Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149883) > Сторінка 2452 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CY9AFB41MABGL-GK9E1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
CY9AFB41MAPMC-G-JNE2 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
TZ150N26KOFHPSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
CY9AFA42LAQN-G-AVE2 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
SAF-C164CI-8EM CB | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SAFC164CILMCA+ | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SAF-C164CI-8EM DB | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
CYT2B63BADES | Infineon Technologies | CYT2B63BADES |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
CYT2B73CADES | Infineon Technologies | CYT2B73CADES |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
BTN7970B | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSB165N15NZ3GXUMA3 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSB165N15NZ3GXUMA2 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
CY5677 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SLB9672VU20FW1523XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SLB9672AU20FW1610XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SLB9672XU20FW1523XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
SLB9672XU20FW1613XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SLB9672AU20FW1612XTMA1 | Infineon Technologies | SP005750322 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
SLB9672AU20FW1613XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
SLB9672VU20FW1522XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IPTC025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IPT025N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
ISC055N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
ISC044N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IPF026N15NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
IPP089N15NM6AKSA1 | Infineon Technologies | IPP089N15NM6AKSA1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
T3401N33TOFS20XPSA1 | Infineon Technologies | SP000091136 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
BSL215C H6327 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
![]() |
IGB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 170W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IKB20N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 28A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IKP20N60H3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 85W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Manufacturer series: H3 Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 241ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IKP20N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 80A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 34.5W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPA20N60CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.1A Power dissipation: 35W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
SPB20N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.7A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPB20N60S5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRLML0030TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFR220NTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 43W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: DPAK |
на замовлення 1793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS1602VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SC79 Max. forward impulse current: 2.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 1.25V |
на замовлення 3291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS1603WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD323 Max. forward impulse current: 4.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 1.25V |
на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BAS16E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward impulse current: 4.5A Power dissipation: 0.37W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching Max. forward voltage: 1.25V |
на замовлення 13571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ48NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 94W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 54nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFZ48NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IRFB7545PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 95A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRLML5203TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BC857AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IKP15N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 52.5W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 38nC Manufacturer series: H5 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 18A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 166ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
IR2104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2104SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IR2104STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns |
на замовлення 1909 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
CY9AFB41MABGL-GK9E1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 96KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 96-Pin FBGA Tray
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 96KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 96-Pin FBGA Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY9AFB41MAPMC-G-JNE2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 96KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 80-Pin LQFP Tray
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 96KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 80-Pin LQFP Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
TZ150N26KOFHPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
SCR Module 2.6kV 4.5kA 4-Pin
SCR Module 2.6kV 4.5kA 4-Pin
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY9AFA42LAQN-G-AVE2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 160KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin QFN EP Tray
MCU 32-bit ARM Cortex M3 RISC 160KB Flash 2.5V/3.3V 64-Pin QFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SAF-C164CI-8EM CB |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP T/R
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SAFC164CILMCA+ |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC ROMLess 5V 80-Pin MQFP T/R
MCU 16-bit C166 CISC/RISC ROMLess 5V 80-Pin MQFP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SAF-C164CI-8EM DB |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP Tray
MCU 16-bit C166 CISC/RISC 64KB ROM 5V 80-Pin MQFP Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CYT2B63BADES |
Виробник: Infineon Technologies
CYT2B63BADES
CYT2B63BADES
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CYT2B73CADES |
Виробник: Infineon Technologies
CYT2B73CADES
CYT2B73CADES
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BTN7970B |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
H-Bridge Motor Driver Automotive AEC-Q100 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMBG40R036M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMBG40R025M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA3
BSB165N15NZ3GXUMA3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA2
BSB165N15NZ3GXUMA2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY5677 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672VU20FW1523XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672AU20FW1610XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672XU20FW1523XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
TPM
TPM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672XU20FW1613XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672AU20FW1612XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP005750322
SP005750322
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672AU20FW1613XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SLB9672VU20FW1522XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPTC025N15NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IPTC025N15NM6ATMA1
IPTC025N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPT025N15NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ISC055N15NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
ISC055N15NM6ATMA1
ISC055N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ISC044N15NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
ISC044N15NM6ATMA1
ISC044N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPF026N15NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IPF026N15NM6ATMA1
IPF026N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP089N15NM6AKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IPP089N15NM6AKSA1
IPP089N15NM6AKSA1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
T3401N33TOFS20XPSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
SP000091136
SP000091136
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSL215C H6327 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IGB20N60H3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 113.61 грн |
5+ | 94.03 грн |
13+ | 72.63 грн |
34+ | 68.80 грн |
IGP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.91 грн |
10+ | 90.97 грн |
11+ | 87.15 грн |
29+ | 82.56 грн |
250+ | 79.51 грн |
IGW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 160.54 грн |
8+ | 120.79 грн |
21+ | 114.67 грн |
IKB20N60H3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IKB20N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IKP20N60H3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 241ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IKP20N60TXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 174.54 грн |
8+ | 120.02 грн |
21+ | 113.14 грн |
IKW20N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.62 грн |
3+ | 243.11 грн |
5+ | 185.77 грн |
14+ | 175.83 грн |
IKW20N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 323.56 грн |
6+ | 162.84 грн |
16+ | 153.66 грн |
60+ | 152.90 грн |
120+ | 148.31 грн |
SPA20N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 328.49 грн |
5+ | 204.88 грн |
12+ | 194.18 грн |
SPA20N60CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
SPB20N60C3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 258.51 грн |
5+ | 183.48 грн |
14+ | 173.54 грн |
250+ | 171.25 грн |
SPB20N60S5 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 24.70 грн |
27+ | 14.30 грн |
100+ | 9.48 грн |
161+ | 5.58 грн |
441+ | 5.27 грн |
IRFR220NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: DPAK
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 65.86 грн |
10+ | 55.35 грн |
45+ | 20.18 грн |
122+ | 19.11 грн |
BAS1602VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
63+ | 6.59 грн |
81+ | 4.74 грн |
90+ | 4.28 грн |
107+ | 3.59 грн |
250+ | 3.23 грн |
306+ | 2.91 грн |
841+ | 2.76 грн |
3000+ | 2.65 грн |
BAS1603WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
45+ | 10.04 грн |
90+ | 4.28 грн |
100+ | 3.85 грн |
285+ | 3.16 грн |
780+ | 2.99 грн |
BAS16E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 1.25V
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 13571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
78+ | 5.30 грн |
90+ | 4.28 грн |
109+ | 3.52 грн |
122+ | 3.16 грн |
250+ | 2.93 грн |
350+ | 2.55 грн |
961+ | 2.42 грн |
3000+ | 2.40 грн |
IRFZ48NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 55.98 грн |
10+ | 46.33 грн |
32+ | 28.36 грн |
87+ | 26.83 грн |
IRFZ48NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFB7545PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 41.99 грн |
12+ | 33.64 грн |
34+ | 26.68 грн |
93+ | 25.23 грн |
500+ | 24.31 грн |
IRLML5203TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 32.11 грн |
21+ | 19.04 грн |
50+ | 13.15 грн |
100+ | 11.16 грн |
151+ | 5.89 грн |
415+ | 5.58 грн |
BC857AE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
145+ | 2.86 грн |
179+ | 2.14 грн |
209+ | 1.83 грн |
232+ | 1.65 грн |
250+ | 1.53 грн |
500+ | 1.45 грн |
703+ | 1.27 грн |
IRF9Z34NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 79.86 грн |
25+ | 35.32 грн |
37+ | 24.16 грн |
102+ | 22.86 грн |
IKP15N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 52.5W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 38nC
Manufacturer series: H5
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 166ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IR2104PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 235.46 грн |
8+ | 126.14 грн |
20+ | 119.26 грн |
IR2104SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 163.84 грн |
10+ | 93.27 грн |
11+ | 84.86 грн |
29+ | 80.27 грн |
IR2104STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 103.74 грн |
10+ | 62.61 грн |
20+ | 46.25 грн |
54+ | 43.73 грн |