Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149602) > Сторінка 2449 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E00C6D1B8DA469&compId=BAT60BE6327HTSA1.pdf?ci_sign=441728a00897fed1bb4048a2445b2375ec671b6c Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.61 грн
30+13.62 грн
50+10.13 грн
100+8.95 грн
153+6.10 грн
421+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R BTS452R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69EE604B660BACFA8&compId=BTS452R-DTE.pdf?ci_sign=b267e80bbe61e6651960ff2d69f4b2da6e19fb4a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.40 грн
10+94.21 грн
28+88.67 грн
250+87.09 грн
500+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 BAV70SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+8.36 грн
83+4.78 грн
210+4.46 грн
250+4.26 грн
576+4.21 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB816C40A9AA469&compId=BAV99SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7841fb4160d2a365fb52354be87bec42fd0eebfe Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.79 грн
37+10.77 грн
39+10.21 грн
43+9.41 грн
100+8.03 грн
205+4.58 грн
500+4.57 грн
562+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF IRS2092STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991B35094D5D3F8BF&compId=IRS2092.pdf?ci_sign=d30561b8f2167b835e01440d97d321cfe7659908 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800kHz
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+210.60 грн
7+142.51 грн
19+134.59 грн
25+133.80 грн
50+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+51.16 грн
12+35.47 грн
50+26.76 грн
52+18.21 грн
142+17.18 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BCEF05BD07A745&compId=IRS20752ltrpbf.pdf?ci_sign=ef2d046c3868bd8f5a439bd44dd071464cf6744b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
Turn-off time: 255ns
Turn-on time: 225ns
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.57 грн
10+45.13 грн
25+42.12 грн
27+34.84 грн
74+32.94 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+177.34 грн
5+140.13 грн
10+125.88 грн
14+70.46 грн
37+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.06 грн
9+107.67 грн
24+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
27+15.04 грн
50+11.48 грн
100+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.75 грн
10+86.30 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF IRF3415STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.06 грн
10+127.47 грн
17+56.21 грн
46+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+200.36 грн
10+102.13 грн
26+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 BCP5216H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5BB543851E469&compId=BCP5216H6327XTSA1.pdf?ci_sign=32661be25e0eb08e39efe4bf55c87c5ce197e855 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 ICE3A2065ELJFKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC193F4FA82D3D7&compId=ICE3A2065ELJ.pdf?ci_sign=3990ab0fbb34ff3915c4f3824fd7bec35a4aa8f9 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
Output current: 10.3A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.73 грн
5+125.09 грн
9+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
 		ICE3AR0680JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC197E0F7F093D7&compId=ICE3AR0680JZ.pdf?ci_sign=e5a5a2a41e0d97336de868e16e9987b775cba6af Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Mounting: THT
Power: 82/52W
Operating temperature: -25...130°C
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...75%
Number of channels: 1
Output current: 20A
Operating voltage: 10.5...25V DC
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP7
Topology: flyback
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.68 грн
5+197.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.42 грн
10+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 SPW35N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58BF0F14026474A&compId=SPW35N60C3.pdf?ci_sign=d5cc3f9b644bd5805b4f67199468e72689a460cc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 290A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: TO247AC
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.36 грн
5+188.43 грн
14+178.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.78 грн
15+62.55 грн
42+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF118D59B2D95EA&compId=IRLML6402TRPBF.pdf?ci_sign=cbdcaee48cfc20dd66c36e8dc65e96f5bc0941ff Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 21567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.43 грн
24+16.94 грн
50+11.56 грн
100+9.90 грн
186+5.07 грн
508+4.75 грн
9000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.82 грн
10+56.37 грн
25+49.32 грн
40+23.83 грн
108+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.42 грн
6+184.47 грн
14+174.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.70 грн
10+47.66 грн
25+42.04 грн
47+19.95 грн
129+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.62 грн
10+113.22 грн
17+57.00 грн
46+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.59 грн
5+166.26 грн
9+109.26 грн
24+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF IRF5210STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 BAS140WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF27ED36718469&compId=BAS140WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=b32bb421919227b430b9bf5b53efb00a9a0502fa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
29+13.93 грн
100+8.50 грн
268+3.48 грн
737+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 ICE2QR0665XKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...24V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.23 грн
5+133.01 грн
8+125.09 грн
10+122.72 грн
21+117.97 грн
25+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A176919833F1A303005056AB0C4F&compId=irf7389pbf.pdf?ci_sign=33486cc5a79142c2d9ae938ef43a9f134b5aef0b description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.89 грн
5+163.09 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
25+121.13 грн
50+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.59 грн
9+108.46 грн
24+102.92 грн
50+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.46 грн
10+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.13 грн
9+107.67 грн
24+102.13 грн
100+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.69 грн
9+109.26 грн
24+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.66 грн
10+74.98 грн
20+64.76 грн
36+26.60 грн
97+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 BAR81WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.24 грн
18+22.48 грн
25+19.95 грн
54+17.50 грн
147+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 BAS28WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT343; 250mW; reel,tape
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
55+7.76 грн
100+6.49 грн
183+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 BC847CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.46 грн
29+13.86 грн
100+7.93 грн
250+6.22 грн
309+3.03 грн
500+3.02 грн
848+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 BC849CWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
79+5.41 грн
148+2.69 грн
165+2.41 грн
197+2.01 грн
250+1.81 грн
500+1.67 грн
673+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 BC858CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
220+1.94 грн
278+1.43 грн
296+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 BC860CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5C7A678BAC469&compId=BC860CWH6327.pdf?ci_sign=089acfec796841105af32fdb8af9d00879956a20 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.80 грн
100+3.98 грн
250+3.52 грн
310+3.05 грн
845+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 BCR108WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.25 грн
85+4.91 грн
100+4.41 грн
280+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 BCR116WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.40 грн
90+4.66 грн
100+4.20 грн
295+3.21 грн
800+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 BCR129WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A30C55F6E469&compId=BCR129.pdf?ci_sign=9d2fde11dd5e1f6f9d964f9ce96dfdb605cdc8bf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1
+1
 		ICE2A180ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD6564F9B8095EA&compId=ICE2A265.pdf?ci_sign=b24b004e9b31a188c10f6a1d3585527c36658a70 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Power: 29/17W
Output current: 4.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 ICE2QS02GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE39D498D700259&compId=ICE2QS02G.pdf?ci_sign=e4bd689e7d7905ed242b81dfcdc4240d74f0894e Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.23 грн
10+64.92 грн
17+57.00 грн
45+53.84 грн
50+53.04 грн
100+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 ICE3BR0665JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492A96FF2A258BF&compId=ICE3BR0665J.pdf?ci_sign=2485ba497152d65b19cbd6488c3afc8c6cbd4e28 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 4.8A
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.00 грн
8+133.01 грн
10+132.22 грн
20+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 ICE3BR1765JXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492B90DB14E18BF&compId=ICE3BR1765J.pdf?ci_sign=b06ecb24355917be2440a416b519d692a3668673 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 1.5A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR0665JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR1765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9949306FB11E998BF&compId=ICE3RBR1765JZ.pdf?ci_sign=51e37586229cebaa7e3a4060c0ad23c8a6fdf5ec Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
 		ICE3RBR4765JZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492F6789822D8BF&compId=ICE3RBR4765JZ.pdf?ci_sign=ede773950aa5318fcee8c2f31f82a013a22b1219 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 26/18W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7D4FE1A26C0C4&compId=FP40R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=0aa9bc43484615c4a3a0a984a8b9b20af98dcae6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 BSC0906NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.86 грн
12+33.09 грн
25+25.49 грн
41+22.96 грн
50+22.88 грн
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+210.60 грн
10+118.76 грн
11+91.05 грн
29+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12 Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: low noise
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Noise Figure: 0.55dB
Operating voltage: 1.5...3.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697CD6C94488469&compId=BTS640S2G.pdf?ci_sign=6ab6339076f7ce3792ac6be94012d605c8ecfe8b Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+463.82 грн
5+220.10 грн
12+208.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E00C6D1B8DA469&compId=BAT60BE6327HTSA1.pdf?ci_sign=441728a00897fed1bb4048a2445b2375ec671b6c
BAT60BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 3A; 1.35W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5A
Power dissipation: 1.35W
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.61 грн
30+13.62 грн
50+10.13 грн
100+8.95 грн
153+6.10 грн
421+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69EE604B660BACFA8&compId=BTS452R-DTE.pdf?ci_sign=b267e80bbe61e6651960ff2d69f4b2da6e19fb4a
BTS452R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 0.2Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 62V
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.40 грн
10+94.21 грн
28+88.67 грн
250+87.09 грн
500+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70SH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SOT363
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.36 грн
83+4.78 грн
210+4.46 грн
250+4.26 грн
576+4.21 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB816C40A9AA469&compId=BAV99SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=7841fb4160d2a365fb52354be87bec42fd0eebfe
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT363; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series x2
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.79 грн
37+10.77 грн
39+10.21 грн
43+9.41 грн
100+8.03 грн
205+4.58 грн
500+4.57 грн
562+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2092STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991B35094D5D3F8BF&compId=IRS2092.pdf?ci_sign=d30561b8f2167b835e01440d97d321cfe7659908
IRS2092STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 800kHz; 10÷18VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Frequency: 800kHz
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.60 грн
7+142.51 грн
19+134.59 грн
25+133.80 грн
50+129.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A28B5E97DEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7413zpbf.pdf?ci_sign=0a0941c7081f3ad0564ea06b4ffff92ce75b9dcf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.16 грн
12+35.47 грн
50+26.76 грн
52+18.21 грн
142+17.18 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BCEF05BD07A745&compId=IRS20752ltrpbf.pdf?ci_sign=ef2d046c3868bd8f5a439bd44dd071464cf6744b
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...18V DC
Number of channels: 1
Case: SOT23-6
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
Turn-off time: 255ns
Turn-on time: 225ns
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.57 грн
10+45.13 грн
25+42.12 грн
27+34.84 грн
74+32.94 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp064n.pdf?ci_sign=24f2d5c6c21e5e1e08dcd4962b305485e88e41fa
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+177.34 грн
5+140.13 грн
10+125.88 грн
14+70.46 грн
37+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.06 грн
9+107.67 грн
24+102.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
27+15.04 грн
50+11.48 грн
100+10.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AC26F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3415.pdf?ci_sign=6557a603b03ca9e53218ae6af91344f121c3305f
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.75 грн
10+86.30 грн
14+68.88 грн
38+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F6077C01015F1A303005056AB0C4F&compId=irf3415spbf.pdf?ci_sign=31c310c17ce697aea79e1cb7cb67885503cefcfc
IRF3415STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAAAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp150n.pdf?ci_sign=3d5f4181bac72740c14a3465f646a761c7e9dbee
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.06 грн
10+127.47 грн
17+56.21 грн
46+53.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.36 грн
10+102.13 грн
26+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5216H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5BB543851E469&compId=BCP5216H6327XTSA1.pdf?ci_sign=32661be25e0eb08e39efe4bf55c87c5ce197e855
BCP5216H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3A2065ELJFKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC193F4FA82D3D7&compId=ICE3A2065ELJ.pdf?ci_sign=3990ab0fbb34ff3915c4f3824fd7bec35a4aa8f9
ICE3A2065ELJFKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 10.3A; 100kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; 0÷75%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 57/28W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...26V DC
Output current: 10.3A
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.73 грн
5+125.09 грн
9+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3AR0680JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC197E0F7F093D7&compId=ICE3AR0680JZ.pdf?ci_sign=e5a5a2a41e0d97336de868e16e9987b775cba6af
ICE3AR0680JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Ubr: 800V
Mounting: THT
Power: 82/52W
Operating temperature: -25...130°C
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...75%
Number of channels: 1
Output current: 20A
Operating voltage: 10.5...25V DC
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Frequency: 0.1MHz
Case: DIP7
Topology: flyback
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.68 грн
5+197.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA11N60C3XKSA1 SPx11N60C3%20%28E8185%29.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 33W; PG-TO220 FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 33W
Case: PG-TO220 FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP11N60C3XKSA1 SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPP11N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.42 грн
10+97.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPW35N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58BF0F14026474A&compId=SPW35N60C3.pdf?ci_sign=d5cc3f9b644bd5805b4f67199468e72689a460cc
SPW35N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21.9A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+613.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Gate charge: 360nC
On-state resistance: 2.6mΩ
Power dissipation: 520W
Drain current: 290A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: TO247AC
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.36 грн
5+188.43 грн
14+178.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.78 грн
15+62.55 грн
42+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF118D59B2D95EA&compId=IRLML6402TRPBF.pdf?ci_sign=cbdcaee48cfc20dd66c36e8dc65e96f5bc0941ff
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 21567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.43 грн
24+16.94 грн
50+11.56 грн
100+9.90 грн
186+5.07 грн
508+4.75 грн
9000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N06LS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A580DBC045911820&compId=BSC100N06LS3G.pdf?ci_sign=5cfb9f41c9a01975b454eaf48ab23f5e8f178473
BSC100N06LS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.82 грн
10+56.37 грн
25+49.32 грн
40+23.83 грн
108+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+431.42 грн
6+184.47 грн
14+174.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A2B1BB2E2AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7416qpbf.pdf?ci_sign=48a07bb72ed8a46a228df4b109fde42c036d74c8
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.70 грн
10+47.66 грн
25+42.04 грн
47+19.95 грн
129+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B27F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf5210.pdf?ci_sign=e24ff7119c232139f774b544bfcb23e827bf91eb
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.62 грн
10+113.22 грн
17+57.00 грн
46+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.59 грн
5+166.26 грн
9+109.26 грн
24+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F63BDAE0B83F1A303005056AB0C4F&compId=irf5210spbf.pdf?ci_sign=aef361af186b2ab2efe08dbbe182c9255b6462e0
IRF5210STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS140WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF27ED36718469&compId=BAS140WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=b32bb421919227b430b9bf5b53efb00a9a0502fa
BAS140WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
29+13.93 грн
100+8.50 грн
268+3.48 грн
737+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR0665XKLA1 Datasheet_ICE2QR0665_v23_20100517.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77f9c03e6cb4&fileId=db3a3043271faefd012729aa8ec44dab
ICE2QR0665XKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP8; 10.5÷24VDC; SMPS; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Frequency: 39...65kHz
Operating voltage: 10.5...24V DC
Application: SMPS
Breakdown voltage: 650V
Input voltage: 85...265V
Topology: flyback
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.23 грн
5+133.01 грн
8+125.09 грн
10+122.72 грн
21+117.97 грн
25+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A176919833F1A303005056AB0C4F&compId=irf7389pbf.pdf?ci_sign=33486cc5a79142c2d9ae938ef43a9f134b5aef0b
IRF7389TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7.3/-5.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.3/-5.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.89 грн
5+163.09 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
25+121.13 грн
50+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.59 грн
9+108.46 грн
24+102.92 грн
50+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.46 грн
10+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.13 грн
9+107.67 грн
24+102.13 грн
100+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.69 грн
9+109.26 грн
24+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E7C7A9B11F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2905pbf.pdf?ci_sign=2678948371069aa0e6fedfa56080ab82371e6360
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 160A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 48nC
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.66 грн
10+74.98 грн
20+64.76 грн
36+26.60 грн
97+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR81WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A26A2DA3067820&compId=BAR81.pdf?ci_sign=34e0f73e30b0ee29a7b8a6b9fc44f6096ce0a755
BAR81WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; 100mW; SOT343; single diode; 80ns
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.24 грн
18+22.48 грн
25+19.95 грн
54+17.50 грн
147+16.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501
BAS28WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT343; 250mW; reel,tape
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. off-state voltage: 85V
Semiconductor structure: double independent
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Type of diode: switching
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
55+7.76 грн
100+6.49 грн
183+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC847CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 4972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.46 грн
29+13.86 грн
100+7.93 грн
250+6.22 грн
309+3.03 грн
500+3.02 грн
848+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC849CWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC849CWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 420...800
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
79+5.41 грн
148+2.69 грн
165+2.41 грн
197+2.01 грн
250+1.81 грн
500+1.67 грн
673+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
BC858CWH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5D86C44C46469&compId=BC858CE6327.pdf?ci_sign=7c27749c1f60ff8d290e078d17a86fc2c435f1a4
BC858CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 30V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
220+1.94 грн
278+1.43 грн
296+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 220
В кошику  од. на суму  грн.
BC860CWH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5C7A678BAC469&compId=BC860CWH6327.pdf?ci_sign=089acfec796841105af32fdb8af9d00879956a20
BC860CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.25W; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
75+5.80 грн
100+3.98 грн
250+3.52 грн
310+3.05 грн
845+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BCR108WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5B049F6A4C469&compId=BCR108WH6327.pdf?ci_sign=58732ba021c9565fcb414c0386fdb19d5190b150
BCR108WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.25 грн
85+4.91 грн
100+4.41 грн
280+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35
BCR116WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.40 грн
90+4.66 грн
100+4.20 грн
295+3.21 грн
800+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BCR129WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A30C55F6E469&compId=BCR129.pdf?ci_sign=9d2fde11dd5e1f6f9d964f9ce96dfdb605cdc8bf
BCR129WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Frequency: 150MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2A180ZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD6564F9B8095EA&compId=ICE2A265.pdf?ci_sign=b24b004e9b31a188c10f6a1d3585527c36658a70
ICE2A180ZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.1A; 100kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷77%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 0.1MHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 800V
Duty cycle factor: 0...77%
Application: SMPS
Operating voltage: 8.5...21V DC
Power: 29/17W
Output current: 4.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS02GXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFE39D498D700259&compId=ICE2QS02G.pdf?ci_sign=e4bd689e7d7905ed242b81dfcdc4240d74f0894e
ICE2QS02GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 20÷150kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 20...150kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.23 грн
10+64.92 грн
17+57.00 грн
45+53.84 грн
50+53.04 грн
100+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR0665JXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492A96FF2A258BF&compId=ICE3BR0665J.pdf?ci_sign=2485ba497152d65b19cbd6488c3afc8c6cbd4e28
ICE3BR0665JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 4.8A; 67kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 67kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...80%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 4.8A
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.00 грн
8+133.01 грн
10+132.22 грн
20+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3BR1765JXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492B90DB14E18BF&compId=ICE3BR1765J.pdf?ci_sign=b06ecb24355917be2440a416b519d692a3668673
ICE3BR1765JXKLA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 1.5A; 65kHz; Ch: 1; DIP8; flyback; Ubr: 650V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP8
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
Output current: 1.5A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR0665JZXKLA1 INFNS27653-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3RBR0665JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 71/47W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR1765JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9949306FB11E998BF&compId=ICE3RBR1765JZ.pdf?ci_sign=51e37586229cebaa7e3a4060c0ad23c8a6fdf5ec
ICE3RBR1765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 44/29W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE3RBR4765JZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492F6789822D8BF&compId=ICE3RBR4765JZ.pdf?ci_sign=ede773950aa5318fcee8c2f31f82a013a22b1219
ICE3RBR4765JZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 65kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; Uin: 85÷265V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 650V
Duty cycle factor: 0...75%
Power: 26/18W
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA90E7D4FE1A26C0C4&compId=FP40R12KT3BOSA1.pdf?ci_sign=0aa9bc43484615c4a3a0a984a8b9b20af98dcae6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0906NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875B1D58D0211C&compId=BSC0906NS-DTE.pdf?ci_sign=86654d924452c6631898cc76a12dd5eb308b8719
BSC0906NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.86 грн
12+33.09 грн
25+25.49 грн
41+22.96 грн
50+22.88 грн
100+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6B1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb3077pbf.pdf?ci_sign=eb560ed04d0f30ce819df2a516ae68749dafec84
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+210.60 грн
10+118.76 грн
11+91.05 грн
29+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BGA524N6E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD84AD79882F6640D2&compId=BGA524N6.pdf?ci_sign=71cefdfaa396b54cd6f68001cfc818fd4743cc12
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: RF amplifier; 1550÷1615MHz; Ch: 1; 1.5÷3.3V; TSNP6; reel,tape
Type of integrated circuit: RF amplifier
Bandwidth: 1550...1615MHz
Mounting: SMT
Number of channels: 1
Case: TSNP6
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: low noise
Application: global navigation satellite systems (GPS)
Noise Figure: 0.55dB
Operating voltage: 1.5...3.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697CD6C94488469&compId=BTS640S2G.pdf?ci_sign=6ab6339076f7ce3792ac6be94012d605c8ecfe8b
BTS640S2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.82 грн
5+220.10 грн
12+208.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]