Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 413 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.56 грн
43+19.49 грн
100+18.76 грн
500+16.65 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.37 грн
250+62.33 грн
1000+38.18 грн
3000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
50+93.37 грн
250+62.33 грн
1000+38.18 грн
3000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDI05I12AFXUMA1 INFINEON 2334682.pdf Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.38 грн
11+81.49 грн
50+73.71 грн
100+55.97 грн
250+48.58 грн
500+46.75 грн
1000+45.14 грн
2500+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 BSC037N08NS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33 Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.37 грн
500+73.31 грн
1000+67.04 грн
5000+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.69 грн
27+31.20 грн
100+30.96 грн
500+26.31 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 IPT60R040S7XTMA1 INFINEON 3154687.pdf Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 IPD60R360PFD7SAUMA1 INFINEON INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.96 грн
500+26.31 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 TLE9255WSKXUMA2 INFINEON INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.10 грн
10+144.96 грн
50+132.68 грн
100+101.15 грн
250+88.45 грн
500+84.94 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 TLE9255WSKXUMA2 INFINEON INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.15 грн
250+88.45 грн
500+84.94 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.40 грн
10+106.47 грн
100+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 IDK02G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 BB439E6327HTSA1 INFINEON 1849684.html Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.32 грн
500+24.49 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CY8CMBR3110-SX2IT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.19 грн
10+139.23 грн
25+126.94 грн
50+112.55 грн
100+98.28 грн
250+93.37 грн
500+89.86 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CY8CMBR3110-SX2IT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.28 грн
250+93.37 грн
500+89.86 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 FS28MR12W1M1HB11HPSA1 INFINEON 4068205.pdf Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7419.32 грн
5+6742.01 грн
10+6063.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT3400N18P76XPSA1 STT3400N18P76XPSA1 INFINEON 4436331.pdf Description: INFINEON - STT3400N18P76XPSA1 - Softstarter-Modul, 1.8kV, 3.3kA RMS, 250mA Igt, 2V Vgt, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
RMS-Durchlassstrom: 3.3kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Softstarter-Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: -
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+82391.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.68 грн
47+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 IPQC60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6 Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+840.29 грн
50+727.80 грн
100+622.67 грн
250+603.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 IPQC60R017S7AXTMA1 INFINEON Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6 Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+956.59 грн
5+898.44 грн
10+840.29 грн
50+727.80 грн
100+622.67 грн
250+603.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7XTMA1 IPQC60R017S7XTMA1 INFINEON Infineon-IPQC60R017S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c72bd6cf3 Description: INFINEON - IPQC60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+869.78 грн
50+806.89 грн
100+643.73 грн
250+624.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7XTMA1 IPQC60R017S7XTMA1 INFINEON Infineon-IPQC60R017S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c72bd6cf3 Description: INFINEON - IPQC60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.17 грн
5+930.38 грн
10+869.78 грн
50+806.89 грн
100+643.73 грн
250+624.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD700N22KHPSA3 DD700N22KHPSA3 INFINEON Infineon-DD700N22K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d30146668db98460e3 Description: INFINEON - DD700N22KHPSA3 - Diodenmodul, 2.2 kV, 700 A, 1.36 V, Zweifach, Reihenschaltung
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700A
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1.36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16636.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.91 грн
500+24.26 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Description: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.05 грн
10+153.97 грн
100+117.12 грн
500+87.46 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 BSC080N12LSGATMA1 INFINEON Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a Description: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.12 грн
500+87.46 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9011EPXUMA1 BTM9011EPXUMA1 INFINEON Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f Description: INFINEON - BTM9011EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, SDI, SCLK, CS, SDO, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.66 грн
250+72.31 грн
500+69.64 грн
1000+67.60 грн
2500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 BTM9010EPXUMA1 INFINEON Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f Description: INFINEON - BTM9010EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, INA, INB, SEL, PWM, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Vollbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.60 грн
10+151.52 грн
50+136.77 грн
100+107.23 грн
250+92.66 грн
500+81.43 грн
1000+69.15 грн
2500+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9011EPXUMA1 BTM9011EPXUMA1 INFINEON Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f Description: INFINEON - BTM9011EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, SDI, SCLK, CS, SDO, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Vollbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.88 грн
10+110.56 грн
50+100.74 грн
100+83.66 грн
250+72.31 грн
500+69.64 грн
1000+67.60 грн
2500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 BTM9010EPXUMA1 INFINEON Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f Description: INFINEON - BTM9010EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, INA, INB, SEL, PWM, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.23 грн
250+92.66 грн
500+81.43 грн
1000+69.15 грн
2500+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 INFINEON 4098589.pdf Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.50 грн
10+99.10 грн
50+90.09 грн
100+74.38 грн
250+64.30 грн
500+61.85 грн
1000+59.88 грн
2500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 1EDB6275FXUMA1 INFINEON 4098589.pdf Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.38 грн
250+64.30 грн
500+61.85 грн
1000+59.88 грн
2500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR6258XXUMA1 2EDR6258XXUMA1 INFINEON Infineon-2EDR6258X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f158d33a00c4 Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.32 грн
10+99.10 грн
50+90.09 грн
100+74.68 грн
250+64.37 грн
500+61.92 грн
1000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.74 грн
500+152.10 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 INFINEON 4508762.pdf Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+271.91 грн
500+227.39 грн
1000+195.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021 Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.72 грн
500+64.41 грн
1000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.47 грн
10+169.53 грн
100+136.77 грн
500+113.31 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 INFINEON 4508762.pdf Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.26 грн
10+312.04 грн
100+271.91 грн
500+227.39 грн
1000+195.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.75 грн
500+62.89 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 IGB110S101XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021 Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.47 грн
10+169.53 грн
100+136.77 грн
500+113.31 грн
1000+92.66 грн
5000+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 IGC025S08S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+341.52 грн
10+244.88 грн
100+195.74 грн
500+152.10 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TD340N22KOFXPSA1 TD340N22KOFXPSA1 INFINEON 4148551.pdf Description: INFINEON - TD340N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 338A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15964.77 грн
5+15645.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD370N18KOFHPSA1 TD370N18KOFHPSA1 INFINEON 4148550.pdf Description: INFINEON - TD370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18389.01 грн
5+18021.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.13 грн
10+90.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.03 грн
10+99.10 грн
100+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 IPB80N06S4L07ATMA2 INFINEON INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LINDEMOBOARDTOBO1 LINDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Z8F62962832_LIN_Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658a8fe557407b Description: INFINEON - LINDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE, LIN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9251SJ, TLE9350SJ, TLE9350VSJ
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: LIN-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6053.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.77 грн
500+39.93 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.40 грн
500+21.07 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1 ISZ0901NLSATMA1 INFINEON 3097856.pdf Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.78 грн
500+23.04 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.76 грн
500+16.65 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY621472E30LL-45ZSXI CY621472E30LL-45ZSXI INFINEON 2864264.pdf Description: INFINEON - CY621472E30LL-45ZSXI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.20 грн
10+292.38 грн
25+291.56 грн
50+269.98 грн
100+248.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 INFINEON 4524705.pdf Description: INFINEON - CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 - Evaluationskit, CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, induktiver Näherungssensor, Metall-Ziel
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, Metall-Ziel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21902.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 S25FL064LABMFI003 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.91 грн
11+80.92 грн
50+80.18 грн
100+73.69 грн
250+65.64 грн
500+64.09 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 S25FL064LABMFA010 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.83 грн
10+95.82 грн
50+95.00 грн
100+87.46 грн
250+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 S25FL064LABMFI003 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.91 грн
11+80.92 грн
50+80.18 грн
100+73.69 грн
250+65.64 грн
500+64.09 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 1EDI05I12AFXUMA1 INFINEON 2334682.pdf Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+46.75 грн
1000+45.14 грн
2500+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024LQI-S402 CY8C4024LQI-S402 INFINEON INFN-S-A0016367801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S402 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
11+80.10 грн
50+73.14 грн
100+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KP405XTMA1 KP405XTMA1 INFINEON 4508699.pdf Description: INFINEON - KP405XTMA1 - Drucksensor, Differenzdruck, 45.5 kPa, 140 kPa, 4.5 V, 11 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100, AEC-Q103
Druckmessung: Differenzdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 140kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 45.5kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 11V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: PS15
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+284.31 грн
250+265.36 грн
500+245.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS_G.pdf
BSC886N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.56 грн
43+19.49 грн
100+18.76 грн
500+16.65 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.37 грн
250+62.33 грн
1000+38.18 грн
3000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5L050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+145.78 грн
50+93.37 грн
250+62.33 грн
1000+38.18 грн
3000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 2334682.pdf
1EDI05I12AFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.38 грн
11+81.49 грн
50+73.71 грн
100+55.97 грн
250+48.58 грн
500+46.75 грн
1000+45.14 грн
2500+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSC037N08NS5ATMA1 Infineon-BSC037N08NS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae9ad3b8e1c33
BSC037N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC037N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.37 грн
500+73.31 грн
1000+67.04 грн
5000+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.69 грн
27+31.20 грн
100+30.96 грн
500+26.31 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R040S7XTMA1 3154687.pdf
IPT60R040S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.036 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 245W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R360PFD7SAUMA1 INFN-S-A0009362841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD60R360PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.96 грн
500+26.31 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE9255WSKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.10 грн
10+144.96 грн
50+132.68 грн
100+101.15 грн
250+88.45 грн
500+84.94 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9255WSKXUMA2 INFN-S-A0004244724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE9255WSKXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9255WSKXUMA2 - CAN-Schnittstelle, CAN-FD-Transceiver, SPI, 5 Mbps, 4.75 V, 5.25 V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Übertragungsrate, max.: 5Mbps
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: CAN
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Anzahl der Empfänger: 1Receivers
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
Anzahl der RX-Puffer: -
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Treiber: 1Treiber
CAN-Schnittstellen-IC: CAN-FD-Transceiver, SPI
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Bauform - Schnittstellenbaustein: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der TX-Puffer: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.15 грн
250+88.45 грн
500+84.94 грн
1000+83.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK02G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.40 грн
10+106.47 грн
100+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IDK02G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614920-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK02G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK02G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB439E6327HTSA1 1849684.html
BB439E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB439E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 28 V, 125 °C, SOD-323, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 28V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: BB439
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.32 грн
500+24.49 грн
1000+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3110-SX2IT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.19 грн
10+139.23 грн
25+126.94 грн
50+112.55 грн
100+98.28 грн
250+93.37 грн
500+89.86 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3110-SX2IT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3110-SX2IT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3110-SX2IT - Kapazitiver Berührungssensor, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V, SOIC
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.28 грн
250+93.37 грн
500+89.86 грн
1000+87.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS28MR12W1M1HB11HPSA1 4068205.pdf
FS28MR12W1M1HB11HPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS28MR12W1M1HB11HPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 23Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 1B CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7419.32 грн
5+6742.01 грн
10+6063.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STT3400N18P76XPSA1 4436331.pdf
STT3400N18P76XPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - STT3400N18P76XPSA1 - Softstarter-Modul, 1.8kV, 3.3kA RMS, 250mA Igt, 2V Vgt, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
RMS-Durchlassstrom: 3.3kA
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Softstarter-Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: -
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+82391.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF INFN-S-A0012905141-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.68 грн
47+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6
IPQC60R017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+840.29 грн
50+727.80 грн
100+622.67 грн
250+603.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7AXTMA1 Infineon-IPQC60R017S7A-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c885a6cf6
IPQC60R017S7AXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+956.59 грн
5+898.44 грн
10+840.29 грн
50+727.80 грн
100+622.67 грн
250+603.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7XTMA1 Infineon-IPQC60R017S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c72bd6cf3
IPQC60R017S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+869.78 грн
50+806.89 грн
100+643.73 грн
250+624.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60R017S7XTMA1 Infineon-IPQC60R017S7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee0185150c72bd6cf3
IPQC60R017S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60R017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.015 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.17 грн
5+930.38 грн
10+869.78 грн
50+806.89 грн
100+643.73 грн
250+624.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD700N22KHPSA3 Infineon-DD700N22K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=5546d461464245d30146668db98460e3
DD700N22KHPSA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DD700N22KHPSA3 - Diodenmodul, 2.2 kV, 700 A, 1.36 V, Zweifach, Reihenschaltung
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700A
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, Reihenschaltung
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 1.36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16636.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.91 грн
500+24.26 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a
BSC080N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.05 грн
10+153.97 грн
100+117.12 грн
500+87.46 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSC080N12LSGATMA1 Infineon-BSC080N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7db46b007a
BSC080N12LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC080N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.12 грн
500+87.46 грн
1000+73.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9011EPXUMA1 Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f
BTM9011EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTM9011EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, SDI, SCLK, CS, SDO, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.66 грн
250+72.31 грн
500+69.64 грн
1000+67.60 грн
2500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f
BTM9010EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTM9010EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, INA, INB, SEL, PWM, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Vollbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.60 грн
10+151.52 грн
50+136.77 грн
100+107.23 грн
250+92.66 грн
500+81.43 грн
1000+69.15 грн
2500+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9011EPXUMA1 Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f
BTM9011EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTM9011EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, SDI, SCLK, CS, SDO, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Vollbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.88 грн
10+110.56 грн
50+100.74 грн
100+83.66 грн
250+72.31 грн
500+69.64 грн
1000+67.60 грн
2500+66.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f
BTM9010EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTM9010EPXUMA1 - Motortreiber, Vollbrücke, DC-Bürstenmotor, 1 Ausgang, INA, INB, SEL, PWM, 7-18V, -40-150°C TSSOPEP14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.23 грн
250+92.66 грн
500+81.43 грн
1000+69.15 грн
2500+67.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 4098589.pdf
1EDB6275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.50 грн
10+99.10 грн
50+90.09 грн
100+74.38 грн
250+64.30 грн
500+61.85 грн
1000+59.88 грн
2500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
1EDB6275FXUMA1 4098589.pdf
1EDB6275FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDB6275FXUMA1 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9.8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET, SiC-MOSFET, GaN-Leistungsbaustein
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5.4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.38 грн
250+64.30 грн
500+61.85 грн
1000+59.88 грн
2500+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDR6258XXUMA1 Infineon-2EDR6258X-DataSheet-v01_05-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f158d33a00c4
2EDR6258XXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDR6258XXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN-HEMT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.32 грн
10+99.10 грн
50+90.09 грн
100+74.68 грн
250+64.37 грн
500+61.92 грн
1000+59.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.74 грн
500+152.10 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 4508762.pdf
IGLD65R110D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+271.91 грн
500+227.39 грн
1000+195.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021
IGB110S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.72 грн
500+64.41 грн
1000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.47 грн
10+169.53 грн
100+136.77 грн
500+113.31 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R110D2AUMA1 4508762.pdf
IGLD65R110D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.26 грн
10+312.04 грн
100+271.91 грн
500+227.39 грн
1000+195.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.75 грн
500+62.89 грн
1000+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S101XTMA1 Infineon-IGB110S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc63097021
IGB110S101XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S101XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.47 грн
10+169.53 грн
100+136.77 грн
500+113.31 грн
1000+92.66 грн
5000+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGC025S08S1XTMA1 Infineon-IGC025S08S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc729f702b
IGC025S08S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC025S08S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 12nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+341.52 грн
10+244.88 грн
100+195.74 грн
500+152.10 грн
1000+120.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TD340N22KOFXPSA1 4148551.pdf
TD340N22KOFXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD340N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 2.2kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 338A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15964.77 грн
5+15645.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD370N18KOFHPSA1 4148550.pdf
TD370N18KOFHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD370N18KOFHPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A, 5-polig, 1.8kV
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 364A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 520A
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 135°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18389.01 грн
5+18021.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.13 грн
10+90.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB054N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.03 грн
10+99.10 грн
100+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S4L07ATMA2 INFNS14122-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S4L07ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S4L07ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LINDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Z8F62962832_LIN_Demoboard-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658a8fe557407b
LINDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - LINDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE, LIN-Transceiver
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: TLE7257SJ, TLE7258SJ, TLE7259-3GE
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard TLE9251SJ, TLE9350SJ, TLE9350VSJ
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: LIN-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6053.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF INFN-S-A0012838039-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0145 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.77 грн
500+39.93 грн
1000+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.40 грн
500+21.07 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ0901NLSATMA1 3097856.pdf
ISZ0901NLSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 5000 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.78 грн
500+23.04 грн
1000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LS_G.pdf
BSC886N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.76 грн
500+16.65 грн
1000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY621472E30LL-45ZSXI 2864264.pdf
CY621472E30LL-45ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY621472E30LL-45ZSXI - SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 3.6 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: -
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.20 грн
10+292.38 грн
25+291.56 грн
50+269.98 грн
100+248.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 4524705.pdf
CY8CKIT4700SPLUSTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CKIT4700SPLUSTOBO1 - Evaluationskit, CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, induktiver Näherungssensor, Metall-Ziel
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Evaluationskit
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039, Metall-Ziel
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4747LQS-S453, CY8C5868LTI-LP039
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21902.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFI003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.91 грн
11+80.92 грн
50+80.18 грн
100+73.69 грн
250+65.64 грн
500+64.09 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFA010 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFA010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFA010 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.83 грн
10+95.82 грн
50+95.00 грн
100+87.46 грн
250+80.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI003 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFI003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.91 грн
11+80.92 грн
50+80.18 грн
100+73.69 грн
250+65.64 грн
500+64.09 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI05I12AFXUMA1 2334682.pdf
1EDI05I12AFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI05I12AFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 1.3A, 3.3V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+46.75 грн
1000+45.14 грн
2500+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4024LQI-S402 INFN-S-A0016367801-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C4024LQI-S402
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4024LQI-S402 - ARM-MCU, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 24 MHz, 16 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 1Kanäle
Programmspeichergröße: 16KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 27I/O(s)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.11 грн
11+80.10 грн
50+73.14 грн
100+67.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KP405XTMA1 4508699.pdf
KP405XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KP405XTMA1 - Drucksensor, Differenzdruck, 45.5 kPa, 140 kPa, 4.5 V, 11 V, DFN
tariffCode: 85423990
Genauigkeit: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q100, AEC-Q103
Druckmessung: Differenzdruck
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Betriebsdruck, max.: 140kPa
Sensormontage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Sensorgehäuse/-bauform: DFN
euEccn: NLR
Sensorausgang: Digital
Betriebsdruck, min.: 45.5kPa
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Druckanschluss: -
Versorgungsspannung, max.: 11V
Medium: Luft
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: PS15
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+284.31 грн
250+265.36 грн
500+245.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 408 409 410 411 412 413 414 415 416 417 418 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]