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IKQ120N75EH7XKSA1 IKQ120N75EH7XKSA1 INFINEON 4603901.pdf Description: INFINEON - IKQ120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IKY120N75EH7XKSA1 IKY120N75EH7XKSA1 INFINEON 4603902.pdf Description: INFINEON - IKY120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ESD122U1W0201E6327XTSA1 ESD122U1W0201E6327XTSA1 INFINEON 4607655.pdf Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 2.1V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD122U1W0201E6327XTSA1 ESD122U1W0201E6327XTSA1 INFINEON 4607655.pdf Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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IPB80N06S407ATMA2 INFINEON Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TD520N22KOFXPSA1 TD520N22KOFXPSA1 INFINEON 4760975.pdf Description: INFINEON - TD520N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A If, 250mA Igt, 2.2kV Vr, 2.2Vgt, 5-polig, Panelmontage
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 520A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TD Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON 107908.pdf Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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ITS724GFUMA1 ITS724GFUMA1 INFINEON 2333305.pdf Description: INFINEON - ITS724GFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 15A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 15A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 6757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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S25FL256SAGMFI013 S25FL256SAGMFI013 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL256SAGMFI013 S25FL256SAGMFI013 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL256SAGNFV003 S25FL256SAGNFV003 INFINEON 3947064.pdf Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL256SAGNFV003 S25FL256SAGNFV003 INFINEON 3947064.pdf Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.b.1.a
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IKCM30F60GDXKMA1 IKCM30F60GDXKMA1 INFINEON Infineon-IKCM30F60GD-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb9626d07936 Description: INFINEON - IKCM30F60GDXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/30A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
Bauform - Treiber: DIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK04G65C5XTMA2 IDK04G65C5XTMA2 INFINEON Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4 Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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EVALMTR48V150AGANTOBO1 EVALMTR48V150AGANTOBO1 INFINEON INFN-S-A0026284740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVALMTR48V150AGANTOBO1 - Evaluationsboard, IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972, FOC-Motortreiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motortreiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRSM807-105MH IRSM807-105MH INFINEON INFN-S-A0008996933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRSM807-105MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 500V/10A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 500V
Bauform - IPM: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 236W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1 IPT60R055CFD7XTMA1 INFINEON INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT65R190CFD7XTMA1 IPT65R190CFD7XTMA1 INFINEON 3968274.pdf Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 INFINEON 4013790.pdf Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 INFINEON 4406511.pdf Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF026N15NM6ATMA1 IPF026N15NM6ATMA1 INFINEON 4406511.pdf Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 239A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT60T065S7XTMA1 IPT60T065S7XTMA1 INFINEON 4013790.pdf Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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S70KL1282GABHV020 S70KL1282GABHV020 INFINEON INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUMN08S5N012GAUMA1 IAUMN08S5N012GAUMA1 INFINEON 4395755.pdf Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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CYW89072BRFB5GT INFINEON Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW89072BRFB5GT INFINEON Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 INFINEON 4334668.pdf Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPTG029N13NM6ATMA1 IPTG029N13NM6ATMA1 INFINEON 4334668.pdf Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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S25FL127SABMFB100 S25FL127SABMFB100 INFINEON CYPR-S-A0011121127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL127SABMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IR2104PBF IR2104PBF INFINEON 59961.pdf description Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLE42632ESXUMA1 TLE42632ESXUMA1 INFINEON 1932128.pdf Description: INFINEON - TLE42632ESXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 45V, 350mV Dropout, 5Vout, 180mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 180mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 180mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 180mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLE42632ESXUMA1 TLE42632ESXUMA1 INFINEON 1932128.pdf Description: INFINEON - TLE42632ESXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 45V, 350mV Dropout, 5Vout, 180mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 180mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 180mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 180mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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EVAL7136U100VGANCTOBO1 EVAL7136U100VGANCTOBO1 INFINEON INFN-S-A0025679142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVAL7136U100VGANCTOBO1 - Evaluationsboard, IGC033S10S1, 1EDN7136U, Halbbrücken-Gate-Treiber & GaN-Transistor Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Halbbrücken-Evaluationsboard IGC033S10S1, 1EDN7126G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber & GaN-Transistor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IGC033S10S1, 1EDN7136U
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL7126G100VGANCTOBO1 EVAL7126G100VGANCTOBO1 INFINEON INFN-S-A0025679142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - EVAL7126G100VGANCTOBO1 - Evaluationsboard, IGC033S10S1, 1EDN7126G, Halbbrücken-Gate-Treiber & GaN-Transistor Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Halbbrücken-Evaluationsboard IGC033S10S1, 1EDN7126G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber & GaN-Transistor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IGC033S10S1, 1EDN7126G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 INFINEON 4508756.pdf Description: INFINEON - PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
MCU-Familie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 64GB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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PSC3M5FDS2ACQ1XQLA1 PSC3M5FDS2ACQ1XQLA1 INFINEON Description: INFINEON - PSC3M5FDS2ACQ1XQLA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
MCU-Familie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20730A2KFBGT CYW20730A2KFBGT INFINEON CYW20730_RevJ_4-25-17.pdf Description: INFINEON - CYW20730A2KFBGT - HF-Transceiver, 2.402 bis 2.48GHz, 1.5MB/s, 4dBm out, 1.14 bis 1.26V Versorgungsspannung, BGA-64
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: BGA
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 3D-Brillen, Hausautomatisierung, Game-Controller, Point-of-Sale-Eingabegeräte, Fernsteuerung
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: 26.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -88dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Übertragungsrate: 1.5Mbps
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW20730A2KFBGT CYW20730A2KFBGT INFINEON CYW20730_RevJ_4-25-17.pdf Description: INFINEON - CYW20730A2KFBGT - HF-Transceiver, 2.402 bis 2.48GHz, 1.5MB/s, 4dBm out, 1.14 bis 1.26V Versorgungsspannung, BGA-64
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: BGA
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 3D-Brillen, Hausautomatisierung, Game-Controller, Point-of-Sale-Eingabegeräte, Fernsteuerung
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: 26.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -88dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Übertragungsrate: 1.5Mbps
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW920820EVB-02 INFINEON Description: INFINEON - CYW920820EVB-02 - Evaluationskit, CYW9BTM2BASE2, Bluetooth Low Energy, drahtlose Kommunikation
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: CYW9BTM2BASE2
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 INFINEON infineon-f4-8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F48MXTR12C2M2H11BPSA1 F48MXTR12C2M2H11BPSA1 INFINEON infineon-f4-8mxtr12c2m2-h11-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - F48MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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GS0650306LLTRXUMA1 GS0650306LLTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: INFINEON - GS0650306LLTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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GS0650306LLMRXUMA1 GS0650306LLMRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF019N12NM6ATMA1 IPF019N12NM6ATMA1 INFINEON 4159888.pdf Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF019N12NM6ATMA1 IPF019N12NM6ATMA1 INFINEON 4159888.pdf Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPF011N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipf011n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPF011N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 271 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF011N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipf011n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPF011N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 271 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 271A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMLT65R060M2HXTMA1 IMLT65R060M2HXTMA1 INFINEON infineon-imlt65r060m2h-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLS4125D0EPV33XUMA1 TLS4125D0EPV33XUMA1 INFINEON 3097867.pdf Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Wirkungsgrad: -
Schaltfrequenz: 2.8MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 2.5A
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 35V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
Qualifikation: AEC-Q100
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLS4125D0EPV33XUMA1 TLS4125D0EPV33XUMA1 INFINEON 3097867.pdf Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Wirkungsgrad: -
Schaltfrequenz: 2.8MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 2.5A
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 35V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
Qualifikation: AEC-Q100
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPP027N08N5XKSA1 INFINEON infineon-ipp027n08n5-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP027N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPP027N08N5AKSA1 INFINEON infineon-ipp027n08n5-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP027N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALXDPS2221E120W3CTOBO1 INFINEON 4748356.pdf Description: INFINEON - EVALXDPS2221E120W3CTOBO1 - Evaluationsboard, XDPS2221E, PFC- & Hybrid-Flyback-Regler, USB-Power Delivery, 120W
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XDPS2221E
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: PFC- & Hybrid-Flyback-Regler (Sperrwandler)
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: XDPS2221E
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF65WHFACFPAG2TOBO1 INFINEON INFN-S-A0026284140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - REF65WHFACFPAG2TOBO1 - Ladeplatine, CYPAP212A1-14SXI, CYPAS212A1-32LQXQ, USB-Power Delivery-Controller (PD)
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Ladeplatine CYPAP212A1-14SXI, CYPAS212A1-32LQXQ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: EZ-PD PAG2P, EZ-PD PAG2S
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: CYPAP212A1-14SXI, CYPAS212A1-32LQXQ
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON 2334683.pdf Description: INFINEON - 2EDL05N06PFXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 310ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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KITIM67D128BV01FLEXTOBO1 INFINEON 3812093.pdf Description: INFINEON - KITIM67D128BV01FLEXTOBO1 - Flex-Evaluationskit, IM67D128BV01, MEMS-Mikrofon
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Audio
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM67D128BV01, 1x Adapterplatine
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: IM67D128BV01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IKQ120N75EH7XKSA1 4603901.pdf
IKQ120N75EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKQ120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKY120N75EH7XKSA1 4603902.pdf
IKY120N75EH7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKY120N75EH7XKSA1 - IGBT, 160 A, 1.45 V, 500 W, 750 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 160A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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ESD122U1W0201E6327XTSA1 4607655.pdf
ESD122U1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 2.1V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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ESD122U1W0201E6327XTSA1 4607655.pdf
ESD122U1W0201E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ESD122U1W0201E6327XTSA1 - ESD-Schutzbaustein, unidirektional, 6.8 V, 2 Pin(s), 2.1 V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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IPB80N06S407ATMA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7100 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7100µohm
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TD520N22KOFXPSA1 4760975.pdf
TD520N22KOFXPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TD520N22KOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasensteuerung, 520A If, 250mA Igt, 2.2kV Vr, 2.2Vgt, 5-polig, Panelmontage
tariffCode: 85413000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 520A
RMS-Durchlassstrom: 1.05kA
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Zündspannung, max.: 2.2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 2.2kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TD Series
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
usEccn: EAR99
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 2.2kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRFZ48NSTRLPBF 107908.pdf
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ48NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 64 A, 0.014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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ITS724GFUMA1 2333305.pdf
ITS724GFUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS724GFUMA1 - Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 4 Ausgänge, 15A, SOIC-20
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.09ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 15A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 16V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 6757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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S25FL256SAGMFI013 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGMFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL256SAGMFI013 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL256SAGMFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256MB, 32M x 8 Bit, SPI, 133MHz, SOIC-16
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 133MHz
Speicherkonfiguration Flash: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Speichergröße: 256Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL256SAGNFV003 3947064.pdf
S25FL256SAGNFV003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON-EP
Speicherdichte: 256Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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S25FL256SAGNFV003 3947064.pdf
S25FL256SAGNFV003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL256SAGNFV003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, SPI, WSON-EP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.b.1.a
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IKCM30F60GDXKMA1 Infineon-IKCM30F60GD-DataSheet-v02_05-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014fcb9626d07936
IKCM30F60GDXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKCM30F60GDXKMA1 - Motortreiber / Motorsteuerung, AC-Drehstrommotor, 13.5V-18.5V, 600V/30A/6 Ausgänge, DIP-24
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 30A
Motortyp: Drehstrommotor (AC)
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: 600V
Bauform - IPM: DIP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
Isolationsspannung: 2kV
Versorgungsspannung, min.: 13.5V
Bauform - Treiber: DIP
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Nennstrom (Ic/Id): 30A
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Mini
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Mini
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK04G65C5XTMA2 Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4
IDK04G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IDK04G65C5XTMA2 Infineon-IDK04G65C5-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342e8be2c0142eb938e7500a4
IDK04G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK04G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 7nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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EVALMTR48V150AGANTOBO1 INFN-S-A0026284740-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVALMTR48V150AGANTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALMTR48V150AGANTOBO1 - Evaluationsboard, IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972, FOC-Motortreiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Motortreiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: IGC025S08S1, 1EDN7116U, TLE4972
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IRSM807-105MH INFN-S-A0008996933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRSM807-105MH
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRSM807-105MH - Motortreiber / Motorsteuerung, Halbbrücke, 7.4V-9.8V, 500V/10A/1 Ausgang, PQFN-32
tariffCode: 85423911
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 10A
Motortyp: Halbbrücke
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: 500V
Bauform - IPM: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Nennspannung (Vces / Vdss): 500V
Isolationsspannung: 1.5kV
Versorgungsspannung, min.: 7.4V
Bauform - Treiber: PQFN
Nennstrom (Ic/Id): 10A
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Nano
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Nano
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 9.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT60R055CFD7XTMA1 INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R055CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 236W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R055CFD7XTMA1 INFN-S-A0011580666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPT60R055CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60R055CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 44 A, 0.045 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 236W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R190CFD7XTMA1 3968274.pdf
IPT65R190CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPT60T065S7XTMA1 4013790.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPF026N15NM6ATMA1 4406511.pdf
IPF026N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF026N15NM6ATMA1 4406511.pdf
IPF026N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF026N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 239 A, 2500 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 239A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPT60T065S7XTMA1 4013790.pdf
IPT60T065S7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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S70KL1282GABHV020 INFN-S-A0015373672-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S70KL1282GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70KL1282GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 128MB, 16M x 8 Bit, 200MHz, FBGA, 24 Pins
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: HyperRAM
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: FBGA
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DRAM-Dichte: 128Mbit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: 35ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Taktfrequenz: 200MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 8 Bit
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IAUMN08S5N012GAUMA1 4395755.pdf
IAUMN08S5N012GAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUMN08S5N012GAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1200 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 325W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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CYW89072BRFB5GT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW89072BRFB5GT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW89072BRFB5GT - RF MCU
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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IPTG029N13NM6ATMA1 4334668.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPTG029N13NM6ATMA1 4334668.pdf
IPTG029N13NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG029N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 212 A, 2800 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 212A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 294W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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S25FL127SABMFB100 CYPR-S-A0011121127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL127SABMFB100
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL127SABMFB100 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IR2104SPBF description 59961.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104SPBF - MOSFET-IC 2fach High-Side & Low-Side 10V-20V Versorgungsspannung 360mAout 150ns Verzögerung SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IR2104PBF description 59961.pdf
IR2104PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 680ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLE42632ESXUMA1 1932128.pdf
TLE42632ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42632ESXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 45V, 350mV Dropout, 5Vout, 180mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 180mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 180mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 180mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLE42632ESXUMA1 1932128.pdf
TLE42632ESXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42632ESXUMA1 - LDO-Festspannungsregler, 5.5V bis 45V, 350mV Dropout, 5Vout, 180mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 180mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 5V 180mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 180mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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EVAL7136U100VGANCTOBO1 INFN-S-A0025679142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVAL7136U100VGANCTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL7136U100VGANCTOBO1 - Evaluationsboard, IGC033S10S1, 1EDN7136U, Halbbrücken-Gate-Treiber & GaN-Transistor Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Halbbrücken-Evaluationsboard IGC033S10S1, 1EDN7126G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber & GaN-Transistor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IGC033S10S1, 1EDN7136U
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVAL7126G100VGANCTOBO1 INFN-S-A0025679142-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EVAL7126G100VGANCTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL7126G100VGANCTOBO1 - Evaluationsboard, IGC033S10S1, 1EDN7126G, Halbbrücken-Gate-Treiber & GaN-Transistor Power-Management
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Halbbrücken-Evaluationsboard IGC033S10S1, 1EDN7126G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Gate-Treiber & GaN-Transistor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: IGC033S10S1, 1EDN7126G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 4508756.pdf
PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PSC3M5FDS2ACQ1AQSA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
MCU-Familie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 64GB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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PSC3M5FDS2ACQ1XQLA1
PSC3M5FDS2ACQ1XQLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PSC3M5FDS2ACQ1XQLA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
MCU-Familie: PSOC C3
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW20730A2KFBGT CYW20730_RevJ_4-25-17.pdf
CYW20730A2KFBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20730A2KFBGT - HF-Transceiver, 2.402 bis 2.48GHz, 1.5MB/s, 4dBm out, 1.14 bis 1.26V Versorgungsspannung, BGA-64
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: BGA
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 3D-Brillen, Hausautomatisierung, Game-Controller, Point-of-Sale-Eingabegeräte, Fernsteuerung
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: 26.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -88dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Übertragungsrate: 1.5Mbps
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW20730A2KFBGT CYW20730_RevJ_4-25-17.pdf
CYW20730A2KFBGT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20730A2KFBGT - HF-Transceiver, 2.402 bis 2.48GHz, 1.5MB/s, 4dBm out, 1.14 bis 1.26V Versorgungsspannung, BGA-64
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 24mA
Bauform - HF-IC: BGA
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 3D-Brillen, Hausautomatisierung, Game-Controller, Point-of-Sale-Eingabegeräte, Fernsteuerung
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: 26.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -88dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Übertragungsrate: 1.5Mbps
Frequenzgang HF, max.: 2.48GHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Frequenzgang HF, min.: 2.402GHz
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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CYW920820EVB-02
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920820EVB-02 - Evaluationskit, CYW9BTM2BASE2, Bluetooth Low Energy, drahtlose Kommunikation
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE2, Bluetooth-Funkkarte CYW920820M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: CYW9BTM2BASE2
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A992.c
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 infineon-f4-8mxtr12c2m2q-h11-datasheet-en.pdf
F48MXTR12C2M2QH11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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F48MXTR12C2M2H11BPSA1 infineon-f4-8mxtr12c2m2-h11-datasheet-en.pdf
F48MXTR12C2M2H11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F48MXTR12C2M2H11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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GS0650306LLTRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
GS0650306LLTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
GS0650306LLMRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF019N12NM6ATMA1 4159888.pdf
IPF019N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF019N12NM6ATMA1 4159888.pdf
IPF019N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF019N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 254 A, 1900 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPF011N08NM6ATMA1 infineon-ipf011n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF011N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 271 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPF011N08NM6ATMA1 infineon-ipf011n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPF011N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 271 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 271A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IMLT65R060M2HXTMA1 infineon-imlt65r060m2h-datasheet-en.pdf
IMLT65R060M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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TLS4125D0EPV33XUMA1 3097867.pdf
TLS4125D0EPV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Wirkungsgrad: -
Schaltfrequenz: 2.8MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 2.5A
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 35V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
Qualifikation: AEC-Q100
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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TLS4125D0EPV33XUMA1 3097867.pdf
TLS4125D0EPV33XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS4125D0EPV33XUMA1 - DC/DC-Abwärts-Schaltregler, feste Vout, 3.7V bis 35Vin, 3.3Vout, 2.5Aout, TSSOP-EP, 14 Pins
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Wirkungsgrad: -
Schaltfrequenz: 2.8MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Fest
Ausgangsstrom: 2.5A
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 35V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2.8MHz
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP-EP
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: TSSOP-EP
Nennausgangsspannung: 3.3V
Qualifikation: AEC-Q100
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 2.5A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
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IPP027N08N5XKSA1 infineon-ipp027n08n5-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP027N08N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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IPP027N08N5AKSA1 infineon-ipp027n08n5-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP027N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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EVALXDPS2221E120W3CTOBO1 4748356.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALXDPS2221E120W3CTOBO1 - Evaluationsboard, XDPS2221E, PFC- & Hybrid-Flyback-Regler, USB-Power Delivery, 120W
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard XDPS2221E
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: PFC- & Hybrid-Flyback-Regler (Sperrwandler)
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: XDPS2221E
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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REF65WHFACFPAG2TOBO1 INFN-S-A0026284140-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REF65WHFACFPAG2TOBO1 - Ladeplatine, CYPAP212A1-14SXI, CYPAS212A1-32LQXQ, USB-Power Delivery-Controller (PD)
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Ladeplatine CYPAP212A1-14SXI, CYPAS212A1-32LQXQ
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: EZ-PD PAG2P, EZ-PD PAG2S
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: CYPAP212A1-14SXI, CYPAS212A1-32LQXQ
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.a.2
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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2EDL05N06PFXUMA1 2334683.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDL05N06PFXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 8 Pin(s), DSO
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17.5V
Eingabeverzögerung: 310ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 95°C
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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KITIM67D128BV01FLEXTOBO1 3812093.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITIM67D128BV01FLEXTOBO1 - Flex-Evaluationskit, IM67D128BV01, MEMS-Mikrofon
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Audio
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: 5x Flex-Board IM67D128BV01, 1x Adapterplatine
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MEMS-Mikrofon
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: IM67D128BV01
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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