Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126533) > Сторінка 2109 з 2109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
XMC1403Q064X0064AAXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400 Operating temperature: -40...105°C Number of 16bit timers: 16 Case: PG-VQFN-64 Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4 Family: XMC1400 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Number of A/D channels: 12 Number of inputs/outputs: 55 Type of integrated circuit: ARM microcontroller Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog Kind of architecture: Cortex M0 Kind of core: 32-bit Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| XMC1403Q064X0128AAXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH Operating temperature: -40...105°C Number of 16bit timers: 16 Case: PG-VQFN-64 Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4 Family: XMC1400 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Number of A/D channels: 12 Number of inputs/outputs: 55 Type of integrated circuit: ARM microcontroller Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog Kind of architecture: Cortex M0 Kind of core: 32-bit Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
XMC1403Q064X0200AAXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH Operating temperature: -40...105°C Number of 16bit timers: 16 Case: PG-VQFN-64 Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4 Family: XMC1400 Supply voltage: 1.8...5.5V DC Number of A/D channels: 12 Number of inputs/outputs: 55 Type of integrated circuit: ARM microcontroller Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog Kind of architecture: Cortex M0 Kind of core: 32-bit Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ESD150B1W0201E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS Type of diode: TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| PVI5050NSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Optocouplers - othersDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of output: photodiode Insulation voltage: 4kV Case: Gull wing 8 Turn-on time: 0.3ms Turn-off time: 220µs Manufacturer series: PVI-NPbF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BFP196WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
IPA075N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP075N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPI075N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPW65R048CFDAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 255A; Inverter Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Collector current: 255A Application: Inverter Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| CY8C21323-24PVXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3300 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| CY8C21323-24PVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BSS169H6906XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 0.17A Drain-source voltage: 100V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.9Ω Power dissipation: 0.36W Gate charge: 2.8nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPP037N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 348 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 764A Gate charge: 124nC |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPA057N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSC037N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSC061N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Power dissipation: 74W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 49A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSC057N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A Power dissipation: 66W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSC040N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 104W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 196A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 170nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPP055N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 99A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSZ340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPA052N08NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 46A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 256A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPD053N08N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Power dissipation: 150W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPD135N08N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 79W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 45A Power dissipation: 79W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IPF014N08NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 282A Power dissipation: 300W Case: D2PAK-7 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 170nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BSC033N08NS5SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPD040N08NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BCR135E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 10kΩ Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT23 Frequency: 150MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BCR135E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BCR135SH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BCR135E6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| BCR135WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
IPB200N25N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO263-3 On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 64A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-3 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| ROLIPB200N25N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Unclassified Description: ROLIPB200N25N3GATMA1 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| FF1800R12IE5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Field Stop,Trench Collector current: 1.8kA Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1800R12IE5PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Field Stop,Trench; screw Gate-emitter voltage: ±20V Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 3.6kA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1800R17IP5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; common emitter; Ic: 1.8kA; Inverter; screw Application: Inverter Semiconductor structure: common emitter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.8kA Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 3.6kA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1800R17IP5PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT Type of semiconductor module: IGBT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1800R23IE7BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Ic: 1.8kA; screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.8kA Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.8kA Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 1.8kA Topology: NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BSZ100N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A Power dissipation: 36W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FP50R12KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; 280W; NPT Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-3 Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 280W Technology: NPT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
BSC042NE7NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| BTS4141NHUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| IPW60R045CPAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| XMC1403Q064X0064AAXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,64kBFLASH; XMC1400
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 64kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XMC1403Q064X0128AAXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,128kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 128kB FLASH
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| XMC1403Q064X0200AAXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-64; 16kBSRAM,200kBFLASH
Operating temperature: -40...105°C
Number of 16bit timers: 16
Case: PG-VQFN-64
Interface: CAN x2; GPIO; USIC x4
Family: XMC1400
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of A/D channels: 12
Number of inputs/outputs: 55
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Integrated circuit features: EEPROM emulation; RTC; watchdog
Kind of architecture: Cortex M0
Kind of core: 32-bit
Memory: 16kB SRAM; 200kB FLASH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ESD150B1W0201E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PVI5050NSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 4kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; Gull wing 8; PVI-NPbF
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 4kV
Case: Gull wing 8
Turn-on time: 0.3ms
Turn-off time: 220µs
Manufacturer series: PVI-NPbF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP196WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA075N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 478.68 грн |
| 10+ | 280.11 грн |
| IPP075N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPI075N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPW65R048CFDAFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| F3L400R07W3S5B59BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 255A; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 255A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 255A; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 255A
Application: Inverter
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C21323-24PVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY8C21323-24PVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS169H6906XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.9Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.8nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; 360mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: 0.17A
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.9Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate charge: 2.8nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP037N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.66 грн |
| 10+ | 129.99 грн |
| 50+ | 78.83 грн |
| 100+ | 72.12 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.98 грн |
| 50+ | 105.67 грн |
| IPP020N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 356.43 грн |
| 3+ | 317.01 грн |
| 10+ | 271.72 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 329.65 грн |
| 50+ | 140.05 грн |
| 100+ | 130.83 грн |
| IPA057N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 187.86 грн |
| 10+ | 149.28 грн |
| 50+ | 97.28 грн |
| BSC037N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC061N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC117N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 49A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC057N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Power dissipation: 66W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC040N08NS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 196A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 196A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 196A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP055N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 99A; 107W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 99A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA052N08NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 256A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD053N08N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; 150W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD135N08N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 79W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 79W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPF014N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 282A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 282A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 282A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC033N08NS5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD040N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR135E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 150MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT23
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BCR135E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR135SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR135E6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCR135WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB200N25N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO263-3
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO263-3
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 64A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ROLIPB200N25N3GATMA1 |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 300.75 грн |
| FF1800R12IE5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Field Stop,Trench
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Field Stop,Trench
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800R12IE5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Field Stop,Trench; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Field Stop,Trench; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800R17IP5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; common emitter; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Semiconductor structure: common emitter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; common emitter; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Semiconductor structure: common emitter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 3.6kA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800R17IP5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT
Type of semiconductor module: IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800R23IE7BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.8kA; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 1.8kA; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Type of semiconductor module: IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800XTR17T2P5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF1800XTR17T2P5PBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 1.8kA; Inverter; screw
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 1.8kA
Topology: NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSZ100N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 36W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP50R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; 280W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 280W
Technology: NPT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; 280W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 280W
Technology: NPT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC042NE7NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS4141NHUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPW60R045CPAFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.


















