Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149484) > Сторінка 349 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
T1080N02TOFXPSA1 T1080N02TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301 Description: SCR MODULE 600V 2000A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T580N02TOFXPSA1 Infineon Technologies T580N.pdf Description: SCR MODULE 600V 800A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 568 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SABC161SLM3VAABXUMA1 SABC161SLM3VAABXUMA1 Infineon Technologies INFNS05712-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+358.44 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSG Infineon Technologies INFNS27235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSG BSC100N03LSG Infineon Technologies INFNS16184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3875VTFTTOBO1 KITA2GTC3875VTFTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-ApplicationKitManual_TC3X7-UM-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454383c483d Description: AURIX TC387 5V TFT EVAL BRD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Function: USB to UART (RS232) Bridge
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC387
Supplied Contents: Board(s)
Platform: AURIX TC387 5V TFT
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20398.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60 BSP60 Infineon Technologies INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT2234-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 33700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1703+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 1703
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60E6327 BSP60E6327 Infineon Technologies INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 24430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2077+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2LNT BSP603S2LNT Infineon Technologies INFNS12252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1039+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1039
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60H6327XTSA1 BSP60H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 60 E6433 BSP 60 E6433 Infineon Technologies bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327HTSA1 BSP61E6327HTSA1 Infineon Technologies bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 43880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2129+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 2129
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327 BSP61E6327 Infineon Technologies INFNS10837-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1598+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 360L3E6765 Infineon Technologies INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3073+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360L3E6765 BFR360L3E6765 Infineon Technologies INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 41726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3073+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
TC336LP32F200SAAKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TriCore_Family_BR-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f47b436c7 Description: AURIX 2G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1 Infineon Technologies IRLML6402PbF-1_10-28-14.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6MS24017E33W31361NOSA1 6MS24017E33W31361NOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1700V A-MS3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT18-05E6327 Infineon Technologies INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327HTSA1 BAT1805E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE 35V PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1420+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1420
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327 Infineon Technologies INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 nA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1 IPZ60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+432.43 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1 IPZ60R041P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ60R041P6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ee36a7dc20200 Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+497.49 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412AV18-200BZC CY7C1412AV18-200BZC Infineon Technologies CY7C1425AV18%2C%20CY7C141%280%2C2%2C4%29AV18_8.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3287.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415BV18-200BZXC CY7C1415BV18-200BZXC Infineon Technologies CY7C1411%2C13%2C15%2C26BV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3287.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412BV18-167BZC CY7C1412BV18-167BZC Infineon Technologies CY7C141%282%2C4%29BV18_RevE.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3334.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DT430N22KOFHPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE PB60-1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03L G Infineon Technologies INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DVNTMA1 TLE4276DVNTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LINEAR ADJ LDO REGULATOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4905 IRFI4905 Infineon Technologies irfi4905.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4905B Infineon Technologies Description: MOSFET 55V 42A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608 Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608 Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.42 грн
10+284.31 грн
25+262.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45567426201 Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45567426201 Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+57.57 грн
100+38.06 грн
500+27.82 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGA612H6327 BGA612H6327 Infineon Technologies INFNS16400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP 802.15 500MHZ-6GHZ SOT343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 500MHz ~ 6GHz
RF Type: 802.15/Bluetooth, ISM, WLAN, GSM, GPS, DCS, UMTS
Voltage - Supply: 2.75V
Gain: 15dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -16.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PFXUMA1 2EDL05I06PFXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PFXUMA1 2EDL05I06PFXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.71 грн
10+62.76 грн
25+56.73 грн
100+47.06 грн
250+44.12 грн
500+42.35 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C505CA-LMCA SAF-C505CA-LMCA Infineon Technologies INFNS04968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1.25K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C500
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.25V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Active
Number of I/O: 34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC505CALMCA SAFC505CALMCA Infineon Technologies INFNS04968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1.25K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C500
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.25V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Active
Number of I/O: 34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCKXUMA2 TC264D40F200NBCKXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.5MB (2.5M x 8)
RAM Size: 240K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b SAR, 3 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-22
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+2725.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCKXUMA2 TC264D40F200NBCKXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445 Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.5MB (2.5M x 8)
RAM Size: 240K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b SAR, 3 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-22
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4005.98 грн
10+3171.94 грн
25+3000.86 грн
100+2639.73 грн
250+2555.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS436L2SHKSA1 ITS436L2SHKSA1 Infineon Technologies INFNS09387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS430K2E3122A BTS430K2E3122A Infineon Technologies INFNS20608-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Features: Auto Restart, Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 32V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 36A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P-TO220-5-122
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS436L2GNTMA1 BTS436L2GNTMA1 Infineon Technologies INFNS05499-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.75V ~ 41V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182E-6327 BFR182E-6327 Infineon Technologies INFNS10845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62256LL-55ZXI CY62256LL-55ZXI Infineon Technologies CY62256%20%28Jul05%29.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+175.64 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
CY62256EV18LL-70SNXI CY62256EV18LL-70SNXI Infineon Technologies CY62256EV18%20MoBL.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+180.72 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
CY62256VNLL-70ZRXE CY62256VNLL-70ZRXE Infineon Technologies CY62256VN.pdf Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF9275FXUMA1 2EDF9275FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF9275FXUMA1 2EDF9275FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.35 грн
10+154.73 грн
25+141.77 грн
100+119.66 грн
250+113.28 грн
500+109.44 грн
1000+104.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4BOSA1 FS200R12PT4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS200R12PT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30432239cccd01230df5d3f555e9 Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12368.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS611L1E3128ANTMA1 BTS611L1E3128ANTMA1 Infineon Technologies INFNS05471-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 2 CH HIGH-SIDE POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Slew Rate Controlled
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P-TO263-7-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 71296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.18 грн
10+120.18 грн
100+82.46 грн
500+62.22 грн
1000+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6 Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.22 грн
2000+19.26 грн
3000+18.51 грн
5000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196WH6327XTSA1 BCR196WH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6571+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196E6327HTSA1 BCR196E6327HTSA1 Infineon Technologies bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9746+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 9746
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N02TOFXPSA1 Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301
T1080N02TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 600V 2000A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T580N02TOFXPSA1 T580N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 600V 800A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 568 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SABC161SLM3VAABXUMA1 INFNS05712-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SABC161SLM3VAABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+358.44 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSG INFNS27235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSG INFNS16184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC100N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3875VTFTTOBO1 Infineon-ApplicationKitManual_TC3X7-UM-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454383c483d
KITA2GTC3875VTFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX TC387 5V TFT EVAL BRD
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Function: USB to UART (RS232) Bridge
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC387
Supplied Contents: Board(s)
Platform: AURIX TC387 5V TFT
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20398.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60 INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP60
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT2234-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 33700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1703+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 1703
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60E6327 INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP60E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 24430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2077+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2LNT INFNS12252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP603S2LNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1039+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1039
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60H6327XTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
BSP60H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 60 E6433 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
BSP 60 E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327HTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
BSP61E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 43880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2129+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 2129
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327 INFNS10837-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP61E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1598+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 360L3E6765 INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3073+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360L3E6765 INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR360L3E6765
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 41726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3073+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
TC336LP32F200SAAKXUMA1 Infineon-TriCore_Family_BR-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f47b436c7
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX 2G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1 IRLML6402PbF-1_10-28-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6MS24017E33W31361NOSA1
6MS24017E33W31361NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V A-MS3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT18-05E6327 INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327HTSA1 INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT1805E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE 35V PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1420+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 1420
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327 INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 nA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1
IPZ60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+432.43 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1 Infineon-IPZ60R041P6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ee36a7dc20200
IPZ60R041P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+497.49 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412AV18-200BZC CY7C1425AV18%2C%20CY7C141%280%2C2%2C4%29AV18_8.pdf
CY7C1412AV18-200BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3287.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415BV18-200BZXC CY7C1411%2C13%2C15%2C26BV18.pdf
CY7C1415BV18-200BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3287.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412BV18-167BZC CY7C141%282%2C4%29BV18_RevE.pdf
CY7C1412BV18-167BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3334.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DT430N22KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE PB60-1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03L G INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DVNTMA1 Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276DVNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR ADJ LDO REGULATOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4905 irfi4905.pdf
IRFI4905
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4905B
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 55V 42A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608
IR3889MTRPBFAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608
IR3889MTRPBFAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.42 грн
10+284.31 грн
25+262.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45567426201
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45567426201
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+57.57 грн
100+38.06 грн
500+27.82 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BGA612H6327 INFNS16400-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGA612H6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP 802.15 500MHZ-6GHZ SOT343
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 500MHz ~ 6GHz
RF Type: 802.15/Bluetooth, ISM, WLAN, GSM, GPS, DCS, UMTS
Voltage - Supply: 2.75V
Gain: 15dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -16.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PFXUMA1 Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b
2EDL05I06PFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05I06PFXUMA1 Infineon-2EDL05x06xx-DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3c649ffd6c8b
2EDL05I06PFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 48ns, 24ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.71 грн
10+62.76 грн
25+56.73 грн
100+47.06 грн
250+44.12 грн
500+42.35 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-C505CA-LMCA INFNS04968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-C505CA-LMCA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1.25K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C500
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.25V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Active
Number of I/O: 34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAFC505CALMCA INFNS04968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAFC505CALMCA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT ROMLESS 44MQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 1.25K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C500
Data Converters: A/D 8x10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.25V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-44-2
Part Status: Active
Number of I/O: 34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCKXUMA2 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC264D40F200NBCKXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.5MB (2.5M x 8)
RAM Size: 240K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b SAR, 3 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-22
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+2725.69 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TC264D40F200NBCKXUMA2 Infineon-TC26xBC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b40169538e06030445
TC264D40F200NBCKXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 2.5MB FLASH 144LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 144-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 200MHz
Program Memory Size: 2.5MB (2.5M x 8)
RAM Size: 240K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 96K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 48x12b SAR, 3 x Sigma-Delta
Core Size: 32-Bit Dual-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-144-22
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4005.98 грн
10+3171.94 грн
25+3000.86 грн
100+2639.73 грн
250+2555.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ITS436L2SHKSA1 INFNS09387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ITS436L2SHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BTS430K2E3122A INFNS20608-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS430K2E3122A
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Features: Auto Restart, Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 30mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.5V ~ 32V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 36A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P-TO220-5-122
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS436L2GNTMA1 INFNS05499-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS436L2GNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 35mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 4.75V ~ 41V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 9.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182E-6327 INFNS10845-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR182E-6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY62256LL-55ZXI CY62256%20%28Jul05%29.pdf
CY62256LL-55ZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 55ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 55 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
124+175.64 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
CY62256EV18LL-70SNXI CY62256EV18%20MoBL.pdf
CY62256EV18LL-70SNXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.25V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+180.72 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
CY62256VNLL-70ZRXE CY62256VN.pdf
CY62256VNLL-70ZRXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Tube
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+219.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF9275FXUMA1 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDF9275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+113.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF9275FXUMA1 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDF9275FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-16-11
Rise / Fall Time (Typ): 6.5ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: -, 1.65V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 8A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.35 грн
10+154.73 грн
25+141.77 грн
100+119.66 грн
250+113.28 грн
500+109.44 грн
1000+104.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12PT4BOSA1 Infineon-FS200R12PT4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30432239cccd01230df5d3f555e9
FS200R12PT4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+12368.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS611L1E3128ANTMA1 INFNS05471-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS611L1E3128ANTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 2 CH HIGH-SIDE POWER SWITCH
Packaging: Bulk
Features: Auto Restart, Slew Rate Controlled
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: P-TO263-7-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Part Status: Active
на замовлення 71296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 10182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.18 грн
10+120.18 грн
100+82.46 грн
500+62.22 грн
1000+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSP372NH6327XTSA1 BSP372N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433dd58def013dd8e68ae413f6
BSP372NH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 218µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 329 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.22 грн
2000+19.26 грн
3000+18.51 грн
5000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196WH6327XTSA1 bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db
BCR196WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6571+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 6571
В кошику  од. на суму  грн.
BCR196E6327HTSA1 bcr196series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144048156b02db
BCR196E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9746+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 9746
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 344 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]