Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149543) > Сторінка 2458 з 2493

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2490 2493  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.42 грн
10+45.13 грн
25+40.61 грн
27+34.84 грн
74+32.94 грн
150+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAF57F0C315EA&compId=IRFB7540PBF.pdf?ci_sign=3d11ad0f52ae3cf89f9ccc7efd218a58eb0629b9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 88nC
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.86 грн
7+61.60 грн
10+50.91 грн
23+41.33 грн
50+41.09 грн
62+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 SMBT3904SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7EACE1252E469&compId=SMBT3904SH6327.pdf?ci_sign=39e11e11fa1113240b9d0d9e56f39865a1ba42b0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Case: SOT363
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA837B61DA3820&compId=AIKW20N60CT.pdf?ci_sign=bc5c3a55a4b42dfdc8268e530996ecdd9600c065 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF IRLR8103VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22280CD565EB1F1A303005056AB0C4F&compId=irlr8103vpbf.pdf?ci_sign=492ac37580de93cbbb628a22be73f48fd48cb98a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.50 грн
10+60.17 грн
19+49.88 грн
51+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.76 грн
29+14.09 грн
32+12.43 грн
100+7.92 грн
172+5.46 грн
472+5.15 грн
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 BCR185WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C579BD09108469&compId=BCR185.pdf?ci_sign=8b5a427d7e89c96143962f50eb7401ae7f4fadba Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
81+5.29 грн
100+4.41 грн
250+3.90 грн
272+3.44 грн
745+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 340W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.16 грн
6+163.09 грн
16+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF IRS2186STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.98 грн
10+106.09 грн
11+87.09 грн
30+82.34 грн
1000+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA34A695793820&compId=AIGW50N65H5.pdf?ci_sign=0e6086f8da3182059009f2b599abcebf9a2c3ea7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.47 грн
3+258.89 грн
5+224.06 грн
12+211.39 грн
250+204.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA6C82BE757820&compId=AIKB20N60CT.pdf?ci_sign=729fcae0a93b4fbd0516dd7ddb9a5e54922e5b26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC636C224DA33D7&compId=IKQ120N60T.pdf?ci_sign=b38a8c3161654d1e1da3919298b71c00ef65edd6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 IKQ120N60TAXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC61D783DC6F3D7&compId=IKQ120N60TA.pdf?ci_sign=1c156fe05a0361b5601e9e8ff2b0d1bd8ddd8421 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 TT122N22KOFHPSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE30ABE97A0469&compId=TT122N22KOF.pdf?ci_sign=f2d3a1a41575001d0d829df324176bb20fd556d8 Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF IRFR15N20DTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCED13265235EA&compId=IRFR15N20DTRPBF.pdf?ci_sign=f4fbed7f90d41b3074d6e145e3b9867c8706beca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 7.3mΩ
Drain current: 81A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0032ABXUMA1 XMC1202T028X0032ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,32kBFLASH
Case: PG-TSSOP-28
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 4
Number of A/D channels: 10
Number of inputs/outputs: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0064ABXUMA1 XMC1202T028X0064ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,64kBFLASH
Case: PG-TSSOP-28
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 4
Number of A/D channels: 10
Number of inputs/outputs: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA56A2D5665820&compId=AIHD10N60R.pdf?ci_sign=02febf6bcc61b28ffaa6a2d1975f89a5e580013b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.43 грн
10+135.38 грн
14+70.46 грн
37+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.09 грн
7+134.59 грн
10+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 BFP183WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 65mA
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.35 грн
35+11.56 грн
39+10.21 грн
46+8.79 грн
50+8.00 грн
100+7.28 грн
250+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D83F728EC11C&compId=BFP196WH6327-dte.pdf?ci_sign=6513198cf786f3ecf728a401abed3d957006453c Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.15A
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.14 грн
20+20.19 грн
100+12.51 грн
157+5.94 грн
430+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 20mA
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.38 грн
53+7.60 грн
67+5.92 грн
76+5.23 грн
100+4.66 грн
220+4.24 грн
250+4.15 грн
500+4.11 грн
605+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.46 грн
10+93.42 грн
28+88.67 грн
250+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.71 грн
3+189.22 грн
10+102.13 грн
25+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Technology: HEXFET®
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 341W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.08 грн
51+7.84 грн
69+5.75 грн
100+5.04 грн
253+3.71 грн
693+3.50 грн
1000+3.47 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.88 грн
11+36.10 грн
47+20.11 грн
128+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.59 грн
8+53.84 грн
21+45.92 грн
56+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+76.74 грн
10+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
29+14.09 грн
33+12.19 грн
100+7.74 грн
199+4.68 грн
547+4.43 грн
6000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
Kind of sensor: unipolar
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.13 грн
9+47.98 грн
10+45.84 грн
32+29.93 грн
50+29.85 грн
86+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935L TLE4935L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Kind of sensor: latch
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.35 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.35 грн
43+9.42 грн
55+7.24 грн
100+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.25 грн
16+25.33 грн
19+21.93 грн
100+12.59 грн
129+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD623B4773655EA&compId=BFP405.pdf?ci_sign=bbd5eba073d89df9b5be3a85a32e193fbe8f17b9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of transistor: RF
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...130
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.39 грн
10+100.55 грн
26+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0C9ACEC8401EC&compId=pvt322.pdf?ci_sign=b9abbd52b80cec3b819c7a498466d806bbe1483b Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BBBE0D2352F1A303005056AB0C4F&compId=irfhm830pbf.pdf?ci_sign=7760142d87f380f048badd1b91634d932e827dd0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.35 грн
44+9.10 грн
68+5.83 грн
100+4.81 грн
226+4.14 грн
250+3.78 грн
500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C88B246D09F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4310pbf.pdf?ci_sign=2ba0ed2c7db4f06ecd950a74a0a6d9e52fd245bf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.57 грн
8+117.97 грн
22+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.03 грн
10+46.95 грн
28+33.73 грн
76+31.91 грн
500+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A23D233598F1A303005056AB0C4F&compId=irf7410pbf.pdf?ci_sign=ed56f1efe816eb53c277cc5a0dcc077dfacc8801 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 99W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+57.13 грн
10+47.34 грн
26+37.05 грн
70+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.47 грн
10+57.32 грн
21+45.92 грн
56+43.47 грн
100+43.23 грн
250+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+82.70 грн
10+55.82 грн
28+33.96 грн
76+32.14 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E26E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2101pbf.pdf?ci_sign=0c7d1ed5d887e67d675cd1f685c2f6e8713c1678 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+72.47 грн
7+59.38 грн
10+47.50 грн
21+45.92 грн
57+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+5.12 грн
90+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D26FA7464F1A303005056AB0C4F&compId=irlms5703pbf.pdf?ci_sign=38add10ed924f0e4045c7b62faae0750f826b459 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2168DSTRPBF IRS2168DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2168d.pdf?fileId=5546d462533600a401535676b78127d0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -260÷180mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side; PFC controller
Case: SO16
Output current: -260...180mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 11.5...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.88 грн
25+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.94 грн
45+8.87 грн
50+8.08 грн
100+6.02 грн
191+4.91 грн
525+4.59 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.42 грн
10+45.13 грн
25+40.61 грн
27+34.84 грн
74+32.94 грн
150+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAF57F0C315EA&compId=IRFB7540PBF.pdf?ci_sign=3d11ad0f52ae3cf89f9ccc7efd218a58eb0629b9
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 88nC
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.86 грн
7+61.60 грн
10+50.91 грн
23+41.33 грн
50+41.09 грн
62+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT3904SH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7EACE1252E469&compId=SMBT3904SH6327.pdf?ci_sign=39e11e11fa1113240b9d0d9e56f39865a1ba42b0
SMBT3904SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 0.25W; SOT363
Case: SOT363
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
80+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA837B61DA3820&compId=AIKW20N60CT.pdf?ci_sign=bc5c3a55a4b42dfdc8268e530996ecdd9600c065
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22280CD565EB1F1A303005056AB0C4F&compId=irlr8103vpbf.pdf?ci_sign=492ac37580de93cbbb628a22be73f48fd48cb98a
IRLR8103VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 39mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.50 грн
10+60.17 грн
19+49.88 грн
51+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.76 грн
29+14.09 грн
32+12.43 грн
100+7.92 грн
172+5.46 грн
472+5.15 грн
3000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BCR185WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C579BD09108469&compId=BCR185.pdf?ci_sign=8b5a427d7e89c96143962f50eb7401ae7f4fadba
BCR185WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Collector current: 0.1A
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
81+5.29 грн
100+4.41 грн
250+3.90 грн
272+3.44 грн
745+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
SPP80P06PHXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92E343ED03F1CC&compId=SPP80P06PHXKSA1-DTE.pdf?ci_sign=0fdc7be718405dc45ca2e85200515e93fcb1a285
SPP80P06PHXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: -80A
Drain-source voltage: -60V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Power dissipation: 340W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.16 грн
6+163.09 грн
16+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2186STRPBF irs2186pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567716c427ed
IRS2186STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.98 грн
10+106.09 грн
11+87.09 грн
30+82.34 грн
1000+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA34A695793820&compId=AIGW50N65H5.pdf?ci_sign=0e6086f8da3182059009f2b599abcebf9a2c3ea7
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.47 грн
3+258.89 грн
5+224.06 грн
12+211.39 грн
250+204.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA6C82BE757820&compId=AIKB20N60CT.pdf?ci_sign=729fcae0a93b4fbd0516dd7ddb9a5e54922e5b26
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC636C224DA33D7&compId=IKQ120N60T.pdf?ci_sign=b38a8c3161654d1e1da3919298b71c00ef65edd6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; PG-TO247-3-46
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: PG-TO247-3-46
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 703nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ120N60TAXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC61D783DC6F3D7&compId=IKQ120N60TA.pdf?ci_sign=1c156fe05a0361b5601e9e8ff2b0d1bd8ddd8421
IKQ120N60TAXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Collector current: 120A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT122N22KOFHPSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE585CE30ABE97A0469&compId=TT122N22KOF.pdf?ci_sign=f2d3a1a41575001d0d829df324176bb20fd556d8
TT122N22KOFHPSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 122A; BG-PB34-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 122A
Case: BG-PB34-1
Max. forward voltage: 1.95V
Max. forward impulse current: 3.3kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR15N20DTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCED13265235EA&compId=IRFR15N20DTRPBF.pdf?ci_sign=f4fbed7f90d41b3074d6e145e3b9867c8706beca
IRFR15N20DTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Power dissipation: 140W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
On-state resistance: 7.3mΩ
Drain current: 81A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 214W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0032ABXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9
XMC1202T028X0032ABXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,32kBFLASH
Case: PG-TSSOP-28
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 4
Number of A/D channels: 10
Number of inputs/outputs: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202T028X0064ABXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9
XMC1202T028X0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-TSSOP-28; 16kBSRAM,64kBFLASH
Case: PG-TSSOP-28
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 4
Number of A/D channels: 10
Number of inputs/outputs: 26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA56A2D5665820&compId=AIHD10N60R.pdf?ci_sign=02febf6bcc61b28ffaa6a2d1975f89a5e580013b
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 64nC
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector current: 10A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 73A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.43 грн
10+135.38 грн
14+70.46 грн
37+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.09 грн
7+134.59 грн
10+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183WH6327XTSA1 bfp183w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142672e8cd0613
BFP183WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 65mA; 0.45W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 70...140
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 65mA
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.35 грн
35+11.56 грн
39+10.21 грн
46+8.79 грн
50+8.00 грн
100+7.28 грн
250+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191D83F728EC11C&compId=BFP196WH6327-dte.pdf?ci_sign=6513198cf786f3ecf728a401abed3d957006453c
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 20V
Frequency: 5GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.15A
на замовлення 5673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.14 грн
20+20.19 грн
100+12.51 грн
157+5.94 грн
430+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC244ACA589D3D7&compId=BFR181WH6327.pdf?ci_sign=73bcb88578474fc2ccb23c7942861156c0acb869
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.175W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
Collector current: 20mA
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.38 грн
53+7.60 грн
67+5.92 грн
76+5.23 грн
100+4.66 грн
220+4.24 грн
250+4.15 грн
500+4.11 грн
605+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74363D64915EA&compId=SPP04N80C3.pdf?ci_sign=634f55a9ae6c6b2461f8c0a2174b7a09f2113185
SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.46 грн
10+93.42 грн
28+88.67 грн
250+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.71 грн
3+189.22 грн
10+102.13 грн
25+96.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Technology: HEXFET®
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Power dissipation: 341W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE79CEBF30B5457E749&compId=BSS209PW.pdf?ci_sign=e9489374d989629f4c132f9c875b4428e0978917
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.08 грн
51+7.84 грн
69+5.75 грн
100+5.04 грн
253+3.71 грн
693+3.50 грн
1000+3.47 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9213BC79B0F1CC&compId=BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=274099176c997552a32d0a5e51cc2bc110b71f8f
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.88 грн
11+36.10 грн
47+20.11 грн
128+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCABFEDCCB15EA&compId=IRFB7440PBF.pdf?ci_sign=e1a8189860eb004e5ec1a517ed03455a0c961fb8
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.59 грн
8+53.84 грн
21+45.92 грн
56+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Technology: HEXFET®
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.74 грн
10+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.25A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 10275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
29+14.09 грн
33+12.19 грн
100+7.74 грн
199+4.68 грн
547+4.43 грн
6000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Type of sensor: Hall
Case: SC59
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: SMT
Kind of sensor: unipolar
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.13 грн
9+47.98 грн
10+45.84 грн
32+29.93 грн
50+29.85 грн
86+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769
TLE4935L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Mounting: THT
Kind of sensor: latch
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.35 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A842AAD03C310B&compId=BSS816NWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=0330cb7ff020b4a0a3d4eb05d602d7866cbabb9a
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.35 грн
43+9.42 грн
55+7.24 грн
100+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.25 грн
16+25.33 грн
19+21.93 грн
100+12.59 грн
129+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD623B4773655EA&compId=BFP405.pdf?ci_sign=bbd5eba073d89df9b5be3a85a32e193fbe8f17b9
BFP405H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Case: SOT343
Kind of transistor: RF
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...130
Frequency: 25GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f
IRFS4321TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.39 грн
10+100.55 грн
26+95.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0C9ACEC8401EC&compId=pvt322.pdf?ci_sign=b9abbd52b80cec3b819c7a498466d806bbe1483b
PVT322PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BBBE0D2352F1A303005056AB0C4F&compId=irfhm830pbf.pdf?ci_sign=7760142d87f380f048badd1b91634d932e827dd0
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92879E7F2651CC&compId=BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf?ci_sign=abe3df05106a83ed43dc0e080d91b36c045d224a
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.35 грн
44+9.10 грн
68+5.83 грн
100+4.81 грн
226+4.14 грн
250+3.78 грн
500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C88B246D09F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4310pbf.pdf?ci_sign=2ba0ed2c7db4f06ecd950a74a0a6d9e52fd245bf
IRFS4310TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.57 грн
8+117.97 грн
22+111.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DB4E314A0011C&compId=BSC252N10NSFG-DTE.pdf?ci_sign=ec7850502a6223baabd11b26da46ad4a4a538a22
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.03 грн
10+46.95 грн
28+33.73 грн
76+31.91 грн
500+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A23D233598F1A303005056AB0C4F&compId=irf7410pbf.pdf?ci_sign=ed56f1efe816eb53c277cc5a0dcc077dfacc8801
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCAD99D30235EA&compId=IRFB7446PBF.pdf?ci_sign=6a49d11612e82c301cf8185b0441112f35f31c0e
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Trade name: StrongIRFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 99W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.13 грн
10+47.34 грн
26+37.05 грн
70+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AC5A4F034FF1A303005056AB0C4F&compId=irf7832pbf.pdf?ci_sign=f6126aa60b44ed174e53d7e45af6de5bc1178cf8
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.47 грн
10+57.32 грн
21+45.92 грн
56+43.47 грн
100+43.23 грн
250+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B75F8A79EA611C&compId=BSP135H6327XTSA1.pdf?ci_sign=b914401dd26fa7619fb03c1cf6bf9912261be089
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.70 грн
10+55.82 грн
28+33.96 грн
76+32.14 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E26E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2101pbf.pdf?ci_sign=0c7d1ed5d887e67d675cd1f685c2f6e8713c1678
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.47 грн
7+59.38 грн
10+47.50 грн
21+45.92 грн
57+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFF73F55472469&compId=BAT1704E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ec65d261eef5013a28cd9465ec3a7878d859e4c0
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.13A
Max. off-state voltage: 4V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+5.12 грн
90+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D26FA7464F1A303005056AB0C4F&compId=irlms5703pbf.pdf?ci_sign=38add10ed924f0e4045c7b62faae0750f826b459
IRLMS5703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2168DSTRPBF irs2168d.pdf?fileId=5546d462533600a401535676b78127d0
IRS2168DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -260÷180mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side; PFC controller
Case: SO16
Output current: -260...180mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 11.5...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFFB2A0C02A73D1&compId=BGSX22G2A10.pdf?ci_sign=111a42298677fba8d83d7c2b08f085f6ec5f0ed5
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.88 грн
25+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E04FE3CA160469&compId=BAT6402VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=5bc3a6a2b874d3973f414412e4bd672e156e0d01
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.25A
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
45+8.87 грн
50+8.08 грн
100+6.02 грн
191+4.91 грн
525+4.59 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2490 2493  Наступна Сторінка >> ]