Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149883) > Сторінка 2454 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DE9CE83C8194469&compId=IR2113STRPBF.pdf?ci_sign=f472be02cbac0b51bd26e1eb6c28c6572262f783 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.53 грн
10+97.85 грн
26+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327 BCV61CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04721884404F1A6F5005056AB5A8F&compId=bcv61.pdf?ci_sign=4d6a08eff3d6704cd395cd2fded12cf9d04fe558 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Case: SOT143
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+20.58 грн
26+14.75 грн
100+10.09 грн
127+7.11 грн
349+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+81.51 грн
10+62.08 грн
30+30.04 грн
82+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.43 грн
10+93.88 грн
22+40.98 грн
60+38.76 грн
800+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.10 грн
13+31.34 грн
46+19.57 грн
126+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.57 грн
10+65.67 грн
29+30.96 грн
80+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
50+28.21 грн
57+15.90 грн
155+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3994D95E88259&compId=ICE2QS03G.pdf?ci_sign=5a7acae89a2f3453ffa2cfcfc43e0c3387fa3a00 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Case: PG-DSO-8
Operating voltage: 10.5...25V DC
Frequency: 39...65kHz
Breakdown voltage: 500V
Type of integrated circuit: PMIC
Number of channels: 1
Application: SMPS
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...50%
Kind of integrated circuit: PWM controller
Topology: flyback
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.31 грн
10+82.56 грн
16+56.57 грн
44+53.51 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.33 грн
10+66.51 грн
24+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.20 грн
10+86.39 грн
19+48.93 грн
51+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
10+81.19 грн
27+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF IRF1010NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A56F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010n.pdf?ci_sign=2a254e785e882b9531549c4036747a933dac8b99 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.15 грн
10+77.21 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL AUIRF1010ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4853697639C4A16&compId=auirf1010z.pdf?ci_sign=dd32231763cd3a6e3872bd436d500a04346ee82c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.64 грн
10+145.25 грн
11+87.92 грн
28+83.33 грн
2000+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA IGCM15F60GA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889D861105B6113D1&compId=IGCM15F60GA.pdf?ci_sign=4868b5397603e1bff747b8a76eac22c60f1f2087 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Mounting: THT
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 29W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+879.28 грн
2+546.61 грн
5+516.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153DPBF IR2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2153DPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Turn-off time: 40ns
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Supply voltage: 10...15.6V DC
Turn-on time: 80ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.37 грн
5+132.26 грн
8+115.44 грн
22+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.60 грн
13+68.80 грн
36+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.11 грн
3+184.24 грн
8+127.67 грн
20+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.70 грн
10+170.48 грн
12+81.04 грн
31+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.48 грн
10+115.44 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.71 грн
10+123.85 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.26 грн
10+79.51 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.66 грн
10+102.44 грн
13+74.16 грн
34+69.57 грн
250+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S AUIRF1404S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4905LHALA1 TLE4905LHALA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE49x5L.PDF Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; P-SSO-3-2; 5÷18mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: 5...18mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE4945L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.21 грн
16+58.10 грн
25+57.34 грн
43+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
13+30.04 грн
15+26.60 грн
41+21.94 грн
112+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.04 грн
10+48.09 грн
35+25.46 грн
97+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Manufacturer series: F5
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.53 грн
9+110.09 грн
23+103.97 грн
100+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6A74C625D2A18&compId=IGP20N65H5.pdf?ci_sign=ec7766d73b28b459eeb33e2bffc09b2de180154f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Manufacturer series: H5
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.25 грн
8+120.02 грн
21+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.04 грн
3+224.76 грн
6+173.54 грн
15+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.46 грн
3+368.48 грн
4+282.10 грн
9+266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.86 грн
10+62.54 грн
30+30.73 грн
80+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.80 грн
10+61.92 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+96.33 грн
20+46.63 грн
53+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5913ED425910B&compId=2N7002DWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=89a4943aa43a9bcafe826a0a4bdeeb500cbf18f8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.96 грн
33+11.85 грн
50+7.92 грн
100+6.78 грн
340+2.63 грн
933+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irf2804s-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 BCR135E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E23AC7DD19DD45F1A303005056AB0C4F&compId=bcr135.pdf?ci_sign=f190940651e503aa918cf5d2d095221b489a28f9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
73+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT6202VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
41+9.40 грн
100+7.41 грн
194+4.62 грн
532+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 3559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.37 грн
59+6.50 грн
77+5.02 грн
91+4.24 грн
106+3.61 грн
356+2.51 грн
979+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.84 грн
5+112.38 грн
10+89.45 грн
28+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+194.30 грн
10+136.84 грн
17+54.28 грн
45+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.70 грн
10+149.84 грн
11+84.86 грн
29+80.27 грн
1600+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DE9CE83C8194469&compId=IR2113STRPBF.pdf?ci_sign=f472be02cbac0b51bd26e1eb6c28c6572262f783
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.53 грн
10+97.85 грн
26+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BCV61CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04721884404F1A6F5005056AB5A8F&compId=bcv61.pdf?ci_sign=4d6a08eff3d6704cd395cd2fded12cf9d04fe558
BCV61CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Mounting: SMD
Case: SOT143
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+20.58 грн
26+14.75 грн
100+10.09 грн
127+7.11 грн
349+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B35F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5305.pdf?ci_sign=656642a39f5b3170605577600e1ea658be004530
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+81.51 грн
10+62.08 грн
30+30.04 грн
82+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63DB1C1ECCF1A303005056AB0C4F&compId=irf5305spbf.pdf?ci_sign=8d8f60bc4dd0bfdf2437e18ae5f2bbd287da7428
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.43 грн
10+93.88 грн
22+40.98 грн
60+38.76 грн
800+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B4AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf530n.pdf?ci_sign=3fe7d72389eed6dc1666bcabcb3dc1c441724283
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.10 грн
13+31.34 грн
46+19.57 грн
126+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F652E69C517F1A303005056AB0C4F&compId=irf530nspbf.pdf?ci_sign=8a181d6b2621f4efdd3d8325d333bc87a5af599c
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.57 грн
10+65.67 грн
29+30.96 грн
80+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
50+28.21 грн
57+15.90 грн
155+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE3994D95E88259&compId=ICE2QS03G.pdf?ci_sign=5a7acae89a2f3453ffa2cfcfc43e0c3387fa3a00
ICE2QS03G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Case: PG-DSO-8
Operating voltage: 10.5...25V DC
Frequency: 39...65kHz
Breakdown voltage: 500V
Type of integrated circuit: PMIC
Number of channels: 1
Application: SMPS
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...50%
Kind of integrated circuit: PWM controller
Topology: flyback
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.31 грн
10+82.56 грн
16+56.57 грн
44+53.51 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.33 грн
10+66.51 грн
24+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.20 грн
10+86.39 грн
19+48.93 грн
51+46.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
10+81.19 грн
27+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A56F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010n.pdf?ci_sign=2a254e785e882b9531549c4036747a933dac8b99
IRF1010NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.15 грн
10+77.21 грн
18+51.99 грн
48+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B4853697639C4A16&compId=auirf1010z.pdf?ci_sign=dd32231763cd3a6e3872bd436d500a04346ee82c
AUIRF1010ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869762CB64190469&compId=BSP452.pdf?ci_sign=ceaaddcd856b9e1d561d870a432b99bb50dbb1b7
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.64 грн
10+145.25 грн
11+87.92 грн
28+83.33 грн
2000+80.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889D861105B6113D1&compId=IGCM15F60GA.pdf?ci_sign=4868b5397603e1bff747b8a76eac22c60f1f2087
IGCM15F60GA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Mounting: THT
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Power dissipation: 29W
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.28 грн
2+546.61 грн
5+516.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B713F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4110pbf.pdf?ci_sign=b56f43999b13464496cb594a44e3702eb31e478b
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153DPBF description IR2153DPBF.pdf
IR2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Turn-off time: 40ns
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Case: DIP8
Supply voltage: 10...15.6V DC
Turn-on time: 80ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.37 грн
5+132.26 грн
8+115.44 грн
22+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD65C1982C915EA&compId=IKP10N60T.pdf?ci_sign=3662fc1223253be4b0852eb3ea1462e0c0c8adde
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.60 грн
13+68.80 грн
36+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B332CC64E08FA8&compId=IGP30N60H3-DTE.pdf?ci_sign=58814dcd16264ce65d7c642553669d3049471ee2
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.11 грн
3+184.24 грн
8+127.67 грн
20+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.70 грн
10+170.48 грн
12+81.04 грн
31+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.48 грн
10+115.44 грн
13+73.39 грн
34+69.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.71 грн
10+123.85 грн
15+61.16 грн
41+57.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.26 грн
10+79.51 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.66 грн
10+102.44 грн
13+74.16 грн
34+69.57 грн
250+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4905LHALA1 TLE49x5L.PDF
TLE4905LHALA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; P-SSO-3-2; 5÷18mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: unipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: 5...18mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769
TLE4945L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Kind of sensor: bipolar
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.21 грн
16+58.10 грн
25+57.34 грн
43+55.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
13+30.04 грн
15+26.60 грн
41+21.94 грн
112+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47.3nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.04 грн
10+48.09 грн
35+25.46 грн
97+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 42A
Manufacturer series: F5
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.53 грн
9+110.09 грн
23+103.97 грн
100+100.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6A74C625D2A18&compId=IGP20N65H5.pdf?ci_sign=ec7766d73b28b459eeb33e2bffc09b2de180154f
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 21A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
Manufacturer series: H5
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.25 грн
8+120.02 грн
21+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.04 грн
3+224.76 грн
6+173.54 грн
15+164.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.46 грн
3+368.48 грн
4+282.10 грн
9+266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.86 грн
10+62.54 грн
30+30.73 грн
80+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.19 грн
10+95.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.80 грн
10+61.92 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.19 грн
10+96.33 грн
20+46.63 грн
53+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5913ED425910B&compId=2N7002DWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=89a4943aa43a9bcafe826a0a4bdeeb500cbf18f8
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
на замовлення 1351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.96 грн
33+11.85 грн
50+7.92 грн
100+6.78 грн
340+2.63 грн
933+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP irf2804s-7ppbf.pdf
IRF2804STRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573
SPW47N65C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E23AC7DD19DD45F1A303005056AB0C4F&compId=bcr135.pdf?ci_sign=f190940651e503aa918cf5d2d095221b489a28f9
BCR135E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
73+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e
BAT6202VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC79
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 20mA
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
41+9.40 грн
100+7.41 грн
194+4.62 грн
532+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 3559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+10.37 грн
59+6.50 грн
77+5.02 грн
91+4.24 грн
106+3.61 грн
356+2.51 грн
979+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.84 грн
5+112.38 грн
10+89.45 грн
28+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.30 грн
10+136.84 грн
17+54.28 грн
45+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.70 грн
10+149.84 грн
11+84.86 грн
29+80.27 грн
1600+77.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]