Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149622) > Сторінка 416 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.83 грн
10+298.05 грн
100+216.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.65 грн
10+84.00 грн
100+59.77 грн
500+49.03 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC49B120UB Infineon Technologies Short_Form_Cat_2016.pdf Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-EFE1 CY88155PFT-G-110-JN-EFE1 Infineon Technologies download Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-ERE1 CY88155PFT-G-110-JN-ERE1 Infineon Technologies download Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118ASPMT-G-110SPE1 Infineon Technologies Description: IC MCU
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PX8746JDNG029XTMA1 Infineon Technologies Description: LED PX8746JDNG029XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.11 грн
50+128.44 грн
100+116.33 грн
500+89.25 грн
1000+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.33 грн
50+184.98 грн
100+172.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBF IRF7475TRPBF Infineon Technologies IRF7475PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327 BAV70UE6327 Infineon Technologies INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 50501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3012+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3012
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12KE3S1HOSA1 Infineon Technologies Description: FD200R12KE3 - IGBT MODULE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Infineon Technologies IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Infineon Technologies IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+725.43 грн
10+481.32 грн
100+395.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R035CFD7AXKSA1 IPW65R035CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R035CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0166b9f0849 Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.53 грн
30+463.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1418KV18-250BZXI CY7C1418KV18-250BZXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1418KV18_CY7C1420KV18_36-Mbit_DDR_II_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1b25e368a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.32 грн
10+894.31 грн
25+841.54 грн
40+765.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITARDMKRAMP40WTOBO1 KITARDMKRAMP40WTOBO1 Infineon Technologies Infineon-MA12070P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b761f2f261e4 Description: EVAL BOARD FOR MA12070P
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Voltage - Supply: 4V ~ 26V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12070P
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6082.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MU12HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED31xxMU12H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c37be1f67 Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MU12HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED31xxMU12H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c37be1f67 Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.68 грн
10+116.13 грн
25+106.02 грн
100+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MC12HXUMA1 1ED3120MC12HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED31xxMC12H-_1ED-X3_Compact-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017802de09e5671d Description: DGTL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 8000Vpk
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+86.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0016AAXUMA1 XMC1100T016F0016AAXUMA1 Infineon Technologies XMC1100.pdf Description: IC MCU 32BIT 16KB FLASH 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1 IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS300N08S5N014T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04867a61be Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+179.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1 IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS300N08S5N014T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04867a61be Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.02 грн
10+293.41 грн
100+212.14 грн
500+199.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1767-256F80HLAD SAK-TC1767-256F80HLAD Infineon Technologies INFNS15321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 36x10/12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-5
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99 Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99 Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.63 грн
10+81.77 грн
100+55.03 грн
500+40.89 грн
1000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1 IPB100N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies IPP_B100N08S2L-07_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426f2e93b17&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+165.65 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
SAL-TC277T-64F200S CA SAL-TC277T-64F200S CA Infineon Technologies Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAL-TC277TP-64F200S CA SAL-TC277TP-64F200S CA Infineon Technologies Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60E6327XTSA1 BGT60E6327XTSA1 Infineon Technologies Description: V-BAND BACKHAUL TRANSCEICER
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4251GATMA1 TLE4251GATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4251-DataSheet-v03_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f918181239ff Description: IC REG LIN POS ADJ 400MA TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 300 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 20 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5303WE6327HTSA1 BBY5303WE6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE VARACTOR 6V SGL SOD323-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Capacitance Ratio: 2.6
на замовлення 5389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.20 грн
16+20.30 грн
100+17.91 грн
500+13.53 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC5305B Infineon Technologies Description: MOSFET 55V 31A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56UE6327HTSA1 BAW56UE6327HTSA1 Infineon Technologies baw56series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c24a4a80438 Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 899775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2060+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2060
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56UE6327 BAW56UE6327 Infineon Technologies INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3018+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 3018
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R350M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ed11513272 Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R350M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ed11513272 Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.34 грн
10+239.78 грн
100+171.36 грн
500+154.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818LCCXKMA1 IM818LCCXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM818-LCC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178d50c54557e3b Description: CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2629.49 грн
14+1812.69 грн
112+1679.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD240N18SOFHPSA1 TD240N18SOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon-TT240N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163910f1b0d411c Description: SCR MODULE 1.8KV 275A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 130°C (TC)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 145 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 240 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 275 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4065.41 грн
16+2865.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT142N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TT142N.pdf Description: SCR MODULE 1.4KV 230A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4800A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 142 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT140N18KOFHPSA1 Infineon Technologies TT140N.pdf Description: SCR MODULE 1.8KV 250A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 159 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 250 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE3BOSA1 FS225R12KE3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS225R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311f1b5390 Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE3S1BDSA1 Infineon Technologies INFNS28552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: CUSTOMER SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B-E6327 BC847B-E6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 TLS850F2TAV50ATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5 Description: IC REG LIN 5V 500MA PG-TO263-7-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable, Power Fail
Part Status: Active
PSRR: 59dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.175V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 82 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.06 грн
10+169.53 грн
25+155.47 грн
100+131.39 грн
250+124.45 грн
500+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSB 21373 H V1.1 PSB 21373 H V1.1 Infineon Technologies SCOUT-DX.pdf Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: CODEC
Interface: IOM-2, SCI
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 97.5mA
Supplier Device Package: P-MQFP-44-1
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9905.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1 BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1 BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.65 грн
10+183.11 грн
100+147.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TTW3C85N16LOFHOSA1 TTW3C85N16LOFHOSA1 Infineon Technologies TTW3C85N16rev2.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430b88851ac Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Bridge, 3-Phase - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 720A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 6 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 106 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 75 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+15291.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TTW3C85N16LOFHOSA1 TTW3C85N16LOFHOSA1 Infineon Technologies TTW3C85N16rev2.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430b88851ac Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Bridge, 3-Phase - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 720A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 6 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 106 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 75 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3830MU12MXUMA1 1ED3830MU12MXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED38x0Mc12M-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c260c1f5d Description: DIGITAL ISO 1CH GT DVR DSO16-28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 3A
Technology: Magnetic Coupling
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16-28
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 25V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.01 грн
10+433.45 грн
25+413.32 грн
100+336.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3890MU12MXUMA1 1ED3890MU12MXUMA1 Infineon Technologies Infineon-1ED38x0Mc12M-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c260c1f5d Description: DIGITAL ISO 1CH GT DVR DSO16-28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 9A
Technology: Magnetic Coupling
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16-28
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 25V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.29 грн
10+379.73 грн
25+351.58 грн
100+300.93 грн
250+287.09 грн
500+278.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7B9910-5SC CY7B9910-5SC Infineon Technologies CY7B9910_20.pdf Description: IC FANOUT BUFFER 24SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: TTL
Frequency - Max: 80MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:8
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-SOIC
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+241.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7B9910-2SC CY7B9910-2SC Infineon Technologies CY7B9910_20.pdf Description: IC FANOUT BUFFER 24SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: TTL
Frequency - Max: 80MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:8
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-SOIC
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+750.13 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U180N16RRB37BOSA1 DDB6U180N16RRB37BOSA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: Module
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183SH6327XTSA1 BCR183SH6327XTSA1 Infineon Technologies bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4378+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4378
В кошику  од. на суму  грн.
DR24040543NDSA1 Infineon Technologies Description: MODULE GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
IAUS260N10S5N019TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.83 грн
10+298.05 грн
100+216.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.65 грн
10+84.00 грн
100+59.77 грн
500+49.03 грн
1000+44.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC49B120UB Short_Form_Cat_2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-EFE1 download
CY88155PFT-G-110-JN-EFE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-ERE1 download
CY88155PFT-G-110-JN-ERE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118ASPMT-G-110SPE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PX8746JDNG029XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED PX8746JDNG029XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
IPP019N08NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.11 грн
50+128.44 грн
100+116.33 грн
500+89.25 грн
1000+82.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8
IPP65R110CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.33 грн
50+184.98 грн
100+172.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBF IRF7475PbF.pdf
IRF7475TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327 INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAV70UE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 50501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3012+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3012
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12KE3S1HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FD200R12KE3 - IGBT MODULE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7759L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7759L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+725.43 грн
10+481.32 грн
100+395.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R035CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R035CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0166b9f0849
IPW65R035CFD7AXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.53 грн
30+463.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1418KV18-250BZXI Infineon-CY7C1418KV18_CY7C1420KV18_36-Mbit_DDR_II_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1b25e368a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1418KV18-250BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1087.32 грн
10+894.31 грн
25+841.54 грн
40+765.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITARDMKRAMP40WTOBO1 Infineon-MA12070P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b761f2f261e4
KITARDMKRAMP40WTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR MA12070P
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Voltage - Supply: 4V ~ 26V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12070P
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6082.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 Infineon-1ED31xxMU12H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c37be1f67
1ED3120MU12HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 Infineon-1ED31xxMU12H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c37be1f67
1ED3120MU12HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.68 грн
10+116.13 грн
25+106.02 грн
100+89.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MC12HXUMA1 Infineon-1ED31xxMC12H-_1ED-X3_Compact-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017802de09e5671d
1ED3120MC12HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 8000Vpk
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+86.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0016AAXUMA1 XMC1100.pdf
XMC1100T016F0016AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 16KB FLASH 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N014T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04867a61be
IAUS300N08S5N014TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+179.96 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N014T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04867a61be
IAUS300N08S5N014TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13178 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.02 грн
10+293.41 грн
100+212.14 грн
500+199.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-TC1767-256F80HLAD INFNS15321-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-TC1767-256F80HLAD
Виробник: Infineon Technologies
Description: 32-BIT RISC FLASH MCU
Packaging: Bulk
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 2MB (2M x 8)
RAM Size: 128K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 64K x 8
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 36x10/12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: ASC, CANbus, MLI, MSC, SSC
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-5
Part Status: Active
Number of I/O: 88
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99
BSZ017NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ017NE2LS5IATMA1 Infineon-BSZ017NE2LS5I-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624f205c9a014f64dff4bf6a99
BSZ017NE2LS5IATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 27A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.63 грн
10+81.77 грн
100+55.03 грн
500+40.89 грн
1000+37.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N08S2L07ATMA1 IPP_B100N08S2L-07_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426f2e93b17&ack=t
IPB100N08S2L07ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+165.65 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
SAL-TC277T-64F200S CA
SAL-TC277T-64F200S CA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAL-TC277TP-64F200S CA
SAL-TC277TP-64F200S CA
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MICROCONTROLLER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGT60E6327XTSA1
BGT60E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: V-BAND BACKHAUL TRANSCEICER
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4251GATMA1 Infineon-TLE4251-DataSheet-v03_10-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f918181239ff
TLE4251GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS ADJ 400MA TO263-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 300 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-5-1
Voltage - Output (Min/Fixed): Tracking
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.52V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 20 mA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5303WE6327HTSA1 INFNS15715-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BBY5303WE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE VARACTOR 6V SGL SOD323-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 3.1pF @ 3V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C1/C3
Supplier Device Package: PG-SOD323-3D
Voltage - Peak Reverse (Max): 6 V
Capacitance Ratio: 2.6
на замовлення 5389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.20 грн
16+20.30 грн
100+17.91 грн
500+13.53 грн
1000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC5305B
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 55V 31A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 31A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56UE6327HTSA1 baw56series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141b5844e103ea&fileId=db3a30431400ef6801141c24a4a80438
BAW56UE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 899775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2060+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2060
В кошику  од. на суму  грн.
BAW56UE6327 INFNS11183-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW56UE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3018+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 3018
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R350M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ed11513272
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R350M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ed11513272
IMBG120R350M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.34 грн
10+239.78 грн
100+171.36 грн
500+154.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818LCCXKMA1 Infineon-IM818-LCC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627883d7e00178d50c54557e3b
IM818LCCXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.094", 27.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2629.49 грн
14+1812.69 грн
112+1679.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD240N18SOFHPSA1 Infineon-TT240N18SOF-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163910f1b0d411c
TD240N18SOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 275A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: 130°C (TC)
Structure: Series Connection - SCR/Diode
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 145 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5200A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR, 1 Diode
Current - On State (It (AV)) (Max): 240 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 275 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4065.41 грн
16+2865.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TT142N14KOFHPSA1 TT142N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.4KV 230A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4800A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 142 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT140N18KOFHPSA1 TT140N.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.8KV 250A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Series Connection - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 4000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 159 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 250 A
Voltage - Off State: 1.8 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE3BOSA1 Infineon-FS225R12KE3-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311f1b5390
FS225R12KE3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS225R12KE3S1BDSA1 INFNS28552-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: CUSTOMER SPECIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847B-E6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847B-E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 330 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS850F2TAV50ATMA1 Infineon-TLS850F2TA%20V50-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166e8fa53582ac5
TLS850F2TAV50ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 5V 500MA PG-TO263-7-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TO263-7-1
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable, Power Fail
Part Status: Active
PSRR: 59dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.175V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 82 µA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+234.06 грн
10+169.53 грн
25+155.47 грн
100+131.39 грн
250+124.45 грн
500+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSB 21373 H V1.1 SCOUT-DX.pdf
PSB 21373 H V1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TELECOM INTERFACE MQFP-44
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-QFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: CODEC
Interface: IOM-2, SCI
Voltage - Supply: 5V
Current - Supply: 97.5mA
Supplier Device Package: P-MQFP-44-1
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF225R12ME3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 325A 1150W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 325 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 16 nF @ 25 V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+9905.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1 Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e
BSB008NE2LXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB008NE2LXXUMA1 Infineon-BSB008NE2LX-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a30432e564707012e5745ca7d000e
BSB008NE2LXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.65 грн
10+183.11 грн
100+147.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TTW3C85N16LOFHOSA1 TTW3C85N16rev2.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430b88851ac
TTW3C85N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Bridge, 3-Phase - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 720A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 6 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 106 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 75 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+15291.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TTW3C85N16LOFHOSA1 TTW3C85N16rev2.pdf?fileId=db3a304412b407950112b430b88851ac
TTW3C85N16LOFHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 75A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Structure: Bridge, 3-Phase - All SCRs
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 150 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 720A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 6 SCRs
Current - On State (It (AV)) (Max): 106 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 75 A
Voltage - Off State: 1.6 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3830MU12MXUMA1 Infineon-1ED38x0Mc12M-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c260c1f5d
1ED3830MU12MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GT DVR DSO16-28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 3A
Technology: Magnetic Coupling
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16-28
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 25V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.01 грн
10+433.45 грн
25+413.32 грн
100+336.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3890MU12MXUMA1 Infineon-1ED38x0Mc12M-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d97c260c1f5d
1ED3890MU12MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIGITAL ISO 1CH GT DVR DSO16-28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 9A
Technology: Magnetic Coupling
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-16-28
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 25V
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.29 грн
10+379.73 грн
25+351.58 грн
100+300.93 грн
250+287.09 грн
500+278.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7B9910-5SC CY7B9910_20.pdf
CY7B9910-5SC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 24SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: TTL
Frequency - Max: 80MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:8
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-SOIC
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+241.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY7B9910-2SC CY7B9910_20.pdf
CY7B9910-2SC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 24SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: TTL
Frequency - Max: 80MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Zero Delay Buffer
Input: Clock
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Ratio - Input:Output: 1:8
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 24-SOIC
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+750.13 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
DDB6U180N16RRB37BOSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: Module
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR183SH6327XTSA1 bcr183series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301144036c8c902d3
BCR183SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4378+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4378
В кошику  од. на суму  грн.
DR24040543NDSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE GATE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 421 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]