| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPB020N03LF2SATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF7103TRPBF | INFINEON |
 Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 173916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF7103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 173916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CYT2B95CACQ0AZEGS | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT2B95CACQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Datenbusbreite: 32bit isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LQFP Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 39Kanäle Programmspeichergröße: 2MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 160MHz MCU-Familie: Traveo T2G SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 256KB MCU-Baureihe: CYT2B9xx Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| CYT2B95CACQ0AZSGS | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT2B95CACQ0AZSGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: LQFP Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 39Kanäle Programmspeichergröße: 2MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 160MHz MCU-Familie: Traveo T2G SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) RAM-Speichergröße: 256KB MCU-Baureihe: CYT2B9 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s) Anzahl der Pins: 100Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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CYT4DNJBZCQ1BZSGSXQLA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - CYT4DNJBZCQ1BZSGSXQLA1 - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4DN Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 48Kanäle Programmspeichergröße: 6MB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 320MHz MCU-Familie: Traveo T2G SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 640KB MCU-Baureihe: CYT4DN Anzahl der Ein-/Ausgänge: 168I/O(s) Anzahl der Pins: 327Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4DN Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: CAN, CSI, Ethernet, I2C, LIN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRFP3077PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 200 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 340W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| IRFP3306PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 220W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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IRFP4127PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BTT60351ERLXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTT60351ERLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, High-Side, 1 Ausgänge, 36V, 5A, TDSO-EP-14 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Strombegrenzung: 5A Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 36V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TDSO-EP Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BTT60351ERLXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTT60351ERLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, High-Side, 1 Ausgänge, 36V, 5A, TDSO-EP-14 tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| WLC1115-68LQXQT | INFINEON |
Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQT - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C tariffCode: 85423990 Leistungspegel: 15W euEccn: NLR rohsCompliant: YES Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Wireless-Charging-IC: Sender isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: QFN Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform Betriebstemperatur, min.: -40°C IC-Bauform: QFN SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 68Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 14456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IGT65R055D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IGT65R045D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IGT65R140D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IGT65R035D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R035D2ATMA1 - HV GAN DISCRETES tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IGT65R025D2ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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ISA220280C03LMDSXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ISA220280C03LMDSXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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REFDOORCONTROLTOBO1 | INFINEON |
Description: INFINEON - REFDOORCONTROLTOBO1 - Referenzdesign-Board, Evaluationsboard für Türsteuerung, Türzonencontroller tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard für Türsteuerung Prozessorhersteller: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Prozessorserie: - Unterart Anwendung: Türzonencontroller Prozessorfamilie: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Prozessorkern: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Prozessorarchitektur: - |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPTC017N12NM6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 331A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V Verlustleistung: 395W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BAT6804WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-323 Durchlassstoßstrom: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV Sperrverzögerungszeit: - Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT68 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRLML6344TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm |
на замовлення 8690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPB020N03LF2SATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IPB020N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 122 A, 2050 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7103TRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 173916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7103TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - IRF7103TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 3 A, 3 A, 0.11 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.11ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.11ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 173916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYT2B95CACQ0AZEGS |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT2B95CACQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 32bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
MCU-Familie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 256KB
MCU-Baureihe: CYT2B9xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: INFINEON - CYT2B95CACQ0AZEGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Datenbusbreite: 32bit
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
MCU-Familie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 256KB
MCU-Baureihe: CYT2B9xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYT2B95CACQ0AZSGS |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT2B95CACQ0AZSGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
MCU-Familie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
RAM-Speichergröße: 256KB
MCU-Baureihe: CYT2B9
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - CYT2B95CACQ0AZSGS - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 39Kanäle
Programmspeichergröße: 2MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 160MHz
MCU-Familie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
RAM-Speichergröße: 256KB
MCU-Baureihe: CYT2B9
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 78I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT2B9 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYT4DNJBZCQ1BZSGSXQLA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYT4DNJBZCQ1BZSGSXQLA1 - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4DN Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 48Kanäle
Programmspeichergröße: 6MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 320MHz
MCU-Familie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 640KB
MCU-Baureihe: CYT4DN
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 168I/O(s)
Anzahl der Pins: 327Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4DN Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSI, Ethernet, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - CYT4DNJBZCQ1BZSGSXQLA1 - ARM-MCU, Traveo T2G Family CYT4DN Series Microcontrollers, ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+, 32 Bit
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M7F, ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 48Kanäle
Programmspeichergröße: 6MB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 320MHz
MCU-Familie: Traveo T2G
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 640KB
MCU-Baureihe: CYT4DN
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 168I/O(s)
Anzahl der Pins: 327Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: Traveo T2G Family CYT4DN Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, CSI, Ethernet, I2C, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP3077PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 200 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
Description: INFINEON - IRFP3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 200 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP3306PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
Description: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP4127PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTT60351ERLXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT60351ERLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, High-Side, 1 Ausgänge, 36V, 5A, TDSO-EP-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BTT60351ERLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, High-Side, 1 Ausgänge, 36V, 5A, TDSO-EP-14
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 36V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTT60351ERLXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTT60351ERLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, High-Side, 1 Ausgänge, 36V, 5A, TDSO-EP-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - BTT60351ERLXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, High-Side, 1 Ausgänge, 36V, 5A, TDSO-EP-14
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| WLC1115-68LQXQT |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQT - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wireless-Charging-IC: Sender
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: QFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - WLC1115-68LQXQT - Drahtloser Leistungssender, WPC Qi 1.3.x-konform, 15W, QFN-68, -40°C bis +105°C
tariffCode: 85423990
Leistungspegel: 15W
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Betriebstemperatur: -40°C bis +105°C
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Wireless-Charging-IC: Sender
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
Standard zur drahtlosen Energieübertragung: WPC Qi 1.3.x-konform
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IC-Bauform: QFN
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 68Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML0030TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 14456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT65R055D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IGT65R055D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT65R045D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IGT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT65R140D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IGT65R140D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT65R035D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R035D2ATMA1 - HV GAN DISCRETES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IGT65R035D2ATMA1 - HV GAN DISCRETES
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGT65R025D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IGT65R025D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISA220280C03LMDSXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ISA220280C03LMDSXTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - ISA220280C03LMDSXTMA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.1 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| REFDOORCONTROLTOBO1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFDOORCONTROLTOBO1 - Referenzdesign-Board, Evaluationsboard für Türsteuerung, Türzonencontroller
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard für Türsteuerung
Prozessorhersteller: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Türzonencontroller
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
Description: INFINEON - REFDOORCONTROLTOBO1 - Referenzdesign-Board, Evaluationsboard für Türsteuerung, Türzonencontroller
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard für Türsteuerung
Prozessorhersteller: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: Türzonencontroller
Prozessorfamilie: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Prozessorkern: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Prozessorarchitektur: -
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPTC017N12NM6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAT6804WH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLML6344TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
на замовлення 8690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)