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IPDQ60T017S7XTMA1 IPDQ60T017S7XTMA1 INFINEON 4163373.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPDQ60T017S7AXTMA1 IPDQ60T017S7AXTMA1 INFINEON 4159463.pdf Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPQC60T017S7AXTMA1 IPQC60T017S7AXTMA1 INFINEON 4159465.pdf Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7AXTMA1 INFINEON 4159466.pdf Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPQC60T017S7AXTMA1 IPQC60T017S7AXTMA1 INFINEON 4159465.pdf Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7AXTMA1 INFINEON 4159466.pdf Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPQC60T010S7AXTMA1 IPQC60T010S7AXTMA1 INFINEON 4421056.pdf Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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TLE4913HTSA1 TLE4913HTSA1 INFINEON INFNS06066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE49462KHTSA1 TLE49462KHTSA1 INFINEON INFNS14495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE49462KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20mA
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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AMM12S62LB1ZXKMA1 AMM12S62LB1ZXKMA1 INFINEON 4759673.pdf Description: INFINEON - AMM12S62LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S36LB1Z2XKMA1 AMM12S36LB1Z2XKMA1 INFINEON 4759669.pdf Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S18LB1ZXKMA1 AMM12S18LB1ZXKMA1 INFINEON 4759667.pdf Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S36LB1ZXKMA1 AMM12S36LB1ZXKMA1 INFINEON 4759670.pdf Description: INFINEON - AMM12S36LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 46 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S54LB2ZXKMA1 AMM12S54LB2ZXKMA1 INFINEON 4759672.pdf Description: INFINEON - AMM12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 154W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S25LB1ZXKMA1 AMM12S25LB1ZXKMA1 INFINEON 4759668.pdf Description: INFINEON - AMM12S25LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 64 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S62LB2ZXKMA1 AMM12S62LB2ZXKMA1 INFINEON 4759674.pdf Description: INFINEON - AMM12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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F3L300R07PE4BOSA1 F3L300R07PE4BOSA1 INFINEON 2211623.pdf Description: INFINEON - F3L300R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 300 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 940W
Verlustleistung: 940W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L400R12PT4B26BOSA1 F3L400R12PT4B26BOSA1 INFINEON 2354633.pdf Description: INFINEON - F3L400R12PT4B26BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 2.15kW
Verlustleistung: 2.15kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD5235-96BZXI CYPD5235-96BZXI INFINEON INFN-S-A0014785265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYPD5235-96BZXI - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 2.75 V, 21.5 V, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Anzahl der Ports: 2 Ports
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: BGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD719740BFXSXQLA1 CYPD719740BFXSXQLA1 INFINEON 4759238.pdf Description: INFINEON - CYPD719740BFXSXQLA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, Quelle, DFP, USB 3.2, 4V bis 24V, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD8225-97BZXIT CYPD8225-97BZXIT INFINEON INFN-S-A0026289608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CYPD8225-97BZXIT - USB-C- und Power Delivery-Controller, DRP, 2.8V bis 5.5V, -40°C bis 85°C, BGA-97
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Senke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DRP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Anzahl der Ports: 2 Ports
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: Controller für USB-C-Anschluss
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD719540BFXSXQLA1 CYPD719540BFXSXQLA1 INFINEON 4759238.pdf Description: INFINEON - CYPD719540BFXSXQLA1 - USB-C- & -PD-Controller, Power Delivery, USB PD 3.2, DFP, 4V bis 24V, -40°C bis 105°C, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUTN15S6N025ATMA1 IAUTN15S6N025ATMA1 INFINEON 4631622.pdf Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12000 шт
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IPB180N04S4LH0ATMA1 INFINEON 4782300.pdf Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B064J-SXET CY15B064J-SXET INFINEON CYPR-S-A0011134296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15E064Q-SXET CY15E064Q-SXET INFINEON CYPR-S-A0010744048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 16MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B064J-SXET CY15B064J-SXET INFINEON CYPR-S-A0011134296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B104QN-50SXA CY15B104QN-50SXA INFINEON INFN-S-A0016738263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXA - FRAM, 4MB, SPI, 50MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 50MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15E064Q-SXET CY15E064Q-SXET INFINEON CYPR-S-A0010744048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF450R12KE7PEHPSA1 FF450R12KE7PEHPSA1 INFINEON 4747066.pdf Description: INFINEON - FF450R12KE7PEHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF450R12ME7BPSA1 FF450R12ME7BPSA1 INFINEON 4421301.pdf Description: INFINEON - FF450R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF450R12KE7PHPSA1 FF450R12KE7PHPSA1 INFINEON 4747065.pdf Description: INFINEON - FF450R12KE7PHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EDC60H12AHXUMA1 1EDC60H12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EDC60H12AHXUMA1 1EDC60H12AHXUMA1 INFINEON 2718597.pdf Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD50N04S4L08ATMA1 IPD50N04S4L08ATMA1 INFINEON INFNS15020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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BSS159NH6327XTSA2 BSS159NH6327XTSA2 INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 28617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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EB2ED24103MTOBO1 EB2ED24103MTOBO1 INFINEON Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006 Description: INFINEON - EB2ED24103MTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2410-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine 2ED2410-EM, Tochterplatinen EB 2ED2410 3D 1BCD/1BCS/1BCDP/1BCSP
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2ED2410-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL2EDBHBGANTOBO1 EVAL2EDBHBGANTOBO1 INFINEON INFN-S-A0026951968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVAL2EDBHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDB8259Y, isoliert, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDB8259Y
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDB8259Y
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL2ED21814TOBO1 EVAL2ED21814TOBO1 INFINEON 4151579.pdf Description: INFINEON - EVAL2ED21814TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED21814S06F, MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED21814S06F
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: 2ED21814S06F
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EDI3038EVALBOARDTOBO1 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-1EDI3035-1EDI3038AS-demoboard-UserManual-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe599d86a82 Description: INFINEON - 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3038AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3038AS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 1EDI3038AS
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL2EDL803XF5BTOBO1 EVAL2EDL803XF5BTOBO1 INFINEON Infineon-Half-bridge_buck_converter_evaluation_board_using_the_EiceDRIVER_2EDL803x_gate_driver-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190a1b3cacc270f Description: INFINEON - EVAL2EDL803XF5BTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDL803x-F5B, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 2EDL803x-F5B
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDL803x-F5B
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALKITTLE92102QVWTOBO1 EVALKITTLE92102QVWTOBO1 INFINEON Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC
tariffCode: 84732990
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: TLE92102QVW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW20835PB1KML1GGF CYW20835PB1KML1GGF INFINEON 3920495.pdf Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC
Zertifikate: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW20829B0-P4TAI100 CYW20829B0-P4TAI100 INFINEON 4162880.pdf Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -106dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMZA65R007M2HXKSA1 IMZA65R007M2HXKSA1 INFINEON 4406525.pdf Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L420R12D3H7FBPSA1 F3L420R12D3H7FBPSA1 INFINEON 4777925.pdf Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 360A
Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L420R12D3H7B78BPSA1 F3L420R12D3H7B78BPSA1 INFINEON 4777926.pdf Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: EasyPACK HD3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRS25752LTRPBF IRS25752LTRPBF INFINEON 2211671.pdf Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRS21271STRPBF IRS21271STRPBF INFINEON INFN-S-A0008993337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPDQ60T017S7XTMA1 4163373.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPDQ60T017S7AXTMA1 4159463.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPQC60T017S7AXTMA1 4159465.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPQC60T022S7AXTMA1 4159466.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPQC60T017S7AXTMA1 4159465.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPQC60T022S7AXTMA1 4159466.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPQC60T010S7AXTMA1 4421056.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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TLE4913HTSA1 INFNS06066-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLE49462KHTSA1 INFNS14495-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49462KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20mA
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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AMM12S62LB1ZXKMA1 4759673.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S62LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S36LB1Z2XKMA1 4759669.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S18LB1ZXKMA1 4759667.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S36LB1ZXKMA1 4759670.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S36LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 46 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S54LB2ZXKMA1 4759672.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 154W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S25LB1ZXKMA1 4759668.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S25LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 64 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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AMM12S62LB2ZXKMA1 4759674.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRLML0030TRPBF INFN-S-A0012905114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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F3L300R07PE4BOSA1 2211623.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L300R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 300 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 940W
Verlustleistung: 940W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L400R12PT4B26BOSA1 2354633.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L400R12PT4B26BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 2.15kW
Verlustleistung: 2.15kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD5235-96BZXI INFN-S-A0014785265-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD5235-96BZXI - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 2.75 V, 21.5 V, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Anzahl der Ports: 2 Ports
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: BGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD719740BFXSXQLA1 4759238.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD719740BFXSXQLA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, Quelle, DFP, USB 3.2, 4V bis 24V, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYPD8225-97BZXIT INFN-S-A0026289608-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD8225-97BZXIT - USB-C- und Power Delivery-Controller, DRP, 2.8V bis 5.5V, -40°C bis 85°C, BGA-97
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Senke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DRP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Anzahl der Ports: 2 Ports
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: Controller für USB-C-Anschluss
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD719540BFXSXQLA1 4759238.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD719540BFXSXQLA1 - USB-C- & -PD-Controller, Power Delivery, USB PD 3.2, DFP, 4V bis 24V, -40°C bis 105°C, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IAUTN15S6N025ATMA1 4631622.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 INFNS17471-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12000 шт
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IPB180N04S4LH0ATMA1 4782300.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B064J-SXET CYPR-S-A0011134296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15E064Q-SXET CYPR-S-A0010744048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 16MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B064J-SXET CYPR-S-A0011134296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15B104QN-50SXA INFN-S-A0016738263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXA - FRAM, 4MB, SPI, 50MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 50MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CY15E064Q-SXET CYPR-S-A0010744048-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF450R12KE7PEHPSA1 4747066.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12KE7PEHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF450R12ME7BPSA1 4421301.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FF450R12KE7PHPSA1 4747065.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12KE7PHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EDC60H12AHXUMA1 2718597.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EDC60H12AHXUMA1 2718597.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPD50N04S4L08ATMA1 INFNS15020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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BSS159NH6327XTSA2 INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 28617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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EB2ED24103MTOBO1 Infineon-Infineon-2ED2410-EB-Family-UG-UserManual-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640182e88b28167006
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103MTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2410-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine 2ED2410-EM, Tochterplatinen EB 2ED2410 3D 1BCD/1BCS/1BCDP/1BCSP
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2ED2410-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL2EDBHBGANTOBO1 INFN-S-A0026951968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2EDBHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDB8259Y, isoliert, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDB8259Y
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDB8259Y
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL2ED21814TOBO1 4151579.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED21814TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED21814S06F, MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED21814S06F
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: 2ED21814S06F
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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1EDI3038EVALBOARDTOBO1 Infineon-1EDI3035-1EDI3038AS-demoboard-UserManual-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe599d86a82
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3038AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3038AS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 1EDI3038AS
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL2EDL803XF5BTOBO1 Infineon-Half-bridge_buck_converter_evaluation_board_using_the_EiceDRIVER_2EDL803x_gate_driver-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190a1b3cacc270f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2EDL803XF5BTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDL803x-F5B, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 2EDL803x-F5B
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDL803x-F5B
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALKITTLE92102QVWTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC
tariffCode: 84732990
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: TLE92102QVW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW20835PB1KML1GGF 3920495.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC
Zertifikate: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20829B0-P4TAI100 4162880.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -106dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMZA65R007M2HXKSA1 4406525.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L420R12D3H7FBPSA1 4777925.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 360A
Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F3L420R12D3H7B78BPSA1 4777926.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: EasyPACK HD3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRS25752LTRPBF 2211671.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IRS21271STRPBF INFN-S-A0008993337-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR INFN-S-A0002267452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
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