Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149719) > Сторінка 345 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PEB42652VV1.1 Infineon Technologies INTL-S-A0006019977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SLIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+317.69 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4265-2TV1.1GD Infineon Technologies Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SLIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5101XUMA1 ICL5101XUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICL5101-DS-v01_30-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b73386f216550 Description: IC LED DRIVER OFFL 16DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC267TFTTOBO1 KITAURIXTC267TFTTOBO1 Infineon Technologies Description: AURIX APPLICATION KIT TC267 TFT
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC267
Platform: AURIX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TRPBF IRF6636TRPBF Infineon Technologies irf6636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8f7b31a41 Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5 Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.83 грн
10+69.20 грн
100+66.18 грн
500+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGH 92M E6327 Infineon Technologies Product+and+Application+Guide.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01146ec76de80910&fileId=db3a304329a0f6ee0129b13c338f0372 Description: FILTER LC ESD SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814SPBF IRS21814SPBF Infineon Technologies INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814PBF IRS21814PBF Infineon Technologies INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21814S AUIRS21814S Infineon Technologies IRSDS19254-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814MPBF IRS21814MPBF Infineon Technologies irs21814mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535676c8a827d6 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Packaging: Tube
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-MLPQ (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1 MMBTA06LT1 Infineon Technologies ONSMS30148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSB2163NV3.1G Infineon Technologies SIEMS00943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ARCOFI AUDIO RINGING CODEC
Packaging: Bulk
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+1056.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20560V3.1DOC PEB20560V3.1DOC Infineon Technologies Description: TIME SLOT ASSIGNER
Packaging: Bulk
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+3215.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSB2163NV3.1 Infineon Technologies SIEMS00943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ARCOFI AUDIO RINGING CODEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20570FV3.1 PEB20570FV3.1 Infineon Technologies delic-lc_delic-pb.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: LINE & PORT INTERFACE CONTROLLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Line Card Controller
Interface: ISDN
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.13V ~ 3.47V
Current - Supply: 272.6mA
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-3
Part Status: Active
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1636.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PSB7280FV3.1D Infineon Technologies PSB7280.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: JOINT AUDIO DECODER-ENCODER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+2147.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV3.1 PEB2096HV3.1 Infineon Technologies Description: OCTAT-P OCTAL TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22554HTV3.1 Infineon Technologies Description: QUADFALC FRAMER & LINE INTERFACE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857AE6327 Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7818+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 7818
В кошику  од. на суму  грн.
IPA023N04NM3SXKSA1 Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOPRESSUREDPS310TOBO1 S2GOPRESSUREDPS310TOBO1 Infineon Technologies Infineon-DPS310-Pressure-Shield2Go-GS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164cc3275f03116 Description: EVAL PRESSURE DPS310
Packaging: Box
Function: Pressure
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: DPS310
Platform: Shield2Go
Part Status: Active
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB100N04S2-04 SPB100N04S2-04 Infineon Technologies SPP%2CSPB100N04S2-04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7220 pF @ 25 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+104.66 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N02TOFXPSA1 T1080N02TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301 Description: SCR MODULE 600V 2000A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T580N02TOFXPSA1 Infineon Technologies T580N.pdf Description: SCR MODULE 600V 800A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 568 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SABC161SLM3VAABXUMA1 SABC161SLM3VAABXUMA1 Infineon Technologies INFNS05712-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSG Infineon Technologies INFNS27235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSG BSC100N03LSG Infineon Technologies INFNS16184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6X1SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3875VTFTTOBO1 KITA2GTC3875VTFTTOBO1 Infineon Technologies Infineon-ApplicationKitManual_TC3X7-UM-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454383c483d Description: AURIX TC387 5V TFT EVAL BRD
Packaging: Bulk
Function: USB to UART (RS232) Bridge
Type: MCU 32-Bit
Utilized IC / Part: TC387
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Mounting Type: Fixed
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Platform: AURIX TC387 5V TFT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21175.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60 BSP60 Infineon Technologies INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT2234-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 33700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1416+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60E6327 BSP60E6327 Infineon Technologies INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 24430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2077+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2LNT BSP603S2LNT Infineon Technologies INFNS12252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
852+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 852
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60H6327XTSA1 BSP60H6327XTSA1 Infineon Technologies bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 60 E6433 BSP 60 E6433 Infineon Technologies bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327HTSA1 BSP61E6327HTSA1 Infineon Technologies bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 43880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2129+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 2129
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327 BSP61E6327 Infineon Technologies INFNS10837-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1598+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 360L3E6765 Infineon Technologies INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3073+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360L3E6765 BFR360L3E6765 Infineon Technologies INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 41726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3073+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
TC336LP32F200SAAKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TriCore_Family_BR-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f47b436c7 Description: AURIX 2G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1 Infineon Technologies IRLML6402PbF-1_10-28-14.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6MS24017E33W31361NOSA1 6MS24017E33W31361NOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MODULE 1700V A-MS3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT18-05E6327 Infineon Technologies INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327HTSA1 BAT1805E6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF DIODE 35V PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1181+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 1181
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327 Infineon Technologies INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 nA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1 IPZ60R037P7XKSA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+448.90 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1 IPZ60R041P6FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPZ60R041P6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ee36a7dc20200 Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+516.43 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412AV18-200BZC CY7C1412AV18-200BZC Infineon Technologies CY7C1425AV18%2C%20CY7C141%280%2C2%2C4%29AV18_8.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3413.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415BV18-200BZXC CY7C1415BV18-200BZXC Infineon Technologies CY7C1411%2C13%2C15%2C26BV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3413.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412BV18-167BZC CY7C1412BV18-167BZC Infineon Technologies CY7C141%282%2C4%29BV18_RevE.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+3461.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DT430N22KOFHPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE PB60-1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03L G Infineon Technologies INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DVNTMA1 TLE4276DVNTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576 Description: IC REG LINEAR ADJ LDO REGULATOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4905 IRFI4905 Infineon Technologies irfi4905.pdf Description: MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4905B Infineon Technologies Description: MOSFET 55V 42A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608 Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608 Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.17 грн
10+295.14 грн
25+272.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45567426201 Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PEB42652VV1.1 INTL-S-A0006019977-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SLIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+317.69 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
PEB4265-2TV1.1GD
Виробник: Infineon Technologies
Description: DUSLIC DUAL CHANNEL SLIC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICL5101XUMA1 Infineon-ICL5101-DS-v01_30-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b73386f216550
ICL5101XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL 16DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 3
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Supplier Device Package: PG-DSO-16-23
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITAURIXTC267TFTTOBO1
KITAURIXTC267TFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX APPLICATION KIT TC267 TFT
Packaging: Box
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Utilized IC / Part: TC267
Platform: AURIX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6636TRPBF irf6636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e8f7b31a41
IRF6636TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 Infineon-IPB037N06N3%20G-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a01685b00fd7802f5
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.83 грн
10+69.20 грн
100+66.18 грн
500+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGH 92M E6327 Product+and+Application+Guide.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01146ec76de80910&fileId=db3a304329a0f6ee0129b13c338f0372
Виробник: Infineon Technologies
Description: FILTER LC ESD SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814SPBF description INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21814SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814PBF description INFN-S-A0002363258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS21814PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-DIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS21814S IRSDS19254-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRS21814S
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21814MPBF irs21814mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535676c8a827d6
IRS21814MPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLPQ
Packaging: Tube
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad, 14 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-MLPQ (4x4)
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBTA06LT1 description ONSMS30148-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MMBTA06LT1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSB2163NV3.1G SIEMS00943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: ARCOFI AUDIO RINGING CODEC
Packaging: Bulk
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+1056.04 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20560V3.1DOC
PEB20560V3.1DOC
Виробник: Infineon Technologies
Description: TIME SLOT ASSIGNER
Packaging: Bulk
на замовлення 14230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+3215.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSB2163NV3.1 SIEMS00943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: ARCOFI AUDIO RINGING CODEC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEB20570FV3.1 delic-lc_delic-pb.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
PEB20570FV3.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LINE & PORT INTERFACE CONTROLLER
Packaging: Bulk
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Line Card Controller
Interface: ISDN
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3.13V ~ 3.47V
Current - Supply: 272.6mA
Supplier Device Package: PG-TQFP-100-3
Part Status: Active
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+1636.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PSB7280FV3.1D PSB7280.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Infineon Technologies
Description: JOINT AUDIO DECODER-ENCODER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+2147.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PEB2096HV3.1
PEB2096HV3.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OCTAT-P OCTAL TRANSCEICER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEF22554HTV3.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: QUADFALC FRAMER & LINE INTERFACE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC857AE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7818+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 7818
В кошику  од. на суму  грн.
IPA023N04NM3SXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S2GOPRESSUREDPS310TOBO1 Infineon-DPS310-Pressure-Shield2Go-GS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164cc3275f03116
S2GOPRESSUREDPS310TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL PRESSURE DPS310
Packaging: Box
Function: Pressure
Type: Sensor
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: DPS310
Platform: Shield2Go
Part Status: Active
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB100N04S2-04 SPP%2CSPB100N04S2-04.pdf
SPB100N04S2-04
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7220 pF @ 25 V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+104.66 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N02TOFXPSA1 Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301
T1080N02TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 600V 2000A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T580N02TOFXPSA1 T580N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 600V 800A DO200AA
Packaging: Tray
Package / Case: TO-200AA
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 568 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.4 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SABC161SLM3VAABXUMA1 INFNS05712-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SABC161SLM3VAABXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16-BIT MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 80-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 20MHz
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-MQFP-80-7
Part Status: Active
Number of I/O: 63
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03MSG INFNS27235-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N03LSG INFNS16184-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC100N03LSG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6X1SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH BARE DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITA2GTC3875VTFTTOBO1 Infineon-ApplicationKitManual_TC3X7-UM-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b454383c483d
KITA2GTC3875VTFTTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX TC387 5V TFT EVAL BRD
Packaging: Bulk
Function: USB to UART (RS232) Bridge
Type: MCU 32-Bit
Utilized IC / Part: TC387
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Mounting Type: Fixed
Contents: Board(s), LCD
Core Processor: TriCore™
Platform: AURIX TC387 5V TFT
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21175.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60 INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP60
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT2234-21
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 33700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1416+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1416
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60E6327 INFNS17369-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP60E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 24430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2077+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2077
В кошику  од. на суму  грн.
BSP603S2LNT INFNS12252-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP603S2LNT
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
852+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 852
В кошику  од. на суму  грн.
BSP60H6327XTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
BSP60H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2049+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 2049
В кошику  од. на суму  грн.
BSP 60 E6433 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
BSP 60 E6433
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327HTSA1 bsp60_bsp61_bsp62.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445e1c2e7018a
BSP61E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP DARL 60V 1A SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 43880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2129+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 2129
В кошику  од. на суму  грн.
BSP61E6327 INFNS10837-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSP61E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1598+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 360L3E6765 INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3073+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360L3E6765 INFNS10726-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFR360L3E6765
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW-NOISE SI TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB ~ 16dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 41726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3073+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 3073
В кошику  од. на суму  грн.
TC336LP32F200SAAKXUMA1 Infineon-TriCore_Family_BR-ProductBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f47b436c7
Виробник: Infineon Technologies
Description: AURIX 2G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF-1 IRLML6402PbF-1_10-28-14.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
6MS24017E33W31361NOSA1
6MS24017E33W31361NOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V A-MS3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT18-05E6327 INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327HTSA1 INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAT1805E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE 35V PG-SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
Resistance @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 35V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 100 mA
на замовлення 47248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1181+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 1181
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1805E6327 INFNS15701-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 35V V(BR)
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SOT23
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 nA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R037P7XKSA1
IPZ60R037P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+448.90 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R041P6FKSA1 Infineon-IPZ60R041P6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ee36a7dc20200
IPZ60R041P6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
на замовлення 13435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+516.43 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412AV18-200BZC CY7C1425AV18%2C%20CY7C141%280%2C2%2C4%29AV18_8.pdf
CY7C1412AV18-200BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3413.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415BV18-200BZXC CY7C1411%2C13%2C15%2C26BV18.pdf
CY7C1415BV18-200BZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3413.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1412BV18-167BZC CY7C141%282%2C4%29BV18_RevE.pdf
CY7C1412BV18-167BZC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+3461.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DT430N22KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE PB60-1
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03L G INFNS16316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4276DVNTMA1 Infineon-TLE4276-DS-v02_80-EN.pdf?fileId=5546d4626102d35a01612c4b988a6576
TLE4276DVNTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR ADJ LDO REGULATOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 220 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Max): 20V
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.5V
Control Features: Inhibit
Part Status: Active
PSRR: 54dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 250mA
Protection Features: Antisaturation, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4905 irfi4905.pdf
IRFI4905
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 41A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC4905B
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 55V 42A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608
IR3889MTRPBFAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3889MTRPBFAUMA1 Infineon-IR3889MTRPBF-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016b6c1a8ae45608
IR3889MTRPBFAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 30A IQFN-36
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-PowerVFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 30A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz ~ 2MHz
Voltage - Input (Max): 17V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-IQFN-36-2
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 17V
Voltage - Input (Min): 2V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
Part Status: Active
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.17 грн
10+295.14 грн
25+272.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon-IPN80R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45567426201
IPN80R2K0P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 340 341 342 343 344 345 346 347 348 349 350 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]