Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126531) > Сторінка 2100 з 2109
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IQD063N15NM5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IQD063N15NM5SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
TLD21421EPXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; LED driver Technology: Litix™ Case: PG-SSOP-14-EP Output current: 0.24A Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming; PWM Mounting: SMD Operating voltage: 5.5...40V DC Protection: overheating OTP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPD04N50C3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCX5516H6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BCX5516H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AIMBG75R090M1HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IPP095N20NM6AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 116A Pulsed drain current: 464A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Technology: OptiMOS™ 6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IPD90N03S4L02ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 90A Power dissipation: 136W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ T2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IPT65R018CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 134A Power dissipation: 694W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 173nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPT60R024CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 103A; 543W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 103A Power dissipation: 543W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPT60R070CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 40A Power dissipation: 245W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPT60R099CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 186W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPT65R025CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 101A Power dissipation: 543W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 124nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPT65R040CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 67A Power dissipation: 390W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSC019N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRMCF341TY | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; I2C,SPI; LQFP64 Type of integrated circuit: driver Interface: I2C; SPI Case: LQFP64 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IDM02G120C5XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W Type of diode: Schottky rectifying Case: PG-TO252-2 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.4V Leakage current: 1.2µA Max. forward impulse current: 31A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 98W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| T640N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 9.4kA Gate current: 250mA Max. off-state voltage: 1.6kV Body dimensions: Ø48/Ø30mm Load current: 644A Max. load current: 1.25kA Kind of package: in-tray Case: A-PUK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| T640N14TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 9.4kA Gate current: 250mA Max. off-state voltage: 1.4kV Body dimensions: Ø48/Ø30mm Load current: 644A Max. load current: 1.25kA Kind of package: in-tray Case: A-PUK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| T640N18TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack Max. forward impulse current: 9.4kA Gate current: 250mA Max. off-state voltage: 1.8kV Body dimensions: Ø48/Ø30mm Load current: 644A Max. load current: 1.25kA Kind of package: in-tray Case: A-PUK |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
BAT6406E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW Max. forward impulse current: 0.8A Max. forward voltage: 0.75V Power dissipation: 0.25W Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.25A Semiconductor structure: common anode; double Case: SOT23 Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD |
на замовлення 6429 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BAT5405E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW Max. forward impulse current: 0.6A Max. forward voltage: 0.8V Power dissipation: 0.23W Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: common cathode; double Case: SOT23 Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD |
на замовлення 4532 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BAT5403WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW Max. forward impulse current: 0.6A Max. forward voltage: 0.8V Power dissipation: 0.23W Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Case: SOD323 Type of diode: Schottky switching Mounting: SMD |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BAT5404E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 0.2A Semiconductor structure: double series Max. forward voltage: 0.8V Max. forward impulse current: 0.6A Power dissipation: 0.23W |
на замовлення 473 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| AUIRF2804STRL7P | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
IRLHM630TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.7W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
CY15B104Q-SXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Mounting: SMD Supply voltage: 2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 40MHz Memory: 4Mb FRAM Kind of interface: serial Memory organisation: 512kx8bit Case: SO8 Interface: SPI |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
CY15B104Q-LHXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; TDFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Mounting: SMD Supply voltage: 2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 40MHz Memory: 4Mb FRAM Kind of interface: serial Memory organisation: 512kx8bit Case: TDFN8 Interface: SPI |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
CY15B102Q-SXE | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 20MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Mounting: SMD Supply voltage: 2...3.6V DC Operating temperature: -40...125°C Clock frequency: 20MHz Memory: 2Mb FRAM Kind of interface: serial Memory organisation: 256kx8bit Case: SO8 Interface: SPI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 94 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| CY15B102QN-50SXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory Type of integrated circuit: FRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 470 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| CY15B108QSN-108BKXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory Type of integrated circuit: FRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 960 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| CY15B064J-SXAT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory Type of integrated circuit: FRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| CY15B101N-ZS60XM | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory Type of integrated circuit: FRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| CY15B102N-ZS60XM | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory Type of integrated circuit: FRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 270 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
FM16W08-SG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC Mounting: SMD Supply voltage: 2.7...5.5V DC Access time: 70ns Type of integrated circuit: FRAM memory Operating temperature: -40...85°C Memory: 64kb FRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8kx8bit Case: SO28 Interface: parallel 8bit Kind of memory: FRAM |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 2.3A Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4151 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.2A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 894 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSS7728NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2ED2109S06FXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.29A Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Protection: undervoltage UVP Voltage class: 650V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2ED21824S06JXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: PG-DSO-14 Output current: -2.5...2.5A Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Protection: undervoltage UVP Voltage class: 650V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IPB120N06S403ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5L011ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5L015ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5L022ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5N011ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5N022ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IAUC120N06S5N032ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
ISO1H815GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Interfaces others - integrated circuitsDescription: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 1.2A; Ch: 8; 11÷35VDC Mounting: SMD On-state resistance: 0.15Ω Supply voltage: 11...35V DC Output current: 1.2A Type of integrated circuit: driver Kind of output: N-Channel Power dissipation: 3.3W Operating temperature: -25...125°C Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated Technology: ISOFACE™ Turn-on time: 64µs Kind of package: reel; tape Case: PG-DSO-36 Turn-off time: 89µs Kind of integrated circuit: high-side Number of channels: 8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858AE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC858BE6433HTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
FP20R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A Collector current: 20A Power dissipation: 94W Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Mechanical mounting: screw Application: Inverter |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TLS850B0TBV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TLS850B0TEV33ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| TLS850B0TEV50ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: voltage regulator Type of integrated circuit: voltage regulator |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
TLD11141EPXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LED driversDescription: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; 360mA; Ch: 1 Operating voltage: 5.5...40V DC Mounting: SMD Output current: 0.36A Type of integrated circuit: driver Protection: overheating OTP Integrated circuit features: linear dimming; PWM Technology: Litix™ Case: PG-TSDSO-14 Kind of integrated circuit: high-side; LED driver Number of channels: 1 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC858BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRS2117STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| AUIRS2117STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IQD063N15NM5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQD063N15NM5CGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IQD063N15NM5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLD21421EPXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.24A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-SSOP-14-EP; 240mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Technology: Litix™
Case: PG-SSOP-14-EP
Output current: 0.24A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating voltage: 5.5...40V DC
Protection: overheating OTP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPD04N50C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX5516H6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BCX5516H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIMBG75R090M1HXTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPP095N20NM6AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 464A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™ 6
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 464A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD90N03S4L02ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 30V; 90A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT65R018CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 134A
Power dissipation: 694W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 134A
Power dissipation: 694W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT60R024CM8XTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 103A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 103A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 103A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 103A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT60R070CM8XTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 245W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 40A; 245W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 245W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT60R099CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 186W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 30A; 186W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 186W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT65R025CM8XTMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 101A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 101A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPT65R040CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 390W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 390W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC019N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRMCF341TY |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; I2C,SPI; LQFP64
Type of integrated circuit: driver
Interface: I2C; SPI
Case: LQFP64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; I2C,SPI; LQFP64
Type of integrated circuit: driver
Interface: I2C; SPI
Case: LQFP64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 500.35 грн |
| IDM02G120C5XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 98W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PG-TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 98W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PG-TO252-2
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.4V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 31A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 98W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T640N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T640N14TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T640N18TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BAT6406E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 11.74 грн |
| 47+ | 9.06 грн |
| 52+ | 8.13 грн |
| 100+ | 5.58 грн |
| 300+ | 5.08 грн |
| 500+ | 4.77 грн |
| 750+ | 4.45 грн |
| 1000+ | 4.26 грн |
| 3000+ | 3.72 грн |
| BAT5405E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 9.93 грн |
| 50+ | 8.55 грн |
| 54+ | 7.88 грн |
| 68+ | 6.26 грн |
| 100+ | 5.73 грн |
| 500+ | 4.80 грн |
| 1000+ | 4.60 грн |
| 3000+ | 4.24 грн |
| BAT5403WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 18.06 грн |
| 35+ | 12.24 грн |
| 44+ | 9.66 грн |
| 50+ | 8.65 грн |
| 500+ | 5.57 грн |
| 1000+ | 4.70 грн |
| BAT5404E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Power dissipation: 0.23W
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 22.58 грн |
| 29+ | 14.76 грн |
| 34+ | 12.58 грн |
| 100+ | 7.13 грн |
| AUIRF2804STRL7P |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRLHM630TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B104Q-SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B104Q-LHXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; TDFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: TDFN8
Interface: SPI
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4MbFRAM; SPI; 512kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; TDFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 40MHz
Memory: 4Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 512kx8bit
Case: TDFN8
Interface: SPI
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B102Q-SXE |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 2MbFRAM; SPI; 256kx8bit; 2÷3.6VDC; 20MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Clock frequency: 20MHz
Memory: 2Mb FRAM
Kind of interface: serial
Memory organisation: 256kx8bit
Case: SO8
Interface: SPI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B102QN-50SXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 470 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B108QSN-108BKXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B064J-SXAT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B101N-ZS60XM |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY15B102N-ZS60XM |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory
Type of integrated circuit: FRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FM16W08-SG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8kx8bit
Case: SO28
Interface: parallel 8bit
Kind of memory: FRAM
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8kx8bit
Case: SO28
Interface: parallel 8bit
Kind of memory: FRAM
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 478.68 грн |
| 10+ | 411.78 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 29.80 грн |
| 22+ | 19.21 грн |
| 50+ | 12.58 грн |
| 100+ | 10.57 грн |
| 250+ | 8.55 грн |
| 500+ | 7.55 грн |
| 1000+ | 6.71 грн |
| 3000+ | 5.87 грн |
| BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 894 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 37.03 грн |
| 16+ | 27.17 грн |
| 50+ | 22.90 грн |
| 100+ | 21.64 грн |
| 200+ | 20.71 грн |
| 500+ | 19.29 грн |
| BSS7728NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 9.03 грн |
| 100+ | 5.99 грн |
| 250+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 4.18 грн |
| 2ED2109S06FXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.29A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2ED21824S06JXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...2.5A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; PG-DSO-14; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PG-DSO-14
Output current: -2.5...2.5A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Protection: undervoltage UVP
Voltage class: 650V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPB120N06S403ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC120N06S5L011ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC120N06S5L015ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC120N06S5L022ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC120N06S5N011ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC120N06S5N022ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC120N06S5N032ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISO1H815GAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 1.2A; Ch: 8; 11÷35VDC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...35V DC
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -25...125°C
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Technology: ISOFACE™
Turn-on time: 64µs
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-36
Turn-off time: 89µs
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 8
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: driver; high-side; ISOFACE™; PG-DSO-36; 1.2A; Ch: 8; 11÷35VDC
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 11...35V DC
Output current: 1.2A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.3W
Operating temperature: -25...125°C
Integrated circuit features: 8bit interface; galvanically isolated
Technology: ISOFACE™
Turn-on time: 64µs
Kind of package: reel; tape
Case: PG-DSO-36
Turn-off time: 89µs
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC858AE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 45000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC858BE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP20R06W1E3B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Collector current: 20A
Power dissipation: 94W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Collector current: 20A
Power dissipation: 94W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLS850B0TBV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLS850B0TEV33ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLS850B0TEV50ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator
Type of integrated circuit: voltage regulator
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TLD11141EPXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; 360mA; Ch: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Mounting: SMD
Output current: 0.36A
Type of integrated circuit: driver
Protection: overheating OTP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Number of channels: 1
Category: LED drivers
Description: IC: driver; high-side,LED driver; Litix™; PG-TSDSO-14; 360mA; Ch: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Mounting: SMD
Output current: 0.36A
Type of integrated circuit: driver
Protection: overheating OTP
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Technology: Litix™
Case: PG-TSDSO-14
Kind of integrated circuit: high-side; LED driver
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC858BE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRS2117STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2117STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.


















