Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149615) > Сторінка 2452 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS20957STRPBF IRS20957STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991C5A14E315F78BF&compId=IRS20957S.pdf?ci_sign=22bf15a378893f041d4941ea0b4aa473f9108955 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+208.04 грн
7+152.80 грн
10+150.43 грн
17+144.09 грн
25+140.93 грн
50+138.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.81 грн
7+136.18 грн
19+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF IRFS3207TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6B370EE5BF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3207pbf.pdf?ci_sign=9d5c11df231dd7c9061d11989f17acc39f514a7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BD2687D720A745&compId=IRFS4010TRLPBF.pdf?ci_sign=496ea67e3c29131ec26750b00389f7c763cf8c45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+557.61 грн
3+361.02 грн
8+342.02 грн
10+341.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58689C0D2E469&compId=BCR162.pdf?ci_sign=6c9bbf739143f7a57c3e9cac63723791f738730e Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5836521750469&compId=BCR166.pdf?ci_sign=3fa9723f756af0d24d4a7bd47786e2a7dde80b4b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.58 грн
27+15.04 грн
35+11.59 грн
100+9.03 грн
250+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.20 грн
5+128.26 грн
10+110.84 грн
16+60.17 грн
25+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF IRFP4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB1AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4227pbf.pdf?ci_sign=865a681e1ae387ed345fa57ca87cba44063b82e6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
5+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.03 грн
11+36.18 грн
25+32.78 грн
29+32.70 грн
50+30.64 грн
75+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+98.05 грн
10+65.47 грн
36+26.13 грн
98+24.70 грн
4000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D742CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7316q.pdf?ci_sign=af9bd21a38321e4c969ec22e73714e95cc759dd5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2D2486825F1A303005056AB0C4F&compId=irfb31n20dpbf.pdf?ci_sign=ed3075155006186cadb71ae9521f3327718e6583 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 340A
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.99 грн
17+23.67 грн
50+20.90 грн
58+16.31 грн
158+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2228120F8A1E7F1A303005056AB0C4F&compId=irlr8743pbf.pdf?ci_sign=13caac950d62003a7670c9a3bc787dc6b4dae60e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.22 грн
16+26.05 грн
25+24.46 грн
50+23.28 грн
51+18.45 грн
140+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1
+1
 		ICE2QR2280ZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9CA1DEB7370760C7&compId=ICE2QR2280Z.pdf?ci_sign=0afed20d41bae5cd14e264b6ccdd85b7a6c8c567 Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP7; 10.5÷25VDC; SMPS; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF IR2110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.86 грн
3+175.76 грн
7+133.80 грн
20+126.67 грн
250+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF IR2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.34 грн
10+102.13 грн
26+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFF28572095EA&compId=IR2110STRPBF.pdf?ci_sign=df9d8034c817d5f92fb697b53c8f2c84160d7ab0 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.43 грн
9+110.84 грн
24+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 IHW20N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC621B74C57820&compId=IHW20N135R5.pdf?ci_sign=3482e7577980c28fddc8870bc3e93fab375fa327 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+211.45 грн
8+121.92 грн
22+114.80 грн
60+113.22 грн
120+110.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 1EDN7512BXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA6801DE546FA40D3&compId=1EDN751x_1EDN851x.pdf?ci_sign=f7b6a61fa03f50b5c2e4aa8ce8e4947eacc724c2 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.52 грн
13+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B695F4D11F1A303005056AB0C4F&compId=irlml0040pbf.pdf?ci_sign=5d1842c3e30491551ce56d3423793e0f8c415056 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 55834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.69 грн
21+19.40 грн
50+13.46 грн
100+11.48 грн
205+4.59 грн
563+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0100pbf.pdf?ci_sign=bdf83814bed85f72f3cd88c4059bcf2266d07f53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.69 грн
21+19.48 грн
50+14.57 грн
100+12.83 грн
138+6.81 грн
380+6.41 грн
6000+6.33 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BEF25F70EF1A303005056AB0C4F&compId=irlml6244pbf.pdf?ci_sign=9e9a5be7e3521f0951b398d6655e0c43901db19e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 21mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.14 грн
24+17.10 грн
29+14.09 грн
50+10.85 грн
100+9.03 грн
206+4.51 грн
566+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF IRLML6246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C073DE4D1F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6246pbf.pdf?ci_sign=081a27482ca02397f5d07cd5b22cc57d56db8087 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.58 грн
25+15.99 грн
50+10.61 грн
100+8.95 грн
156+6.02 грн
430+5.70 грн
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 BC848BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.41 грн
340+2.85 грн
920+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF IRLR2908TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E975B7441F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2908pbf.pdf?ci_sign=275f9ac53c05c9fd8c3c2f0f94cbd4958816eab3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF IRS2003STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF IRS2007SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991DE094AADB658BF&compId=IRS2007SPBF.pdf?ci_sign=23f41c499e549f21ad84d82168dfac72ba4d0a9a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF IRS2008SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989A63D80180FB8BF&compId=IRS2008S.pdf?ci_sign=519175befe37f294a90d6c6f0b0c696fd6b6a464 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011PBF IRS2011PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E26C2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2011pbf.pdf?ci_sign=8b98cbb48fac23b5d243658ba2d04bebde43ddae description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: DIP8
Kind of package: tube
Power: 1W
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 75ns
Turn-on time: 85ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DAA4BA9F0B553D7&compId=IRS2093MTRPBF.pdf?ci_sign=e52fc9498b4cbd2fd8fae90e4df59b8441159497 Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4 description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.52 грн
10+60.88 грн
25+51.22 грн
42+22.64 грн
114+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7456F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7343q.pdf?ci_sign=5951c580d1ae312f0ff808d6dd1ff22fd4d1e9c4 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.76 грн
10+62.94 грн
25+53.92 грн
38+24.94 грн
103+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 IGU04N60TAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.59 грн
10+60.17 грн
22+43.23 грн
60+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 IKD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.02 грн
10+61.12 грн
29+32.94 грн
78+31.11 грн
1000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 IKP04N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EF45E9F51F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=64c51a4fa3a43285754294102b2ac04ad31b2f21 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.07 грн
10+85.51 грн
16+59.38 грн
43+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 BAS12504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. off-state voltage: 25V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.54 грн
9+47.03 грн
10+41.25 грн
50+28.66 грн
53+17.89 грн
144+16.94 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE49462KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 2.7...18V DC
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Case: SC59
Type of sensor: Hall
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.62 грн
10+48.69 грн
31+30.24 грн
85+28.58 грн
1000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 IGB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+136.42 грн
5+108.46 грн
10+98.17 грн
12+79.17 грн
33+75.21 грн
100+72.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 IGW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B381D15C556FA8&compId=IGW75N60H3-DTE.pdf?ci_sign=7a4792dde8410ac51a750f89e8d3fcf950b62f74 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 IGW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+338.49 грн
5+227.22 грн
12+215.35 грн
30+213.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 IKA15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD1E877C847820&compId=IKA15N60T.pdf?ci_sign=ce907b1e3bd538123e3a5020ae0c7b1b51be7942 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 10.6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 IKB15N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 28ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Collector-emitter voltage: 600V
Case: D2PAK
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.72 грн
5+147.26 грн
7+145.68 грн
10+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 IKD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 319ns
Turn-on time: 26ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.62 грн
5+112.42 грн
10+98.17 грн
11+86.30 грн
30+81.55 грн
50+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF85E72955820&compId=IKD15N60RF.pdf?ci_sign=9b3a2a6a184bf30583c6686dacdbdd53ba4602b7 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
10+81.55 грн
16+60.17 грн
43+57.00 грн
100+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 IKW75N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+424.60 грн
3+330.15 грн
5+319.06 грн
8+311.94 грн
10+300.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4267944F2F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3806pbf.pdf?ci_sign=5912a651f6a7bf97e992ea9475436898f0845fbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.52 грн
10+63.89 грн
33+28.74 грн
89+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+45.19 грн
12+34.84 грн
25+32.30 грн
47+20.27 грн
127+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 BAS28E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT143; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT143
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.20 грн
33+12.35 грн
36+11.24 грн
100+8.31 грн
156+6.02 грн
428+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 BAV199E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2C3DBB9E0C469&compId=BAV199E6327.pdf?ci_sign=a1da7bd8c1599beff66feab99d3a7e5a0640bba5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; SOT23; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
33+13.13 грн
50+7.96 грн
100+7.13 грн
250+6.05 грн
341+2.73 грн
938+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20957STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991C5A14E315F78BF&compId=IRS20957S.pdf?ci_sign=22bf15a378893f041d4941ea0b4aa473f9108955
IRS20957STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 1; Amp.class: D; SO16
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 1
Amplifier class: D
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+208.04 грн
7+152.80 грн
10+150.43 грн
17+144.09 грн
25+140.93 грн
50+138.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FD2406001F1A303005056AB0C4F&compId=irf2907zpbf.pdf?ci_sign=d9930ff1f83e629ad9856e6d356b20e0d58e4614
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.81 грн
7+136.18 грн
19+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3207TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C6B370EE5BF1A303005056AB0C4F&compId=irfs3207pbf.pdf?ci_sign=9d5c11df231dd7c9061d11989f17acc39f514a7b
IRFS3207TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 180A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 180A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BD2687D720A745&compId=IRFS4010TRLPBF.pdf?ci_sign=496ea67e3c29131ec26750b00389f7c763cf8c45
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.61 грн
3+361.02 грн
8+342.02 грн
10+341.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C58689C0D2E469&compId=BCR162.pdf?ci_sign=6c9bbf739143f7a57c3e9cac63723791f738730e
BCR162E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5836521750469&compId=BCR166.pdf?ci_sign=3fa9723f756af0d24d4a7bd47786e2a7dde80b4b
BCR166E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Base-emitter resistor: 47kΩ
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.58 грн
27+15.04 грн
35+11.59 грн
100+9.03 грн
250+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.20 грн
5+128.26 грн
10+110.84 грн
16+60.17 грн
25+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4227PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB1AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4227pbf.pdf?ci_sign=865a681e1ae387ed345fa57ca87cba44063b82e6
IRFP4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.09 грн
5+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N18K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9E046A6456469&compId=DZ1070N28K.pdf?ci_sign=ba4f97de0e0c3b62145bfd0da4b5a5576d7a686e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Max. forward impulse current: 41kA
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B73F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr120n.pdf?ci_sign=d29e3fc0b3033ac4ff84bc1b06afd32fd73263e0
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.03 грн
11+36.18 грн
25+32.78 грн
29+32.70 грн
50+30.64 грн
75+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219E0768620AF1A303005056AB0C4F&compId=irf7316pbf.pdf?ci_sign=f3ac06c6dfbd1b2e65f97e10a01cbbc54ab17c25
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+98.05 грн
10+65.47 грн
36+26.13 грн
98+24.70 грн
4000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D742CF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7316q.pdf?ci_sign=af9bd21a38321e4c969ec22e73714e95cc759dd5
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 98mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2D2486825F1A303005056AB0C4F&compId=irfb31n20dpbf.pdf?ci_sign=ed3075155006186cadb71ae9521f3327718e6583
IRFS31N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 340A
On-state resistance: 5.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.99 грн
17+23.67 грн
50+20.90 грн
58+16.31 грн
158+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2228120F8A1E7F1A303005056AB0C4F&compId=irlr8743pbf.pdf?ci_sign=13caac950d62003a7670c9a3bc787dc6b4dae60e
IRLR8743TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.22 грн
16+26.05 грн
25+24.46 грн
50+23.28 грн
51+18.45 грн
140+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QR2280ZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB9CA1DEB7370760C7&compId=ICE2QR2280Z.pdf?ci_sign=0afed20d41bae5cd14e264b6ccdd85b7a6c8c567
ICE2QR2280ZXKLA1
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: A/D converters - integrated circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; Ch: 1; DIP7; 10.5÷25VDC; SMPS; Ubr: 800V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: DIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -25...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 85...265V
Breakdown voltage: 800V
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee
IR2110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.86 грн
3+175.76 грн
7+133.80 грн
20+126.67 грн
250+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee
IR2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.34 грн
10+102.13 грн
26+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFF28572095EA&compId=IR2110STRPBF.pdf?ci_sign=df9d8034c817d5f92fb697b53c8f2c84160d7ab0
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.43 грн
9+110.84 грн
24+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC621B74C57820&compId=IHW20N135R5.pdf?ci_sign=3482e7577980c28fddc8870bc3e93fab375fa327
IHW20N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.35kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.45 грн
8+121.92 грн
22+114.80 грн
60+113.22 грн
120+110.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7512BXTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA6801DE546FA40D3&compId=1EDN751x_1EDN851x.pdf?ci_sign=f7b6a61fa03f50b5c2e4aa8ce8e4947eacc724c2
1EDN7512BXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.52 грн
13+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B695F4D11F1A303005056AB0C4F&compId=irlml0040pbf.pdf?ci_sign=5d1842c3e30491551ce56d3423793e0f8c415056
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 55834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.69 грн
21+19.40 грн
50+13.46 грн
100+11.48 грн
205+4.59 грн
563+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0100pbf.pdf?ci_sign=bdf83814bed85f72f3cd88c4059bcf2266d07f53
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.69 грн
21+19.48 грн
50+14.57 грн
100+12.83 грн
138+6.81 грн
380+6.41 грн
6000+6.33 грн
9000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BEF25F70EF1A303005056AB0C4F&compId=irlml6244pbf.pdf?ci_sign=9e9a5be7e3521f0951b398d6655e0c43901db19e
IRLML6244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 21mΩ
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.14 грн
24+17.10 грн
29+14.09 грн
50+10.85 грн
100+9.03 грн
206+4.51 грн
566+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6246TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C073DE4D1F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6246pbf.pdf?ci_sign=081a27482ca02397f5d07cd5b22cc57d56db8087
IRLML6246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3.5nC
On-state resistance: 46mΩ
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
On-state resistance: 80mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 17A
на замовлення 9342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.58 грн
25+15.99 грн
50+10.61 грн
100+8.95 грн
156+6.02 грн
430+5.70 грн
3000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BC848BE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC848BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.41 грн
340+2.85 грн
920+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2908TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E975B7441F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2908pbf.pdf?ci_sign=275f9ac53c05c9fd8c3c2f0f94cbd4958816eab3
IRLR2908TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 39A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 39A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2003STRPBF irs2003pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675afec2780
IRS2003STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2005STRPBF infineon-irs2005s-m-datasheet-en.pdf
IRS2005STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2007SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE991DE094AADB658BF&compId=IRS2007SPBF.pdf?ci_sign=23f41c499e549f21ad84d82168dfac72ba4d0a9a
IRS2007SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2008SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE989A63D80180FB8BF&compId=IRS2008S.pdf?ci_sign=519175befe37f294a90d6c6f0b0c696fd6b6a464
IRS2008SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: SO8
Kind of package: tube
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 180ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2011PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E26C2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2011pbf.pdf?ci_sign=8b98cbb48fac23b5d243658ba2d04bebde43ddae
IRS2011PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 2
Case: DIP8
Kind of package: tube
Power: 1W
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1...1A
Turn-off time: 75ns
Turn-on time: 85ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2093MTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DAA4BA9F0B553D7&compId=IRS2093MTRPBF.pdf?ci_sign=e52fc9498b4cbd2fd8fae90e4df59b8441159497
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; 10÷15VDC; Ch: 4; Amp.class: D; MLPQ48
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...15V DC
Number of channels: 4
Amplifier class: D
Case: MLPQ48
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A084E32E22F1A303005056AB0C4F&compId=irf7343pbf.pdf?ci_sign=67f4a0e09b642d9ef37643bc443a2be3f815f7f4
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 6599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.52 грн
10+60.88 грн
25+51.22 грн
42+22.64 грн
114+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7456F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7343q.pdf?ci_sign=5951c580d1ae312f0ff808d6dd1ff22fd4d1e9c4
AUIRF7343QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A06CFD47F4F1A303005056AB0C4F&compId=irf7342pbf.pdf?ci_sign=5924d7d1d4a809afdcc49f81c65ec7a6300718f9
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.76 грн
10+62.94 грн
25+53.92 грн
38+24.94 грн
103+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGU04N60TAKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB911564631820&compId=IGU04N60T.pdf?ci_sign=79c5db7457acfb90f2cffa20ce08bfdc7e4fa5bb
IGU04N60TAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.59 грн
10+60.17 грн
22+43.23 грн
60+40.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKD04N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDA3E2ACF23820&compId=IKD04N60R.pdf?ci_sign=6efd6340cc350b45c24c45eb5a27009029527dee
IKD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 317ns
Turn-on time: 22ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.02 грн
10+61.12 грн
29+32.94 грн
78+31.11 грн
1000+29.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKP04N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE22916DB05820&compId=IKP04N60T.pdf?ci_sign=79887e35e97dee3f47a5ed0ea9755ace78373099
IKP04N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EF45E9F51F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=64c51a4fa3a43285754294102b2ac04ad31b2f21
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.07 грн
10+85.51 грн
16+59.38 грн
43+56.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAS12504WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DF13B870A32469&compId=BAS125-0xW.pdf?ci_sign=f5f44dc4e7ac8e846a5816e0f88ba496aa18aa00
BAS12504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 25V; 0.1A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward impulse current: 0.5A
Max. off-state voltage: 25V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.54 грн
9+47.03 грн
10+41.25 грн
50+28.66 грн
53+17.89 грн
144+16.94 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49462KHTSA1 TLE4946-2K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc925c48637f
TLE49462KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; SC59; -3.5÷3.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Mounting: SMT
Kind of sensor: latch
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 2.7...18V DC
Range of detectable magnetic field: -3.5...3.5mT
Case: SC59
Type of sensor: Hall
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.62 грн
10+48.69 грн
31+30.24 грн
85+28.58 грн
1000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31032C72A4FA8&compId=IGB15N60T-DTE.pdf?ci_sign=c8a1ee71983920d8fe021504e43002c04a833b4b
IGB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+136.42 грн
5+108.46 грн
10+98.17 грн
12+79.17 грн
33+75.21 грн
100+72.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B381D15C556FA8&compId=IGW75N60H3-DTE.pdf?ci_sign=7a4792dde8410ac51a750f89e8d3fcf950b62f74
IGW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW75N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B382A1450FCFA8&compId=IGW75N60T-DTE.pdf?ci_sign=e3398a93286a8c04f59275ea1e9fc67ac59b1506
IGW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+338.49 грн
5+227.22 грн
12+215.35 грн
30+213.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKA15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD1E877C847820&compId=IKA15N60T.pdf?ci_sign=ce907b1e3bd538123e3a5020ae0c7b1b51be7942
IKA15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10.6A; 35.7W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 35.7W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 238ns
Collector current: 10.6A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD41F72CB29820&compId=IKB15N60T.pdf?ci_sign=9b743b6df9c5530ebc7f8eee8c1770ec9a429f91
IKB15N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 28ns
Gate charge: 87nC
Turn-off time: 238ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 23A
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Collector-emitter voltage: 600V
Case: D2PAK
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.72 грн
5+147.26 грн
7+145.68 грн
10+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF1E34C9ED820&compId=IKD15N60R.pdf?ci_sign=edf8c9498bddcc0bab7c28dab797b14b4d8a5a23
IKD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 319ns
Turn-on time: 26ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.62 грн
5+112.42 грн
10+98.17 грн
11+86.30 грн
30+81.55 грн
50+78.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDDF85E72955820&compId=IKD15N60RF.pdf?ci_sign=9b3a2a6a184bf30583c6686dacdbdd53ba4602b7
IKD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AAA8A5633DFAB1CC&compId=IKP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=042facda16ad84d72f77461b1b1d79ca587b8db6
IKP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.09 грн
10+81.55 грн
16+60.17 грн
43+57.00 грн
100+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAE85A51BBA3C0C4&compId=IKW75N60H3FKSA1.pdf?ci_sign=26e674065a5fc9a3c806e501745195e426f3ee35
IKW75N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+424.60 грн
3+330.15 грн
5+319.06 грн
8+311.94 грн
10+300.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4267944F2F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3806pbf.pdf?ci_sign=5912a651f6a7bf97e992ea9475436898f0845fbd
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Technology: HEXFET®
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.52 грн
10+63.89 грн
33+28.74 грн
89+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.19 грн
12+34.84 грн
25+32.30 грн
47+20.27 грн
127+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BAS28E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7FEB1F0F20469&compId=BAS28E6327HTSA1.pdf?ci_sign=61309fd24f01b821dccb60622dc4e896ab05d501
BAS28E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT143; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT143
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.20 грн
33+12.35 грн
36+11.24 грн
100+8.31 грн
156+6.02 грн
428+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA2C3DBB9E0C469&compId=BAV199E6327.pdf?ci_sign=a1da7bd8c1599beff66feab99d3a7e5a0640bba5
BAV199E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; SOT23; 330mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Power dissipation: 0.33W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: fast switching
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+13.13 грн
50+7.96 грн
100+7.13 грн
250+6.05 грн
341+2.73 грн
938+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]