Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25878) > Сторінка 414 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 INFINEON 4508762.pdf Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+289.13 грн
500+241.79 грн
1000+207.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021 Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.96 грн
500+68.49 грн
1000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.24 грн
10+180.27 грн
100+145.44 грн
500+120.49 грн
1000+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 INFINEON 4508762.pdf Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.83 грн
10+331.81 грн
100+289.13 грн
500+241.79 грн
1000+207.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.87 грн
500+66.88 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021 Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+214.24 грн
10+180.27 грн
100+145.44 грн
500+120.49 грн
1000+98.53 грн
5000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.16 грн
10+260.39 грн
100+208.14 грн
500+161.74 грн
1000+127.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TD340N22KOFXPSA1 TD340N22KOFXPSA1 INFINEON 4148551.pdf Description: INFINEON - TD340N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 338A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16976.11 грн
5+16636.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD370N18KOFHPSA1 TD370N18KOFHPSA1 INFINEON 4148550.pdf Description: INFINEON - TD370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19553.92 грн
5+19162.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
10+96.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.76 грн
10+105.38 грн
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LINDEMOBOARDTOBO1 LINDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F62962832_LIN_Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658a8fe557407b Description: INFINEON - LINDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE, LIN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9251SJ, TLE9350SJ, TLE9350VSJ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: LIN-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6535.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.31 грн
500+42.46 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1 ISZ0901NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0901NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0b53df55162 Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.44 грн
500+24.66 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.94 грн
500+17.71 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1 ISZ0901NLSATMA1 INFINEON Infineon-ISZ0901NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0b53df55162 Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.35 грн
21+42.59 грн
100+33.44 грн
500+24.66 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CY621472E30LL-45ZSXI CY621472E30LL-45ZSXI INFINEON 2864264.pdf Description: INFINEON - CY621472E30LL-45ZSXI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.78 грн
10+310.90 грн
25+310.03 грн
50+287.08 грн
100+264.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 INFINEON 4524705.pdf Description: INFINEON - CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 - Evaluationskit, CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, induktiver Näherungssensor, Metall-Ziel
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, Metall-Ziel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23290.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 S25FL064LABMFI003 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.67 грн
11+86.04 грн
50+85.26 грн
100+78.36 грн
250+69.80 грн
500+68.15 грн
1000+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 S25FL064LABMFA010 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.47 грн
10+101.89 грн
50+101.02 грн
100+93.00 грн
250+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 S25FL064LABMFI003 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+96.67 грн
11+86.04 грн
50+85.26 грн
100+78.36 грн
250+69.80 грн
500+68.15 грн
1000+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDI05I12AFXUMA1 INFINEON 2334682.pdf Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+49.71 грн
1000+48.00 грн
2500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024LQI-S402 CY8C4024LQI-S402 INFINEON INFN-S-A0016367801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S402 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.96 грн
11+85.17 грн
50+77.77 грн
100+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KP405XTMA1 KP405XTMA1 INFINEON 4508699.pdf Description: INFINEON - KP405XTMA1 - Drucksensor, Differenzdruck, 45.5 kPa, 140 kPa, 4.5 V, 11 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100, AEC-Q103
Druckmessung: Differenzdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 140kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 45.5kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 11V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: PS15
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+302.32 грн
250+282.17 грн
500+261.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP405XTMA1 KP405XTMA1 INFINEON 4508699.pdf Description: INFINEON - KP405XTMA1 - Drucksensor, Differenzdruck, 45.5 kPa, 140 kPa, 4.5 V, 11 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100, AEC-Q103
Druckmessung: Differenzdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 140kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 45.5kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 11V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: PS15
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.78 грн
10+450.25 грн
25+408.44 грн
50+351.77 грн
100+302.32 грн
250+282.17 грн
500+261.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON 136279.pdf description Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.60 грн
500+109.98 грн
1000+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5MC1 KITPSC3M5MC1 INFINEON 4520182.pdf Description: INFINEON - KITPSC3M5MC1 - Evaluationsboard, PSC3M5FDS2AFQ1, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27242.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR1680BG127W1TOBO1 REF5QR1680BG127W1TOBO1 INFINEON Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR1680BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa21eb4f53 Description: INFINEON - REF5QR1680BG127W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR1680BG-1, CoolSET, 27W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR1680BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR1680BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10157.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR4780BG115W1TOBO1 REF5QR4780BG115W1TOBO1 INFINEON Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR4780BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa02184f30 Description: INFINEON - REF5QR4780BG115W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR4780BG-1, CoolSET, 15W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR4780BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR4780BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10724.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR0680BG142W1TOBO1 REF5QR0680BG142W1TOBO1 INFINEON Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_ICE5QR0680BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa24c94f57 Description: INFINEON - REF5QR0680BG142W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG-1, CoolSET, 42W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR0680BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10724.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR2280BG124W1TOBO1 REF5QR2280BG124W1TOBO1 INFINEON #!?fileId=8ac78c8c919c9f9d019233514f1f43d4 Description: INFINEON - REF5QR2280BG124W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR2280BG-1, CoolSET, 24W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: ICE5QR2280BG-1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: CoolSET
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR2280BG-1
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10070.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 - Evaluationsboard, BGT60UTR11AIP, Internet of Things (IoT)
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8620.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.94 грн
28+31.87 грн
100+25.60 грн
500+20.38 грн
1000+18.44 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 INFINEON BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.60 грн
500+20.38 грн
1000+18.44 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1 IPT60R022S7XTMA1 INFINEON 3092711.pdf Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+604.39 грн
50+515.94 грн
100+434.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1 IPT60R022S7XTMA1 INFINEON 3092711.pdf Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+827.34 грн
5+715.87 грн
10+604.39 грн
50+515.94 грн
100+434.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.38 грн
10+248.20 грн
100+175.92 грн
500+135.05 грн
1000+119.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 IPT65R125CFD7XTMA1 INFINEON Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0 Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.92 грн
500+135.05 грн
1000+119.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC023N03LF2SATMA1 ISC023N03LF2SATMA1 INFINEON 4475005.pdf Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.17 грн
16+58.00 грн
100+43.89 грн
500+34.53 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.39 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500051LUAAUMA1 BTS500051LUAAUMA1 INFINEON 3938577.pdf Description: INFINEON - BTS500051LUAAUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, AEC-Q100, 1 Ausgang, 150A, 0.0006 Ohm
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.0006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 150A
IC-Gehäuse / Bauform: HSOF
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+714.12 грн
10+512.08 грн
25+487.69 грн
50+423.75 грн
100+363.53 грн
250+347.11 грн
500+316.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON 2920448.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.40 грн
500+44.23 грн
1000+34.56 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON 2920448.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+141.08 грн
10+94.93 грн
100+65.40 грн
500+44.23 грн
1000+34.56 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-8M-176-CPU CYTVII-B-H-8M-176-CPU INFINEON Infineon-002-25907_0C_CYTVII-B-H-8M-176-CPU_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baddfdf637dd4 Description: INFINEON - CYTVII-B-H-8M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT4BF8C
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55102.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-4M-176-CPU CYTVII-B-H-4M-176-CPU INFINEON Description: INFINEON - CYTVII-B-H-4M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BB, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT4BB
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BB
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+55524.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.19 грн
500+30.57 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.89 грн
15+60.44 грн
100+41.19 грн
500+30.57 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.57 грн
16+54.60 грн
100+34.75 грн
500+24.75 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.75 грн
500+24.75 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.33 грн
100+36.58 грн
500+29.03 грн
1000+24.41 грн
5000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.58 грн
500+29.03 грн
1000+24.41 грн
5000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 TLE824533SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE824533SAAUMA1 - LEISTUNGSSCHALTER HIGH/LOW-SIDE, 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.25ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 17V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2144.11 грн
10+1488.34 грн
25+1390.80 грн
50+1217.87 грн
100+1052.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.69 грн
10+153.28 грн
100+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON 4162914.pdf Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.84 грн
10+196.82 грн
100+122.79 грн
500+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 IPP023N10N5XKSA1 INFINEON 4425947.pdf Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+426.73 грн
10+217.72 грн
100+200.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1 IAUCN10S7N040ATMA1 INFINEON 4426401.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.56 грн
10+162.86 грн
100+119.31 грн
500+93.00 грн
1000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 4508762.pdf
IGLD65R110D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+289.13 грн
500+241.79 грн
1000+207.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021
IGB110S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.96 грн
500+68.49 грн
1000+53.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.24 грн
10+180.27 грн
100+145.44 грн
500+120.49 грн
1000+98.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 4508762.pdf
IGLD65R110D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+378.83 грн
10+331.81 грн
100+289.13 грн
500+241.79 грн
1000+207.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.87 грн
500+66.88 грн
1000+52.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021
IGB110S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+214.24 грн
10+180.27 грн
100+145.44 грн
500+120.49 грн
1000+98.53 грн
5000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+363.16 грн
10+260.39 грн
100+208.14 грн
500+161.74 грн
1000+127.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TD340N22KOFXPSA1 4148551.pdf
TD340N22KOFXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD340N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 338A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16976.11 грн
5+16636.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD370N18KOFHPSA1 4148550.pdf
TD370N18KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19553.92 грн
5+19162.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.12 грн
10+96.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.76 грн
10+105.38 грн
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LINDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Z8F62962832_LIN_Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658a8fe557407b
LINDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - LINDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE, LIN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9251SJ, TLE9350SJ, TLE9350VSJ
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: LIN-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6535.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.31 грн
500+42.46 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1 Infineon-ISZ0901NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0b53df55162
ISZ0901NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.44 грн
500+24.66 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS_G.pdf
BSC886N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.94 грн
500+17.71 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1 Infineon-ISZ0901NLS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016ff0b53df55162
ISZ0901NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.35 грн
21+42.59 грн
100+33.44 грн
500+24.66 грн
1000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
CY621472E30LL-45ZSXI 2864264.pdf
CY621472E30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY621472E30LL-45ZSXI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.78 грн
10+310.90 грн
25+310.03 грн
50+287.08 грн
100+264.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 4524705.pdf
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 - Evaluationskit, CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, induktiver Näherungssensor, Metall-Ziel
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, Metall-Ziel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+23290.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFI003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.67 грн
11+86.04 грн
50+85.26 грн
100+78.36 грн
250+69.80 грн
500+68.15 грн
1000+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFA010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.47 грн
10+101.89 грн
50+101.02 грн
100+93.00 грн
250+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFI003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+96.67 грн
11+86.04 грн
50+85.26 грн
100+78.36 грн
250+69.80 грн
500+68.15 грн
1000+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 2334682.pdf
1EDI05I12AFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+49.71 грн
1000+48.00 грн
2500+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024LQI-S402 INFN-S-A0016367801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4024LQI-S402
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S402 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.96 грн
11+85.17 грн
50+77.77 грн
100+71.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KP405XTMA1 4508699.pdf
KP405XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP405XTMA1 - Drucksensor, Differenzdruck, 45.5 kPa, 140 kPa, 4.5 V, 11 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100, AEC-Q103
Druckmessung: Differenzdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 140kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 45.5kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 11V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: PS15
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+302.32 грн
250+282.17 грн
500+261.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KP405XTMA1 4508699.pdf
KP405XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP405XTMA1 - Drucksensor, Differenzdruck, 45.5 kPa, 140 kPa, 4.5 V, 11 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100, AEC-Q103
Druckmessung: Differenzdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 140kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 45.5kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 11V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: PS15
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.78 грн
10+450.25 грн
25+408.44 грн
50+351.77 грн
100+302.32 грн
250+282.17 грн
500+261.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description 136279.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4905STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.60 грн
500+109.98 грн
1000+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KITPSC3M5MC1 4520182.pdf
KITPSC3M5MC1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5MC1 - Evaluationsboard, PSC3M5FDS2AFQ1, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte, Adapterkarte, Stromversorgungsplatine, USB-Kabel, Motor, Adapter, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27242.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR1680BG127W1TOBO1 Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR1680BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa21eb4f53
REF5QR1680BG127W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR1680BG127W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR1680BG-1, CoolSET, 27W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR1680BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR1680BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10157.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR4780BG115W1TOBO1 Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_CoolSET_ICE5QR4780BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa02184f30
REF5QR4780BG115W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR4780BG115W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR4780BG-1, CoolSET, 15W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR4780BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR4780BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10724.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR0680BG142W1TOBO1 Infineon-12V_and_5V_SMPS_reference_board_with_ICE5QR0680BG-1-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019488aa24c94f57
REF5QR0680BG142W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR0680BG142W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR0680BG-1, CoolSET, 42W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR0680BG-1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: CoolSET
euEccn: NLR
Prozessorkern: ICE5QR0680BG-1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10724.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REF5QR2280BG124W1TOBO1 #!?fileId=8ac78c8c919c9f9d019233514f1f43d4
REF5QR2280BG124W1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF5QR2280BG124W1TOBO1 - Referenzdesign-Board, ICE5QR2280BG-1, CoolSET, 24W, AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: ICE5QR2280BG-1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Spannungsregler
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: CoolSET
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Board ICE5QR2280BG-1
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: AC/DC-Offline-Sperrwandler (Flyback)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10070.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1
KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITCSKBGT60UTR11AIPTOBO1 - Evaluationsboard, BGT60UTR11AIP, Internet of Things (IoT)
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationsboard
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BGT60UTR11AIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Internet of Things (IoT)
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60UTR11AIP
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8620.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
BSZ036NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.94 грн
28+31.87 грн
100+25.60 грн
500+20.38 грн
1000+18.44 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869
BSZ036NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ036NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.003 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.60 грн
500+20.38 грн
1000+18.44 грн
5000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1 3092711.pdf
IPT60R022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+604.39 грн
50+515.94 грн
100+434.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1 3092711.pdf
IPT60R022S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.02 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+827.34 грн
5+715.87 грн
10+604.39 грн
50+515.94 грн
100+434.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+368.38 грн
10+248.20 грн
100+175.92 грн
500+135.05 грн
1000+119.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1 Infineon-IPT65R125CFD7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470186794f0d9378b0
IPT65R125CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+175.92 грн
500+135.05 грн
1000+119.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC023N03LF2SATMA1 4475005.pdf
ISC023N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.17 грн
16+58.00 грн
100+43.89 грн
500+34.53 грн
1000+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.39 грн
500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500051LUAAUMA1 3938577.pdf
BTS500051LUAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS500051LUAAUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, AEC-Q100, 1 Ausgang, 150A, 0.0006 Ohm
tariffCode: 85423190
Durchlasswiderstand: 0.0006ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 150A
IC-Gehäuse / Bauform: HSOF
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+714.12 грн
10+512.08 грн
25+487.69 грн
50+423.75 грн
100+363.53 грн
250+347.11 грн
500+316.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 2920448.pdf
IAUC100N04S6L014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.40 грн
500+44.23 грн
1000+34.56 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 2920448.pdf
IAUC100N04S6L014ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6L014ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+141.08 грн
10+94.93 грн
100+65.40 грн
500+44.23 грн
1000+34.56 грн
5000+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-8M-176-CPU Infineon-002-25907_0C_CYTVII-B-H-8M-176-CPU_EVALUATION_BOARD-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018baddfdf637dd4
CYTVII-B-H-8M-176-CPU
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-H-8M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BF8C, 32 Bit, ARM Cortex-M0+/Cortex-M7F
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT4BF8C
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo II
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BF8C
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55102.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYTVII-B-H-4M-176-CPU
CYTVII-B-H-4M-176-CPU
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYTVII-B-H-4M-176-CPU - Evaluationsboard, CYT4BB, Produktfamilie Traveo II, ARM Cortex-M0+, Cortex-M7F, 32 Bit
tariffCode: 84715000
Prozessorkern: CYT4BB
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: Traveo T2G
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard CYT4BB
euEccn: NLR
Prozessorserie: Cortex-M0+, Cortex-M7F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+55524.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.19 грн
500+30.57 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.89 грн
15+60.44 грн
100+41.19 грн
500+30.57 грн
1000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.57 грн
16+54.60 грн
100+34.75 грн
500+24.75 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.75 грн
500+24.75 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.33 грн
100+36.58 грн
500+29.03 грн
1000+24.41 грн
5000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.58 грн
500+29.03 грн
1000+24.41 грн
5000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 INFN-S-A0001300163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE824533SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE824533SAAUMA1 - LEISTUNGSSCHALTER HIGH/LOW-SIDE, 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.25ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 17V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2144.11 грн
10+1488.34 грн
25+1390.80 грн
50+1217.87 грн
100+1052.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.69 грн
10+153.28 грн
100+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 4162914.pdf
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.84 грн
10+196.82 грн
100+122.79 грн
500+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 4425947.pdf
IPP023N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+426.73 грн
10+217.72 грн
100+200.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1 4426401.pdf
IAUCN10S7N040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.56 грн
10+162.86 грн
100+119.31 грн
500+93.00 грн
1000+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]