Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128862) > Сторінка 2100 з 2148

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPC70N04S5-4R6 IPC70N04S5-4R6 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 24.2nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5L-4R2 IPC70N04S5L-4R2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 30nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29CD016J0PQFM110 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 66MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 66MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS721L1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.7W
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+409.86 грн
10+341.53 грн
25+336.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS428L2ATMA1 ITS428L2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ITS428L2.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+312.32 грн
10+193.62 грн
100+158.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016SDA BTS5016SDA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5016SDA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-5
Mounting: SMD
Output current: 5.5A
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+212.09 грн
8+124.64 грн
21+118.00 грн
250+114.67 грн
500+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GW BTS723GW INFINEON TECHNOLOGIES BTS723GW.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷4.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...4.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 53mΩ
Supply voltage: 7...58V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+346.32 грн
4+284.19 грн
10+280.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G INFINEON TECHNOLOGIES ITS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+377.64 грн
10+313.27 грн
50+262.59 грн
100+235.99 грн
250+218.54 грн
500+209.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Technology: Classic PROFET
Case: SO14
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.94 грн
10+157.05 грн
100+124.64 грн
250+112.18 грн
500+103.04 грн
1000+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452 INFINEON TECHNOLOGIES ISP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+134.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+244.30 грн
10+152.07 грн
100+118.83 грн
250+106.36 грн
500+97.22 грн
1000+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752TXUMA1 BSP752TXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.07 грн
10+89.74 грн
25+82.27 грн
50+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3321MC12NXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-1ed332xmc12n-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; EiceDRIVER™; SOIC16; Ch: 1
Supply voltage: 3.5...5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Integrated circuit features: MOSFET
Case: SOIC16
Impulse rise time: 15ns
Pulse fall time: 15ns
Turn-on time: 85ns
Power dissipation: 0.81W
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5.7kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.35 грн
3+221.04 грн
10+190.29 грн
20+172.01 грн
50+156.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC090N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N INFINEON TECHNOLOGIES BTS3118N-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Mounting: SMD
Output current: 2.17A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.81 грн
10+82.27 грн
25+75.62 грн
100+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180P04P4L02.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 176nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: TO263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N04S4L0110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670ea376d6469 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 245nC
Technology: MOSFET
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -16...20V
Case: TO263-7
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPDQ60R007CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8dd992bf0724 Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
750+1482.83 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101NA-BA25XIT INFINEON TECHNOLOGIES ?docID=45099 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SDSBHB203 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FS128S_S25FS256S_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_MirrorBit(R)_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Application: automotive
Case: BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-SGTR INFINEON TECHNOLOGIES FM16W08-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Interface: parallel 8bit
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8kx8bit
Case: SO28
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR INFINEON TECHNOLOGIES AUIR3241STR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117BKSA1 BTS117BKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1081XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Infineon-NAC1080_NAC1081_DS_v01_03-EN-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017db42a43930b11 Category: Unclassified
Description: NAC1081XTMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+189.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 IPP051N15N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.27 грн
10+204.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.85 грн
10+156.22 грн
30+142.93 грн
60+134.62 грн
120+125.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.64 грн
30+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R125C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R125CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff57770162002fa4562bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS205NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
22+18.95 грн
26+16.45 грн
50+11.13 грн
100+9.39 грн
500+6.56 грн
1000+5.82 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT012N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+361.53 грн
10+291.67 грн
50+277.54 грн
100+270.89 грн
250+262.59 грн
500+255.11 грн
1000+252.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT260N10S5N019.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT240N08S5N019.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N10S5N015.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT150N10S5N035.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500151LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTH500151LUAAUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 32A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 32A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT200N08S5N023.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUT300N08S5N014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF IRF8788TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8788pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMB BTS50085-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES BTS50085-1TMB.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM1808B-SG FM1808B-SG INFINEON TECHNOLOGIES FM1808B-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 4.4÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 4.4...5.5V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 IPD60N10S4L12ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC098N10NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 IPA90R340C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b8cc90e320fa6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 900V; 15A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 94nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+238.04 грн
150+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -680mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.85 грн
15+28.75 грн
50+25.01 грн
100+23.68 грн
125+23.27 грн
250+21.85 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R07PE4 F3L300R07PE4 INFINEON TECHNOLOGIES F3L300R07PE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 300A
Case: AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 940W
Technology: EconoPACK™ 4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+18282.53 грн
3+14957.39 грн
6+12564.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5-4R6
IPC70N04S5-4R6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 24.2nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC70N04S5L-4R2
IPC70N04S5L-4R2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 50W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 30nC
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 50W
Drain current: 70A
Kind of channel: enhancement
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29CD016J0PQFM110
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel burst; 66MHz; PQFP80
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel burst
Operating voltage: 2.5...2.75V
Operating frequency: 66MHz
Case: PQFP80
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Application: automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS721L1 BTS721L1.pdf
BTS721L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷6.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...6.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: DSO20
On-state resistance: 25mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Power dissipation: 3.7W
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+409.86 грн
10+341.53 грн
25+336.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS428L2ATMA1 ITS428L2.pdf
ITS428L2ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 4.75...43V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+144.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L.pdf
BTS5210L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: BSOP12
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+312.32 грн
10+193.62 грн
100+158.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5016SDA BTS5016SDA.pdf
BTS5016SDA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Case: TO252-5
Mounting: SMD
Output current: 5.5A
Kind of output: N-Channel
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 16mΩ
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+212.09 грн
8+124.64 грн
21+118.00 грн
250+114.67 грн
500+113.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS723GW BTS723GW.pdf
BTS723GW
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.9÷4.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.9...4.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO14
On-state resistance: 53mΩ
Supply voltage: 7...58V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+346.32 грн
4+284.19 грн
10+280.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G.pdf
ITS716G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 757 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+377.64 грн
10+313.27 грн
50+262.59 грн
100+235.99 грн
250+218.54 грн
500+209.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210G BTS5210G.pdf
BTS5210G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Technology: Classic PROFET
Case: SO14
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 5.5...40V DC
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.94 грн
10+157.05 грн
100+124.64 грн
250+112.18 грн
500+103.04 грн
1000+100.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISP452 ISP452.pdf
ISP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Industrial PROFET
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+134.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
Technology: Classic PROFET
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.30 грн
10+152.07 грн
100+118.83 грн
250+106.36 грн
500+97.22 грн
1000+93.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752TXUMA1 Infineon-BSP752T-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a8533f0fa778a
BSP752TXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.07 грн
10+89.74 грн
25+82.27 грн
50+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3321MC12NXUMA1 infineon-1ed332xmc12n-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; EiceDRIVER™; SOIC16; Ch: 1
Supply voltage: 3.5...5.5V
Operating temperature: -40...125°C
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Integrated circuit features: MOSFET
Case: SOIC16
Impulse rise time: 15ns
Pulse fall time: 15ns
Turn-on time: 85ns
Power dissipation: 0.81W
Number of channels: 1
Insulation voltage: 5.7kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.35 грн
3+221.04 грн
10+190.29 грн
20+172.01 грн
50+156.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC090N03LSGATMA1 BSC090N03LSG-DTE.pdf
BSC090N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3118N BTS3118N-DTE.pdf
BTS3118N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Mounting: SMD
Output current: 2.17A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 70mΩ
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.81 грн
10+82.27 грн
25+75.62 грн
100+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA2 IPB180P04P4L02.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -140A; Idm: -720A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -140A
Pulsed drain current: -720A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: -16...5V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 176nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Case: TO263-7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4L01ATMA1 Infineon-IPB180N04S4L0110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670ea376d6469
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 180A; 188W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 188W
Gate charge: 245nC
Technology: MOSFET
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -16...20V
Case: TO263-7
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+187.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60R007CM8XTMA1 Infineon-IPDQ60R007CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8dd992bf0724
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistors - Unclassified
Description: IPDQ60R007CM8XTMA1
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+1482.83 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY14V101NA-BA25XIT ?docID=45099
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 25ns; FBGA48; parallel
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Kind of memory: NV SRAM
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 25ns
Supply voltage: 1.65...1.95V DC; 3...3.6V DC
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS128SDSBHB203 Infineon-S25FS128S_S25FS256S_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_MirrorBit(R)_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.PDF?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 133MHz; 1.7÷2V; BGA24
Application: automotive
Case: BGA24
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Kind of memory: NOR
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...105°C
Operating voltage: 1.7...2V
Operating frequency: 133MHz
Memory: 128Mb FLASH
Interface: QUAD SPI
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3G-DTE.pdf
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM16W08-SGTR FM16W08-DTE.pdf
FM16W08-SGTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; parallel 8bit; 8kx8bit; 2.7÷5.5VDC
Interface: parallel 8bit
Memory: 64kb FRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8kx8bit
Case: SO28
Kind of memory: FRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
Access time: 70ns
Type of integrated circuit: FRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112 bcr112series.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCR112WH6327XTSA1 bcr112series.pdf?folderId=db3a30431400ef68011406f3ddb1012e&fileId=db3a30431428a37301143a34902e01d0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SC70,SOT323; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 20
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR.pdf
AUIR3241STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90P04P4L04ATMA2 Infineon-IPD90P04P4L-04-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7829059b2dee
IPD90P04P4L04ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -90A; 125W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -90A
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Gate charge: 135nC
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117BKSA1 Infineon-BTS117-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa350a0970fbc
BTS117BKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; THT; TO220-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: tube
Technology: SIPMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NAC1081XTMA1 Infineon-Infineon-NAC1080_NAC1081_DS_v01_03-EN-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d718a49017db42a43930b11
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: NAC1081XTMA1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+189.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
IPP051N15N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+338.27 грн
10+204.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6-DTE.pdf
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+341.85 грн
10+156.22 грн
30+142.93 грн
60+134.62 грн
120+125.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CP-DTE.pdf
IPW60R125CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+360.64 грн
30+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125C6FKSA1 IPW60R125C6-DTE.pdf
IPW60R125C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CFD7XKSA1 Infineon-IPW60R125CFD7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46261ff57770162002fa4562bb2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 92W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 92W
Case: TO247
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS205NH6327XTSA1 BSS205NH6327XTSA1.pdf
BSS205NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5277 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.16 грн
22+18.95 грн
26+16.45 грн
50+11.13 грн
100+9.39 грн
500+6.56 грн
1000+5.82 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT012N08N5ATMA1 IPT012N08N5-DTE.pdf
IPT012N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 279A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+361.53 грн
10+291.67 грн
50+277.54 грн
100+270.89 грн
250+262.59 грн
500+255.11 грн
1000+252.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL40T209ATMA2 Infineon-IRL40T209-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265413c11016542adc035132a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 586A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019.pdf
IAUT260N10S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 260A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 260A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT240N08S5N019.pdf
IAUT240N08S5N019ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 240A; 230W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 240A
Power dissipation: 230W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N015ATMA1 IAUT300N10S5N015.pdf
IAUT300N10S5N015ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300A; 375W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT150N10S5N035ATMA1 IAUT150N10S5N035.pdf
IAUT150N10S5N035ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 166W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Power dissipation: 166W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500151LUAAUMA1 BTH500151LUAAUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 32A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 32A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT165N08S5N029ATMA2 IAUT165N08S5N029.pdf
IAUT165N08S5N029ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; 167W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT200N08S5N023ATMA1 IAUT200N08S5N023.pdf
IAUT200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 200A; 200W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 200A
Power dissipation: 200W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N014ATMA1 IAUT300N08S5N014.pdf
IAUT300N08S5N014ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; 300W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Power dissipation: 300W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8788TRPBF irf8788pbf.pdf
IRF8788TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50085-1TMB BTS50085-1TMB.pdf
BTS50085-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 38A; Ch: 1; N-Channel; THT
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 38A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: THT
Case: PG-TO220-7-11
On-state resistance: 7.2mΩ
Supply voltage: 5...58V DC
Technology: High Current PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM1808B-SG FM1808B-DTE.pdf
FM1808B-SG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 4.4÷5.5VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 4.4...5.5V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60N10S4L12ATMA1 Infineon-IPD60N10S4L_12-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc801374ffd51cd0505
IPD60N10S4L12ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC098N10NS5ATMA1 BSC098N10NS5-DTE.pdf
BSC098N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+357.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R340C3XKSA2 Infineon-IPA90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b8cc90e320fa6
IPA90R340C3XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 900V; 15A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 94nC
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+238.04 грн
150+198.60 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP316PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Drain current: -680mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.85 грн
15+28.75 грн
50+25.01 грн
100+23.68 грн
125+23.27 грн
250+21.85 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R07PE4 F3L300R07PE4.pdf
F3L300R07PE4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 300A; AG-ECONO4-1
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage: 650V
Collector current: 300A
Case: AG-ECONO4-1
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 940W
Technology: EconoPACK™ 4
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18282.53 грн
3+14957.39 грн
6+12564.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1049GN30-10ZSXIT Infineon-CY7C1049GN_4-Mbit_(512K_words_8_bit)_Static_RAM-DataSheet-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed849f059c3&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 10ns
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Memory organisation: 512kx8bit
Memory: 4Mb SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.