Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149596) > Сторінка 2455 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9AD58F7ECE11C&compId=IPA060N06N-DTE.pdf?ci_sign=de88a38c0543e10336c2f0466946c10e8480c91d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.22 грн
42+22.48 грн
114+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
62+6.98 грн
79+5.07 грн
82+4.83 грн
104+3.83 грн
250+3.46 грн
312+2.99 грн
857+2.83 грн
3000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.22 грн
13+31.67 грн
25+29.45 грн
50+27.79 грн
53+17.89 грн
144+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.28 грн
22+18.68 грн
27+15.20 грн
50+12.90 грн
100+10.93 грн
143+6.57 грн
391+6.18 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SC79
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.46 грн
34+11.88 грн
100+7.13 грн
154+6.10 грн
250+5.78 грн
424+5.70 грн
650+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.75 грн
6+185.26 грн
10+168.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E27805D24F1A303005056AB0C4F&compId=irf7317pbf.pdf?ci_sign=64d961be387dcb2a1a46361559a7321aeb6a99b6 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF IRS2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920764F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2110.pdf?ci_sign=d7e6b7c7a85603dbb88ebe28cd2f0be131bac1f8 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 155ns
Turn-off time: 137ns
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.54 грн
5+194.76 грн
14+184.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF IRS2118PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF IRS2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.38 грн
59+6.73 грн
100+5.30 грн
178+5.23 грн
250+5.15 грн
491+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7E23E4A19C469&compId=BAS16SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a904eb5d3264ef100a93b9fe2e434293d824a621 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.23 грн
46+8.71 грн
50+8.08 грн
100+7.76 грн
250+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 8659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
298+1.43 грн
302+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB816C40A9AA469&compId=BAV99SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7841fb4160d2a365fb52354be87bec42fd0eebfe Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+9.89 грн
100+7.44 грн
166+5.70 грн
455+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Load current: 0.12A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.94 грн
49+8.23 грн
61+6.57 грн
112+3.55 грн
282+3.31 грн
773+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.49 грн
38+10.61 грн
41+9.74 грн
52+7.70 грн
100+6.83 грн
250+5.71 грн
251+3.71 грн
690+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 BAS4007E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.90 грн
37+10.85 грн
50+8.63 грн
100+7.76 грн
137+6.81 грн
375+6.49 грн
500+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFE1F57EAAE469&compId=BAT1503WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=92ad46a24666fc88bcb2108d1b3c891a264bbdbd Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOD323
Power dissipation: 0.1W
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 4V
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.34 грн
14+30.40 грн
20+26.60 грн
40+23.04 грн
50+21.93 грн
67+13.93 грн
185+13.22 грн
1000+13.14 грн
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD738071820F5EA&compId=SMBTA42.pdf?ci_sign=9899fa88d5c056e78cf168f4e052d2705dc28676 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.17 грн
27+15.20 грн
50+10.01 грн
100+8.27 грн
209+4.47 грн
573+4.22 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5E14F5A90A469&compId=BC856UE6327.pdf?ci_sign=c2ecd216c6b7a85380859c7690c18974de788084 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
41+10.40 грн
53+7.60 грн
135+6.97 грн
250+6.73 грн
370+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 16V
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
24+16.78 грн
100+12.83 грн
106+8.79 грн
290+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.08 грн
44+9.03 грн
50+7.92 грн
59+6.71 грн
66+6.02 грн
100+5.42 грн
200+4.69 грн
500+4.58 грн
549+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A77D0304ED710B&compId=BSR302NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=bec509c870b45911ebd7f61b3857176c3158df8e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C8DDA3C7E11C&compId=BFP193E6327-dte.pdf?ci_sign=adbef814c2b08bb11ceda7a75b0baf42f93db9f7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Polarisation: bipolar
Case: SOT143
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.76 грн
28+14.33 грн
100+10.93 грн
122+7.60 грн
336+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23
Mounting: SMD
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
53+8.06 грн
72+5.54 грн
80+5.00 грн
86+4.61 грн
100+4.23 грн
250+3.79 грн
358+2.60 грн
985+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C588C2D3EF2469&compId=BCR158.pdf?ci_sign=0e18e7a6b0bfae444245180d93ab4961cabe1251 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
на замовлення 6783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
97+4.40 грн
112+3.56 грн
250+3.15 грн
342+2.73 грн
939+2.58 грн
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.79 грн
62+6.41 грн
67+5.94 грн
70+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.17 грн
30+13.38 грн
39+10.32 грн
100+6.92 грн
209+4.47 грн
573+4.24 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.49 грн
38+10.61 грн
42+9.50 грн
50+8.08 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.77 грн
45+9.82 грн
100+8.63 грн
120+8.00 грн
325+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.08 грн
49+8.23 грн
55+7.28 грн
64+6.25 грн
100+5.15 грн
195+4.83 грн
535+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58AA86A9198D28469&compId=BC817UPNE6327.pdf?ci_sign=5f649fabee6d5d3ecff99d79dd90e2d88f21a23a Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+29.84 грн
24+16.55 грн
32+12.51 грн
96+9.82 грн
100+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB81B27E263A469&compId=BAS3007ARPPE6327.pdf?ci_sign=b5ed67fdce37abb4658c35aaf90648a7216714d2 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 5A
Load current: 0.9A
Features of semiconductor devices: Schottky
Max. off-state voltage: 30V
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.55 грн
16+25.65 грн
17+24.15 грн
57+16.55 грн
155+15.68 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB820F651F00469&compId=BAS4002ARPPE6327.pdf?ci_sign=129a63ea239a763a7e4e19d6fcee10919cb6da76 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.17 грн
25+15.83 грн
85+11.00 грн
233+10.37 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9999C75489C9E27&compId=BB640E-DTE.pdf?ci_sign=d61173df73327382dcb8cc40fc10b50674b2bb14 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: varicap
Capacitance: 2.8...76pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
29+13.93 грн
75+9.58 грн
100+9.10 грн
165+5.62 грн
453+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
28+14.41 грн
50+9.66 грн
100+8.15 грн
180+5.23 грн
493+4.91 грн
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.09 грн
9+48.93 грн
25+42.91 грн
26+36.97 грн
70+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1070AZXKLA1
+2
 		ICE5QR1070AZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Operating voltage: 10...25.5V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Case: DIP7
Topology: flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Output current: 0.4A
Power: 58/32W
Number of channels: 1
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 700V
Frequency: 20kHz
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.13 грн
21+46.71 грн
56+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 BFP740H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90E3A3FC1DD6E0D3&compId=BFP740.pdf?ci_sign=ce7cc8cf4d74db6dfea95f584e1a2362c567feed Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.57 грн
25+17.97 грн
55+17.18 грн
100+15.91 грн
500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698831673540469&compId=BTS50055-1TMB.pdf?ci_sign=51035787213271d893d95d4f122fa627c7b33776 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-11
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 4.4mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Output current: 55A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+604.50 грн
4+304.81 грн
9+288.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869888DFBE586469&compId=BTS50080-1TMB.pdf?ci_sign=dd4acc5f8af1b9f7b8a62d693a1b9e6c2f5af730 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470.64 грн
3+311.94 грн
9+295.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 35mA
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.53 грн
67+5.94 грн
79+5.04 грн
89+4.48 грн
100+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B2601505A469&compId=BCP5616H6327XTSA1.pdf?ci_sign=4c01b3c5793fee0bfbaf9bdb8dbb9bda5a4b9539 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.31 грн
75+12.52 грн
205+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C52B239147E469&compId=BCX53.pdf?ci_sign=06038f92536883fb5f048a4ed3d4e9113ac14b8b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.22 грн
29+13.93 грн
85+10.99 грн
234+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+15.91 грн
80+12.35 грн
210+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.99 грн
20+20.27 грн
24+17.18 грн
75+12.51 грн
100+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CF15C848FF1A303005056AB0C4F&compId=irlms2002pbf.pdf?ci_sign=582d4397a97dbf01cfb70f72bdc441e378316d1a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+48.60 грн
13+30.64 грн
51+18.37 грн
140+17.34 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+401.58 грн
3+338.06 грн
8+319.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+907.18 грн
2+633.37 грн
5+598.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.14 грн
10+514.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.92 грн
10+164.68 грн
11+89.46 грн
29+84.71 грн
100+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+184.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9AD58F7ECE11C&compId=IPA060N06N-DTE.pdf?ci_sign=de88a38c0543e10336c2f0466946c10e8480c91d
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.22 грн
42+22.48 грн
114+21.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 5039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
62+6.98 грн
79+5.07 грн
82+4.83 грн
104+3.83 грн
250+3.46 грн
312+2.99 грн
857+2.83 грн
3000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.22 грн
13+31.67 грн
25+29.45 грн
50+27.79 грн
53+17.89 грн
144+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a
IRLR3410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B9BA476E56C0C0C4&compId=BSS127H6327XTSA2.pdf?ci_sign=b4356276ecc1ec69160130555772bdadebee35de
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.28 грн
22+18.68 грн
27+15.20 грн
50+12.90 грн
100+10.93 грн
143+6.57 грн
391+6.18 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SC79
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.46 грн
34+11.88 грн
100+7.13 грн
154+6.10 грн
250+5.78 грн
424+5.70 грн
650+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.75 грн
6+185.26 грн
10+168.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E27805D24F1A303005056AB0C4F&compId=irf7317pbf.pdf?ci_sign=64d961be387dcb2a1a46361559a7321aeb6a99b6
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920764F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2110.pdf?ci_sign=d7e6b7c7a85603dbb88ebe28cd2f0be131bac1f8
IRS2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 155ns
Turn-off time: 137ns
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.54 грн
5+194.76 грн
14+184.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c
IRS2118PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c
IRS2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Case: SOT363
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.38 грн
59+6.73 грн
100+5.30 грн
178+5.23 грн
250+5.15 грн
491+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7E23E4A19C469&compId=BAS16SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a904eb5d3264ef100a93b9fe2e434293d824a621
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.23 грн
46+8.71 грн
50+8.08 грн
100+7.76 грн
250+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 8659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
298+1.43 грн
302+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB816C40A9AA469&compId=BAV99SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7841fb4160d2a365fb52354be87bec42fd0eebfe
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SC74; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
44+9.89 грн
100+7.44 грн
166+5.70 грн
455+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Load current: 0.12A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.2A
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
49+8.23 грн
61+6.57 грн
112+3.55 грн
282+3.31 грн
773+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
38+10.61 грн
41+9.74 грн
52+7.70 грн
100+6.83 грн
250+5.71 грн
251+3.71 грн
690+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4007E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.90 грн
37+10.85 грн
50+8.63 грн
100+7.76 грн
137+6.81 грн
375+6.49 грн
500+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFE1F57EAAE469&compId=BAT1503WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=92ad46a24666fc88bcb2108d1b3c891a264bbdbd
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOD323
Power dissipation: 0.1W
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 4V
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.34 грн
14+30.40 грн
20+26.60 грн
40+23.04 грн
50+21.93 грн
67+13.93 грн
185+13.22 грн
1000+13.14 грн
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD738071820F5EA&compId=SMBTA42.pdf?ci_sign=9899fa88d5c056e78cf168f4e052d2705dc28676
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.17 грн
27+15.20 грн
50+10.01 грн
100+8.27 грн
209+4.47 грн
573+4.22 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5E14F5A90A469&compId=BC856UE6327.pdf?ci_sign=c2ecd216c6b7a85380859c7690c18974de788084
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+10.40 грн
53+7.60 грн
135+6.97 грн
250+6.73 грн
370+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0
BFR106E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Mounting: SMD
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Collector-emitter voltage: 16V
Frequency: 5GHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
24+16.78 грн
100+12.83 грн
106+8.79 грн
290+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.08 грн
44+9.03 грн
50+7.92 грн
59+6.71 грн
66+6.02 грн
100+5.42 грн
200+4.69 грн
500+4.58 грн
549+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A77D0304ED710B&compId=BSR302NL6327HTSA1.pdf?ci_sign=bec509c870b45911ebd7f61b3857176c3158df8e
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C8DDA3C7E11C&compId=BFP193E6327-dte.pdf?ci_sign=adbef814c2b08bb11ceda7a75b0baf42f93db9f7
BFP193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Polarisation: bipolar
Case: SOT143
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Kind of transistor: RF
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.76 грн
28+14.33 грн
100+10.93 грн
122+7.60 грн
336+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a
BCR133E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 130MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23
Mounting: SMD
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
53+8.06 грн
72+5.54 грн
80+5.00 грн
86+4.61 грн
100+4.23 грн
250+3.79 грн
358+2.60 грн
985+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C588C2D3EF2469&compId=BCR158.pdf?ci_sign=0e18e7a6b0bfae444245180d93ab4961cabe1251
BCR158E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
на замовлення 6783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
97+4.40 грн
112+3.56 грн
250+3.15 грн
342+2.73 грн
939+2.58 грн
3000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.79 грн
62+6.41 грн
67+5.94 грн
70+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.17 грн
30+13.38 грн
39+10.32 грн
100+6.92 грн
209+4.47 грн
573+4.24 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 12A
Max. off-state voltage: 150V
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
38+10.61 грн
42+9.50 грн
50+8.08 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A999C375CDE8BE27&compId=BAx92-DTE.pdf?ci_sign=d977ca4460297672ce02944aaf064ebfb979b9e6
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.77 грн
45+9.82 грн
100+8.63 грн
120+8.00 грн
325+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.08 грн
49+8.23 грн
55+7.28 грн
64+6.25 грн
100+5.15 грн
195+4.83 грн
535+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58AA86A9198D28469&compId=BC817UPNE6327.pdf?ci_sign=5f649fabee6d5d3ecff99d79dd90e2d88f21a23a
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.84 грн
24+16.55 грн
32+12.51 грн
96+9.82 грн
100+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB81B27E263A469&compId=BAS3007ARPPE6327.pdf?ci_sign=b5ed67fdce37abb4658c35aaf90648a7216714d2
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. forward impulse current: 5A
Load current: 0.9A
Features of semiconductor devices: Schottky
Max. off-state voltage: 30V
Type of bridge rectifier: single-phase
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.55 грн
16+25.65 грн
17+24.15 грн
57+16.55 грн
155+15.68 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB820F651F00469&compId=BAS4002ARPPE6327.pdf?ci_sign=129a63ea239a763a7e4e19d6fcee10919cb6da76
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Features of semiconductor devices: Schottky
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.17 грн
25+15.83 грн
85+11.00 грн
233+10.37 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9999C75489C9E27&compId=BB640E-DTE.pdf?ci_sign=d61173df73327382dcb8cc40fc10b50674b2bb14
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: varicap
Capacitance: 2.8...76pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
29+13.93 грн
75+9.58 грн
100+9.10 грн
165+5.62 грн
453+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
28+14.41 грн
50+9.66 грн
100+8.15 грн
180+5.23 грн
493+4.91 грн
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.09 грн
9+48.93 грн
25+42.91 грн
26+36.97 грн
70+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75
IR1161LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584
IR11688STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d
IR1169STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1070AZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124
ICE5QR1070AZXKLA1
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Operating voltage: 10...25.5V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Case: DIP7
Topology: flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Output current: 0.4A
Power: 58/32W
Number of channels: 1
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 700V
Frequency: 20kHz
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.13 грн
21+46.71 грн
56+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFP740H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD90E3A3FC1DD6E0D3&compId=BFP740.pdf?ci_sign=ce7cc8cf4d74db6dfea95f584e1a2362c567feed
BFP740H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of package: reel; tape
Frequency: 44GHz
Kind of transistor: HBT; RF
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.16W
Collector-emitter voltage: 13V
Current gain: 160...400
Polarisation: bipolar
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.57 грн
25+17.97 грн
55+17.18 грн
100+15.91 грн
500+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698831673540469&compId=BTS50055-1TMB.pdf?ci_sign=51035787213271d893d95d4f122fa627c7b33776
BTS50055-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-11
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 4.4mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Output current: 55A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.50 грн
4+304.81 грн
9+288.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869888DFBE586469&compId=BTS50080-1TMB.pdf?ci_sign=dd4acc5f8af1b9f7b8a62d693a1b9e6c2f5af730
BTS50080-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Case: PG-TO220-7-12
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
Output current: 9.5A
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+470.64 грн
3+311.94 грн
9+295.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 35mA
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.53 грн
67+5.94 грн
79+5.04 грн
89+4.48 грн
100+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B2601505A469&compId=BCP5616H6327XTSA1.pdf?ci_sign=4c01b3c5793fee0bfbaf9bdb8dbb9bda5a4b9539
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.31 грн
75+12.52 грн
205+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C52B239147E469&compId=BCX53.pdf?ci_sign=06038f92536883fb5f048a4ed3d4e9113ac14b8b
BCX53H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.22 грн
29+13.93 грн
85+10.99 грн
234+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+15.91 грн
80+12.35 грн
210+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.99 грн
20+20.27 грн
24+17.18 грн
75+12.51 грн
100+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CF15C848FF1A303005056AB0C4F&compId=irlms2002pbf.pdf?ci_sign=582d4397a97dbf01cfb70f72bdc441e378316d1a
IRLMS2002TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9133F743C511CC&compId=BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=3b837dc0c8d564b801efd309746191c0e1aca363
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.60 грн
13+30.64 грн
51+18.37 грн
140+17.34 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+401.58 грн
3+338.06 грн
8+319.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+907.18 грн
2+633.37 грн
5+598.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 2W
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.14 грн
10+514.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14
IRFB7434PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.92 грн
10+164.68 грн
11+89.46 грн
29+84.71 грн
100+81.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]