Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149543) > Сторінка 2457 з 2493

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2490 2493  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS21094SPBF IRS21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920748F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2109.pdf?ci_sign=40dc991fd2e25a3d209a2a2992f795b13eace0fd Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108PBF IRS2108PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920725F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2108.pdf?ci_sign=e2d1b70ea6bc9920d60f60160b1586e46551e082 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108SPBF IRS2108SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920725F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2108.pdf?ci_sign=e2d1b70ea6bc9920d60f60160b1586e46551e082 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.26 грн
10+118.76 грн
12+80.75 грн
32+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfiz44n.pdf?ci_sign=c1a240674b51848f6a75be41ec7304403b6acc63 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.92 грн
10+98.65 грн
23+41.33 грн
62+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.77 грн
12+34.12 грн
50+29.53 грн
74+12.59 грн
204+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.87 грн
10+78.14 грн
25+67.30 грн
30+31.11 грн
83+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B398B902C5F1A303005056AB0C4F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=f2e7cd0a50c82652749fa28e2826325e25e7f758 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 97A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 230W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 BC856SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5E14F5A90A469&compId=BC856UE6327.pdf?ci_sign=c2ecd216c6b7a85380859c7690c18974de788084 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.05 грн
34+11.72 грн
100+7.68 грн
206+4.54 грн
565+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 7469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.55 грн
22+18.76 грн
89+10.45 грн
245+9.90 грн
500+9.74 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 BSP170PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.32 грн
10+45.60 грн
50+33.57 грн
56+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21864SPBF IRS21864SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4DA1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2186pbf.pdf?ci_sign=a962ece52a67d28c2642f6bb0dfab4962e267626 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -4...4A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3665FECC20FA8&compId=IGW25T120-DTE.pdf?ci_sign=ca8598ac0668efa9a4bc236b76fc20f1cd92acf3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.40 грн
5+196.35 грн
14+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222766451D6E7F1A303005056AB0C4F&compId=irl7833pbf.pdf?ci_sign=3f17a2919623b1c00483138df81c44cfb13be3b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.90 грн
3+209.80 грн
7+148.84 грн
18+140.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 IPD90N04S405ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 TLE7181EMXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFC7045A66088A15&compId=TLE7181EM.pdf?ci_sign=31b4483a018d90a92ae0ce3f533bdf2ef721bf75 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Topology: H-bridge; push-pull
Supply voltage: 7...34V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 TLE7182EMXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFC71BF6EAAB8A15&compId=TLE7182EM.pdf?ci_sign=24d6ba42ecb5c5995c5642959ae1b5354a6d60ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Topology: H-bridge; push-pull
Supply voltage: 7...34V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 SPA07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD73A7A7ACFF5EA&compId=SPA07N60C3.pdf?ci_sign=11296604cba915af8d95d589c7c7d0db1b519f42 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+212.30 грн
10+99.76 грн
26+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 SPP07N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CAF949F5A874A&compId=SPx07N60C3.pdf?ci_sign=d30e40c6cca869d635e53260e170358f87f64a9d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+395.61 грн
3+326.98 грн
4+247.81 грн
11+234.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1 IPP020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9965511A9A11C&compId=IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=83fbe3c4ddd538ca4cd145e6a0d205e58922a5e7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E22AC82A411C&compId=IPB034N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=e2d349a57cd9a28e9c7dbde0c8d7a4b00ed0cf76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452T BTS452T INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697C802CDDF0469&compId=BTS452T.pdf?ci_sign=5923cb0a238c32d8e287782b944aa70f07c70e0a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBF IRLR8256TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2228106FCAB3DF1A303005056AB0C4F&compId=irlr8256pbf.pdf?ci_sign=4c2cc703f2abc3f8398209309a4ead7e3bfd184a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 81A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA17D8D761D820&compId=AIGW40N65F5.pdf?ci_sign=9f18b81e1388b36fe28a61d1a64aea2a56a17800 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.66 грн
3+409.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA1E5F77139820&compId=AIGW40N65H5.pdf?ci_sign=2a5ebfdaf36f3a1c5d8093fdcc4ae6cc86adb1bc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+555.91 грн
3+354.69 грн
8+335.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA8ECB779AF820&compId=AIKW40N65DF5.pdf?ci_sign=30e5760d338ea5f7c09287ec1f507604de3d7c43 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA097324C1820&compId=AIKW40N65DH5.pdf?ci_sign=eb08576828ba5aea9692fc921bdf5039bc724b57 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B4FD5221A9F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5010pbf.pdf?ci_sign=dc0d60716a5924fc56a535cd67f663c50e1ec509 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC3370BE19F8BF&compId=AIKW50N65DH5XKSA1.pdf?ci_sign=bcc286be62106bf26a5c396e0d7ffde52e3a8210 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA679466D1820&compId=AIKW50N65DF5.pdf?ci_sign=97e27e3a2e7352d95a29911a7e8d059db1bf6cc4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4141N BTS4141N INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697E631CB72C469&compId=BTS4141N.pdf?ci_sign=64b0e0c8fb54d7ae515db22073e7a17b310fd5c8 description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Classic PROFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.175Ω
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Output voltage: 12...45V
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252.37 грн
10+98.17 грн
27+92.63 грн
1000+91.84 грн
2000+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.84 грн
10+71.02 грн
30+32.06 грн
80+30.32 грн
2400+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Technology: HEXFET®
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.50 грн
10+47.58 грн
20+44.73 грн
29+32.86 грн
78+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.70 грн
10+75.21 грн
14+67.30 грн
38+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA2981C96B3820&compId=AIGW50N65F5.pdf?ci_sign=0bd65dc2ea9fe07124468b8aced811377b1c786d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 SPP21N50C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C4CF9426D074A&compId=SPx21N50C3.pdf?ci_sign=85647eac47dcdd1dec3420a747691d62a2a87b0b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+234.47 грн
3+196.35 грн
7+151.22 грн
17+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 BTS428L2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697BC696E816469&compId=BTS428L2.pdf?ci_sign=7cc3270de69e551af4d4ebf76921c7f4173e8300 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.98 грн
7+150.43 грн
17+142.51 грн
1000+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA BTS4300SGA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697EBCBF94D4469&compId=BTS4300SGA.pdf?ci_sign=e49e04d0c15b1f902ef4a0f745ff132452f09ec6 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 0.3Ω
Output current: 0.4A
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+170.52 грн
10+102.92 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG BTS441TG INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697C33B22E7E469&compId=BTS441TG.pdf?ci_sign=9e857110a35ffa7d63a6a20043dd527b680290cc Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.34 грн
5+216.93 грн
12+205.05 грн
100+200.30 грн
250+197.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4880R BTS4880R INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697F28E666E4469&compId=BTS4880R.pdf?ci_sign=60127cda9a86104980dbd3b093f21379556676f9 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 625mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; BSSOP36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.625A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSSOP36
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF IRFB3207ZGPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2F0373A9EF1A303005056AB0C4F&compId=irfb3207zgpbf.pdf?ci_sign=0f418ffa88abe060375491d71bbeed16a4ddf772 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3207zpbf.pdf?ci_sign=d9a881f5e50cc8dfcd68d3e1192d7da63798c2e4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.86 грн
8+131.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 80W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.84 грн
10+94.29 грн
25+38.48 грн
67+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 BSS138WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.08 грн
75+5.30 грн
85+4.69 грн
100+4.42 грн
250+4.06 грн
292+3.20 грн
802+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 BSS138WH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 1.12A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.23 грн
16+60.96 грн
42+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6B3468D04A1EC&compId=irfs7530-7ppbf.pdf?ci_sign=efcd65c1b71b20dce22caa7810184cdbec219b05 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.62 грн
8+127.47 грн
21+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF IRS2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D77F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2184.pdf?ci_sign=b2969db394933879a7947637133bf1e850e89647 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+84.41 грн
10+68.88 грн
22+43.54 грн
59+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21094SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920748F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2109.pdf?ci_sign=40dc991fd2e25a3d209a2a2992f795b13eace0fd
IRS21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 850ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920725F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2108.pdf?ci_sign=e2d1b70ea6bc9920d60f60160b1586e46551e082
IRS2108PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -600...290mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2108SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920725F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2108.pdf?ci_sign=e2d1b70ea6bc9920d60f60160b1586e46551e082
IRS2108SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 320ns
Turn-off time: 235ns
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.26 грн
10+118.76 грн
12+80.75 грн
32+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfiz44n.pdf?ci_sign=c1a240674b51848f6a75be41ec7304403b6acc63
IRFIZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.92 грн
10+98.65 грн
23+41.33 грн
62+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.77 грн
12+34.12 грн
50+29.53 грн
74+12.59 грн
204+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.87 грн
10+78.14 грн
25+67.30 грн
30+31.11 грн
83+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B398B902C5F1A303005056AB0C4F&compId=irfb4410zpbf.pdf?ci_sign=f2e7cd0a50c82652749fa28e2826325e25e7f758
IRFSL4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 97A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 230W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5E14F5A90A469&compId=BC856UE6327.pdf?ci_sign=c2ecd216c6b7a85380859c7690c18974de788084
BC856SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.05 грн
34+11.72 грн
100+7.68 грн
206+4.54 грн
565+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE599B77521E006811C&compId=BSS139H6327XTSA1.pdf?ci_sign=3ea77d60429e3dc7332d53b5d8ff41a954bf7f5d
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
на замовлення 7469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.55 грн
22+18.76 грн
89+10.45 грн
245+9.90 грн
500+9.74 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSP170PH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA92120B826931CC&compId=BSP170PH6327XTSA1-DTE.PDF?ci_sign=540de0dc018c21b19c0ba6b0c473e3d678db565d
BSP170PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.32 грн
10+45.60 грн
50+33.57 грн
56+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21864SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4DA1F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2186pbf.pdf?ci_sign=a962ece52a67d28c2642f6bb0dfab4962e267626
IRS21864SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -4...4A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B3665FECC20FA8&compId=IGW25T120-DTE.pdf?ci_sign=ca8598ac0668efa9a4bc236b76fc20f1cd92acf3
IGW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.40 грн
5+196.35 грн
14+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL7833STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222766451D6E7F1A303005056AB0C4F&compId=irl7833pbf.pdf?ci_sign=3f17a2919623b1c00483138df81c44cfb13be3b9
IRL7833STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; D2PAK
Kind of package: reel
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 140W
Drain current: 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e
IPA037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 41W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.90 грн
3+209.80 грн
7+148.84 грн
18+140.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S405ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BAEC1DA6D7B820&compId=IPD90N04S405.pdf?ci_sign=e5fc15d5072846873debc1d1932ae19d845a375d
IPD90N04S405ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 61A; Idm: 344A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Power dissipation: 65W
Pulsed drain current: 344A
Case: PG-TO252-3-313
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 5.2mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EDFBF776EAAA745&compId=IPD068P03L3GATMA1.pdf?ci_sign=2440192ca958ac957a27cfd56d61e46ba5123ab7
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 11mΩ
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7181EMXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFC7045A66088A15&compId=TLE7181EM.pdf?ci_sign=31b4483a018d90a92ae0ce3f533bdf2ef721bf75
TLE7181EMXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Kind of output: non-inverting
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Topology: H-bridge; push-pull
Supply voltage: 7...34V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7182EMXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFC71BF6EAAB8A15&compId=TLE7182EM.pdf?ci_sign=24d6ba42ecb5c5995c5642959ae1b5354a6d60ff
TLE7182EMXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; H-bridge,push-pull; MOSFET gate driver; SSOP24; Ch: 4
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 250ns
Topology: H-bridge; push-pull
Supply voltage: 7...34V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA07N60C3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD73A7A7ACFF5EA&compId=SPA07N60C3.pdf?ci_sign=11296604cba915af8d95d589c7c7d0db1b519f42
SPA07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+212.30 грн
10+99.76 грн
26+94.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP07N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CAF949F5A874A&compId=SPx07N60C3.pdf?ci_sign=d30e40c6cca869d635e53260e170358f87f64a9d
SPP07N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+395.61 грн
3+326.98 грн
4+247.81 грн
11+234.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon-IMW65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d01cd50485
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f859930890460
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 139mΩ
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9965511A9A11C&compId=IPP020N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=83fbe3c4ddd538ca4cd145e6a0d205e58922a5e7
IPP020N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E22AC82A411C&compId=IPB034N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=e2d349a57cd9a28e9c7dbde0c8d7a4b00ed0cf76
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS452T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697C802CDDF0469&compId=BTS452T.pdf?ci_sign=5923cb0a238c32d8e287782b944aa70f07c70e0a
BTS452T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8256TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2228106FCAB3DF1A303005056AB0C4F&compId=irlr8256pbf.pdf?ci_sign=4c2cc703f2abc3f8398209309a4ead7e3bfd184a
IRLR8256TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 81A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA17D8D761D820&compId=AIGW40N65F5.pdf?ci_sign=9f18b81e1388b36fe28a61d1a64aea2a56a17800
AIGW40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.66 грн
3+409.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA1E5F77139820&compId=AIGW40N65H5.pdf?ci_sign=2a5ebfdaf36f3a1c5d8093fdcc4ae6cc86adb1bc
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.91 грн
3+354.69 грн
8+335.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA8ECB779AF820&compId=AIKW40N65DF5.pdf?ci_sign=30e5760d338ea5f7c09287ec1f507604de3d7c43
AIKW40N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA097324C1820&compId=AIKW40N65DH5.pdf?ci_sign=eb08576828ba5aea9692fc921bdf5039bc724b57
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5010TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B4FD5221A9F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5010pbf.pdf?ci_sign=dc0d60716a5924fc56a535cd67f663c50e1ec509
IRFH5010TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5015TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B51A9A0F40F1A303005056AB0C4F&compId=irfh5015pbf.pdf?ci_sign=eb6ae4a5494ec8a6c1560e3bc7b19829447ecba1
IRFH5015TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 250W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC3370BE19F8BF&compId=AIKW50N65DH5XKSA1.pdf?ci_sign=bcc286be62106bf26a5c396e0d7ffde52e3a8210
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA679466D1820&compId=AIKW50N65DF5.pdf?ci_sign=97e27e3a2e7352d95a29911a7e8d059db1bf6cc4
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4141N description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697E631CB72C469&compId=BTS4141N.pdf?ci_sign=64b0e0c8fb54d7ae515db22073e7a17b310fd5c8
BTS4141N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Classic PROFET
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.175Ω
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Output voltage: 12...45V
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.37 грн
10+98.17 грн
27+92.63 грн
1000+91.84 грн
2000+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01
IRG4BC40W-STRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 4007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.84 грн
10+71.02 грн
30+32.06 грн
80+30.32 грн
2400+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b
IRFR1205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Technology: HEXFET®
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.50 грн
10+47.58 грн
20+44.73 грн
29+32.86 грн
78+31.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.70 грн
10+75.21 грн
14+67.30 грн
38+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA2981C96B3820&compId=AIGW50N65F5.pdf?ci_sign=0bd65dc2ea9fe07124468b8aced811377b1c786d
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP21N50C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C4CF9426D074A&compId=SPx21N50C3.pdf?ci_sign=85647eac47dcdd1dec3420a747691d62a2a87b0b
SPP21N50C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 560V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 560V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.47 грн
3+196.35 грн
7+151.22 грн
17+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS428L2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697BC696E816469&compId=BTS428L2.pdf?ci_sign=7cc3270de69e551af4d4ebf76921c7f4173e8300
BTS428L2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Kind of output: N-Channel
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+352.98 грн
7+150.43 грн
17+142.51 грн
1000+137.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4300SGA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697EBCBF94D4469&compId=BTS4300SGA.pdf?ci_sign=e49e04d0c15b1f902ef4a0f745ff132452f09ec6
BTS4300SGA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 0.3Ω
Output current: 0.4A
Kind of output: N-Channel
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+170.52 грн
10+102.92 грн
17+55.42 грн
47+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441TG pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697C33B22E7E469&compId=BTS441TG.pdf?ci_sign=9e857110a35ffa7d63a6a20043dd527b680290cc
BTS441TG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.34 грн
5+216.93 грн
12+205.05 грн
100+200.30 грн
250+197.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4880R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58697F28E666E4469&compId=BTS4880R.pdf?ci_sign=60127cda9a86104980dbd3b093f21379556676f9
BTS4880R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 625mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; BSSOP36
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.625A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: BSSOP36
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZGPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221B2F0373A9EF1A303005056AB0C4F&compId=irfb3207zgpbf.pdf?ci_sign=0f418ffa88abe060375491d71bbeed16a4ddf772
IRFB3207ZGPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6C6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3207zpbf.pdf?ci_sign=d9a881f5e50cc8dfcd68d3e1192d7da63798c2e4
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.86 грн
8+131.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 17A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 80W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.84 грн
10+94.29 грн
25+38.48 грн
67+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7BF62918B510B&compId=BSS138WH6327XTSA1.pdf?ci_sign=bbc28ba1f364f7544f7ce1d57a8ff74804399786
BSS138WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.08 грн
75+5.30 грн
85+4.69 грн
100+4.42 грн
250+4.06 грн
292+3.20 грн
802+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138WH6433XTMA1 Infineon-BSS138W-DS-v02_43-en.pdf?fileId=db3a304335113a6301351e62fcb4131f
BSS138WH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 220mA; Idm: 1.12A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 1.12A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.23 грн
16+60.96 грн
42+57.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6B3468D04A1EC&compId=irfs7530-7ppbf.pdf?ci_sign=efcd65c1b71b20dce22caa7810184cdbec219b05
IRFS7530TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.62 грн
8+127.47 грн
21+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2184PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D77F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2184.pdf?ci_sign=b2969db394933879a7947637133bf1e850e89647
IRS2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 720ns
Turn-off time: 290ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40
AIKW75N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+84.41 грн
10+68.88 грн
22+43.54 грн
59+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2452 2453 2454 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2490 2493  Наступна Сторінка >> ]