Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148611) > Сторінка 344 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEF20570FV3.1 Infineon Technologies Description: LINE & PORT INTERFACE CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1654.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SPB02N60S5 SPB02N60S5 Infineon Technologies spb02n60s5_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3 SPI07N65C3 Infineon Technologies INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3 SPI16N50C3 Infineon Technologies INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
SPP03N60S5 SPP03N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dfb1c492b Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 29235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
495+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 495
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N60C3 SPI07N60C3 Infineon Technologies INFN-S-A0004583442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
SPI12N50C3 SPI12N50C3 Infineon Technologies INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
SPB02N60C3 SPB02N60C3 Infineon Technologies spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
SPI15N60CFD SPI15N60CFD Infineon Technologies spi15n60cfd_rev1.0_b.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3 SPP12N50C3 Infineon Technologies INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2310S-8F40RAA SAK-XC2310S-8F40RAA Infineon Technologies INFNS16682-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MCU - XC2300 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 8x12b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-8
Part Status: Active
Number of I/O: 28
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N60S5 SPP04N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_A04N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dd6a14900 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 42120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N60C3 SPD02N60C3 Infineon Technologies spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW15N60CFD SPW15N60CFD Infineon Technologies Infineon-SPW15N60CFD-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431936bc4b01195b5b2944324b Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW07N60CFD SPW07N60CFD Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60S5BTMA1 SPD07N60S5BTMA1 Infineon Technologies INFNS27107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3IN Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 SPI11N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC161KLMHAFXQMA1 Infineon Technologies Infineon-C161KO-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=db3a304412b407950112b43a45456fc3 Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+845.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SPP16N50C3 SPP16N50C3 Infineon Technologies INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3 SPW11N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
PMA5105 PMA5105 Infineon Technologies INFNS17057-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 8-BIT FLASH MCU, 8051 CPU, 12MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Memory Size: 6kB Flash, 12kB ROM, 256B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.9V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Data Rate (Max): 32kbps
Current - Transmitting: 8.9mA ~ 17.1mA
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
GPIO: 10
Modulation: ASK, FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+102.94 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6250GV33XUMA1/BKN Infineon Technologies Description: IC SPI LOW SIDE POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI15N60C3 SPI15N60C3 Infineon Technologies INFN-S-A0004583382-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GSV33HTMA1 TLE42662GSV33HTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4266-2-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f94369cf3e1b Description: IC REG LIN 3.3V 100MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Inhibit
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 100mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
на замовлення 175904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6250PGV33 Infineon Technologies Infineon-TLE6250-DS-v04_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d3687956174 Description: LOW SIDE POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 150 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1000 TLE5009E1000 Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C164CI-8EMDB SAF-C164CI-8EMDB Infineon Technologies INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: OTP
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP02N80C3 SPP02N80C3 Infineon Technologies Infineon-SPP02N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f1e75f5c57 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP02N60S5 SPP02N60S5 Infineon Technologies Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
577+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 577
В кошику  од. на суму  грн.
SPB03N60C3E3045 SPB03N60C3E3045 Infineon Technologies Infineon-SPB03N60C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW12N50C3 SPW12N50C3 Infineon Technologies Infineon-SPW12N50C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+115.08 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
SKP04N60 SKP04N60 Infineon Technologies INFNS27339-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
SKB02N60 SKB02N60 Infineon Technologies INFNS27332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5206-2IN-ND Infineon Technologies Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4905LHALA1CT Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFFECT SENS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB03N60C3 SPB03N60C3 Infineon Technologies Infineon-SPB03N60C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 8154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 630
В кошику  од. на суму  грн.
BCP69-25E6327 BCP69-25E6327 Infineon Technologies INFNS12748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 20V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1420+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1420
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PL6327 Infineon Technologies Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60S5IN SPU03N60S5IN Infineon Technologies Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en[1].pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
594+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75-E6433 BSP75-E6433 Infineon Technologies Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6433 BSS119L6433 Infineon Technologies INFNS17504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373L6327 BSP373L6327 Infineon Technologies INFNS16746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI12N50C3IN SPI12N50C3IN Infineon Technologies Infineon-SPP_I_A12N50C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637ecbecd0079 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EXAC SAK-TC1797-512F180EXAC Infineon Technologies TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04B5000 BAT64-04B5000 Infineon Technologies INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10377+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS10800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WE6327 BAW56WE6327 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56W-E6327 BAW56W-E6327 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796 Infineon Technologies INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N65C3XKSA1 SPP15N65C3XKSA1 Infineon Technologies INFNS11588-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+125.22 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4931CNHAMA1 Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH SPEED SENSOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD205-B1-02ELSE6327 ESD205-B1-02ELSE6327 Infineon Technologies INFN-S-A0000192796-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFD SPW11N60CFD Infineon Technologies Infineon-SPW11N60CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+136.79 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1 BSS119NH7978XTSA1 Infineon Technologies INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 2597
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04WE6327 BAT64-04WE6327 Infineon Technologies INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-06B5003 BAT64-06B5003 Infineon Technologies INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10377+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3AKMA1 SPS04N60C3AKMA1 Infineon Technologies Infineon-SPS04N60C3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304340e762c80140f2fb153d5c27 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 101415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
487+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1000FUMA TLE5009E1000FUMA Infineon Technologies Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-05WH6327 BAT64-05WH6327 Infineon Technologies INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF20570FV3.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LINE & PORT INTERFACE CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+1654.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SPB02N60S5 spb02n60s5_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPB02N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N65C3 INFNS17080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI07N65C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+65.14 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI16N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+85.12 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
SPP03N60S5 Infineon-SPP_A03N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dfb1c492b
SPP03N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 29235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
495+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 495
В кошику  од. на суму  грн.
SPI07N60C3 INFN-S-A0004583442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI07N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
SPI12N50C3 INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI12N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
263+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPB02N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
SPI15N60CFD spi15n60cfd_rev1.0_b.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI15N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
184+119.36 грн
Мінімальне замовлення: 184
В кошику  од. на суму  грн.
SPP12N50C3 description INFNS14197-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP12N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2310S-8F40RAA INFNS16682-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-XC2310S-8F40RAA
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MCU - XC2300 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 8x12b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38-8
Part Status: Active
Number of I/O: 28
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N60S5 Infineon-SPP_A04N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42dd6a14900
SPP04N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
на замовлення 42120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
371+56.54 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPD02N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW15N60CFD Infineon-SPW15N60CFD-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431936bc4b01195b5b2944324b
SPW15N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
226+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 226
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N60S5BTMA1 INFNS27107-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPD07N60S5BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 25 V
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
355+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 355
В кошику  од. на суму  грн.
SPI16N50C3IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
267+81.79 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N60S5 Infineon-SPP_I_A11N60C3_E8185-DS-v03_03-EN.pdf?fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3
SPI11N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC161KLMHAFXQMA1 Infineon-C161KO-DS-v02_00-en[1].pdf?fileId=db3a304412b407950112b43a45456fc3
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-80-1
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+845.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SPP16N50C3 INFNS14199-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP16N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60C3 Infineon-SPW11N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d87b14893
SPW11N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
166+131.01 грн
Мінімальне замовлення: 166
В кошику  од. на суму  грн.
PMA5105 INFNS17057-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PMA5105
Виробник: Infineon Technologies
Description: 8-BIT FLASH MCU, 8051 CPU, 12MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Memory Size: 6kB Flash, 12kB ROM, 256B RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.9V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Data Rate (Max): 32kbps
Current - Transmitting: 8.9mA ~ 17.1mA
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
GPIO: 10
Modulation: ASK, FSK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: I²C, SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 50687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+102.94 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6250GV33XUMA1/BKN
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SPI LOW SIDE POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI15N60C3 INFN-S-A0004583382-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPI15N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
197+112.04 грн
Мінімальне замовлення: 197
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42662GSV33HTMA1 Infineon-TLE4266-2-DS-v01_40-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f94369cf3e1b
TLE42662GSV33HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 100MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 70 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Inhibit
PSRR: 68dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.1V @ 100mA
Protection Features: Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
на замовлення 175904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
TLE6250PGV33 Infineon-TLE6250-DS-v04_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a3d3687956174
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW SIDE POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 1Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Receiver Hysteresis: 150 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1000
TLE5009E1000
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
193+113.30 грн
Мінімальне замовлення: 193
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C164CI-8EMDB INFNS03050-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-C164CI-8EMDB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT 64KB OTP 80MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: OTP
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.75V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, SSC, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Number of I/O: 59
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP02N80C3 Infineon-SPP02N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8f1e75f5c57
SPP02N80C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP02N60S5 Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f
SPP02N60S5
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
577+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 577
В кошику  од. на суму  грн.
SPB03N60C3E3045 Infineon-SPB03N60C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPB03N60C3E3045
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW12N50C3 Infineon-SPW12N50C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPW12N50C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
189+115.08 грн
Мінімальне замовлення: 189
В кошику  од. на суму  грн.
SKP04N60 INFNS27339-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SKP04N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 9.4A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/237ns
Switching Energy: 131µJ
Test Condition: 400V, 4A, 67Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 19 A
Power - Max: 50 W
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
315+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 315
В кошику  од. на суму  грн.
SKB02N60 INFNS27332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SKB02N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
Switching Energy: 64µJ
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 30 W
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
424+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5206-2IN-ND
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4905LHALA1CT
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH HALL EFFECT SENS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB03N60C3 Infineon-SPB03N60C3-DS-v02_05-en.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPB03N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 8154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
630+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 630
В кошику  од. на суму  грн.
BCP69-25E6327 INFNS12748-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCP69-25E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 20V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1420+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1420
В кошику  од. на суму  грн.
BSP613PL6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60S5IN Infineon-SPD_U03N60S5-DS-v02_05-en[1].pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c8ab0471f
SPU03N60S5IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
594+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 594
В кошику  од. на суму  грн.
BSP75-E6433
BSP75-E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119L6433 INFNS17504-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS119L6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3463+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3463
В кошику  од. на суму  грн.
BSP373L6327 INFNS16746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP373L6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI12N50C3IN Infineon-SPP_I_A12N50C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011637ecbecd0079
SPI12N50C3IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1797-512F180EXAC TC1797_DS_V1%203.pdf?fileId=db3a30431ed1d7b2011efeaa4ad16b6d
SAK-TC1797-512F180EXAC
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 416-BGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 180MHz
Program Memory Size: 4MB (4M x 8)
RAM Size: 224K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x10b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, EBI/EMI, FlexRay, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-BGA-416-27
Part Status: Active
Number of I/O: 221
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04B5000 INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-04B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10377+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
BSP52E6327HTSA1 INFNS10800-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56WE6327 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56W-E6327 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56W-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119N H7796 INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6918+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 6918
В кошику  од. на суму  грн.
SPP15N65C3XKSA1 INFNS11588-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPP15N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 675µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+125.22 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4931CNHAMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH SPEED SENSOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD205-B1-02ELSE6327 INFN-S-A0000192796-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ESD205-B1-02ELSE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9V (Typ)
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW11N60CFD Infineon-SPW11N60CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e5f1849b3
SPW11N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+136.79 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
BSS119NH7978XTSA1 INFNS19097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSS119NH7978XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2597+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 2597
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-04WE6327 INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-04WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-06B5003 INFNS09506-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-06B5003
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V SOT23-3-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10377+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 10377
В кошику  од. на суму  грн.
SPS04N60C3AKMA1 Infineon-SPS04N60C3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a304340e762c80140f2fb153d5c27
SPS04N60C3AKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 101415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
487+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 487
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5009E1000FUMA
TLE5009E1000FUMA
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH ANGLE SENSOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Analog Voltage
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-DSO-8-16
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°, Continuous
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-05WH6327 INFNS11551-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT64-05WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120mA
Supplier Device Package: PG-SOT323-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]