Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149719) > Сторінка 344 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE4206G TLE4206G Infineon Technologies Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40 Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER, 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62512G TLE62512G Infineon Technologies Infineon-TLE6251-2G-DS-v01_22-EN.pdf?fileId=5546d4625996c0c30159a766fb9977b8 Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14-13
Receiver Hysteresis: 100 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169E6327 BCR169E6327 Infineon Technologies INFNS11715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7397+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7397
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169WH6327 BCR169WH6327 Infineon Technologies INFNS17187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7123+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 7123
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 162 E6327 Infineon Technologies INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 BCR162E6327 Infineon Technologies INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166 BCR166 Infineon Technologies INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166WE6327 BCR166WE6327 Infineon Technologies SIEMD095-691.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169S BCR169S Infineon Technologies INFNS17187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 BCR166E6327 Infineon Technologies SIEMD095-687.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169SH6327 BCR169SH6327 Infineon Technologies Infineon-BCR169SERIES-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a30431428a37301144063498902f9 Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166W BCR166W Infineon Technologies INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV33-200BZC CY7C1470BV33-200BZC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+10895.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03N03MSG Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1876+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 1876
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBF-1 IRF7413TRPBF-1 Infineon Technologies IRF7413PbF-1_11-19-13.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA4862HKLA1 TDA4862HKLA1 Infineon Technologies Infineon-PFC_DCMICTDA4862G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b417ffae24a3 Description: POWER FACTOR CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA1 IPP45N06S409AKSA1 Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 799
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4L08AKSA1 IPP45N06S4L08AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 799
В кошику  од. на суму  грн.
IPI45N06S409AKSA2 IPI45N06S409AKSA2 Infineon Technologies IPx45N06S4-09.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7 IPW60R120P7 Infineon Technologies INFN-S-A0006145425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R12KT4B11BPSA1 FP150R12KT4B11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP150R12KT4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015baa19ee2e1409 Description: IGBT MODULE 1200V 150A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1367A-264F180EBAA Infineon Technologies Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+768.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 IPD036N04LGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BF5020WH6327 Infineon Technologies INFNS13463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 100nA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 32dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1.2dB
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N65C3IN Infineon Technologies Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ND350N12KHPSA1 ND350N12KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-ND350N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431306b53c9 Description: DIODE GP 1.2KV 350A BG-PB50ND-1
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13369.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ND350N16KHPSA1 Infineon Technologies Infineon-ND350N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431306b53c9 Description: DIODE GP 1.6KV 350A PB50ND-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 17-05W H6327 BAT 17-05W H6327 Infineon Technologies INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3718+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3718
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71GE6327 BCX71GE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6869+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6327 BCX71JE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7454+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71HE6327 BCX71HE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6869+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71KE6327 BCX71KE6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCX 71H E6327 BCX 71H E6327 Infineon Technologies INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7454+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71H BCX71H Infineon Technologies PHGLS19403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71GE6327HTSA1 BCX71GE6327HTSA1 Infineon Technologies bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6885+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 6885
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6433HTMA1 BCX71JE6433HTMA1 Infineon Technologies bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 563000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9072+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 9072
В кошику  од. на суму  грн.
ESD217B102ELE6327XTMA1 ESD217B102ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-ESD217-B1-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b87501496601e99b55e7 Description: TVS DIODE 14VWM 29V PGTSLP219
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29V (Typ)
Power - Peak Pulse: 85W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD217B102ELE6327XTMA1 ESD217B102ELE6327XTMA1 Infineon Technologies Infineon-ESD217-B1-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b87501496601e99b55e7 Description: TVS DIODE 14VWM 29V PGTSLP219
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29V (Typ)
Power - Peak Pulse: 85W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 69184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
32+10.16 грн
100+4.70 грн
500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N03S G BSC027N03S G Infineon Technologies BSC027N03S_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.68 грн
10+81.42 грн
100+54.77 грн
500+40.68 грн
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65HS IGW50N65HS Infineon Technologies INFN-S-A0001299637-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLM9670AQ20FW1311XTMA1 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 Infineon Technologies Infineon-SLM%209670-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a21819cc80c93 Description: INDUSTRIAL TPM SECURITY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V, 3V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Active
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+183.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SLM9670AQ20FW1311XTMA1 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 Infineon Technologies Infineon-SLM%209670-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a21819cc80c93 Description: INDUSTRIAL TPM SECURITY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V, 3V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Active
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 18718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.07 грн
10+247.29 грн
25+227.76 грн
100+193.70 грн
250+184.14 грн
500+178.37 грн
1000+170.78 грн
2500+165.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LD BSC150N03LD Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SPHXUMA1 Infineon Technologies BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.11 грн
10+100.95 грн
100+71.81 грн
500+55.27 грн
1000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117GSV33 IFX1117GSV33 Infineon Technologies INFNS13526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC REG LIN 3.3V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215P H6327 Infineon Technologies INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMA7105 Infineon Technologies INFNS17057-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 8-BIT FLASH MCU, 8051 CPU, 12MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Memory Size: 6KB Flash, 12KB ROM, 256 Byte RAM
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.9V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Remote Control, Remote Metering
Data Rate (Max): 20kbps
Current - Transmitting: 17.1mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS050N03LG IPS050N03LG Infineon Technologies INFNS27908-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 834
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2L SPD50N03S2L Infineon Technologies Infineon-SPD50N03S2-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b97117df80e2a Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
545+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
BSF050N03LQ3G Infineon Technologies INFNS16729-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2-07G SPD50N03S2-07G Infineon Technologies INFNS15686-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2L-06G SPD50N03S2L-06G Infineon Technologies Infineon-SPD50N03S2-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b97117df80e2a Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2-07 G SPD50N03S2-07 G Infineon Technologies INFNS15686-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Infineon Technologies irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.90 грн
6000+6.14 грн
9000+5.00 грн
15000+4.60 грн
21000+4.49 грн
30000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF Infineon Technologies irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640 Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
на замовлення 47358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.20 грн
20+16.03 грн
100+10.36 грн
500+8.32 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3054 PVA3054 Infineon Technologies pva33.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 40MA 0-300V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 40 mA
Supplier Device Package: 8-DIP Modified
Part Status: Obsolete
Voltage - Load: 0 V ~ 300 V
On-State Resistance (Max): 160 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3055 PVA3055 Infineon Technologies pva30.pdf Description: SSR RELAY SPST-NO 40MA 0-300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4206G Infineon-TLE4206-2G-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8a3f58793f40
TLE4206G
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRUSH DC MOTOR CONTROLLER, 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE62512G Infineon-TLE6251-2G-DS-v01_22-EN.pdf?fileId=5546d4625996c0c30159a766fb9977b8
TLE62512G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 DSO-14
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-14-13
Receiver Hysteresis: 100 mV
Duplex: Half
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169E6327 INFNS11715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR169E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7397+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7397
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169WH6327 INFNS17187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR169WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7123+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 7123
В кошику  од. на суму  грн.
BCR 162 E6327 INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
BCR162E6327 INFNS11631-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR162E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166 INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR166
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166WE6327 SIEMD095-691.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR166WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169S INFNS17187-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR169S
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166E6327 SIEMD095-687.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR166E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-11
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR169SH6327 Infineon-BCR169SERIES-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a30431428a37301144063498902f9
BCR169SH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR166W INFNS17140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR166W
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 160 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV33-200BZC download
CY7C1470BV33-200BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+10895.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSO083N03N03MSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1876+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 1876
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413TRPBF-1 IRF7413PbF-1_11-19-13.pdf
IRF7413TRPBF-1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TDA4862HKLA1 Infineon-PFC_DCMICTDA4862G-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b417ffae24a3
TDA4862HKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FACTOR CONTROLLER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
426+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 426
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S409AKSA1 IPx45N06S4-09.pdf
IPP45N06S409AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
799+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 799
В кошику  од. на суму  грн.
IPP45N06S4L08AKSA1 Infineon-IPP_B_I45N06S4L_08-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038fbf79a0d1c
IPP45N06S4L08AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
799+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 799
В кошику  од. на суму  грн.
IPI45N06S409AKSA2 IPx45N06S4-09.pdf
IPI45N06S409AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7 INFN-S-A0006145425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R120P7
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP150R12KT4B11BPSA1 Infineon-FP150R12KT4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015baa19ee2e1409
FP150R12KT4B11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 150A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1367A-264F180EBAA
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+768.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGATMA1 Infineon-IPD036N04L-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
IPD036N04LGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BF5020WH6327 INFNS13463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 100nA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N-Channel
Gain: 32dB
Technology: MOSFET
Noise Figure: 1.2dB
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
Voltage - Rated: 8 V
Voltage - Test: 5 V
Current - Test: 10 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPI11N65C3IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ND350N12KHPSA1 Infineon-ND350N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431306b53c9
ND350N12KHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 350A BG-PB50ND-1
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13369.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ND350N16KHPSA1 Infineon-ND350N-DS-v01_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431306b53c9
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.6KV 350A PB50ND-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT 17-05W H6327 INFNS15700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT 17-05W H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MIXER/DETECTOR SCHOTTKY DIODE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3718+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3718
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71GE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCX71GE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6869+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCX71JE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7454+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71HE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCX71HE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6869+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 6869
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71KE6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCX71KE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BCX 71H E6327 INFNS11623-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCX 71H E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7454+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 7454
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71H PHGLS19403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCX71H
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71GE6327HTSA1 bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b
BCX71GE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6885+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 6885
В кошику  од. на суму  грн.
BCX71JE6433HTMA1 bcw61_bcx71.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca3890115422f2cbc173b
BCX71JE6433HTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 563000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9072+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 9072
В кошику  од. на суму  грн.
ESD217B102ELE6327XTMA1 Infineon-ESD217-B1-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b87501496601e99b55e7
ESD217B102ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 14VWM 29V PGTSLP219
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29V (Typ)
Power - Peak Pulse: 85W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
ESD217B102ELE6327XTMA1 Infineon-ESD217-B1-02EL-DS-v01_00-EN.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=5546d4624933b87501496601e99b55e7
ESD217B102ELE6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 14VWM 29V PGTSLP219
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 9pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-2-19
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29V (Typ)
Power - Peak Pulse: 85W
Power Line Protection: No
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 69184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
32+10.16 грн
100+4.70 грн
500+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N03S G BSC027N03S_G.pdf
BSC027N03S G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+33.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b146334d419ec
BSC12DN20NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 6120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.68 грн
10+81.42 грн
100+54.77 грн
500+40.68 грн
1000+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N65HS INFN-S-A0001299637-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW50N65HS
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLM9670AQ20FW1311XTMA1 Infineon-SLM%209670-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a21819cc80c93
SLM9670AQ20FW1311XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INDUSTRIAL TPM SECURITY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V, 3V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Active
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+183.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SLM9670AQ20FW1311XTMA1 Infineon-SLM%209670-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a21819cc80c93
SLM9670AQ20FW1311XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INDUSTRIAL TPM SECURITY
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V, 3V ~ 3.6V
Program Memory Type: NVM (6.8kB)
Applications: Trusted Platform Module (TPM)
Core Processor: 16-Bit
Supplier Device Package: PG-VQFN-32-13
Part Status: Active
Number of I/O: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 18718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.07 грн
10+247.29 грн
25+227.76 грн
100+193.70 грн
250+184.14 грн
500+178.37 грн
1000+170.78 грн
2500+165.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC150N03LD BSC150N03LD_rev1.4.pdf?fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
BSC150N03LD
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSO301SPHXUMA1 BSO301SP_Rev1+32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326c2768b0126d226cd5d68ac
BSO301SPHXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.79W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5890 pF @ 25 V
на замовлення 7777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.11 грн
10+100.95 грн
100+71.81 грн
500+55.27 грн
1000+51.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IFX1117GSV33 INFNS13526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IFX1117GSV33
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 1A PG-SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: 0°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 mA
Voltage - Input (Max): 15V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Part Status: Active
PSRR: 65dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 1.4V @ 1A
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
BSS215P H6327 INFNS15443-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 11µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMA7105 INFNS17057-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: 8-BIT FLASH MCU, 8051 CPU, 12MHZ
Packaging: Bulk
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz
Memory Size: 6KB Flash, 12KB ROM, 256 Byte RAM
Modulation or Protocol: ASK, FSK
Data Interface: PCB, Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.9V ~ 3.6V
Power - Output: 10dBm
Applications: Remote Control, Remote Metering
Data Rate (Max): 20kbps
Current - Transmitting: 17.1mA
Antenna Connector: PCB, Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS050N03LG INFNS27908-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPS050N03LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
834+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 834
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2L Infineon-SPD50N03S2-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b97117df80e2a
SPD50N03S2L
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
545+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 545
В кошику  од. на суму  грн.
BSF050N03LQ3G INFNS16729-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MG-WDSON-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
на замовлення 14925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
525+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 525
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2-07G INFNS15686-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPD50N03S2-07G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2L-06G Infineon-SPD50N03S2-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b97117df80e2a
SPD50N03S2L-06G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S2-07 G INFNS15686-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPD50N03S2-07 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640
IRLML9301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.90 грн
6000+6.14 грн
9000+5.00 грн
15000+4.60 грн
21000+4.49 грн
30000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535668e5e42640
IRLML9301TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 388 pF @ 25 V
на замовлення 47358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.20 грн
20+16.03 грн
100+10.36 грн
500+8.32 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3054 pva33.pdf
PVA3054
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 40MA 0-300V
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 4 Leads
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Input: 1.2VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Termination Style: PC Pin
Load Current: 40 mA
Supplier Device Package: 8-DIP Modified
Part Status: Obsolete
Voltage - Load: 0 V ~ 300 V
On-State Resistance (Max): 160 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3055 pva30.pdf
PVA3055
Виробник: Infineon Technologies
Description: SSR RELAY SPST-NO 40MA 0-300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 339 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]