Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149795) > Сторінка 411 з 2497

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2497  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BBY55-02WH6327 BBY55-02WH6327 Infineon Technologies INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: PG-SCD80-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 16 V
Capacitance Ratio: 2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 FD1000R17IE4BOSA2 Infineon Technologies Infineon-FD1000R17IE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f20782f4bd1 Description: IGBT MODULE 1700V 6250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34770.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HL3KBPSA1 FD1000R33HL3KBPSA1 Infineon Technologies Infineon-FD1000R33HL3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043407895a701407b6e982f2815 Description: IGBT MOD 3300V 1000A 11500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+172149.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies FD1000R17IE4D_B2.pdf Description: IGBT MOD 1700V 1390A 6250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39321.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI530N15N3GXKSA1 IPI530N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 TT425N16KOFHPSA3 Infineon Technologies Infineon-TT425N-DS-v03_10-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f7bf84bc9 Description: SCR MODULE 1.6KV 800A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 14500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 471 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD600N16KAHPSA1 DD600N16KAHPSA1 Infineon Technologies DD600N_Rev1_06-05-03.pdf Description: DIODE MOD GP 1600V 600A BGPB60
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A
Supplier Device Package: BG-PB60-1
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 1800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250XLEXUMA1 TLE9250XLEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9250X-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14b8cc665980 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.84 грн
10000+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250XLEXUMA1 TLE9250XLEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9250X-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14b8cc665980 Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 24168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.22 грн
10+76.61 грн
25+69.56 грн
100+57.97 грн
250+54.50 грн
500+52.40 грн
1000+49.84 грн
2500+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20666A-24LTXI CY8C20666A-24LTXI Infineon Technologies download Description: MCU 32K FLASH 2K SRAM 48QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI, USB
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+347.78 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3666AXI-202 CY8C3666AXI-202 Infineon Technologies #!?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec73d263e88 Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 100TQFP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+611.84 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20666AS-24LQXI CY8C20666AS-24LQXI Infineon Technologies Infineon-TS2000_001-64564-Software+Module+Datasheets-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC CAPSENSE 32KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI, USB
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA3XTMA1 TLI493DW2BWA3XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.83 грн
5+81.78 грн
10+77.80 грн
25+68.47 грн
50+65.40 грн
100+62.58 грн
500+55.99 грн
1000+53.93 грн
5000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTSA1 TLI493DW2BWA0XTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTMA1 TLI493DW2BWA0XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Test Condition: -40°C ~ 125°C
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.39 грн
5+74.94 грн
10+71.36 грн
25+62.83 грн
50+59.99 грн
100+57.42 грн
500+51.38 грн
1000+49.48 грн
5000+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA1XTMA1 TLI493DW2BWA1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Test Condition: -40°C ~ 125°C
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.22 грн
5+76.05 грн
10+72.31 грн
25+63.64 грн
50+60.77 грн
100+58.16 грн
500+52.04 грн
1000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY24293ZXCT CY24293ZXCT Infineon Technologies download Description: IC CLK BUFFER 2PR 3.3V 16-TSSOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857B E6327 BC857B E6327 Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 303389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7818+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7818
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119WE6327 BCR119WE6327 Infineon Technologies Infineon-BCR119SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301143f643b380286 Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10764+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119WH6327 Infineon Technologies INFNS17179-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR191E6327 BCR191E6327 Infineon Technologies INFNS11718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 60871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
TUA 6036 T TUA 6036 T Infineon Technologies TUA6034_36_v251_110106.pdf Description: IC VIDEO TUNER 38TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Tuner
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Consumer Video
Standards: NTSC, PAL
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
Control Interface: I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D850N36TXPSA1 D850N36TXPSA1 Infineon Technologies Infineon-D850N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240a18c6d04782 Description: DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 850A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 850 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 3600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D740N36TXPSA1 D740N36TXPSA1 Infineon Technologies D740N.pdf Description: DIODE GEN PURP 3.6KV 750A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D270N36TXPSA1 D270N36TXPSA1 Infineon Technologies D270N.pdf Description: DIODE GEN PURP 3.6KV 270A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 270A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 3600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N20NT ASP1212-N20NT Infineon Technologies ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N50NT Infineon Technologies ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: 56-VQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N60DT Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: 56-VQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N60NT ASP1212-N60NT Infineon Technologies ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR88-02LRHE6327 BAR88-02LRHE6327 Infineon Technologies INFNS15409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PIN DIODE, 80V V(BR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 2ED2101S06FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED2101S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766abe07220167 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 2ED2101S06FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED2101S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766abe07220167 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.70 грн
10+63.64 грн
25+57.56 грн
100+47.75 грн
250+44.76 грн
500+42.96 грн
1000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFN010 S25FS064SAGMFN010 Infineon Technologies Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+192.48 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN013 S25FL116K0XMFN013 Infineon Technologies S25FL116K_132K_164K__RevH_5-19-17.pdf Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN010 S25FL116K0XMFN010 Infineon Technologies S25FL116K0XMFN010_Web.pdf Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN011 S25FL116K0XMFN011 Infineon Technologies S25FL116K0XMFN011_Web.pdf Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD1151 ILD1151 Infineon Technologies INFNS19025-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ILD1151 - LED DRIVER & ACTIVE BI
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz ~ 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 550mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-1
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 45V
Part Status: Active
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+107.90 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
PX8244HDMG008XTMA1 Infineon Technologies Orderable_Part_Number_OPN_Translation_Table_Web.pdf Description: LED PX8244HDMG008XTMA1
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+370.33 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R500C3 IPP90R500C3 Infineon Technologies IPP90R500C3_Rev1.0_7-29-08.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007 Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.83 грн
10+372.05 грн
100+271.33 грн
500+214.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.39 грн
10+290.75 грн
100+217.60 грн
500+183.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+273.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30 Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.96 грн
10+414.21 грн
100+304.59 грн
500+247.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6BTMA1 IPD60R750E6BTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R750E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a194f52852b08 Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2 IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
462+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 Infineon Technologies IPD%2CIPA60R800CE.pdf Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA126N10N3G IPA126N10N3G Infineon Technologies INFNS27818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
399+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-35CRT CHL8328-35CRT Infineon Technologies IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V
на замовлення 19868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1680BGXUMA1 ICE5QR1680BGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1680BGXUMA1 ICE5QR1680BGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 50 W
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.09 грн
10+101.11 грн
25+92.09 грн
100+77.15 грн
250+72.73 грн
500+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPC302N15N3X7SA1 Infineon Technologies dgdl?folderId=db3a30434422e00e01442b3248b750f0&fileId=db3a30434422e00e01442b691dc3512f Description: MV POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R17KE3S4HOSA1 FZ400R17KE3S4HOSA1 Infineon Technologies Infineon-FZ400R17KE3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43043334fd6 Description: IGBT MOD 1700V 620A 2250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 620 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9241.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE4BOSA1 FS225R12KE4BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS225R12KE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c9e1a17509c6 Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27158.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD400R07PE4RB6BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FD400R07PE4R_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e432c415fb4 Description: IGBT MOD 650V 460A 1150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 460 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11897.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA180N10N3G IPA180N10N3G Infineon Technologies INFNS27819-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 28A, 100V, 0.018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ea92342b7 Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.83 грн
10+194.90 грн
100+141.22 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9862QXA40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9862QXA40-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274f6cd4c0174fcecc8ed52a2 Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SPI, SSC, UART/USART
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Controller Series: TLE986x
Program Memory Type: FLASH (256kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.44 грн
10+370.86 грн
25+342.86 грн
100+292.90 грн
250+279.14 грн
500+270.85 грн
1000+259.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS33N15DTRLP IRFS33N15DTRLP Infineon Technologies irfs33n15d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY55-02WH6327 INFNS15716-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY55-02WH6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-80
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 10V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C10
Supplier Device Package: PG-SCD80-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 16 V
Capacitance Ratio: 2.5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4BOSA2 Infineon-FD1000R17IE4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ff9881501201f20782f4bd1
FD1000R17IE4BOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 6250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+34770.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HL3KBPSA1 Infineon-FD1000R33HL3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043407895a701407b6e982f2815
FD1000R33HL3KBPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 1000A 11500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1000 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 11500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 190 nF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+172149.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R17IE4DB2BOSA1 FD1000R17IE4D_B2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 1390A 6250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1390 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 6250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 81 nF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+39321.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI530N15N3GXKSA1 Infineon-IPD530N15N3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432662379201266a1f6dd2227c
IPI530N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT425N16KOFHPSA3 Infineon-TT425N-DS-v03_10-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42f7bf84bc9
TT425N16KOFHPSA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 800A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 14500A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 471 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DD600N16KAHPSA1 DD600N_Rev1_06-05-03.pdf
DD600N16KAHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MOD GP 1600V 600A BGPB60
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A
Supplier Device Package: BG-PB60-1
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.32 V @ 1800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 mA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250XLEXUMA1 Infineon-TLE9250X-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14b8cc665980
TLE9250XLEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+52.84 грн
10000+49.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9250XLEXUMA1 Infineon-TLE9250X-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625debb399015e14b8cc665980
TLE9250XLEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 PGTSON81
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-TSON-8-1
Receiver Hysteresis: 100 mV
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 24168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.22 грн
10+76.61 грн
25+69.56 грн
100+57.97 грн
250+54.50 грн
500+52.40 грн
1000+49.84 грн
2500+48.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20666A-24LTXI download
CY8C20666A-24LTXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: MCU 32K FLASH 2K SRAM 48QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I²C, SPI, USB
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Part Status: Obsolete
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
72+347.78 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3666AXI-202 #!?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec73d263e88
CY8C3666AXI-202
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 100TQFP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+611.84 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20666AS-24LQXI Infineon-TS2000_001-64564-Software+Module+Datasheets-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0fa2d0df1226&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C20666AS-24LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CAPSENSE 32KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI, USB
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6A
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA3XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA3XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.83 грн
5+81.78 грн
10+77.80 грн
25+68.47 грн
50+65.40 грн
100+62.58 грн
500+55.99 грн
1000+53.93 грн
5000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTSA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA0XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA0XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA0XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Test Condition: -40°C ~ 125°C
на замовлення 11729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.39 грн
5+74.94 грн
10+71.36 грн
25+62.83 грн
50+59.99 грн
100+57.42 грн
500+51.38 грн
1000+49.48 грн
5000+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLI493DW2BWA1XTMA1 Infineon-TLI493D-W2BW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46273a5366f0173b9bc938d2e1d
TLI493DW2BWA1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH PROG 5WLCSP
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±160mT
Current - Supply (Max): 5mA
Supplier Device Package: 5-WLCSP (1.13x0.93)
Test Condition: -40°C ~ 125°C
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.22 грн
5+76.05 грн
10+72.31 грн
25+63.64 грн
50+60.77 грн
100+58.16 грн
500+52.04 грн
1000+50.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY24293ZXCT download
CY24293ZXCT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLK BUFFER 2PR 3.3V 16-TSSOP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC857B E6327 INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC857B E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 303389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7818+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 7818
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119WE6327 Infineon-BCR119SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30431428a37301143f643b380286
BCR119WE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10764+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 10764
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119WH6327 INFNS17179-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT323-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 150 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR191E6327 INFNS11718-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCR191E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 60871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8013+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 8013
В кошику  од. на суму  грн.
TUA 6036 T TUA6034_36_v251_110106.pdf
TUA 6036 T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC VIDEO TUNER 38TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 38-TFSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Tuner
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Consumer Video
Standards: NTSC, PAL
Supplier Device Package: PG-TSSOP-38
Control Interface: I2C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D850N36TXPSA1 Infineon-D850N-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304323b87bc201240a18c6d04782
D850N36TXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 850A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 850 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 3600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D740N36TXPSA1 D740N.pdf
D740N36TXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 3.6KV 750A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D270N36TXPSA1 D270N.pdf
D270N36TXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 3.6KV 270A
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 270A
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.36 V @ 250 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 mA @ 3600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N20NT ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf
ASP1212-N20NT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N50NT ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: 56-VQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N60DT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-56-901
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: 56-VQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ASP1212-N60NT ASP1212_V1.06_12-16-12.pdf
ASP1212-N60NT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR VR11 1OUT 56VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 3.3V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TA)
Applications: Controller, Intel VR11, VR11.1, AMD CPU
Supplier Device Package: PG-VQFN-56-901
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR88-02LRHE6327 INFNS15409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAR88-02LRHE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: PIN DIODE, 80V V(BR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 Infineon-2ED2101S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766abe07220167
2ED2101S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
2ED2101S06FXUMA1 Infineon-2ED2101S06F-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766abe07220167
2ED2101S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 700mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+63.64 грн
25+57.56 грн
100+47.75 грн
250+44.76 грн
500+42.96 грн
1000+40.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFN010 Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FS064SAGMFN010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+192.48 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN013 S25FL116K_132K_164K__RevH_5-19-17.pdf
S25FL116K0XMFN013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN010 S25FL116K0XMFN010_Web.pdf
S25FL116K0XMFN010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL116K0XMFN011 S25FL116K0XMFN011_Web.pdf
S25FL116K0XMFN011
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Memory Organization: 2M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ILD1151 INFNS19025-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ILD1151
Виробник: Infineon Technologies
Description: ILD1151 - LED DRIVER & ACTIVE BI
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100kHz ~ 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Lighting
Current - Output / Channel: 550mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, SEPIC, Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-1
Dimming: Analog, PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 45V
Part Status: Active
на замовлення 16296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
218+107.90 грн
Мінімальне замовлення: 218
В кошику  од. на суму  грн.
PX8244HDMG008XTMA1 Orderable_Part_Number_OPN_Translation_Table_Web.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED PX8244HDMG008XTMA1
Packaging: Bulk
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
64+370.33 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R500C3 IPP90R500C3_Rev1.0_7-29-08.pdf
IPP90R500C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 740µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
IPB60R055CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R055CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R055CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2eb02953007
IPB60R055CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.83 грн
10+372.05 грн
100+271.33 грн
500+214.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R070CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R070CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb22a2b8c183d
IPB60R070CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 15.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 760µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2721 pF @ 400 V
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.39 грн
10+290.75 грн
100+217.60 грн
500+183.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+273.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R040CFD7ATMA1 Infineon-IPB60R040CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bb2d82dcf2f30
IPB60R040CFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4351 pF @ 400 V
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+631.96 грн
10+414.21 грн
100+304.59 грн
500+247.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R750E6BTMA1 Infineon-IPD60R750E6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a194f52852b08
IPD60R750E6BTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
на замовлення 36500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R380E6ATMA2 Infineon--DS-v02_05-EN.pdf?fileId=db3a30433ea3aef6013eb24aa4521c2a
IPD60R380E6ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
на замовлення 6650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
462+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 462
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD%2CIPA60R800CE.pdf
IPD60R800CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA126N10N3G INFNS27818-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA126N10N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: 35A, 100V, 0.0126OHM, N-CHANNEL
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
399+56.63 грн
Мінімальне замовлення: 399
В кошику  од. на суму  грн.
CHL8328-35CRT IR3536,38_CHL8326,28_v1.09_6-21-13.pdf
CHL8328-35CRT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR DDR 2OUT 56VQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
IAUC41N06S5L100ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 41A TDSON-8-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 30 V
на замовлення 19868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1680BGXUMA1 Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad
ICE5QR1680BGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 50 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1680BGXUMA1 Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad
ICE5QR1680BGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 50 W
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.09 грн
10+101.11 грн
25+92.09 грн
100+77.15 грн
250+72.73 грн
500+70.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPC302N15N3X7SA1 dgdl?folderId=db3a30434422e00e01442b3248b750f0&fileId=db3a30434422e00e01442b691dc3512f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MV POWER MOS
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R17KE3S4HOSA1 Infineon-FZ400R17KE3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43043334fd6
FZ400R17KE3S4HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 620A 2250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 620 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+9241.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE4BOSA1 Infineon-FS225R12KE4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116c9e1a17509c6
FS225R12KE4BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27158.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FD400R07PE4RB6BOSA1 Infineon-FD400R07PE4R_B6-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30433a047ba0013a6e432c415fb4
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 460A 1150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 460 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.5 nF @ 25 V
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+11897.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA180N10N3G INFNS27819-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA180N10N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: 28A, 100V, 0.018OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+58.64 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R145CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R145CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2ea92342b7
IPDD60R145CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 24A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.83 грн
10+194.90 грн
100+141.22 грн
500+105.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9862QXA40XUMA1 Infineon-TLE9862QXA40-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46274f6cd4c0174fcecc8ed52a2
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SPI, SSC, UART/USART
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 27V
Controller Series: TLE986x
Program Memory Type: FLASH (256kB)
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-29
Grade: Automotive
Number of I/O: 10
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+501.44 грн
10+370.86 грн
25+342.86 грн
100+292.90 грн
250+279.14 грн
500+270.85 грн
1000+259.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS33N15DTRLP irfs33n15d.pdf
IRFS33N15DTRLP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 406 407 408 409 410 411 412 413 414 415 416 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2497  [ Наступна Сторінка >> ]