Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25878) > Сторінка 415 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270 Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.96 грн
500+90.57 грн
1000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 INFINEON 4406523.pdf Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.37 грн
10+155.02 грн
100+122.79 грн
500+95.42 грн
1000+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CY15B256Q-SXAT INFINEON CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+627.04 грн
10+583.49 грн
25+565.20 грн
50+512.70 грн
100+462.07 грн
250+447.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 IPB95R130PFD7ATMA1 INFINEON 4162919.pdf Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.94 грн
10+412.80 грн
100+302.20 грн
500+245.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 IPB95R130PFD7ATMA1 INFINEON 4162919.pdf Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+412.80 грн
100+302.20 грн
500+245.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3CM615PNTOBO2 EVALM3CM615PNTOBO2 INFINEON 3600262.pdf Description: INFINEON - EVALM3CM615PNTOBO2 - Evaluationsboard, IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF, 3-Phasen-Motorsteuerung, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9167.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 INFINEON 4520223.pdf Description: INFINEON - TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 - DEVELOPMENT BOARDS AND EVALUATION KITS
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9113.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 S25FL064LABMFM013 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.54 грн
10+110.60 грн
50+108.86 грн
100+99.47 грн
250+87.34 грн
500+85.10 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 S25FL064LABMFM013 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.54 грн
10+110.60 грн
50+108.86 грн
100+99.47 грн
250+87.34 грн
500+85.10 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.86 грн
14+66.19 грн
100+47.38 грн
500+32.35 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.38 грн
500+32.35 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.34 грн
500+64.05 грн
1000+55.39 грн
5000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.70 грн
500+100.28 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+138.47 грн
50+104.51 грн
250+84.56 грн
1000+65.83 грн
3000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.51 грн
250+84.56 грн
1000+65.83 грн
3000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 INFINEON BSC079N03LSCG.pdf Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+39.63 грн
30+29.96 грн
100+23.51 грн
500+17.39 грн
1000+14.63 грн
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 INFINEON INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+17.39 грн
1000+14.63 грн
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1 BSC0704LSATMA1 INFINEON 3049652.pdf Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+68.02 грн
19+47.72 грн
100+38.84 грн
500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-040T-MS CY8CPROTO-040T-MS INFINEON Infineon-CY8CPROTO-040T-MS_release_notes-UserManual-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019466a755f979fd Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T-MS - Prototyping-Kit CY8C4046LQI-T452, mehrere Sensoren, kapazitiv/induktiv/Flüssigkeitsstand/Hover Touch
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Prototyping-Kit mit mehreren Sensoren
Lieferumfang des Kits: Multi-Sense-Steuerplatine PSOC 4000T, induktives Tastenfeld-2/4 & Flüssigkeitsstandssensor/Hover Touch-Exp.-Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Kapazitive/induktive/Flüssigkeitsstandserkennung, Hover-Touch-Technologie
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4046LQI-T452
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5098.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.12 грн
500+34.05 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968268.pdf Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+744.60 грн
5+634.00 грн
10+523.40 грн
50+423.75 грн
100+333.67 грн
250+326.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968268.pdf Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+523.40 грн
50+423.75 грн
100+333.67 грн
250+326.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 ISZ113N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4032189.pdf Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.02 грн
500+75.45 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 ISZ113N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4032189.pdf Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.27 грн
10+140.21 грн
100+101.02 грн
500+75.45 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.96 грн
14+62.88 грн
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 XMC1301T038F0032ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1301T038F0032ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.81 грн
250+81.37 грн
500+79.13 грн
1000+76.14 грн
2500+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 TLE9241QUXUMA1 INFINEON 3760040.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+625.29 грн
25+527.75 грн
50+450.43 грн
100+376.22 грн
250+331.43 грн
500+320.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 TLE9241QUXUMA1 INFINEON 3760040.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+760.28 грн
10+625.29 грн
25+527.75 грн
50+450.43 грн
100+376.22 грн
250+331.43 грн
500+320.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDV30E65D2XKSA1 IDV30E65D2XKSA1 INFINEON Infineon-IDV30E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4f02e53ec6 Description: INFINEON - IDV30E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.2 V, 42 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.53 грн
10+93.18 грн
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5XKSA1 INFINEON IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+811.66 грн
5+651.42 грн
10+490.31 грн
50+430.22 грн
100+373.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 FF6MR20W2M1HB70BPSA1 INFINEON 4421298.pdf Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26986.90 грн
5+26446.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 FF8MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON 4068208.pdf Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8512.00 грн
5+7790.91 грн
10+7068.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 INFINEON Infineon-FF3MR20KM1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a8bcde381a Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25003.90 грн
5+24504.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 FF4MR12W2M1HB11BPSA1 INFINEON Infineon-FF4MR12W2M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1b75ed4ec7 Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 170 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16802.80 грн
5+16466.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 FF6MR12W2M1HB11BPSA1 INFINEON 4068210.pdf Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14837.22 грн
5+13741.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 FF8MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON 4068209.pdf Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10707.50 грн
5+9995.12 грн
10+9281.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2 IPP90R1K2C3XKSA2 INFINEON 83206.pdf Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.86 грн
10+116.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON 2354662.pdf Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.98 грн
10+202.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64215-28PVXCT CY7C64215-28PVXCT INFINEON 2309550.pdf Description: INFINEON - CY7C64215-28PVXCT - USB-Schnittstelle, USB-Device-Controller, USB 2.0, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Anschlüsse: 8Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Device-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 12Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.55 грн
10+276.07 грн
25+252.56 грн
50+224.00 грн
100+197.07 грн
250+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET CY15B016Q-SXET INFINEON CYPR-S-A0010746036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B016Q-SXET - FRAM, 16kB, SPI, 16MHz, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.08 грн
10+157.63 грн
25+149.79 грн
50+137.48 грн
100+125.41 грн
250+121.67 грн
500+118.69 грн
1000+115.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR20KM1HPHPSA1 FF4MR20KM1HPHPSA1 INFINEON 4018766.pdf Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+42366.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 INFINEON 4379506.pdf Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+992.81 грн
5+944.91 грн
10+897.01 грн
50+832.13 грн
100+767.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON 3811997.pdf Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+216.85 грн
500+192.46 грн
1000+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON 3811997.pdf Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.12 грн
10+302.20 грн
100+216.85 грн
500+192.46 грн
1000+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.63 грн
500+97.04 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.68 грн
10+185.50 грн
100+130.63 грн
500+97.04 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDV20E65D1XKSA1 IDV20E65D1XKSA1 INFINEON 2354563.pdf Description: INFINEON - IDV20E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 28 A, Einfach, 1.7 V, 42 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.34 грн
11+81.86 грн
100+58.52 грн
500+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1 INFINEON 3816825.pdf Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+197.69 грн
250+154.15 грн
1000+115.64 грн
3000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 INFINEON Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5 Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.67 грн
10+245.59 грн
100+174.18 грн
500+134.24 грн
1000+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 INFINEON 4098625.pdf Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+174.18 грн
500+139.90 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 IPB180N04S401ATMA1 INFINEON INFNS15015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.64 грн
500+81.68 грн
1000+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON INFNS19043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.80 грн
11+80.30 грн
100+79.42 грн
500+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 INFINEON INFNS19043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.42 грн
500+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1 BSZ0589NSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0589NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598da704fa60e0 Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+94.06 грн
16+55.21 грн
100+41.98 грн
500+31.46 грн
1000+24.26 грн
5000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1 BSZ0589NSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ0589NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598da704fa60e0 Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.98 грн
500+31.46 грн
1000+24.26 грн
5000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_PSC3M5_CC2 KIT_PSC3M5_CC2 INFINEON 4508757.pdf Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_CC2 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33, Motorsteuerung, Mikrocontroller
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte PSC3M5FDS2AFQ1, Adapterkarte, USB-A/USB-C-Kabel, Anleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung, Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20506.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 INFINEON Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.74 грн
250+43.81 грн
1000+32.02 грн
3000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.96 грн
500+90.57 грн
1000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 4406523.pdf
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.37 грн
10+155.02 грн
100+122.79 грн
500+95.42 грн
1000+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B256Q-SXAT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+627.04 грн
10+583.49 грн
25+565.20 грн
50+512.70 грн
100+462.07 грн
250+447.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 4162919.pdf
IPB95R130PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+566.94 грн
10+412.80 грн
100+302.20 грн
500+245.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 4162919.pdf
IPB95R130PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+412.80 грн
100+302.20 грн
500+245.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3CM615PNTOBO2 3600262.pdf
EVALM3CM615PNTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM3CM615PNTOBO2 - Evaluationsboard, IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF, 3-Phasen-Motorsteuerung, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9167.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 4520223.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 - DEVELOPMENT BOARDS AND EVALUATION KITS
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9113.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFM013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.54 грн
10+110.60 грн
50+108.86 грн
100+99.47 грн
250+87.34 грн
500+85.10 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFM013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.54 грн
10+110.60 грн
50+108.86 грн
100+99.47 грн
250+87.34 грн
500+85.10 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.86 грн
14+66.19 грн
100+47.38 грн
500+32.35 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.38 грн
500+32.35 грн
1000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 23333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.34 грн
500+64.05 грн
1000+55.39 грн
5000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.70 грн
500+100.28 грн
1000+88.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+138.47 грн
50+104.51 грн
250+84.56 грн
1000+65.83 грн
3000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.51 грн
250+84.56 грн
1000+65.83 грн
3000+57.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCG.pdf
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.63 грн
30+29.96 грн
100+23.51 грн
500+17.39 грн
1000+14.63 грн
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+17.39 грн
1000+14.63 грн
5000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1 3049652.pdf
BSC0704LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.02 грн
19+47.72 грн
100+38.84 грн
500+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-040T-MS Infineon-CY8CPROTO-040T-MS_release_notes-UserManual-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019466a755f979fd
CY8CPROTO-040T-MS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T-MS - Prototyping-Kit CY8C4046LQI-T452, mehrere Sensoren, kapazitiv/induktiv/Flüssigkeitsstand/Hover Touch
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Prototyping-Kit mit mehreren Sensoren
Lieferumfang des Kits: Multi-Sense-Steuerplatine PSOC 4000T, induktives Tastenfeld-2/4 & Flüssigkeitsstandssensor/Hover Touch-Exp.-Board
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Kapazitive/induktive/Flüssigkeitsstandserkennung, Hover-Touch-Technologie
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4046LQI-T452
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5098.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.12 грн
500+34.05 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 3968268.pdf
IPT65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+744.60 грн
5+634.00 грн
10+523.40 грн
50+423.75 грн
100+333.67 грн
250+326.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 3968268.pdf
IPT65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+523.40 грн
50+423.75 грн
100+333.67 грн
250+326.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 4032189.pdf
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.02 грн
500+75.45 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 4032189.pdf
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.27 грн
10+140.21 грн
100+101.02 грн
500+75.45 грн
1000+59.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5110TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0103 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1100T016F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.96 грн
14+62.88 грн
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1100T016F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 INFN-S-A0003614666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1301T038F0032ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1301T038F0032ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 16Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC13xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.81 грн
250+81.37 грн
500+79.13 грн
1000+76.14 грн
2500+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 3760040.pdf
TLE9241QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+625.29 грн
25+527.75 грн
50+450.43 грн
100+376.22 грн
250+331.43 грн
500+320.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 3760040.pdf
TLE9241QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+760.28 грн
10+625.29 грн
25+527.75 грн
50+450.43 грн
100+376.22 грн
250+331.43 грн
500+320.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDV30E65D2XKSA1 Infineon-IDV30E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4f02e53ec6
IDV30E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDV30E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.2 V, 42 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.53 грн
10+93.18 грн
100+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca
IDW30G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+811.66 грн
5+651.42 грн
10+490.31 грн
50+430.22 грн
100+373.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 4421298.pdf
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+26986.90 грн
5+26446.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 4068208.pdf
FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8512.00 грн
5+7790.91 грн
10+7068.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon-FF3MR20KM1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a8bcde381a
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+25003.90 грн
5+24504.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon-FF4MR12W2M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1b75ed4ec7
FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 170 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16802.80 грн
5+16466.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 4068210.pdf
FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+14837.22 грн
5+13741.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 4068209.pdf
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10707.50 грн
5+9995.12 грн
10+9281.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2 83206.pdf
IPP90R1K2C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.86 грн
10+116.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 2354662.pdf
IPP80N03S4L03AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.98 грн
10+202.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64215-28PVXCT 2309550.pdf
CY7C64215-28PVXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64215-28PVXCT - USB-Schnittstelle, USB-Device-Controller, USB 2.0, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Anschlüsse: 8Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Device-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 12Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.55 грн
10+276.07 грн
25+252.56 грн
50+224.00 грн
100+197.07 грн
250+185.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET CYPR-S-A0010746036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B016Q-SXET
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B016Q-SXET - FRAM, 16kB, SPI, 16MHz, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+168.08 грн
10+157.63 грн
25+149.79 грн
50+137.48 грн
100+125.41 грн
250+121.67 грн
500+118.69 грн
1000+115.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR20KM1HPHPSA1 4018766.pdf
FF4MR20KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 0.0053 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+42366.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 4379506.pdf
IPZA60R016CM8XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 521W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+992.81 грн
5+944.91 грн
10+897.01 грн
50+832.13 грн
100+767.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 3811997.pdf
IPTC063N15NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+216.85 грн
500+192.46 грн
1000+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 3811997.pdf
IPTC063N15NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+451.12 грн
10+302.20 грн
100+216.85 грн
500+192.46 грн
1000+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t
IPB70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.63 грн
500+97.04 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S3L12ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a907bea255942&ack=t
IPB70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0098 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.68 грн
10+185.50 грн
100+130.63 грн
500+97.04 грн
1000+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IDV20E65D1XKSA1 2354563.pdf
IDV20E65D1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDV20E65D1XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 28 A, Einfach, 1.7 V, 42 ns, 120 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 120A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 28A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: Rapid1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.34 грн
11+81.86 грн
100+58.52 грн
500+43.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5ATMA1 3816825.pdf
BSC093N15NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 0.0079 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+197.69 грн
250+154.15 грн
1000+115.64 грн
3000+104.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5
BSC093N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.67 грн
10+245.59 грн
100+174.18 грн
500+134.24 грн
1000+120.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC093N15NS5SCATMA1 4098625.pdf
BSC093N15NS5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+174.18 грн
500+139.90 грн
1000+125.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S401ATMA1 INFNS15015-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180N04S401ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S401ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+103.64 грн
500+81.68 грн
1000+74.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 INFNS19043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB100N04S4H2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.80 грн
11+80.30 грн
100+79.42 грн
500+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S4H2ATMA1 INFNS19043-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB100N04S4H2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB100N04S4H2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.42 грн
500+65.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1 Infineon-BSZ0589NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598da704fa60e0
BSZ0589NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+94.06 грн
16+55.21 грн
100+41.98 грн
500+31.46 грн
1000+24.26 грн
5000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ0589NSATMA1 Infineon-BSZ0589NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598da704fa60e0
BSZ0589NSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 0.0035 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.98 грн
500+31.46 грн
1000+24.26 грн
5000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
KIT_PSC3M5_CC2 4508757.pdf
KIT_PSC3M5_CC2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KIT_PSC3M5_CC2 - Motorsteuerungskit, PSC3M5FDS2AFQ1, 32 Bit, ARM Cortex-M33, Motorsteuerung, Mikrocontroller
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Motorsteuerkarte PSC3M5FDS2AFQ1, Adapterkarte, USB-A/USB-C-Kabel, Anleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Motorsteuerung, Mikrocontroller
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20506.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ034N04LSATMA1 Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ034N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 3400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.74 грн
250+43.81 грн
1000+32.02 грн
3000+27.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 410 411 412 413 414 415 416 417 418 419 420 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]