Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148613) > Сторінка 406 з 2477

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R090CFD7XTMA1 IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251 Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.85 грн
10+262.83 грн
100+188.52 грн
500+147.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9 Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9 Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.36 грн
10+253.81 грн
100+181.98 грн
500+142.02 грн
1000+139.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO4804HUMA2 BSO4804HUMA2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1299+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 1299
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1 BCP5610H6327XTSA1 Infineon Technologies bcp54_bcp55_bcp56.pdf?fileId=db3a304314dca3890115475f01a81a0d Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1598+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3G IPB031NE7N3G Infineon Technologies INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 Infineon Technologies INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IE4PNOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32187.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4VBOSA1 FF600R12IP4VBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FF600R12IP4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f5704bb30790 Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35983.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12HP4B9HOSA2 FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ1800R12HP4_B9-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320d39d590121f8be7d8b202f Description: IGBT MODULE 1200V 2700A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+75989.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4B9HOSA2 FZ2400R12HP4B9HOSA2 Infineon Technologies Infineon-FZ2400R12HP4_B9-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116574780fd0806 Description: IGBT MODULE 1200V 3550A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+70355.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R12KE3NOSA1 Infineon Technologies INFNS22466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+62479.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9034NB Infineon Technologies Description: MOSFET 55V 19A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14MB064Q1A-SXI CY14MB064Q1A-SXI Infineon Technologies download Description: IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+264.36 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256L-SP45XIT CY14B256L-SP45XIT Infineon Technologies CY14B256L_RevI.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+420.13 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RELAXECATV1TOBO1 KITXMC48RELAXECATV1TOBO1 Infineon Technologies Infineon-XMC4700-XMC4800-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151908ea8db00b3 Description: RELAX ETHERCAT KIT XMC4800 EVAL
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: XMC4800
Platform: Relax EtherCAT Kit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-04IN IPP100N06S3L-04IN Infineon Technologies IPBIPN06S3L-04.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-09 IPP80N06S2-09 Infineon Technologies INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-H5 IPP80N06S2-H5 Infineon Technologies INFNS09558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B128Q-SXE CY15B128Q-SXE Infineon Technologies Infineon-CY15B128Q-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee807ad70f9 Description: IC FRAM 128KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 16K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+609.71 грн
10+539.96 грн
25+528.69 грн
50+494.45 грн
100+443.67 грн
250+430.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.91 грн
10+75.23 грн
100+50.59 грн
500+37.23 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108231QXXUMA1 TLE92108231QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE92108-231QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b323e140979 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.40 грн
10+188.68 грн
25+173.11 грн
100+146.42 грн
250+138.75 грн
500+134.13 грн
1000+128.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108232QXXUMA1 TLE92108232QXXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE92108-232QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b3138d607ed Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.84 грн
10+184.85 грн
25+169.59 грн
100+143.47 грн
250+135.98 грн
500+131.47 грн
1000+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSAP1A Infineon Technologies Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-5
Packaging: Bulk
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSA Infineon Technologies Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-4
Packaging: Bulk
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99011/22QSAP1A Infineon Technologies Description: INFINEON PBM99011/22QS - SSO28-5
Packaging: Bulk
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99011/22QSA Infineon Technologies Description: INFINEON PBM99011/22QS - SSO28-4
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C199NL-15ZXC CY7C199NL-15ZXC Infineon Technologies download Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
151+146.59 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K5CEAUMA1 IPD65R1K5CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539d84ec044501 Description: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 EVAL-IMM101T-015TOBO1 Infineon Technologies Infineon-Eval-IMM101T-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016ca8dad3542c50 Description: EVAL-IMM101T-015 IS A STARTER KI
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IMM101T-015
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC, PMSM)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6132.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD206B102VE6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0000321239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC59D170HX1SA2 Infineon Technologies SIDC59D170H_L4481A.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4386b1f6ad8&fileId=db3a304412b407950112b4386ba56ad9 Description: DIODE GP 1.7KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC78D170HX1SA1 Infineon Technologies SIDC78D170H_L4451A.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4386d4a6add&fileId=db3a304412b407950112b4386dd46ade Description: DIODE GP 1.7KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b Description: IC REG LIN POS PROG 350MA SSOP14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 350mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 25 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V, 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz), 63db (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.60V @ 250mA, 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b Description: IC REG LIN POS PROG 350MA SSOP14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 350mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 25 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V, 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz), 63db (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.60V @ 250mA, 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.00 грн
10+72.70 грн
25+65.90 грн
100+54.81 грн
250+51.46 грн
500+49.44 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IM564X6DXKMA1 IM564X6DXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM564-X6D-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017067279408762e Description: PFC INTEGRATED IPM
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 20 A
Voltage: 600 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1611.60 грн
14+1069.85 грн
112+891.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247ZE3062AATMA1 BTS247ZE3062AATMA1 Infineon Technologies INFNS27931-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247ZE3043AKSA1 BTS247ZE3043AKSA1 Infineon Technologies BTS247Z.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-43
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: P-TO220-5-43
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247Z BTS247Z Infineon Technologies INFNS14870-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 12634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247ZE3062ANTMA1 BTS247ZE3062ANTMA1 Infineon Technologies INFNS27931-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 80650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+201.84 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6 IPP60R600P6 Infineon Technologies Infineon-IPx60R600P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4B2HOSA1 Infineon Technologies INFNS28343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FF150R12 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L-35AATMA1 IPG20N06S2L-35AATMA1 Infineon Technologies INFNS28025-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.85 грн
30+426.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYD09S72V18-167BBXC CYD09S72V18-167BBXC Infineon Technologies CYD9,18,36,72S36V18.pdf Description: IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 256-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Dual Port, Synchronous
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 256-FBGA (17x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Access Time: 4 ns
Memory Organization: 128K x 72
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+18204.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
T730N42TOFVTXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T730N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b083ec8402a Description: SCR MODULE 4200V 1840A DO200AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8220XUMA1 XDPL8220XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPL8220-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a015887029bcb5f03 Description: IC LED DRIVER OFFL PWM 16DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 50MHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC10B60KB Infineon Technologies Short_Form_Cat_2016.pdf Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 IPLK60R1K5PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R1K5PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd787ece33d8f Description: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1 IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPLK60R600PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd749ad343d86 Description: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744 Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS21081XUMA1 XDPS21081XUMA1 Infineon Technologies Infineon-XDPS21081-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274692d0e017475eb92cd45db Description: XDP SMPS TV/PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 23kHz ~ 139.1kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.2V ~ 20.5V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-20
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Current Limit, Dead Time Control, Enable, Frequency Control, Soft Start
Output Phases: 1
Clock Sync: No
Part Status: Not For New Designs
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1 IPDD60R170CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e907f42b4 Description: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.63 грн
10+167.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KP212K1409XTMA1 KP212K1409XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP212K1409-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754116ad5a5370 Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 1.45PSI ~ 16.68PSI (10kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.3PSI (±2.07kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.38 грн
5+270.78 грн
10+259.09 грн
25+230.10 грн
50+221.14 грн
100+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KP212F1701XTMA1 KP212F1701XTMA1 Infineon Technologies Infineon-KP212F1701-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175410daf8b536d Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Operating Pressure: 2.18PSI ~ 16.68PSI (15kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.29PSI (±2kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+487.45 грн
10+351.66 грн
25+312.55 грн
50+278.65 грн
100+271.32 грн
500+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC377TP96F300SAAKXUMA1 TC377TP96F300SAAKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-AURIX_TC37x_Addendum-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730574c782647e Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
RAM Size: 1.1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2838.96 грн
10+2227.49 грн
25+2100.97 грн
100+1841.20 грн
250+1779.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 BSZ0910LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R090CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c00c6f04251
IPDD60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 33A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1747 pF @ 400 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.85 грн
10+262.83 грн
100+188.52 грн
500+147.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9
IPT60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R090CFD7XTMA1 Infineon-IPT60R090CFD7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171df2a47e630e9
IPT60R090CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1752 pF @ 400 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.36 грн
10+253.81 грн
100+181.98 грн
500+142.02 грн
1000+139.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO4804HUMA2 fundamentals-of-power-semiconductors
BSO4804HUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1299+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 1299
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610H6327XTSA1 bcp54_bcp55_bcp56.pdf?fileId=db3a304314dca3890115475f01a81a0d
BCP5610H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 80V 1A PG-SOT223-4-10
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1598+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 1598
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3G INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB031NE7N3G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 INFNS16278-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB031NE7N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IE4PNOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+32187.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF600R12IP4VBOSA1 Infineon-FF600R12IP4V-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=5546d46145f1f3a40145f5704bb30790
FF600R12IP4VBOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35983.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1800R12HP4B9HOSA2 Infineon-FZ1800R12HP4_B9-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a304320d39d590121f8be7d8b202f
FZ1800R12HP4B9HOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 2700A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 1800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 10500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 110 nF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+75989.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2400R12HP4B9HOSA2 Infineon-FZ2400R12HP4_B9-DS-v02_04-en_de.pdf?fileId=db3a3043163797a60116574780fd0806
FZ2400R12HP4B9HOSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 3550A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3550 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+70355.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R12KE3NOSA1 INFNS22466-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: No
Current - Collector (Ic) (Max): 1700 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 5600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 86 nF @ 25 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+62479.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFC9034NB
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 55V 19A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY14MB064Q1A-SXI download
CY14MB064Q1A-SXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 64KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+264.36 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
CY14B256L-SP45XIT CY14B256L_RevI.pdf
CY14B256L-SP45XIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 48-SSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+420.13 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
KITXMC48RELAXECATV1TOBO1 Infineon-XMC4700-XMC4800-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151908ea8db00b3
KITXMC48RELAXECATV1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RELAX ETHERCAT KIT XMC4800 EVAL
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: MCU 32-Bit
Contents: Board(s)
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: XMC4800
Platform: Relax EtherCAT Kit
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S3L-04IN IPBIPN06S3L-04.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
IPP100N06S3L-04IN
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+54.43 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N06S205AKSA1 IPB%2CIPP100N06S2-05.pdf
IPP100N06S205AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-09 INFNS09526-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N06S2-09
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N06S2-H5 INFNS09558-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP80N06S2-H5
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPP80N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B128Q-SXE Infineon-CY15B128Q-SXE-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee807ad70f9
CY15B128Q-SXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 128KBIT SPI 40MHZ 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 3.6V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 40 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 16K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.71 грн
10+539.96 грн
25+528.69 грн
50+494.45 грн
100+443.67 грн
250+430.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 Infineon-IPN95R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643c097b3d575c
IPN95R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.91 грн
10+75.23 грн
100+50.59 грн
500+37.23 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108231QXXUMA1 Infineon-TLE92108-231QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b323e140979
TLE92108231QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.40 грн
10+188.68 грн
25+173.11 грн
100+146.42 грн
250+138.75 грн
500+134.13 грн
1000+128.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TLE92108232QXXUMA1 Infineon-TLE92108-232QX-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d01749b3138d607ed
TLE92108232QXXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48VFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 28V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 950 V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 100mA, 100mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.84 грн
10+184.85 грн
25+169.59 грн
100+143.47 грн
250+135.98 грн
500+131.47 грн
1000+125.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSAP1A
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-5
Packaging: Bulk
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99010/23QSA
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PBM99010/23QS - SSO28-4
Packaging: Bulk
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99011/22QSAP1A
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PBM99011/22QS - SSO28-5
Packaging: Bulk
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
PBM99011/22QSA
Виробник: Infineon Technologies
Description: INFINEON PBM99011/22QS - SSO28-4
Packaging: Bulk
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C199NL-15ZXC download
CY7C199NL-15ZXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP I
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 15 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
151+146.59 грн
Мінімальне замовлення: 151
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K5CEAUMA1 Infineon-IPD65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401539d84ec044501
IPD65R1K5CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 Infineon-Eval-IMM101T-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016ca8dad3542c50
EVAL-IMM101T-015TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL-IMM101T-015 IS A STARTER KI
Packaging: Bulk
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: IMM101T-015
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Motors (BLDC, PMSM)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6132.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ESD206B102VE6327XTSA1 INFN-S-A0000321239-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC59D170HX1SA2 SIDC59D170H_L4481A.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4386b1f6ad8&fileId=db3a304412b407950112b4386ba56ad9
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.7KV 100A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIDC78D170HX1SA1 SIDC78D170H_L4451A.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4386d4a6add&fileId=db3a304412b407950112b4386dd46ade
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.7KV 150A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b
TLS835B2ELVSEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS PROG 350MA SSOP14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 350mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 25 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V, 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz), 63db (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.60V @ 250mA, 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TLS835B2ELVSEXUMA1 Infineon-TLS835B2EL%20VSE-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01629aaf62894b1b
TLS835B2ELVSEXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN POS PROG 350MA SSOP14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Programmable
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 350mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 25 µA
Voltage - Input (Max): 40V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-SSOP-14-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V, 5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz), 63db (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.60V @ 250mA, 0.5V @ 250mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.00 грн
10+72.70 грн
25+65.90 грн
100+54.81 грн
250+51.46 грн
500+49.44 грн
1000+46.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IM564X6DXKMA1 Infineon-IM564-X6D-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae6017067279408762e
IM564X6DXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PFC INTEGRATED IPM
Packaging: Tube
Package / Case: 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 20 A
Voltage: 600 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1611.60 грн
14+1069.85 грн
112+891.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247ZE3062AATMA1 INFNS27931-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS247ZE3062AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247ZE3043AKSA1 BTS247Z.pdf
BTS247ZE3043AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5-43
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: P-TO220-5-43
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
306+74.64 грн
Мінімальне замовлення: 306
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247Z INFNS14870-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS247Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 12634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
237+96.00 грн
Мінімальне замовлення: 237
В кошику  од. на суму  грн.
BTS247ZE3062ANTMA1 INFNS27931-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS247ZE3062ANTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-5-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V
на замовлення 80650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+201.84 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R600P6 Infineon-IPx60R600P6-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a30433f2e70c5013f3862b5622681
IPP60R600P6
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF150R12KS4B2HOSA1 INFNS28343-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: FF150R12 - IGBT MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L-35AATMA1 INFNS28025-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N06S2L-35AATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 65W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-10
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.85 грн
30+426.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYD09S72V18-167BBXC CYD9,18,36,72S36V18.pdf
CYD09S72V18-167BBXC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 256-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Dual Port, Synchronous
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 256-FBGA (17x17)
Part Status: Obsolete
Memory Interface: Parallel
Access Time: 4 ns
Memory Organization: 128K x 72
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+18204.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
T730N42TOFVTXPSA1 Infineon-T730N-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b083ec8402a
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 4200V 1840A DO200AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPL8220XUMA1 Infineon-XDPL8220-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a015887029bcb5f03
XDPL8220XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL PWM 16DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 50MHz
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-16
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 6V
Voltage - Supply (Max): 24V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+98.23 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC10B60KB Short_Form_Cat_2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.3V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R1K5PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R1K5PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd787ece33d8f
IPLK60R1K5PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPLK60R600PFD7ATMA1 Infineon-IPLK60R600PFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fd749ad343d86
IPLK60R600PFD7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-52
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Infineon-IPD60R1K5PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225df2d46744
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XDPS21081XUMA1 Infineon-XDPS21081-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46274692d0e017475eb92cd45db
XDPS21081XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XDP SMPS TV/PC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Up/Step-Down
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 23kHz ~ 139.1kHz
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7.2V ~ 20.5V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-20
Synchronous Rectifier: No
Control Features: Current Limit, Dead Time Control, Enable, Frequency Control, Soft Start
Output Phases: 1
Clock Sync: No
Part Status: Not For New Designs
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R170CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R170CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e907f42b4
IPDD60R170CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 19A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1016 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.63 грн
10+167.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KP212K1409XTMA1 Infineon-KP212K1409-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754116ad5a5370
KP212K1409XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.65V DSOF8
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.4 V ~ 4.65 V
Operating Pressure: 1.45PSI ~ 16.68PSI (10kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.3PSI (±2.07kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.38 грн
5+270.78 грн
10+259.09 грн
25+230.10 грн
50+221.14 грн
100+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
KP212F1701XTMA1 Infineon-KP212F1701-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175410daf8b536d
KP212F1701XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Operating Pressure: 2.18PSI ~ 16.68PSI (15kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.29PSI (±2kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.45 грн
10+351.66 грн
25+312.55 грн
50+278.65 грн
100+271.32 грн
500+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TC377TP96F300SAAKXUMA1 Infineon-AURIX_TC37x_Addendum-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a01730574c782647e
TC377TP96F300SAAKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 6MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 6MB (6M x 8)
RAM Size: 1.1M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit Tri-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3.3V, 5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, I2S, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-6
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2838.96 грн
10+2227.49 грн
25+2100.97 грн
100+1841.20 грн
250+1779.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf
BSZ0910LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0910LSATMA1 Infineon-BSZ0910LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f9201720e9f3ab57cdf
BSZ0910LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 401 402 403 404 405 406 407 408 409 410 411 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2470 2477  [ Наступна Сторінка >> ]