| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPDQ60T017S7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPDQ60T017S7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPQC60T017S7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPQC60T022S7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPQC60T017S7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 500W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPQC60T022S7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 416W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPQC60T010S7AXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 174A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 694W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 22Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLE4913HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 TtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Schalter euEccn: NLR rohsCompliant: YES Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V Sensorgehäuse/-bauform: SC-59 Bauform - Sensor: SC-59 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Schaltpunkt, typ.: 0.0035T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 3 Pins Sensorausgang: Digital Produktpalette: XENSIV Series Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Ausgangsschnittstelle: Open-Drain Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 3617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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TLE49462KHTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE49462KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher euEccn: NLR rohsCompliant: YES Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 20mA isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Sensorgehäuse/-bauform: SC-59 Bauform - Sensor: SC-59 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Schaltpunkt, typ.: 0.002T Anzahl der Pins: 3 Pins Sensorausgang: Digital Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series Hysterese, typ.: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Ausgangsschnittstelle: Open-Collector Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S62LB1ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S62LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 128W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S36LB1Z2XKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S18LB1ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 312W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S36LB1ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S36LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 46 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 189W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S54LB2ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 154W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S25LB1ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S25LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 64 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 245W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AMM12S62LB2ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIPtariffCode: 85044095 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 24025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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F3L300R07PE4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L300R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 300 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 940W Verlustleistung: 940W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 300A Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 300A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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F3L400R12PT4B26BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L400R12PT4B26BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 2.15kW Verlustleistung: 2.15kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoPACK 4 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYPD5235-96BZXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPD5235-96BZXI - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 2.75 V, 21.5 V, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: USB 3.1 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.75V Anzahl der Ports: 2 Ports Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) USB-IC: USB-C- und PD-Controller Anzahl der Pins: 96Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 21.5V Bauform - Schnittstellenbaustein: BGA Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYPD719740BFXSXQLA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPD719740BFXSXQLA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, Quelle, DFP, USB 3.2, 4V bis 24V, WFLGA-40tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: USB PD 3.2 IC-Montage: Oberflächenmontage Stromversorgungsrolle: Source hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Datenrolle: DFP Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA Strom, lq: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4V Anzahl der Ports: 1 Port SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 24V Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYPD8225-97BZXIT | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPD8225-97BZXIT - USB-C- und Power Delivery-Controller, DRP, 2.8V bis 5.5V, -40°C bis 85°C, BGA-97tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: USB PD 3.1 IC-Montage: Oberflächenmontage Stromversorgungsrolle: Senke hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Datenrolle: DRP Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Strom, lq: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.8V Anzahl der Ports: 2 Ports SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) USB-IC: Controller für USB-C-Anschluss Anzahl der Pins: 97Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CYPD719540BFXSXQLA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPD719540BFXSXQLA1 - USB-C- & -PD-Controller, Power Delivery, USB PD 3.2, DFP, 4V bis 24V, -40°C bis 105°C, WFLGA-40tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES USB-Version: USB PD 3.2 IC-Montage: Oberflächenmontage Stromversorgungsrolle: Source hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Datenrolle: DFP Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA Strom, lq: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4V Anzahl der Ports: 1 Port SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler Anzahl der Pins: 40Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 24V Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IAUTN15S6N025ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 357W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB180N04S4LH0ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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CY15B064J-SXET | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY15E064Q-SXET | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 16MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Speicherorganisation: 8K x 8 Bit Taktfrequenz: 16MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Speichergröße: 64Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CY15B064J-SXET | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit IC-Schnittstelle: I2C Taktfrequenz, max.: 1MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V Speicherorganisation: 8K x 8 Bit Taktfrequenz: 1MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Speichergröße: 64Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY15B104QN-50SXA | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXA - FRAM, 4MB, SPI, 50MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: SOIC rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 4Mbit IC-Schnittstelle: SPI Taktfrequenz, max.: 50MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Speicherorganisation: 512K x 8 Bit Taktfrequenz: 50MHz SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Speichergröße: 4Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CY15E064Q-SXET | INFINEON |
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8tariffCode: 85423290 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Speicherdichte: 64Kbit Taktfrequenz, max.: 16MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 125°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF450R12KE7PEHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12KE7PEHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 450 A, 1.5 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 450A Produktpalette: 62mm C-Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF450R12ME7BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss Verlustleistung: 20mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 450A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FF450R12KE7PHPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R12KE7PHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 450A Produktpalette: 62mm C-Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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1EDC60H12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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1EDC60H12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.1V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EiceDRIVER 1ED productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 17V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPD50N04S4L08ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 46W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS-T2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm |
на замовлення 28617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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EB2ED24103MTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EB2ED24103MTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2410-EM, MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine 2ED2410-EM, Tochterplatinen EB 2ED2410 3D 1BCD/1BCS/1BCDP/1BCSP Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: 2ED2410-EM Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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EVAL2EDBHBGANTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL2EDBHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDB8259Y, isoliert, MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDB8259Y Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: 2EDB8259Y Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVAL2ED21814TOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL2ED21814TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED21814S06F, MOSFET-Gate-Treiber, Power-ManagementtariffCode: 84733080 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: NO Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED21814S06F Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Prozessorkern: 2ED21814S06F Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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1EDI3038EVALBOARDTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3038AS, SiC-MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3038AS Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: 1EDI3038AS Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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EVAL2EDL803XF5BTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVAL2EDL803XF5BTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDL803x-F5B, MOSFET-Gate-TreibertariffCode: 85437090 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 2EDL803x-F5B Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: 2EDL803x-F5B Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EVALKITTLE92102QVWTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC tariffCode: 84732990 Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW Prozessorhersteller: Infineon hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Prozessorkern: TLE92102QVW Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW20835PB1KML1GGF | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°CtariffCode: 84733020 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2 isCanonical: Y Bluetooth-Klasse: Klasse 1 Betriebstemperatur, min.: -30°C Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC Zertifikate: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm Übertragungsrate: 2Mbps Produktpalette: AIROC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC Schnittstellen: I2C, SPI, UART Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CYW20829B0-P4TAI100 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°CtariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4 isCanonical: Y Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2 Betriebstemperatur, min.: -30°C Versorgungsspannung, min.: 2.75V Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Empfängerempfindlichkeit: -106dBm Übertragungsrate: 2Mbps Produktpalette: AIROC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: I2C, SPI, UART Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IMZA65R007M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 625W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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F3L420R12D3H7FBPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 360A Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Three Level productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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F3L420R12D3H7B78BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 440A Produktpalette: EasyPACK HD3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Three Level productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRS25752LTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 240mA Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 160mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 215ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRS21271STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side euEccn: NLR rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 150ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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AUIRF7343QTR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AUIRF7343QTR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 12354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPDQ60T017S7XTMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPDQ60T017S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IPDQ60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60T017S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60T022S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60T017S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: INFINEON - IPQC60T017S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 113 A, 0.017 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60T022S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: INFINEON - IPQC60T022S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 90 A, 0.022 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7TA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPQC60T010S7AXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
Description: INFINEON - IPQC60T010S7AXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 174 A, 0.01 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 694W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE4913HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLE4913HTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Geringe Leistungsaufnahme, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter, 0.0035 T
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Schalter
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausschaltpunkt, typ.: 0.0027T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.0035T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TLE49462KHTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE49462KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20mA
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - TLE49462KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, hohe Präzision, AEC-Q100, Hall-Effekt-Latch, 0.002 T, -0.002 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20mA
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausschaltpunkt, typ.: -0.002T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Schaltpunkt, typ.: 0.002T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Sensorausgang: Digital
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Collector
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S62LB1ZXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S62LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
Description: INFINEON - AMM12S62LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S36LB1Z2XKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S18LB1ZXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S36LB1ZXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S36LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 46 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
Description: INFINEON - AMM12S36LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 46 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S54LB2ZXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 154W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
Description: INFINEON - AMM12S54LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 0.0761 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 154W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0761ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S25LB1ZXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S25LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 64 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
Description: INFINEON - AMM12S25LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 64 A, 1.2 kV, 0.0353 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AMM12S62LB2ZXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
Description: INFINEON - AMM12S62LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.0883 ohm, DIP
tariffCode: 85044095
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0883ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 24025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F3L300R07PE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L300R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 300 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 940W
Verlustleistung: 940W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - F3L300R07PE4BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 300 A, 1.55 V, 940 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 940W
Verlustleistung: 940W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F3L400R12PT4B26BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L400R12PT4B26BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 2.15kW
Verlustleistung: 2.15kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - F3L400R12PT4B26BOSA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 600 A, 1.75 V, 2.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: 2.15kW
Verlustleistung: 2.15kW
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoPACK 4
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPD5235-96BZXI |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD5235-96BZXI - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 2.75 V, 21.5 V, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Anzahl der Ports: 2 Ports
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: BGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPD5235-96BZXI - USB-Schnittstelle, USB-C- und PD-Controller, USB 3.1, 2.75 V, 21.5 V, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 3.1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Anzahl der Ports: 2 Ports
Anzahl der Anschlüsse: 2Anschlüsse
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
USB-IC: USB-C- und PD-Controller
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 21.5V
Bauform - Schnittstellenbaustein: BGA
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPD719740BFXSXQLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD719740BFXSXQLA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, Quelle, DFP, USB 3.2, 4V bis 24V, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - CYPD719740BFXSXQLA1 - USB-C- und Power Delivery-Controller, Quelle, DFP, USB 3.2, 4V bis 24V, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPD8225-97BZXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD8225-97BZXIT - USB-C- und Power Delivery-Controller, DRP, 2.8V bis 5.5V, -40°C bis 85°C, BGA-97
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Senke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DRP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Anzahl der Ports: 2 Ports
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: Controller für USB-C-Anschluss
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPD8225-97BZXIT - USB-C- und Power Delivery-Controller, DRP, 2.8V bis 5.5V, -40°C bis 85°C, BGA-97
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Senke
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DRP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Anzahl der Ports: 2 Ports
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: Controller für USB-C-Anschluss
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPD719540BFXSXQLA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD719540BFXSXQLA1 - USB-C- & -PD-Controller, Power Delivery, USB PD 3.2, DFP, 4V bis 24V, -40°C bis 105°C, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - CYPD719540BFXSXQLA1 - USB-C- & -PD-Controller, Power Delivery, USB PD 3.2, DFP, 4V bis 24V, -40°C bis 105°C, WFLGA-40
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Datenrolle: DFP
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WFLGA
Strom, lq: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Anzahl der Ports: 1 Port
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IAUTN15S6N025ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
Description: INFINEON - IAUTN15S6N025ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 245 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS816NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: INFINEON - BSS816NWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.4 A, 0.16 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB180N04S4LH0ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IPB180N04S4LH0ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1000 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY15B064J-SXET |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY15E064Q-SXET |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 16MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 16MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY15B064J-SXET |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
Description: INFINEON - CY15B064J-SXET - FRAM, 64kB, I2C, 1MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
IC-Schnittstelle: I2C
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Speicherorganisation: 8K x 8 Bit
Taktfrequenz: 1MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY15B104QN-50SXA |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXA - FRAM, 4MB, SPI, 50MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 50MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
Description: INFINEON - CY15B104QN-50SXA - FRAM, 4MB, SPI, 50MHz, 1.8V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 4Mbit
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 50MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Speicherorganisation: 512K x 8 Bit
Taktfrequenz: 50MHz
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 4Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CY15E064Q-SXET |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
Description: INFINEON - CY15E064Q-SXET - FRAM, 64kB, SPI, 16MHz, 4.5V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Kbit
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF450R12KE7PEHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12KE7PEHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF450R12KE7PEHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF450R12ME7BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF450R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FF450R12KE7PHPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R12KE7PHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - FF450R12KE7PHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: 62mm C-Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDC60H12AHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDC60H12AHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - 1EDC60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 9.4A, 3.1V bis 17V, 120ns/125ns Verzögerung, Reihe EiceDRIVER 1EDC, WSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER 1ED
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD50N04S4L08ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
Description: INFINEON - IPD50N04S4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
Description: INFINEON - BSS159NH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 28617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EB2ED24103MTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EB2ED24103MTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2410-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine 2ED2410-EM, Tochterplatinen EB 2ED2410 3D 1BCD/1BCS/1BCDP/1BCSP
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2ED2410-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EB2ED24103MTOBO1 - Evaluationsboard, 2ED2410-EM, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluations-Hauptplatine 2ED2410-EM, Tochterplatinen EB 2ED2410 3D 1BCD/1BCS/1BCDP/1BCSP
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2ED2410-EM
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVAL2EDBHBGANTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2EDBHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDB8259Y, isoliert, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDB8259Y
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDB8259Y
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVAL2EDBHBGANTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDB8259Y, isoliert, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2EDB8259Y
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDB8259Y
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVAL2ED21814TOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2ED21814TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED21814S06F, MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED21814S06F
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: 2ED21814S06F
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVAL2ED21814TOBO1 - Evaluationsboard, 2ED21814S06F, MOSFET-Gate-Treiber, Power-Management
tariffCode: 84733080
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 2ED21814S06F
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Prozessorkern: 2ED21814S06F
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3038AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3038AS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 1EDI3038AS
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - 1EDI3038EVALBOARDTOBO1 - Evaluationsboard, 1EDI3038AS, SiC-MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 1EDI3038AS
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: SiC-MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 1EDI3038AS
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVAL2EDL803XF5BTOBO1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL2EDL803XF5BTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDL803x-F5B, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 2EDL803x-F5B
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDL803x-F5B
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVAL2EDL803XF5BTOBO1 - Evaluationsboard, 2EDL803x-F5B, MOSFET-Gate-Treiber
tariffCode: 85437090
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard EiceDRIVER 2EDL803x-F5B
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: 2EDL803x-F5B
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EVALKITTLE92102QVWTOBO1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC
tariffCode: 84732990
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: TLE92102QVW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - EVALKITTLE92102QVWTOBO1 - Evaluationsboard, TLE92102QVW, Multi-MOSFET-Gate-Treiber-IC
tariffCode: 84732990
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE92102QVW
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: MOSFET-Gate-Treiber
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: TLE92102QVW
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYW20835PB1KML1GGF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC
Zertifikate: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYW20835PB1KML1GGF - Bluetooth-Modul, 2.4GHz, Bluetooth LE 5.2, 2MB/s, -94.5dBm, 1.62 bis 3.63V DC, -30°C bis 85°C
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 1.62V DC bis 3.63V DC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.2
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 1.62VDC
Zertifikate: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -94.5dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.63VDC
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -94.5dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYW20829B0-P4TAI100 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -106dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYW20829B0-P4TAI100 - Bluetooth-Modul, BLE 5.4, Klasse 1/Klasse 2, 2Mbit/s, -106dBm, 2.75 bis 3.6V, -30°C bis 85°C
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -30°C bis 85°C
Versorgungsspannung: 2.75V bis 3.6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bluetooth-Version: Bluetooth LE 5.4
isCanonical: Y
Bluetooth-Klasse: Klasse 1, Klasse 2
Betriebstemperatur, min.: -30°C
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Zertifikate: CE, FCC, ISED, MIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Empfängerempfindlichkeit: -106dBm
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: AIROC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Empfindlichkeit des Empfängers Rx: -106dBm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IMZA65R007M2HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
Description: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F3L420R12D3H7FBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 360A
Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7FBPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 360 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 360A
Produktpalette: EasyPACK HD3 CoolSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| F3L420R12D3H7B78BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: EasyPACK HD3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - F3L420R12D3H7B78BPSA1 - IGBT-Modul, Three Level, 440 A, 1.96 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.96V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 440A
Produktpalette: EasyPACK HD3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Three Level
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRS25752LTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IRS25752LTRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 18V Versorgung, 160mAout, 215ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 240mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 160mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 215ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRS21271STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - IRS21271STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 150ns Verzögerung, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: High-Side
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 150ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRF7343QTR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRF7343QTR |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - AUIRF7343QTR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.043ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.043ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



































