Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148388) > Сторінка 2448 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.98 грн
10+61.16 грн
19+50.46 грн
50+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD12CN10NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.67 грн
10+82.56 грн
14+68.80 грн
37+64.98 грн
100+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R600P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR8314TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.43 грн
10+79.28 грн
20+45.26 грн
55+42.73 грн
1000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R900P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R900P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005B02VH6327XTSA1 BAS3005B02VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS3005B02VH6327XT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 30V; 0.5A
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC79
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.29 грн
39+9.86 грн
100+8.03 грн
140+6.42 грн
384+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5030-1EJA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Case: PG-DSO-8
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.9W
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.96 грн
5+116.97 грн
10+96.33 грн
26+91.74 грн
500+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6133D.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.15 грн
7+127.67 грн
20+120.79 грн
1000+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D BTS6143D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6143D.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.68 грн
8+120.79 грн
21+114.67 грн
1000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBF IRFSL3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF IRFH7914TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7914pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLS4030TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT215N22KOF TT215N22KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT215N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 215A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 7kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
59+7.08 грн
97+3.98 грн
126+3.04 грн
403+2.22 грн
1106+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.32 грн
10+72.70 грн
20+47.86 грн
53+45.26 грн
500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR450E6327HTSA1 BCR450E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr450.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a304314dca38901156008609e1dc9 Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SC74
Output current: 0.07...2.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 8...27V DC
Topology: single transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8064.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FF45MR12W1M1B11.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6218.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R750P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
13+29.43 грн
32+28.36 грн
50+25.84 грн
87+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7006WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common anode; double
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+15.64 грн
48+8.03 грн
100+5.28 грн
319+2.80 грн
877+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1EDN7550B.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23-6
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -8...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: single transistor
Voltage class: 80V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62.57 грн
10+51.22 грн
25+35.93 грн
69+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF IRLMS1902TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms1902pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF IRLMS1503TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms1503pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4010pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.09 грн
8+126.14 грн
20+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF IRS2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2104.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.56 грн
5+92.50 грн
13+73.39 грн
34+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0909NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+22.48 грн
25+18.42 грн
54+17.28 грн
100+16.59 грн
147+16.36 грн
250+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR315PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.93 грн
18+21.41 грн
50+17.35 грн
80+11.24 грн
219+10.63 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ24NPBF IRFIZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz24n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.62 грн
10+73.31 грн
20+46.25 грн
54+43.73 грн
100+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS84P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.00 грн
49+7.95 грн
61+6.36 грн
100+5.73 грн
250+4.98 грн
397+2.26 грн
1090+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB65R099C6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL65R099C7-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6404WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
31+12.38 грн
39+9.94 грн
50+8.18 грн
100+6.80 грн
197+4.51 грн
540+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.94 грн
35+11.01 грн
50+8.03 грн
100+7.11 грн
176+5.05 грн
484+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380FH6327 BFR380FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR380FH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.17 грн
20+19.42 грн
100+11.62 грн
104+8.64 грн
284+8.18 грн
500+8.10 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC093N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.63 грн
31+30.66 грн
83+28.97 грн
250+28.36 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR380L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.29 грн
32+12.16 грн
100+8.56 грн
157+5.66 грн
431+5.35 грн
10000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Output current: -7...2A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+19.76 грн
40+9.56 грн
100+7.06 грн
228+3.91 грн
625+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7734TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 56A
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.53 грн
11+86.39 грн
29+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2184.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2453d.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Output current: -260...180mA
Supply voltage: 10...16.6V DC
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Power: 1W
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Topology: H-bridge
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.67 грн
10+87.15 грн
13+68.80 грн
36+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Capacitance: 0.5pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: PIN; RF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ430N22KOF TZ430N22KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ430N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB501-1
Gate current: 300mA
Max. forward impulse current: 14kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: BG-PB501-1
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.78V
Load current: 430A
Semiconductor structure: single thyristor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13994.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOFHPSA3 INFINEON TECHNOLOGIES TT425N16KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: BG-PB60AT-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 471A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+23118.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFIR23 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 55ns; TSOP48; parallel
Case: TSOP48
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Kind of memory: NOR Flash
Access time: 55ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 8Mb FLASH
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHA020 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI010 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LG-DTE.pdf
IPP039N04LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.98 грн
10+61.16 грн
19+50.46 грн
50+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NG-DTE.pdf
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.67 грн
10+82.56 грн
14+68.80 грн
37+64.98 грн
100+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R600P7SAUMA1 IPD70R600P7S.pdf
IPD70R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; 43.1W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43.1W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR8314TRPBF IRFR8314TRPBF.pdf
IRFR8314TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 127A; 125W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 127A
Power dissipation: 125W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.43 грн
10+79.28 грн
20+45.26 грн
55+42.73 грн
1000+41.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7.pdf
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7.pdf
IPN80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3005B02VH6327XTSA1 BAS3005B02VH6327XT.pdf
BAS3005B02VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 30V; 0.5A
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SC79
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.29 грн
39+9.86 грн
100+8.03 грн
140+6.42 грн
384+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5030-1EJA BTS5030-1EJA.pdf
BTS5030-1EJA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Supply voltage: 5...28V DC
Technology: PROFET™+ 12V
On-state resistance: 60mΩ
Case: PG-DSO-8
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 1.9W
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.96 грн
5+116.97 грн
10+96.33 грн
26+91.74 грн
500+87.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6133D BTS6133D.pdf
BTS6133D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 8mΩ
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.15 грн
7+127.67 грн
20+120.79 грн
1000+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6143D description BTS6143D.pdf
BTS6143D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 33A; Ch: 1; N-Channel; SMD; DPAK5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 33A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DPAK5
Supply voltage: 5.5...38V DC
Technology: High Current PROFET
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.68 грн
8+120.79 грн
21+114.67 грн
1000+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFSL3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 210A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7914TRPBF irfh7914pbf.pdf
IRFH7914TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15A; 3.1W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF.pdf
IRLS4030TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT215N22KOF TT215N22KOF.pdf
TT215N22KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Type of module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 215A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 7kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
59+7.08 грн
97+3.98 грн
126+3.04 грн
403+2.22 грн
1106+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf
IRF7842TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 18A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.32 грн
10+72.70 грн
20+47.86 грн
53+45.26 грн
500+43.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BCR450E6327HTSA1 bcr450.pdf?folderId=db3a30431400ef68011407a9cfc70181&fileId=db3a304314dca38901156008609e1dc9
BCR450E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; current regulator,LED driver
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SC74
Output current: 0.07...2.5A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 8...27V DC
Topology: single transistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFSL4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4.pdf
FF200R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Mechanical mounting: screw
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8064.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11.pdf
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6218.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7S.pdf
IPAN70R750P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
13+29.43 грн
32+28.36 грн
50+25.84 грн
87+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7006WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7006WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: common anode; double
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+15.64 грн
48+8.03 грн
100+5.28 грн
319+2.80 грн
877+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550B.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23-6
Supply voltage: 4.5...20V
Output current: -8...4A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: single transistor
Voltage class: 80V
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.57 грн
10+51.22 грн
25+35.93 грн
69+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1902TRPBF irlms1902pbf.pdf
IRLMS1902TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS1503TRPBF description irlms1503pbf.pdf
IRLMS1503TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF description irfs4010pbf.pdf
IRFSL4010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.09 грн
8+126.14 грн
20+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2104SPBF irs2104.pdf
IRS2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 185ns
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
5+92.50 грн
13+73.39 грн
34+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0909NSATMA1 BSC0909NS-DTE.pdf
BSC0909NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+22.48 грн
25+18.42 грн
54+17.28 грн
100+16.59 грн
147+16.36 грн
250+15.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1.pdf
BSR315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.93 грн
18+21.41 грн
50+17.35 грн
80+11.24 грн
219+10.63 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ24NPBF irfiz24n.pdf
IRFIZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 13A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.62 грн
10+73.31 грн
20+46.25 грн
54+43.73 грн
100+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS84PH6327XTSA2 BSS84P.pdf
BSS84PH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
On-state resistance: 8Ω
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 0.37nC
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.00 грн
49+7.95 грн
61+6.36 грн
100+5.73 грн
250+4.98 грн
397+2.26 грн
1090+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPB65R099C6ATMA1 IPB65R099C6-DTE.pdf
IPB65R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R099C7AUMA1 IPL65R099C7-DTE.pdf
IPL65R099C7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R099C6XKSA1 IPP65R099C6-DTE.pdf
IPP65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 4195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
31+12.38 грн
39+9.94 грн
50+8.18 грн
100+6.80 грн
197+4.51 грн
540+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
на замовлення 10240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.94 грн
35+11.01 грн
50+8.03 грн
100+7.11 грн
176+5.05 грн
484+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380FH6327 BFR380FH6327-dte.pdf
BFR380FH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSFP-3
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.17 грн
20+19.42 грн
100+11.62 грн
104+8.64 грн
284+8.18 грн
500+8.10 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N04LSGATMA1 BSC093N04LSG-DTE.pdf
BSC093N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.63 грн
31+30.66 грн
83+28.97 грн
250+28.36 грн
500+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327 BFR380L3E6327-dte.pdf
BFR380L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 0.38W
Case: TSLP-3-1
Kind of package: reel; tape
Frequency: 14GHz
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 80mA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.29 грн
32+12.16 грн
100+8.56 грн
157+5.66 грн
431+5.35 грн
10000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Voltage class: 200V
Operating temperature: -40...125°C
Power: 625mW
Supply voltage: 11.4...18V DC
Output current: -7...2A
Type of integrated circuit: driver
Application: SMPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004WH6327XTSA1 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7004WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+19.76 грн
40+9.56 грн
100+7.06 грн
228+3.91 грн
625+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF.pdf
IRFS7734TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 180nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 47A; Idm: 280A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 56A
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.53 грн
11+86.39 грн
29+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184STRPBF irs2184.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2453DSTRPBF irs2453d.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge; SO14; -260÷180mA; 1W; Ch: 4; 10÷16.6VDC; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side
Output current: -260...180mA
Supply voltage: 10...16.6V DC
Case: SO14
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Power: 1W
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
Number of channels: 4
Kind of package: reel; tape
Topology: H-bridge
Voltage class: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094SPBF.pdf
IR21094STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.67 грн
10+87.15 грн
13+68.80 грн
36+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Mounting: SMD
Case: SC79
Capacitance: 0.5pF
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward voltage: 1V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: varicap
Features of semiconductor devices: PIN; RF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZ430N22KOF TZ430N22KOF.pdf
TZ430N22KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 2.2kV; 430A; BG-PB501-1
Gate current: 300mA
Max. forward impulse current: 14kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: BG-PB501-1
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.78V
Load current: 430A
Semiconductor structure: single thyristor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13994.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOF.pdf
TT425N16KOFHPSA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 471A; BG-PB60AT-1; screw
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: thyristor
Case: BG-PB60AT-1
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 471A
Semiconductor structure: double series
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23118.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29AL008J55TFIR23 Infineon-S29AL008J_8_Mbit_(1M_x_8_Bit_512K_x_16_Bit)_3_V_Boot_Sector_Flash-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6a3835734&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-fi
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 55ns; TSOP48; parallel
Case: TSOP48
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Kind of memory: NOR Flash
Access time: 55ns
Kind of package: reel; tape
Kind of interface: parallel
Memory: 8Mb FLASH
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHA020
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB020 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHB023 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S10DHI010 Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 256MbFLASH; CFI,parallel; 100ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR Flash
Memory: 256Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 100ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]