Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25023) > Сторінка 416 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 411 412 413 414 415 416 417 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPB016N08NF2SATMA1 IPB016N08NF2SATMA1 INFINEON 3812002.pdf Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb014n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 INFINEON Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1 IPB029N15NM6ATMA1 INFINEON 4406510.pdf Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 IPB120N08S404ATMA1 INFINEON 3919301.pdf Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 IRF200B211 INFINEON INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 IPD047N03LF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484 Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R45HL4B8BPSA1 INFINEON 4758447.pdf Description: INFINEON - FZ1200R45HL4B8BPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1.2 kA, 2.35 V, 2.65 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2.65kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: IHV-B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.3kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406E6327HTSA1 BAT5406E6327HTSA1 INFINEON INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 52657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1 IPT022N10NF2SATMA1 INFINEON 3812021.pdf Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1 IPT017N12NM6ATMA1 INFINEON 4098635.pdf Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1 IPT022N10NF2SATMA1 INFINEON 3812021.pdf Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1 IPT014N08NM5ATMA1 INFINEON 3797065.pdf Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STOLLMOSGENERICTOBO1 STOLLMOSGENERICTOBO1 INFINEON 4627588.pdf Description: INFINEON - STOLLMOSGENERICTOBO1 - Evaluationsboard, TLE987x, LIN- und BLDC-MOSFET-Treiber
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE987x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE987x
Prozessorhersteller: Infineon
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1 IPU95R3K7P7AKMA1 INFINEON INFN-S-A0006116883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZS1XKLA1 ICE5AR4780BZS1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5AR4780BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4770BZS1XKLA1 ICE5AR4770BZS1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5AR4770BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 14.5W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 14.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5BR4780BZ1XKLA1 ICE5BR4780BZ1XKLA1 INFINEON 4470058.pdf Description: INFINEON - ICE5BR4780BZ1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 65kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI013 S25FL064LABMFI013 INFINEON INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
на замовлення 13334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 SPB21N50C3ATMA1 INFINEON INFNS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGATMA1 IQE031N08LM6CGATMA1 INFINEON 4607649.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 INFINEON 4607648.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGATMA1 IQE031N08LM6CGATMA1 INFINEON 4607649.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 INFINEON 4607648.pdf Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
на замовлення 9283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1 INFINEON infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409622.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 INFINEON 4409622.pdf Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000R17T2P8BPSA1 INFINEON 4789807.pdf Description: INFINEON - FF2000R17T2P8BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2 kA, 1.65 V, 2200 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 8 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2200kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: XHP 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1 IQDH45N04LM6ATMA1 INFINEON 4015295.pdf Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDSNFI000 S25FL128SDSNFI000 INFINEON INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL128SDSNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 80MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 80MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM003 S25FL128SAGNFM003 INFINEON 4632134.pdf Description: INFINEON - S25FL128SAGNFM003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, QSPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM003 S25FL128SAGNFM003 INFINEON 4632134.pdf Description: INFINEON - S25FL128SAGNFM003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, QSPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPFC3ICE3PCS01TOBO1 INFINEON 4748357.pdf Description: INFINEON - EVALPFC3ICE3PCS01TOBO1 - Evaluationsboard, ICE3PCS01G, CCM-PFC-Controller, 21Hz bis 250Hz, 400V
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE3PCS01G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CCM-PFC-Controller
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: ICE3PCS01G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.04W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 BSS83IXUSA1 INFINEON Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 INFINEON 4406515.pdf Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG025N15NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1 INFINEON 4406515.pdf Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N08NF2SATMA1 3812002.pdf
IPB016N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB016N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 170 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N08NM6ATMA1 infineon-ipb014n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB014N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB021N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPB021N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d05e54d51cbf
IPB021N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB021N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N15NM6ATMA1 4406510.pdf
IPB029N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB029N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 2800 µohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
IPB051N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 139A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB051N15NM6ATMA1 Infineon-IPB051N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f433f3047bab
IPB051N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB051N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1 infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB133N12NM6ATMA1 infineon-ipb133n12nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB133N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 55 A, 0.0133 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N08S404ATMA1 3919301.pdf
IPB120N08S404ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120N08S404ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF200B211 INFN-S-A0012732493-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF200B211
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF200B211 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 12 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
IPD047N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD047N03LF2SATMA1 Infineon-IPD047N03LF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192b89c5f296484
IPD047N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD047N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 3616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRSDS19285-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2803TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 infineon-ipi045n10n3-g-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI045N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 137 A, 0.0045 ohm, TO-262 (I2PAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-262 (I2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1200R45HL4B8BPSA1 4758447.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ1200R45HL4B8BPSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1.2 kA, 2.35 V, 2.65 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Platte
euEccn: 3A228.c
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2.65kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 1.2kA
Produktpalette: IHV-B Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.3kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A228.c
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406E6327HTSA1 INFNS15399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT5406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT5406E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 52657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1 4098635.pdf
IPT017N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1 3812021.pdf
IPT022N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT017N12NM6ATMA1 4098635.pdf
IPT017N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT022N10NF2SATMA1 3812021.pdf
IPT022N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT022N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 236 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 236A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT014N08NM5ATMA1 3797065.pdf
IPT014N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 331 A, 1100 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1 infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT009N08NM6ATMA1 infineon-ipt009n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT009N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 950 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 425A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STOLLMOSGENERICTOBO1 4627588.pdf
STOLLMOSGENERICTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - STOLLMOSGENERICTOBO1 - Evaluationsboard, TLE987x, LIN- und BLDC-MOSFET-Treiber
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: TLE987x
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard TLE987x
Prozessorhersteller: Infineon
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R3K7P7AKMA1 INFN-S-A0006116883-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPU95R3K7P7AKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPU95R3K7P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 22W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4780BZS1XKLA1 4470058.pdf
ICE5AR4780BZS1XKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4780BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5AR4770BZS1XKLA1 4470058.pdf
ICE5AR4770BZS1XKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5AR4770BZS1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 100kHz, 10-32Vin, 14.5W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 100kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 700V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 14.5W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5BR4780BZ1XKLA1 4470058.pdf
ICE5BR4780BZ1XKLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICE5BR4780BZ1XKLA1 - AC/DC-Sperrwandler (Flyback), isoliert, nicht isoliert, 65kHz, 10-32Vin, 15W, DIP-7, -40-150°C
tariffCode: 85044083
Schaltfrequenz: 65kHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung Leistungsschalter: 800V
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Maximale Nennleistung: 15W
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 32V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 10V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Isolation: Isolated, Non Isolated
Nennstrom Leistungsschalter: -
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1 infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1 infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6ATMA1 infineon-iqe018n06nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE018N06NM6CGATMA1 infineon-iqe018n06nm6cg-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE018N06NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 178 A, 0.0018 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFI013 INFN-S-A0018717259-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFI013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFI013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64 Mbit, 8M x 8 Bit, QPI, SPI, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: QPI, SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
на замовлення 13334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB21N50C3ATMA1 INFNS09326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB21N50C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB21N50C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGATMA1 4607649.pdf
IQE031N08LM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGSCATMA1 4607648.pdf
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 9283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGATMA1 4607649.pdf
IQE031N08LM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE031N08LM6CGSCATMA1 4607648.pdf
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE031N08LM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 127 A, 0.00315 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00315ohm
на замовлення 9283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1 infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1 infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1 infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGSCATMA1 infineon-iqe036n08nm6cgsc-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6ATMA1 infineon-iqe036n08nm6-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE036N08NM6CGATMA1 infineon-iqe036n08nm6cg-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE036N08NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0036 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 4409622.pdf
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 4409622.pdf
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 789 A, 290 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 789A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 278W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 290µohm
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FF2000R17T2P8BPSA1 4789807.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF2000R17T2P8BPSA1 - IGBT-Modul, Halbbrücke, 2 kA, 1.65 V, 2200 kW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85044095
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 8 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 2200kW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 2kA
Produktpalette: XHP 2 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQDH45N04LM6ATMA1 4015295.pdf
IQDH45N04LM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQDH45N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 637 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 637A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SDSNFI000 INFN-S-A0016395044-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL128SDSNFI000
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SDSNFI000 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128MB, 16M x 8 Bit, SPI, 80MHz, WSON-8
tariffCode: 85423275
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: WSON
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: -
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 80MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 80MHz
Speicherkonfiguration Flash: 16M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Speichergröße: 128Mbit
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM003 4632134.pdf
S25FL128SAGNFM003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFM003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, QSPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSON
Speicherdichte: 128Mbit
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: QSPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 16M x 8 Bit
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGNFM003 4632134.pdf
S25FL128SAGNFM003
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL128SAGNFM003 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 128 Mbit, 16M x 8 Bit, QSPI, WSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALPFC3ICE3PCS01TOBO1 4748357.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALPFC3ICE3PCS01TOBO1 - Evaluationsboard, ICE3PCS01G, CCM-PFC-Controller, 21Hz bis 250Hz, 400V
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard ICE3PCS01G
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: CCM-PFC-Controller
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: ICE3PCS01G
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b
BSS83IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.04W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS83IXUSA1 Infineon-BSS83I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c962508060196627bf233513b
BSS83IXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS83IXUSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 550 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG025N15NM6ATMA1 4406515.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPTG025N15NM6ATMA1 4406515.pdf
IPTG025N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTG025N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 264 A, 2400 µohm, HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 411 412 413 414 415 416 417 418  [ Наступна Сторінка >> ]