Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149497) > Сторінка 415 з 2492

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTS612N1E3128ABUMA1 BTS612N1E3128ABUMA1 Infineon Technologies INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: Parallel
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-7-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD61N1625KOFHPSA1 Infineon Technologies Description: SCR MODULE PB20-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV4961-3M TLV4961-3M Infineon Technologies Infineon-TLV4961-3M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154529f327d6fdf Description: TLV4961 - HALL SWITCH
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1508+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 1508
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4961-3K TLE4961-3K Infineon Technologies Infineon-TLE4961_3K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b601397247ed8d0030 Description: TLE4961 - HALL SWITCH
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1016+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 1016
В кошику  од. на суму  грн.
TLV49613TBXALA1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-TLV4961-3TAB_Hall_Switch-DS-v01_00-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ede3158d30b70 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92S
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613KXTSA1 TLE49613KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_3K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b601397247ed8d0030 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613MXTMA1 TLE49613MXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4961_3M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc7ad91376ac Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, -10.4mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.87 грн
10+46.66 грн
25+40.25 грн
50+36.42 грн
100+31.02 грн
500+26.97 грн
1000+23.21 грн
5000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDL12G65C5XUMA2 IDL12G65C5XUMA2 Infineon Technologies Infineon-IDL12G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014305242a5d5c28 Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700201ESPXUMA1 BTS700201ESPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS70020-1ESP-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462758f5bd101759850731539ad Description: PROFET PG-TSDSO-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 2.3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 23.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700151ESPXUMA1 BTS700151ESPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS70015-1ESP-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462758f5bd101759850638039aa Description: PROFET PG-TSDSO-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.7mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 27.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700151ESPXUMA1 BTS700151ESPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS70015-1ESP-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462758f5bd101759850638039aa Description: PROFET PG-TSDSO-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.7mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 27.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70302EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7 Description: PROFET +2 12V BTS7030-2EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7030-2EPA
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3831.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS70802EPZTOBO1 SHIELDBTS70802EPZTOBO1 Infineon Technologies Infineon-PROFET_2_12V_Grade0-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701715a7bfa906379 Description: PROFET+2 12V GRADE0 BTS7080-2EP
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7080-2EPZ
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7196.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS300N08S5N011T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f1ecf7663d49 Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20336H-24LQXI CY8C20336H-24LQXI Infineon Technologies CY8C20336H%2C446H.pdf Description: IC PSOC CAPSENSE 24MHZ 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6
Program Memory Type: FLASH (8kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+209.96 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 Infineon Technologies INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.29 грн
30+277.81 грн
120+232.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MSGXUMA1 Infineon Technologies BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7 Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH60N65WR6XKSA1 IKWH60N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH60N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63c00d6fdd Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.91 грн
30+158.49 грн
120+130.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4BOMA1 FS75R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies Infineon-FS75R12W2T4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed58c83102d1 Description: IGBT MOD 1200V 107A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4292.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327 BC847BE6327 Infineon Technologies INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
на замовлення 65228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y2BAKSA1 Infineon Technologies IM240-M6xxB.pdf Description: MODULE IPM 3PHASE DIP23A
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PX8897EDQGR2ER1240AXUMA1 Infineon Technologies Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 IPDD60R045CFD7XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IPDD60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e742942a8 Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.26 грн
10+432.09 грн
100+318.74 грн
500+262.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM535U6DXKMA1 IM535U6DXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IM535-U6D-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754a6d015075fd Description: IM535U6DXKMA1
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 30 A
Voltage: 600 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.98 грн
14+943.24 грн
112+771.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1 IRF6612TR1 Infineon Technologies IRF6612,TR1.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1 IRF6612TR1 Infineon Technologies IRF6612,TR1.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.48 грн
30+196.65 грн
120+162.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFTWILD8150E60V1ATOBO1 REFTWILD8150E60V1ATOBO1 Infineon Technologies Infineon-ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20 Description: EVAL BOARD FOR ILD8150E
Packaging: Bulk
Features: Dimmable
Voltage - Output: 10V ~ 56V
Voltage - Input: 16V ~ 70V
Current - Output / Channel: 1.05A
Utilized IC / Part: ILD8150E
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5255.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.23 грн
10+63.39 грн
100+41.97 грн
500+30.77 грн
1000+27.22 грн
2000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216 Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.49 грн
10+61.18 грн
100+40.52 грн
500+29.70 грн
1000+27.02 грн
2000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N04TOFXPSA1 T1080N04TOFXPSA1 Infineon Technologies Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301 Description: SCR MODULE 600V 2000A DO-200AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6785.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+188.31 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon Technologies Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8 Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.79 грн
10+305.80 грн
100+221.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.00 грн
10+86.19 грн
100+61.32 грн
500+50.31 грн
1000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC49B120UB Infineon Technologies Short_Form_Cat_2016.pdf Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-EFE1 CY88155PFT-G-110-JN-EFE1 Infineon Technologies download Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-ERE1 CY88155PFT-G-110-JN-ERE1 Infineon Technologies download Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118ASPMT-G-110SPE1 Infineon Technologies Description: IC MCU
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PX8746JDNG029XTMA1 Infineon Technologies Description: LED PX8746JDNG029XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.96 грн
50+131.78 грн
100+119.36 грн
500+91.57 грн
1000+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8 Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.05 грн
50+189.79 грн
100+177.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBF IRF7475TRPBF Infineon Technologies IRF7475PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327 BAV70UE6327 Infineon Technologies INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 50501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3012+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3012
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12KE3S1HOSA1 Infineon Technologies Description: FD200R12KE3 - IGBT MODULE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Infineon Technologies IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR AUIRF7759L2TR Infineon Technologies IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.30 грн
10+493.84 грн
100+405.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R035CFD7AXKSA1 IPW65R035CFD7AXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R035CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0166b9f0849 Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.91 грн
30+475.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1418KV18-250BZXI CY7C1418KV18-250BZXI Infineon Technologies Infineon-CY7C1418KV18_CY7C1420KV18_36-Mbit_DDR_II_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1b25e368a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1115.59 грн
10+917.56 грн
25+863.42 грн
40+785.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITARDMKRAMP40WTOBO1 KITARDMKRAMP40WTOBO1 Infineon Technologies Infineon-MA12070P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b761f2f261e4 Description: EVAL BOARD FOR MA12070P
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Voltage - Supply: 4V ~ 26V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12070P
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6240.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MU12HXUMA1 Infineon Technologies 1ED3120MC12HXUMA1.pdf Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MU12HXUMA1 Infineon Technologies 1ED3120MC12HXUMA1.pdf Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.62 грн
10+120.06 грн
25+109.59 грн
100+92.03 грн
250+86.87 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MC12HXUMA1 1ED3120MC12HXUMA1 Infineon Technologies 1ED3120MC12HXUMA1.pdf Description: DGTL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 8000Vpk
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0016AAXUMA1 XMC1100T016F0016AAXUMA1 Infineon Technologies XMC1100.pdf Description: IC MCU 32BIT 16KB FLASH 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS612N1E3128ABUMA1 INFN-S-A0002952951-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTS612N1E3128ABUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-7
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: Parallel
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 160mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-7-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TD61N1625KOFHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE PB20-1
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLV4961-3M Infineon-TLV4961-3M-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154529f327d6fdf
TLV4961-3M
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLV4961 - HALL SWITCH
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1508+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 1508
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4961-3K Infineon-TLE4961_3K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b601397247ed8d0030
TLE4961-3K
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4961 - HALL SWITCH
на замовлення 333000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1016+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 1016
В кошику  од. на суму  грн.
TLV49613TBXALA1 Infineon-Infineon-TLV4961-3TAB_Hall_Switch-DS-v01_00-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e765da5014ede3158d30b70
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92S
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613KXTSA1 Infineon-TLE4961_3K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b601397247ed8d0030
TLE49613KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49613MXTMA1 Infineon-TLE4961_3M-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304338ec6d390138fc7ad91376ac
TLE49613MXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Temperature Compensated
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Drain
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10.4mT Trip, -10.4mT Release
Current - Output (Max): 25mA
Current - Supply (Max): 2.5mA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-15
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.87 грн
10+46.66 грн
25+40.25 грн
50+36.42 грн
100+31.02 грн
500+26.97 грн
1000+23.21 грн
5000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IDL12G65C5XUMA2 Infineon-IDL12G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c014305242a5d5c28
IDL12G65C5XUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 190 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+134.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700201ESPXUMA1 Infineon-BTS70020-1ESP-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462758f5bd101759850731539ad
BTS700201ESPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET PG-TSDSO-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 2.3mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 23.3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700151ESPXUMA1 Infineon-BTS70015-1ESP-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462758f5bd101759850638039aa
BTS700151ESPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET PG-TSDSO-24
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.7mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 27.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700151ESPXUMA1 Infineon-BTS70015-1ESP-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462758f5bd101759850638039aa
BTS700151ESPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET PG-TSDSO-24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 1.7mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 27.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-24
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage, Reverse Current, UVLO
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70302EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-Customer_evaluation_kit%20_description-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4626b2d8e69016bac9ebb6b24c7
BTS70302EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET +2 12V BTS7030-2EPA DAUGH
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7030-2EPA
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3831.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS70802EPZTOBO1 Infineon-PROFET_2_12V_Grade0-ProductBrief-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701715a7bfa906379
SHIELDBTS70802EPZTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET+2 12V GRADE0 BTS7080-2EP
Packaging: Bulk
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7080-2EPZ
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7196.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon-IAUS300N08S5N011T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f1ecf7663d49
IAUS300N08S5N011TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16250 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20336H-24LQXI CY8C20336H%2C446H.pdf
CY8C20336H-24LQXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PSOC CAPSENSE 24MHZ 24QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6
Program Memory Type: FLASH (8kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+209.96 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S404ATMA2 INFNS13309-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD90N06S404ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon-IPD90N06S4L_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203869e3b30c7d
IPD90N06S4L03ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon-I90N06S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038d111570ce3
IPB90N06S4L04ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+74.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0
IKW40N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.29 грн
30+277.81 грн
120+232.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSO040N03MSGXUMA1 BSO040N03MS_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d4dfc657dd7
BSO040N03MSGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKWH60N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH60N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63c00d6fdd
IKWH60N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.91 грн
30+158.49 грн
120+130.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4BOMA1 Infineon-FS75R12W2T4-DS-v02_03-en_de.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed58c83102d1
FS75R12W2T4BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 107A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4292.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6327 INFNS14907-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC847BE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
на замовлення 65228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IM240M6Y2BAKSA1 IM240-M6xxB.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MODULE IPM 3PHASE DIP23A
Packaging: Tube
Package / Case: 23-DIP Module (0.573", 14.55mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 1900Vrms
Part Status: Obsolete
Current: 4 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PX8897EDQGR2ER1240AXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REGULATOR PG-VQFN-48-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R045CFD7XTMA1 Infineon-IPDD60R045CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201751c2e742942a8
IPDD60R045CFD7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 61A HDSOP-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3194 pF @ 400 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.26 грн
10+432.09 грн
100+318.74 грн
500+262.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM535U6DXKMA1 Infineon-IM535-U6D-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb3201754a6d015075fd
IM535U6DXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IM535U6DXKMA1
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 30 A
Voltage: 600 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1428.98 грн
14+943.24 грн
112+771.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1 IRF6612,TR1.pdf
IRF6612TR1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6612TR1 IRF6612,TR1.pdf
IRF6612TR1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.48 грн
30+196.65 грн
120+162.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFTWILD8150E60V1ATOBO1 Infineon-ILD8150_ILD8150E-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169ba96613f4c20
REFTWILD8150E60V1ATOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR ILD8150E
Packaging: Bulk
Features: Dimmable
Voltage - Output: 10V ~ 56V
Voltage - Input: 16V ~ 70V
Current - Output / Channel: 1.05A
Utilized IC / Part: ILD8150E
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5255.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f
IAUC80N04S6N036ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6N036ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6N036-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c881e60109f
IAUC80N04S6N036ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC80N04S6N036ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.68mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.23 грн
10+63.39 грн
100+41.97 грн
500+30.77 грн
1000+27.22 грн
2000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
IAUC80N04S6L032ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC80N04S6L032ATMA1 Infineon-IAUC80N04S6L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3b4621216
IAUC80N04S6L032ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IAUC80N04S6L032ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.29mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.49 грн
10+61.18 грн
100+40.52 грн
500+29.70 грн
1000+27.02 грн
2000+25.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
T1080N04TOFXPSA1 Infineon-T1080N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863528c2a5301
T1080N04TOFXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 600V 2000A DO-200AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Operating Temperature: -40°C ~ 140°C
Structure: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16000A @ 50Hz
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 1078 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2000 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+6785.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
IAUS260N10S5N019TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+188.31 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS260N10S5N019TATMA1 Infineon-IAUS260N10S5N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301762e04616a61b8
IAUS260N10S5N019TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 260A HDSOP-16-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11830 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.79 грн
10+305.80 грн
100+221.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S412ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
IPD60N10S412ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.00 грн
10+86.19 грн
100+61.32 грн
500+50.31 грн
1000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRGC49B120UB Short_Form_Cat_2016.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT CHIP
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-EFE1 download
CY88155PFT-G-110-JN-EFE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY88155PFT-G-110-JN-ERE1 download
CY88155PFT-G-110-JN-ERE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FANOUT BUFFER 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Frequency - Max: 25MHz
Type: Fanout Buffer (Distribution), Spread Spectrum Clock Generator
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:2
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 8-TSSOP
PLL: Yes with Bypass
Divider/Multiplier: No/Yes
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F118ASPMT-G-110SPE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PX8746JDNG029XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LED PX8746JDNG029XTMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
IPP019N08NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.96 грн
50+131.78 грн
100+119.36 грн
500+91.57 грн
1000+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R110CFD7XKSA1 Infineon-IPP65R110CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627572d8fd01758f0cf6087ba8
IPP65R110CFD7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.05 грн
50+189.79 грн
100+177.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7475TRPBF IRF7475PbF.pdf
IRF7475TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327 INFNS11270-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAV70UE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 nA @ 70 V
на замовлення 50501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3012+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3012
В кошику  од. на суму  грн.
FD200R12KE3S1HOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FD200R12KE3 - IGBT MODULE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7759L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7759L2TR IRSDS13104-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF7759L2TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric L8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 96A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12222 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.30 грн
10+493.84 грн
100+405.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N06S4L08ATMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R035CFD7AXKSA1 Infineon-IPW65R035CFD7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171c0166b9f0849
IPW65R035CFD7AXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.79mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+803.91 грн
30+475.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1418KV18-250BZXI Infineon-CY7C1418KV18_CY7C1420KV18_36-Mbit_DDR_II_SRAM_Two-Word_Burst_Architecture-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1b25e368a&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY7C1418KV18-250BZXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, DDR II
Clock Frequency: 250 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 2M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1115.59 грн
10+917.56 грн
25+863.42 грн
40+785.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITARDMKRAMP40WTOBO1 Infineon-MA12070P-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b761f2f261e4
KITARDMKRAMP40WTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR MA12070P
Packaging: Bulk
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Amplifier Type: Class D
Voltage - Supply: 4V ~ 26V
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: MA12070P
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6240.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MC12HXUMA1.pdf
1ED3120MU12HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+89.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MU12HXUMA1 1ED3120MC12HXUMA1.pdf
1ED3120MU12HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 1.2KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 1200Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.62 грн
10+120.06 грн
25+109.59 грн
100+92.03 грн
250+86.87 грн
500+83.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3120MC12HXUMA1 1ED3120MC12HXUMA1.pdf
1ED3120MC12HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGTL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8-66
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Peak Output: 5.5A
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 5.5A, 5.5A
Voltage - Isolation: 8000Vpk
Approval Agency: UL, VDE
Supplier Device Package: PG-DSO-8-66
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 30ns (Max)
Common Mode Transient Immunity (Min): 200kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 100ns, 100ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 10V ~ 35V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0016AAXUMA1 XMC1100.pdf
XMC1100T016F0016AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 16KB FLASH 16TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2490 2492  [ Наступна Сторінка >> ]