Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149736) > Сторінка 2456 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A176919833F1A303005056AB0C4F&compId=irf7389pbf.pdf?ci_sign=33486cc5a79142c2d9ae938ef43a9f134b5aef0b description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.42 грн
8+125.38 грн
20+118.50 грн
100+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5416H6327XTSA1 BCP5416H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcp54_bcp55_bcp56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: THT
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Number of channels: 2
Kind of package: tube
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Power: 1W
Supply voltage: 6...20V DC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.12 грн
9+105.50 грн
24+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: SMD
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 6...20V DC
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.49 грн
10+103.21 грн
12+78.74 грн
32+74.92 грн
2500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.42 грн
9+103.97 грн
24+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.11 грн
8+116.97 грн
22+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.68 грн
10+61.39 грн
35+25.69 грн
96+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.10 грн
18+21.71 грн
25+19.27 грн
53+16.90 грн
146+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT343; 250mW; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.48 грн
100+6.25 грн
183+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.76 грн
29+13.38 грн
100+7.65 грн
250+6.01 грн
306+2.92 грн
841+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
79+5.23 грн
148+2.60 грн
165+2.32 грн
197+1.94 грн
250+1.74 грн
500+1.61 грн
670+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
220+1.88 грн
278+1.38 грн
296+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5C7A678BAC469&compId=BC860CWH6327.pdf?ci_sign=089acfec796841105af32fdb8af9d00879956a20 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.60 грн
100+3.85 грн
250+3.39 грн
305+2.94 грн
835+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 170MHz
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.87 грн
85+4.74 грн
100+4.26 грн
275+3.26 грн
755+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.04 грн
90+4.50 грн
100+4.05 грн
290+3.10 грн
795+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A30C55F6E469&compId=BCR129.pdf?ci_sign=9d2fde11dd5e1f6f9d964f9ce96dfdb605cdc8bf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1
+1
 		ICE2A180ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD6564F9B8095EA&compId=ICE2A265.pdf?ci_sign=b24b004e9b31a188c10f6a1d3585527c36658a70 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Output current: 4.1A
Power: 29/17W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE39D498D700259&compId=ICE2QS02G.pdf?ci_sign=e4bd689e7d7905ed242b81dfcdc4240d74f0894e Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+102.09 грн
10+56.57 грн
17+55.04 грн
45+51.99 грн
50+51.22 грн
100+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 ICE3BR0665JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492A96FF2A258BF&compId=ICE3BR0665J.pdf?ci_sign=2485ba497152d65b19cbd6488c3afc8c6cbd4e28 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 4.8A
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.41 грн
7+128.43 грн
20+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 ICE3BR1765JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492B90DB14E18BF&compId=ICE3BR1765J.pdf?ci_sign=b06ecb24355917be2440a416b519d692a3668673 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 1.5A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.84 грн
4+126.14 грн
9+109.32 грн
23+103.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR0665JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR1765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9949306FB11E998BF&compId=ICE3RBR1765JZ.pdf?ci_sign=51e37586229cebaa7e3a4060c0ad23c8a6fdf5ec Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR4765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492F6789822D8BF&compId=ICE3RBR4765JZ.pdf?ci_sign=ede773950aa5318fcee8c2f31f82a013a22b1219 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 26/18W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7D4FE1A26C0C4&compId=FP40R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=0aa9bc43484615c4a3a0a984a8b9b20af98dcae6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.04 грн
12+31.96 грн
25+24.62 грн
41+22.17 грн
50+22.09 грн
100+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.74 грн
10+72.63 грн
18+50.46 грн
50+47.40 грн
1000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.14 грн
10+106.26 грн
11+87.92 грн
28+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697CD6C94488469&compId=BTS640S2G.pdf?ci_sign=6ab6339076f7ce3792ac6be94012d605c8ecfe8b Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.87 грн
5+212.53 грн
12+201.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.62 грн
5+188.06 грн
14+178.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 BAS2103WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7F2039728A469&compId=BAS2103WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=c9c0fe8d828947d7f45944e66d5a14dbf6d975f0 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; SOD323; 250mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.72 грн
30+12.77 грн
46+8.41 грн
55+6.96 грн
100+6.19 грн
249+3.59 грн
685+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.35 грн
40+10.24 грн
100+9.02 грн
115+7.95 грн
310+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.69 грн
10+46.94 грн
25+38.00 грн
39+23.09 грн
107+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.33 грн
9+46.02 грн
25+40.59 грн
26+35.17 грн
70+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 SPA17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FFC5C5839651BF&compId=SPA17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=fe1ec0eca04326ebd576e6c1ab6064af6db530e3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.80 грн
6+176.60 грн
14+166.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 SPB17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+386.95 грн
4+275.22 грн
9+259.93 грн
250+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 SPP17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.11 грн
6+178.13 грн
14+168.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.69 грн
3+321.09 грн
8+303.50 грн
10+302.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.92 грн
10+57.11 грн
31+29.43 грн
84+27.83 грн
1000+27.06 грн
2000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.89 грн
10+90.97 грн
27+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B648F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9540n.pdf?ci_sign=1c565e0baf6d9ae4245f976eea01225d24493d80 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.68 грн
21+43.73 грн
57+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF12A53ADB7F5EA&compId=IRLR7843TRPBF.pdf?ci_sign=811800f91ae3ae22ef949fd280234228e68a7137 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.15 грн
6+68.04 грн
10+62.69 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.69 грн
5+214.06 грн
6+164.37 грн
16+155.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.67 грн
10+87.15 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 KIT_XMC11_BOOT_001 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CF734AC77FAAFA8&compId=KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf?ci_sign=ef6462c854920b7069dbe0820df11cbb8f6c9376 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED diode x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 BSO150N03MDGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT62E6327HTSA1 BAT62E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.99 грн
21+18.96 грн
25+15.82 грн
50+10.78 грн
100+9.63 грн
102+8.79 грн
281+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E053C1DBDA0469&compId=BAT6804E6327HTSA1.pdf?ci_sign=48c3ec698637286826c432ea3d7330d5dff54f64 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
14+29.05 грн
47+19.04 грн
129+18.04 грн
300+17.81 грн
500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.59 грн
7+141.43 грн
18+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.95 грн
9+106.26 грн
24+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.53 грн
3+181.18 грн
7+138.37 грн
18+130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3443F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2127spbf.pdf?ci_sign=203f11987e306e198516b74fa296a60c82b6b5ef Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBE4549364958BF&compId=IGT60R190D1SATMA1.pdf?ci_sign=500d5346868d9d0d739574ae6a7257e739be002c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 55.5W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate current: 7.7mA
Gate charge: 3.2nC
Technology: CoolGaN™
Kind of transistor: HEMT
Pulsed drain current: 23A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.74 грн
3+417.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz24nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF IRFP3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Topology: single transistor
Voltage class: 600V
Power: 1W
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Output current: -420...200mA
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.12 грн
8+127.67 грн
20+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A176919833F1A303005056AB0C4F&compId=irf7389pbf.pdf?ci_sign=33486cc5a79142c2d9ae938ef43a9f134b5aef0b
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.42 грн
8+125.38 грн
20+118.50 грн
100+116.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5416H6327XTSA1 bcp54_bcp55_bcp56.pdf
BCP5416H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: THT
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Number of channels: 2
Kind of package: tube
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Power: 1W
Supply voltage: 6...20V DC
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.12 грн
9+105.50 грн
24+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Mounting: SMD
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 6...20V DC
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.49 грн
10+103.21 грн
12+78.74 грн
32+74.92 грн
2500+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.42 грн
9+103.97 грн
24+98.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.11 грн
8+116.97 грн
22+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.68 грн
10+61.39 грн
35+25.69 грн
96+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.10 грн
18+21.71 грн
25+19.27 грн
53+16.90 грн
146+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT343; 250mW; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.48 грн
100+6.25 грн
183+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.76 грн
29+13.38 грн
100+7.65 грн
250+6.01 грн
306+2.92 грн
841+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
79+5.23 грн
148+2.60 грн
165+2.32 грн
197+1.94 грн
250+1.74 грн
500+1.61 грн
670+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
220+1.88 грн
278+1.38 грн
296+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5C7A678BAC469&compId=BC860CWH6327.pdf?ci_sign=089acfec796841105af32fdb8af9d00879956a20
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+5.60 грн
100+3.85 грн
250+3.39 грн
305+2.94 грн
835+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 170MHz
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.87 грн
85+4.74 грн
100+4.26 грн
275+3.26 грн
755+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.04 грн
90+4.50 грн
100+4.05 грн
290+3.10 грн
795+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A30C55F6E469&compId=BCR129.pdf?ci_sign=9d2fde11dd5e1f6f9d964f9ce96dfdb605cdc8bf
BCR129WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 150MHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD6564F9B8095EA&compId=ICE2A265.pdf?ci_sign=b24b004e9b31a188c10f6a1d3585527c36658a70
ICE2A180ZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Output current: 4.1A
Power: 29/17W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE39D498D700259&compId=ICE2QS02G.pdf?ci_sign=e4bd689e7d7905ed242b81dfcdc4240d74f0894e
ICE2QS02GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.09 грн
10+56.57 грн
17+55.04 грн
45+51.99 грн
50+51.22 грн
100+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492A96FF2A258BF&compId=ICE3BR0665J.pdf?ci_sign=2485ba497152d65b19cbd6488c3afc8c6cbd4e28
ICE3BR0665JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 4.8A
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+198.41 грн
7+128.43 грн
20+121.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492B90DB14E18BF&compId=ICE3BR1765J.pdf?ci_sign=b06ecb24355917be2440a416b519d692a3668673
ICE3BR1765JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 1.5A
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.84 грн
4+126.14 грн
9+109.32 грн
23+103.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1 INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9949306FB11E998BF&compId=ICE3RBR1765JZ.pdf?ci_sign=51e37586229cebaa7e3a4060c0ad23c8a6fdf5ec
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492F6789822D8BF&compId=ICE3RBR4765JZ.pdf?ci_sign=ede773950aa5318fcee8c2f31f82a013a22b1219
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 26/18W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7D4FE1A26C0C4&compId=FP40R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=0aa9bc43484615c4a3a0a984a8b9b20af98dcae6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.04 грн
12+31.96 грн
25+24.62 грн
41+22.17 грн
50+22.09 грн
100+20.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E4D16F119F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=81dddf218e1b31c29598ff40a3f7ac4bdc2728db pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A30B2ACF36F1A303005056AB0C4F&compId=irf7425pbf.pdf?ci_sign=8154e3d2bf5a42d04cc55b32e63b7ef1350777ab
IRF7425TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -15A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -15A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.74 грн
10+72.63 грн
18+50.46 грн
50+47.40 грн
1000+45.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 370W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.14 грн
10+106.26 грн
11+87.92 грн
28+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Integrated circuit features: low noise
Operating voltage: 1.5...3.3V
Noise Figure: 0.55dB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697CD6C94488469&compId=BTS640S2G.pdf?ci_sign=6ab6339076f7ce3792ac6be94012d605c8ecfe8b
BTS640S2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.87 грн
5+212.53 грн
12+201.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR2183SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.62 грн
5+188.06 грн
14+178.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAS2103WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7F2039728A469&compId=BAS2103WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=c9c0fe8d828947d7f45944e66d5a14dbf6d975f0
BAS2103WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.25A; SOD323; 250mW; reel,tape
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOD323
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.72 грн
30+12.77 грн
46+8.41 грн
55+6.96 грн
100+6.19 грн
249+3.59 грн
685+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
35+12.35 грн
40+10.24 грн
100+9.02 грн
115+7.95 грн
310+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7BA5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf630n.pdf?ci_sign=18ba613c99e0732f47b97714cce46fc4863ae8f3
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.69 грн
10+46.94 грн
25+38.00 грн
39+23.09 грн
107+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F679A2B26A9F1A303005056AB0C4F&compId=irf630npbf.pdf?ci_sign=b3ec9a3a45ee887745bbace6fe26eecf9c91c34a
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.33 грн
9+46.02 грн
25+40.59 грн
26+35.17 грн
70+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SPA17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B3FFC5C5839651BF&compId=SPA17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=fe1ec0eca04326ebd576e6c1ab6064af6db530e3
SPA17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 42W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.80 грн
6+176.60 грн
14+166.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB17N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B2B1C8B20D0EB1BF&compId=SPB17N80C3-DTE.pdf?ci_sign=7a9740a6d8782001fb1d2e3a766be0f2035a313f
SPB17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 227W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 17A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+386.95 грн
4+275.22 грн
9+259.93 грн
250+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP17N80C3 description
SPP17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.11 грн
6+178.13 грн
14+168.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW17N80C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74B604CA355EA&compId=SPW17N80C3.pdf?ci_sign=8964f39b04abcc8eed47c2e250888ed93a2c8204
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.69 грн
3+321.09 грн
8+303.50 грн
10+302.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.92 грн
10+57.11 грн
31+29.43 грн
84+27.83 грн
1000+27.06 грн
2000+26.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.89 грн
10+90.97 грн
27+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B648F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9540n.pdf?ci_sign=1c565e0baf6d9ae4245f976eea01225d24493d80
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.68 грн
21+43.73 грн
57+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B19F963B22F1A303005056AB0C4F&compId=irf9540nspbf.pdf?ci_sign=bc8689f8c2e12a92cb8c0748a6a17d76e15aa7e0
IRF9540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF12A53ADB7F5EA&compId=IRLR7843TRPBF.pdf?ci_sign=811800f91ae3ae22ef949fd280234228e68a7137
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.15 грн
6+68.04 грн
10+62.69 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
500+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
On-state resistance: 5.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 310W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.69 грн
5+214.06 грн
6+164.37 грн
16+155.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.67 грн
10+87.15 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_XMC11_BOOT_001 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE68CF734AC77FAAFA8&compId=KIT-XMC11-BOOT-001-DTE.pdf?ci_sign=ef6462c854920b7069dbe0820df11cbb8f6c9376
KIT_XMC11_BOOT_001
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; Comp: XMC1100; Architecture: Cortex M0
Type of development kit: ARM Infineon
Kind of connector: pin strips; USB B micro
Kind of architecture: Cortex M0
Components: XMC1100
Programmers and development kits features: 3,3V voltage regulator; 5V voltage regulator; connector with SPI signal lines; LED diode x6; SEGGER J-Link OB Debugger; UART
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.8A; Idm: 18A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LDGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAC8ACBFD611C&compId=BSC150N03LDG-DTE.pdf?ci_sign=d2b4cd9da2292db7bf6454f06b5bc3388eaf7918
BSC150N03LDGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO150N03MDGXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F215A33882811C&compId=BSO150N03MDG-DTE.pdf?ci_sign=154f009a54dd3f61ead2ec23389e475b9675f797
BSO150N03MDGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.3A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.3A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT62E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e
BAT62E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT143; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: double independent
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
21+18.96 грн
25+15.82 грн
50+10.78 грн
100+9.63 грн
102+8.79 грн
281+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6804WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E053C1DBDA0469&compId=BAT6804E6327HTSA1.pdf?ci_sign=48c3ec698637286826c432ea3d7330d5dff54f64
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 8V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 8V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
14+29.05 грн
47+19.04 грн
129+18.04 грн
300+17.81 грн
500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR21271PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.59 грн
7+141.43 грн
18+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR21271SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.95 грн
9+106.26 грн
24+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.53 грн
3+181.18 грн
7+138.37 грн
18+130.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3443F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2127spbf.pdf?ci_sign=203f11987e306e198516b74fa296a60c82b6b5ef
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R190D1SATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBE4549364958BF&compId=IGT60R190D1SATMA1.pdf?ci_sign=500d5346868d9d0d739574ae6a7257e739be002c
IGT60R190D1SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 12.5A; Idm: 23A
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 55.5W
Case: PG-HSOF-8-3
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Gate current: 7.7mA
Gate charge: 3.2nC
Technology: CoolGaN™
Kind of transistor: HEMT
Pulsed drain current: 23A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.74 грн
3+417.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ24NSTRLPBF irlz24nspbf.pdf
IRLZ24NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 18A; 45W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACADBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3077pbf.pdf?ci_sign=38aa3277a7433eff22b1057a39ac52cbd0fb9e09
IRFP3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; 340W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Power dissipation: 340W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: tube
Topology: single transistor
Voltage class: 600V
Power: 1W
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Output current: -420...200mA
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.12 грн
8+127.67 грн
20+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]