Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149643) > Сторінка 2455 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 7.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.47 грн
10+100.28 грн
25+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKD10N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.25 грн
18+23.78 грн
25+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 PVG612 INFINEON TECHNOLOGIES pvg612.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVG612
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.15Ω
Max. operating current: 2.4A
Case: DIP6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF INFINEON TECHNOLOGIES PVG612ASPBF.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVG612
Mounting: SMT
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 3.5ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.1Ω
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 4A
Case: DIP6
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1418.67 грн
5+1170.15 грн
25+1023.78 грн
100+878.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S PVG612S INFINEON TECHNOLOGIES PVG612S.PDF description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVG612
Mounting: SMT
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.15Ω
Max. operating current: 2.4A
Case: DIP6
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.05 грн
5+422.13 грн
10+404.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF IRFP4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB13F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4110pbf.pdf?ci_sign=6f5917c718a71c13d636e4dbfc23bbd396deb66b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AE6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.74 грн
19+22.16 грн
21+19.81 грн
25+17.06 грн
50+15.36 грн
100+14.23 грн
250+12.86 грн
500+12.37 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR93AWH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 12541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.55 грн
38+10.76 грн
100+8.97 грн
500+8.61 грн
1000+7.68 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44ZSTRRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.80 грн
15+27.01 грн
50+21.83 грн
100+19.97 грн
500+16.42 грн
1000+15.20 грн
2000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2030pbf.pdf?ci_sign=a1998ead6eaa1089a0ac43972a6165773eca35a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
26+15.85 грн
31+13.42 грн
37+11.16 грн
100+7.31 грн
500+5.33 грн
1000+4.84 грн
3000+4.33 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.26 грн
25+16.42 грн
50+11.24 грн
100+9.54 грн
500+6.63 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BA0DC5F07F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2246pbf.pdf?ci_sign=9676557545f801f7a2f3db0a86594d388331cd8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.80 грн
37+11.00 грн
42+9.70 грн
100+6.63 грн
500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.00 грн
23+18.03 грн
50+12.29 грн
100+10.43 грн
250+8.57 грн
500+7.52 грн
1000+6.79 грн
3000+5.82 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.55 грн
33+12.62 грн
37+11.16 грн
100+7.34 грн
250+6.31 грн
500+5.67 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+126.28 грн
10+101.89 грн
25+86.53 грн
50+74.40 грн
100+62.27 грн
250+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.86 грн
10+98.17 грн
50+79.74 грн
100+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.34 грн
5+108.36 грн
10+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.84 грн
10+227.24 грн
50+200.55 грн
55+199.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.72 грн
10+142.33 грн
25+133.43 грн
50+127.77 грн
100+122.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+183.57 грн
10+160.93 грн
25+142.33 грн
50+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.14 грн
10+132.62 грн
25+126.96 грн
100+113.21 грн
250+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60AE6327-DTE.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
38+10.76 грн
43+9.46 грн
100+7.93 грн
500+6.55 грн
1000+5.98 грн
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT60BE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.42 грн
33+12.45 грн
50+9.30 грн
100+8.17 грн
500+6.23 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69EE604B660BACFA8&compId=BTS452R-DTE.pdf?ci_sign=b267e80bbe61e6651960ff2d69f4b2da6e19fb4a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+107.12 грн
10+95.42 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+8.53 грн
83+4.88 грн
250+4.35 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.19 грн
41+9.87 грн
44+9.38 грн
47+8.60 грн
100+7.33 грн
500+5.81 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS2092.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+203.79 грн
10+142.33 грн
25+132.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.90 грн
13+33.56 грн
50+25.31 грн
100+22.40 грн
500+16.90 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BCEF05BD07A745&compId=IRS20752ltrpbf.pdf?ci_sign=ef2d046c3868bd8f5a439bd44dd071464cf6744b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.25 грн
10+43.67 грн
25+40.76 грн
100+38.57 грн
250+34.93 грн
500+32.75 грн
1000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+168.08 грн
5+132.62 грн
10+118.88 грн
15+110.79 грн
25+101.89 грн
100+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.59 грн
10+161.74 грн
25+131.81 грн
50+113.21 грн
100+102.70 грн
125+100.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
29+14.23 грн
50+10.92 грн
100+9.70 грн
500+7.44 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.54 грн
10+91.38 грн
25+84.10 грн
50+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.98 грн
10+148.80 грн
25+124.54 грн
50+106.75 грн
100+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5BB543851E469&compId=BCP5216H6327XTSA1.pdf?ci_sign=32661be25e0eb08e39efe4bf55c87c5ce197e855 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE3A2065ELJ.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 10.3A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.40 грн
5+120.49 грн
10+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
 		ICE3AR0680JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC197E0F7F093D7&compId=ICE3AR0680JZ.pdf?ci_sign=e5a5a2a41e0d97336de868e16e9987b775cba6af Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 82/52W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+215.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.73 грн
10+105.13 грн
25+80.87 грн
50+61.46 грн
100+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW35N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+572.17 грн
25+205.40 грн
100+189.23 грн
125+186.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.70 грн
25+94.62 грн
50+89.76 грн
100+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.26 грн
26+16.01 грн
50+11.00 грн
100+9.38 грн
500+6.71 грн
1000+5.90 грн
3000+5.01 грн
6000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.73 грн
10+53.29 грн
25+46.66 грн
100+38.33 грн
250+33.88 грн
500+30.81 грн
1000+28.14 грн
2000+25.80 грн
2500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+403.22 грн
10+234.52 грн
25+219.15 грн
100+197.32 грн
125+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.38 грн
10+45.12 грн
25+39.79 грн
100+33.24 грн
250+29.68 грн
500+27.25 грн
1000+25.15 грн
2000+23.21 грн
4000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+143.70 грн
10+106.75 грн
25+97.04 грн
50+88.95 грн
100+82.48 грн
500+67.93 грн
1000+63.08 грн
1250+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.43 грн
5+156.88 грн
10+131.81 грн
100+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF27ED36718469&compId=BAS140WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=b32bb421919227b430b9bf5b53efb00a9a0502fa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.51 грн
29+14.23 грн
100+8.68 грн
269+3.56 грн
738+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...24V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.21 грн
5+128.58 грн
10+118.88 грн
25+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60T.pdf
IKA10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 7.2A; 30W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 30W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 67nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 250ns
Collector current: 7.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Collector current: 18A
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.47 грн
10+100.28 грн
25+85.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1 IKD10N60R.pdf
IKD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1 IKD10N60RF.pdf
IKD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.25 грн
18+23.78 грн
25+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612 description pvg612.pdf
PVG612
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVG612
Mounting: THT
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.15Ω
Max. operating current: 2.4A
Case: DIP6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612ASPBF PVG612ASPBF.pdf
PVG612ASPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl: 5÷25mA; 4A
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVG612
Mounting: SMT
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 3.5ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.1Ω
Control voltage: 1.2V DC
Max. operating current: 4A
Case: DIP6
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1418.67 грн
5+1170.15 грн
25+1023.78 грн
100+878.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PVG612S description PVG612S.PDF
PVG612S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 2.4A; 0÷60VAC; PVG612
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Manufacturer series: PVG612
Mounting: SMT
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: -60...60V DC; 0...60V AC
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 0.5ms
Operate time: 2ms
Control current: 5...25mA
On-state resistance: 0.15Ω
Max. operating current: 2.4A
Case: DIP6
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.05 грн
5+422.13 грн
10+404.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB13F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4110pbf.pdf?ci_sign=6f5917c718a71c13d636e4dbfc23bbd396deb66b
IRFP4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327 BFR93AE6327-dte.pdf
BFR93AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 9174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.74 грн
19+22.16 грн
21+19.81 грн
25+17.06 грн
50+15.36 грн
100+14.23 грн
250+12.86 грн
500+12.37 грн
1000+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AWH6327 BFR93AWH6327-dte.pdf
BFR93AWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
на замовлення 12541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.55 грн
38+10.76 грн
100+8.97 грн
500+8.61 грн
1000+7.68 грн
3000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF.pdf
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.80 грн
15+27.01 грн
50+21.83 грн
100+19.97 грн
500+16.42 грн
1000+15.20 грн
2000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2030pbf.pdf?ci_sign=a1998ead6eaa1089a0ac43972a6165773eca35a9
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
26+15.85 грн
31+13.42 грн
37+11.16 грн
100+7.31 грн
500+5.33 грн
1000+4.84 грн
3000+4.33 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.26 грн
25+16.42 грн
50+11.24 грн
100+9.54 грн
500+6.63 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BA0DC5F07F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2246pbf.pdf?ci_sign=9676557545f801f7a2f3db0a86594d388331cd8f
IRLML2246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.80 грн
37+11.00 грн
42+9.70 грн
100+6.63 грн
500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.00 грн
23+18.03 грн
50+12.29 грн
100+10.43 грн
250+8.57 грн
500+7.52 грн
1000+6.79 грн
3000+5.82 грн
6000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.55 грн
33+12.62 грн
37+11.16 грн
100+7.34 грн
250+6.31 грн
500+5.67 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+126.28 грн
10+101.89 грн
25+86.53 грн
50+74.40 грн
100+62.27 грн
250+51.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.86 грн
10+98.17 грн
50+79.74 грн
100+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.34 грн
5+108.36 грн
10+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.84 грн
10+227.24 грн
50+200.55 грн
55+199.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR21844STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.72 грн
10+142.33 грн
25+133.43 грн
50+127.77 грн
100+122.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+183.57 грн
10+160.93 грн
25+142.33 грн
50+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.14 грн
10+132.62 грн
25+126.96 грн
100+113.21 грн
250+105.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327-DTE.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.37V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
38+10.76 грн
43+9.46 грн
100+7.93 грн
500+6.55 грн
1000+5.98 грн
3000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1.pdf
BAT60BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.42 грн
33+12.45 грн
50+9.30 грн
100+8.17 грн
500+6.23 грн
1000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69EE604B660BACFA8&compId=BTS452R-DTE.pdf?ci_sign=b267e80bbe61e6651960ff2d69f4b2da6e19fb4a
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+107.12 грн
10+95.42 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.53 грн
83+4.88 грн
250+4.35 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.19 грн
41+9.87 грн
44+9.38 грн
47+8.60 грн
100+7.33 грн
500+5.81 грн
1000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092.pdf
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Frequency: 800kHz
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+203.79 грн
10+142.33 грн
25+132.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: HEXFET®
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.90 грн
13+33.56 грн
50+25.31 грн
100+22.40 грн
500+16.90 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BCEF05BD07A745&compId=IRS20752ltrpbf.pdf?ci_sign=ef2d046c3868bd8f5a439bd44dd071464cf6744b
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.25 грн
10+43.67 грн
25+40.76 грн
100+38.57 грн
250+34.93 грн
500+32.75 грн
1000+32.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.08 грн
5+132.62 грн
10+118.88 грн
15+110.79 грн
25+101.89 грн
100+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.59 грн
10+161.74 грн
25+131.81 грн
50+113.21 грн
100+102.70 грн
125+100.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
29+14.23 грн
50+10.92 грн
100+9.70 грн
500+7.44 грн
1000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF irf3415spbf.pdf
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.54 грн
10+91.38 грн
25+84.10 грн
50+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.98 грн
10+148.80 грн
25+124.54 грн
50+106.75 грн
100+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5BB543851E469&compId=BCP5216H6327XTSA1.pdf?ci_sign=32661be25e0eb08e39efe4bf55c87c5ce197e855
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJ.pdf
ICE3A2065ELJFKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 10.3A
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.40 грн
5+120.49 грн
10+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC197E0F7F093D7&compId=ICE3AR0680JZ.pdf?ci_sign=e5a5a2a41e0d97336de868e16e9987b775cba6af
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 82/52W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 20A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+215.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.73 грн
10+105.13 грн
25+80.87 грн
50+61.46 грн
100+59.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3.pdf
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.17 грн
25+205.40 грн
100+189.23 грн
125+186.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.70 грн
25+94.62 грн
50+89.76 грн
100+84.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.26 грн
26+16.01 грн
50+11.00 грн
100+9.38 грн
500+6.71 грн
1000+5.90 грн
3000+5.01 грн
6000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.73 грн
10+53.29 грн
25+46.66 грн
100+38.33 грн
250+33.88 грн
500+30.81 грн
1000+28.14 грн
2000+25.80 грн
2500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+403.22 грн
10+234.52 грн
25+219.15 грн
100+197.32 грн
125+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.38 грн
10+45.12 грн
25+39.79 грн
100+33.24 грн
250+29.68 грн
500+27.25 грн
1000+25.15 грн
2000+23.21 грн
4000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+143.70 грн
10+106.75 грн
25+97.04 грн
50+88.95 грн
100+82.48 грн
500+67.93 грн
1000+63.08 грн
1250+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.43 грн
5+156.88 грн
10+131.81 грн
100+109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF27ED36718469&compId=BAS140WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=b32bb421919227b430b9bf5b53efb00a9a0502fa
BAS140WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Mounting: SMD
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.51 грн
29+14.23 грн
100+8.68 грн
269+3.56 грн
738+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...24V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.21 грн
5+128.58 грн
10+118.88 грн
25+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]