
Input voltage: 90...270V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.67 грн
6+71.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3607TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C788DD8CBFF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=bd195fc092e1dd6bd534dd7e189505e734d16645
IRFS3607TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534BB2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr3607pbf.pdf?ci_sign=abd65b35981b36614dd577031107c0e246651bd3
IRFU3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65AA430653F1A303005056AB0C4F&compId=irf5801pbf.pdf?ci_sign=f7e5c67b927b2f01bfff7333591905e81fb2e857
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.40 грн
15+26.44 грн
17+23.59 грн
50+16.39 грн
74+12.67 грн
204+11.95 грн
250+11.64 грн
500+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420FH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA6802EB73DEAE0D3&compId=BFP420F.pdf?ci_sign=afe946604d1ec31861261cc2d930ed7d8b1c36f1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; TSFP-4
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: TSFP-4
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDACD1BBF77AAA60D4&compId=BFP420.pdf?ci_sign=d4cbda62faac15f665da1a426c49eaee3d955f1b
BFP420H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 60mA; 0.21W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT343
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
на замовлення 5106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.35 грн
29+13.93 грн
100+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E267CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlz44n.pdf?ci_sign=29c4c6da092dd5917ede6f2c8e0f88e0cbd6dda1
IRLZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.97 грн
10+42.04 грн
25+40.06 грн
31+30.40 грн
85+28.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222829258BE4CF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44nspbf.pdf?ci_sign=54f1cf0a982b6a0bce7784544748b957c0758101
IRLZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22282B0EE823FF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44zpbf.pdf?ci_sign=df99f847f67bd5c950d2033f908855d7b1e7f3f4
IRLZ44ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 51A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 51A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B313D524DA4FA8&compId=IGB30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=05eee272f2f32c94c4edda458aab4b05290465f5
IGB30N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB30N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB73666C9E5820&compId=IGB30N60T.pdf?ci_sign=a0ac3756ccabfc993586f145ae667cbc69bf930c
IGB30N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36955C3EDAFA8&compId=IGW30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=67638d2c2709d4fbf274df53d140b550492f47b6
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.37 грн
3+175.76 грн
7+142.51 грн
18+134.59 грн
30+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B36BD911164FA8&compId=IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf?ci_sign=b018b9d13f27961b38a7cb999c2ec06c3206561e
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.78 грн
3+217.72 грн
7+140.13 грн
19+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0D0E718220745&compId=IKW30N60H3.pdf?ci_sign=a1c79d86c62d9b0a8b38302b25c49b78756d1a41
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 165nC
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.53 грн
4+158.34 грн
8+133.01 грн
20+123.51 грн
30+121.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW30N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE83D6F52D7820&compId=IKW30N60T.pdf?ci_sign=f9d49fbbf5bca8e2a26c4d0279100b423dab6e45
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA88A350E5F820&compId=AIKW30N60CT.pdf?ci_sign=6968bf3033f29af22d372328b518782c7464a095
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 44ns
Gate charge: 167nC
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.02 грн
5+212.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1
IR2302STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F55BB632FD7F1A303005056AB0C4F&compId=ir2106.pdf?ci_sign=60c198277c5b13b4cf45f2a24e9c68803eb545df
IR21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F55BB632FD7F1A303005056AB0C4F&compId=ir2106.pdf?ci_sign=60c198277c5b13b4cf45f2a24e9c68803eb545df
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.78 грн
5+171.01 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33DAF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2101_2102.pdf?ci_sign=177f6e77fff8b7d19eecd1ca54cf7c1ecd5b16eb
IR2102SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.20 грн
10+79.17 грн
13+73.63 грн
35+69.67 грн
50+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.94 грн
4+117.97 грн
10+92.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR2109PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.27 грн
8+133.01 грн
20+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR2109STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.85 грн
7+65.71 грн
10+58.59 грн
25+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SPD08N50C3BTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC055B0CF746143&compId=SPD08N50C3.pdf?ci_sign=b862188d80ca98611ca5bbb3552eb42de1934d70
SPD08N50C3BTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.6A; 83W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0459A727E00F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirfr5305.pdf?ci_sign=8ba5a50746c52b1d874a77eb183958227fbf42c2
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -110A
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.82 грн
6+72.05 грн
10+64.13 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.94 грн
10+88.67 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D2E2BDFF411C&compId=BFR193WH6327-dte.pdf?ci_sign=d5d4bdb519ab3c0349eced101a0ebc15d034d71a
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 80mA
на замовлення 1904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.84 грн
18+22.64 грн
50+13.14 грн
100+11.08 грн
119+7.84 грн
327+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.67 грн
10+52.25 грн
36+26.13 грн
99+24.70 грн
2500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3171D35FF4FA8&compId=IGP06N60T-DTE.pdf?ci_sign=9ac35b215c56b00cc17deb3e21b51f59f54290eb
IGP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.34 грн
10+75.21 грн
17+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDD3F1CDA1D820&compId=IKD06N60R.pdf?ci_sign=c4b8048f27233912a33abdef90e7ecad642b9369
IKD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.31 грн
10+59.93 грн
22+43.07 грн
60+40.77 грн
100+39.82 грн
500+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP06N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE2747C5EC7820&compId=IKP06N60T.pdf?ci_sign=fe7eb39bc96303d3dfea9fcce07ee1c6ee3290c4
IKP06N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 188ns
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.48 грн
10+87.09 грн
15+64.92 грн
40+61.75 грн
100+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03LSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E361D77DC011C&compId=BSZ100N03LSG-DTE.pdf?ci_sign=0aeb2ea04dbf0d85a37550526f88d1a53c2c8176
BSZ100N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 36A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38E3910A65E211C&compId=BSZ100N03MSG-DTE.pdf?ci_sign=3167bf6ff8d6294dd6408c2209455b666caa1dc8
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
10+102.92 грн
12+78.38 грн
33+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+199.51 грн
10+135.38 грн
11+91.84 грн
28+86.30 грн
500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC55F4DADF75EA&compId=IRF2804STRRPBF.pdf?ci_sign=9690775b0b0968417ea458182b3ffc7d6f880934
IRF2804STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51A6F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf2804.pdf?ci_sign=48273ccb52c8944e4920d69227ea85c7a621f551
AUIRF2804STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4062D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC726401B1413D7&compId=AUIRGP4062D.pdf?ci_sign=abe2566713006bbfdcfca57c4d542d338b09fdab
AUIRGP4062D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS23N20DTRLP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBEF4AA2A1A2143&compId=IRFS23N20DTRLP.pdf?ci_sign=9f6ed2347050e53086604115e4da51f6ccbf05a5
IRFS23N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 17A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3004TRLPBF irfs3004pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356363a642149
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; Idm: 1.31kA; 380W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 1.31kA
Power dissipation: 380W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRL7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C606F53EBAF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3006-7ppbf.pdf?ci_sign=d684293d8cda10b025102521ccf3680057339b6f
IRFS3006TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 293A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3006TRLPBF irfs3006pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356364a7a214f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 191A; Idm: 1.08kA; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRL7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658
IRFS3107TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 260A; 370W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 260A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3107TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6598EDC0AF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3107-7ppbf.pdf?ci_sign=dd1aaaf504943348c941b72ad1047f40431fe658
IRFS3107TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3206TRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C696F861C1F1A303005056AB0C4F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=f600ccb40e2eaf3741d1c40e5d7debb5a1899fde
IRFS3206TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.26 грн
10+98.96 грн
26+93.42 грн
200+91.84 грн
250+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3307ZTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF49FF83CD95EA&compId=IRFS3307ZTRLPBF.pdf?ci_sign=106fcfce984a17d8761c0f0f26faa5bffc97d713
IRFS3307ZTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3806TRLPBF irfs3806pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ace4217a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 31A; Idm: 170A; 71W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]