Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148383) > Сторінка 2454 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR148E6327 BCR148E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR148.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 100MHz
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
74+5.63 грн
100+4.71 грн
248+3.62 грн
250+3.61 грн
680+3.41 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR185.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 200MHz
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
92+4.51 грн
102+3.76 грн
250+3.33 грн
310+2.88 грн
851+2.73 грн
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.39 грн
11+35.17 грн
25+31.65 грн
36+25.53 грн
99+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXA INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B004J_4-Kbit_(512_x_8)_Serial_(I2C)_Automotive-A_F-RAM-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3263c6a2f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXAT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B004J_4-Kbit_(512_x_8)_Serial_(I2C)_Automotive-A_F-RAM-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3263c6a2f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXE INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B004J_4_KBIT_(512_X_8)_SERIAL_(I2C)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee394036a67&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 3.4MHz
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXET INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY15B004J_4_KBIT_(512_X_8)_SERIAL_(I2C)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee394036a67&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 3.4MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXET INFINEON TECHNOLOGIES CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 16MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.94 грн
6+159.78 грн
16+151.37 грн
50+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR2280AZXKLA1
+1
 		ICE5QR2280AZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE5QRxxxxAx.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.4A
Frequency: 20kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 41/22W
Application: SMPS
Operating voltage: 10...25.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TAEATMA1
+1
 		BTS500101TAEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS500101TAE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 40A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 40A
Case: PG-TO263-7-10
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.6mΩ
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Power PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 8...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBF IRF7769L2TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7769l2pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 124A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF IRFH8324TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh8324pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA INFINEON TECHNOLOGIES BTS50085-1TMA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3314STRL INFINEON TECHNOLOGIES auir3314.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a846b8134a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 18A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
Power dissipation: 2W
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Output current: 18A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Application: automotive industry
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 12mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 34A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Mounting: SMD
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.29 грн
19+20.56 грн
25+15.98 грн
100+10.70 грн
127+7.03 грн
348+6.65 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1381KVE33-133AXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1381KVE33-133AXM INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1383KVE33-133AXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4007WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS4004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.41 грн
29+13.46 грн
35+11.16 грн
52+7.42 грн
100+6.43 грн
196+4.54 грн
539+4.30 грн
3000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDABHV030 INFINEON TECHNOLOGIES CYPR-S-A0005170124-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; HyperBus; 100MHz; 1.7÷1.95V; FBGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: HyperBus
Operating frequency: 100MHz
Operating voltage: 1.7...1.95V
Case: FBGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT020N10N3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5LF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3915TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS806NEH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
23+17.12 грн
31+12.46 грн
59+6.51 грн
212+4.20 грн
583+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV25-250AXC INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.5V DC
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV25-250AXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.5V DC
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0503NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BA885E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19...0.45pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
89+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTN8962TA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.20 грн
4+248.46 грн
11+234.70 грн
100+225.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.28 грн
11+35.01 грн
25+29.82 грн
40+22.63 грн
109+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC109N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7084TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7005WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
38+10.17 грн
48+8.10 грн
57+6.71 грн
100+5.57 грн
291+3.06 грн
800+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.98 грн
8+122.32 грн
21+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP INFINEON TECHNOLOGIES irf3805s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF3610STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF IRFH4234TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh4234pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
24+16.36 грн
100+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA95R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.85 грн
10+66.51 грн
16+61.16 грн
42+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 TLE7258SJXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE7258.pdf Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
DC supply current: 3mA
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.16 грн
10+54.89 грн
26+34.71 грн
71+32.80 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+42.81 грн
14+29.13 грн
50+22.71 грн
65+13.91 грн
178+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB035N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA105N15N3GXKSA1 IPA105N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA105N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 37A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.5W
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.11 грн
3+342.49 грн
4+266.81 грн
10+251.52 грн
100+242.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC105N10LSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGCM04G60HA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196K1024AAXQMA1 XMC4800E196K1024AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 200kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Case: PG-LFBGA-196
Operating temperature: -40...125°C
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Memory: 200kB SRAM; 1MB FLASH
Supply voltage: 3.3V DC
Number of inputs/outputs: 155
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196K1536AAXQMA1 XMC4800E196K1536AAXQMA1 INFINEON TECHNOLOGIES XMC4700-4800-DTE.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Case: PG-LFBGA-196
Supply voltage: 3.3V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 155
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+325.20 грн
3+266.81 грн
4+230.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.86 грн
3+215.59 грн
6+160.54 грн
16+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+41.16 грн
42+21.64 грн
114+20.49 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148E6327 BCR148.pdf
BCR148E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 47kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 100MHz
на замовлення 7265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
74+5.63 грн
100+4.71 грн
248+3.62 грн
250+3.61 грн
680+3.41 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185E6327 BCR185.pdf
BCR185E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Frequency: 200MHz
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
92+4.51 грн
102+3.76 грн
250+3.33 грн
310+2.88 грн
851+2.73 грн
3000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF.pdf
IRFL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP322PH6327XTSA1 BSP322PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP322PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.39 грн
11+35.17 грн
25+31.65 грн
36+25.53 грн
99+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXA Infineon-CY15B004J_4-Kbit_(512_x_8)_Serial_(I2C)_Automotive-A_F-RAM-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3263c6a2f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXAT Infineon-CY15B004J_4-Kbit_(512_x_8)_Serial_(I2C)_Automotive-A_F-RAM-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee3263c6a2f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXE Infineon-CY15B004J_4_KBIT_(512_X_8)_SERIAL_(I2C)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee394036a67&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 3.4MHz
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004J-SXET Infineon-CY15B004J_4_KBIT_(512_X_8)_SERIAL_(I2C)_AUTOMOTIVE-E_F-RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee394036a67&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; I2C; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 3.4MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 3.4MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B004Q-SXET CY15B004Q_RevC_6-4-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 3÷3.6VDC; 16MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SOIC8
Supply voltage: 3...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 16MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED21844S06JXUMA1 Infineon-2ED2184-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d76cf229fb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...2.5A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V
Voltage class: 650V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.94 грн
6+159.78 грн
16+151.37 грн
50+145.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR2280AZXKLA1 ICE5QRxxxxAx.pdf
ICE5QR2280AZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.4A
Frequency: 20kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...80%
Power: 41/22W
Application: SMPS
Operating voltage: 10...25.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500101TAEATMA1 BTS500101TAE.pdf
BTS500101TAEATMA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 40A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 40A
Case: PG-TO263-7-10
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.6mΩ
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Power PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Supply voltage: 8...18V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7769L2TRPBF irf7769l2pbf.pdf
IRF7769L2TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 124A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBF irfh8324pbf.pdf
IRFH8324TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMA BTS50085-1TMA.pdf
BTS50085-1TMA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO220-7-4
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3G-DTE.pdf
IPP200N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3314STRL auir3314.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a846b8134a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 18A; Ch: 1; N-Channel; SMD; D2PAK-5
Power dissipation: 2W
Case: D2PAK-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Output current: 18A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Application: automotive industry
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Operating temperature: -40...150°C
On-state resistance: 12mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
IPA70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 34A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181.pdf
BFR181E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Mounting: SMD
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.29 грн
19+20.56 грн
25+15.98 грн
100+10.70 грн
127+7.03 грн
348+6.65 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1381KVE33-133AXI Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1381KVE33-133AXM
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; TQFP100; parallel; in-tray
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 512kx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1383KVE33-133AXI Infineon-CY7C1381KV33_CY_7C1381KVE33_CY7C1383KV33_CY_7C1383KVE33_18-Mbit_(512_K_36_1_M_18)_Flow-Through_SRAM_(With_ECC)-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed61b255667&utm_source=cypress&utm_medium=referral&ut
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Frequency: 133MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR13N20DTRPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFR13N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007WH6327XTSA1 BAS4004E6327HTSA1.pdf
BAS4007WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT343
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.41 грн
29+13.46 грн
35+11.16 грн
52+7.42 грн
100+6.43 грн
196+4.54 грн
539+4.30 грн
3000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
S26KS512SDABHV030 CYPR-S-A0005170124-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Infineon-512-MB_(64_MB)_256-MB_(32_MB)_128-MB_(16_MB)_1.8_V_3.0_V_HYPERFLASH_FAMILY-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; HyperBus; 100MHz; 1.7÷1.95V; FBGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 512Mb FLASH
Interface: HyperBus
Operating frequency: 100MHz
Operating voltage: 1.7...1.95V
Case: FBGA24
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3-DTE.pdf
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5-dte.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF IPB020N10N5LF.pdf
IPB020N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF.pdf
IRLR3915TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1.pdf
BSS806NEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
23+17.12 грн
31+12.46 грн
59+6.51 грн
212+4.20 грн
583+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV25-250AXC download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.5V DC
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV25-250AXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 2.5V DC
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSI-DTE.pdf
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain current: 100A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BAx95-DTE.pdf
BA885E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19...0.45pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
89+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
BTN8962TAAUMA1 BTN8962TA.pdf
BTN8962TAAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.20 грн
4+248.46 грн
11+234.70 грн
100+225.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.28 грн
11+35.01 грн
25+29.82 грн
40+22.63 грн
109+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3G-DTE.pdf
BSC109N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7084TRPBF IRFH7084TRPBF.pdf
IRFH7084TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7005WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7005WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
38+10.17 грн
48+8.10 грн
57+6.71 грн
100+5.57 грн
291+3.06 грн
800+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF irf3805.pdf
IRF3805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.98 грн
8+122.32 грн
21+115.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRL-7PP irf3805s-7ppbf.pdf
IRF3805STRL-7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 240A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3610STRLPBF IRF3610STRLPBF.pdf
IRF3610STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 333W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF irfh4234pbf.pdf
IRFH4234TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 22A; 3.5W; PQFN5X6; FastIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 22A
Power dissipation: 3.5W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Trade name: FastIRFET
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
24+16.36 грн
100+16.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.85 грн
10+66.51 грн
16+61.16 грн
42+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7258SJXUMA1 TLE7258.pdf
TLE7258SJXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; 5.5÷18VDC; LIN; SMD; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Supply voltage: 5.5...18V DC
Interface: LIN
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Number of receivers: 1
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Number of transmitters: 1
DC supply current: 3mA
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.16 грн
10+54.89 грн
26+34.71 грн
71+32.80 грн
1000+31.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.81 грн
14+29.13 грн
50+22.71 грн
65+13.91 грн
178+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3G-DTE.pdf
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA105N15N3GXKSA1 IPA105N15N3G-DTE.pdf
IPA105N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 37A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 40.5W
Polarisation: unipolar
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.11 грн
3+342.49 грн
4+266.81 грн
10+251.52 грн
100+242.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFG-DTE.pdf
BSC105N10LSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 156W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM04G60HAXKMA1 IGCM04G60HA.pdf
IGCM04G60HAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge; ClPOS™ Mini,TRENCHSTOP™
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -4...4A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 21.8W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196K1024AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4800E196K1024AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 200kBSRAM,1024kBFLASH
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Case: PG-LFBGA-196
Operating temperature: -40...125°C
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Memory: 200kB SRAM; 1MB FLASH
Supply voltage: 3.3V DC
Number of inputs/outputs: 155
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4800E196K1536AAXQMA1 XMC4700-4800-DTE.pdf
XMC4800E196K1536AAXQMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-LFBGA-196; 276kBSRAM,1536kBFLASH
Case: PG-LFBGA-196
Supply voltage: 3.3V DC
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: CAN x6; EBI; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART
Number of inputs/outputs: 155
Integrated circuit features: clock gaiting; DSP; EEPROM emulation (DataFlash); RTC; watchdog
Number of A/D channels: 26
Kind of architecture: Cortex M4
Family: XMC4800
Memory: 276kB SRAM; 1.5MB FLASH
Operating temperature: -40...125°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6-DTE.pdf
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.20 грн
3+266.81 грн
4+230.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6-DTE.pdf
IPI60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.86 грн
3+215.59 грн
6+160.54 грн
16+152.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190C6XKSA1 IPA60R190C6-DTE.pdf
IPA60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6-DTE.pdf
IPI65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6-DTE.pdf
IPP65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R190C6ATMA1 IPW60R190C6_2_1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320d39d590121f895e912201a
IPB60R190C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+41.16 грн
42+21.64 грн
114+20.49 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]