Продукція > IMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
на замовлення 6004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R234M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+239.26 грн
500+227.47 грн
1000+214.51 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.35 грн
10+358.46 грн
100+296.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+524.35 грн
40+358.46 грн
100+296.41 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1105.08 грн
42000+1029.69 грн
63000+972.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1047.96 грн
10+741.42 грн
100+723.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R011M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.60 грн
10+565.26 грн
100+488.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1115.36 грн
25+1104.32 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+414.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.39 грн
10+1115.36 грн
25+1104.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 111A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+569.23 грн
26+565.27 грн
100+541.17 грн
250+497.55 грн
500+474.17 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.19 грн
10+569.23 грн
25+565.27 грн
100+541.17 грн
250+497.55 грн
500+474.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R025M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+457.02 грн
32+455.04 грн
100+436.88 грн
250+402.67 грн
500+384.86 грн
1000+383.09 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.91 грн
10+457.02 грн
25+455.04 грн
100+436.88 грн
250+402.67 грн
500+384.86 грн
1000+383.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC-MOS
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.59 грн
10+400.56 грн
100+294.57 грн
500+273.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R036M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+387.98 грн
60000+356.25 грн
90000+333.21 грн
120000+304.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.35 грн
10+332.66 грн
25+330.96 грн
100+317.50 грн
250+292.47 грн
500+279.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R045M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.96 грн
100+317.50 грн
250+292.47 грн
500+279.23 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.66 грн
10+1579.76 грн
50+1556.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1715.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 789W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 238A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3155.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R007M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R009M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R009M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 97.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6054 pF @ 400 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2121.00 грн
10+1494.32 грн
100+1456.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R009M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 97.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6054 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HInfineon TechnologiesDescription: IMBG65R010M2H
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 158A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1566.85 грн
10+1208.18 грн
25+1133.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1692.26 грн
10+1176.56 грн
100+1094.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R010M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1502.52 грн
10+1132.99 грн
100+955.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1283.10 грн
10+877.89 грн
100+768.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1502.52 грн
13+1132.99 грн
100+955.65 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+652.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1078.53 грн
10+730.63 грн
100+614.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 326W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HInfineon TechnologiesIMBG65R022M1H
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2504.86 грн
10+2428.42 грн
20+2278.79 грн
50+2059.94 грн
100+1936.01 грн
250+1899.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+1038.37 грн
100+986.51 грн
500+934.65 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1870.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+430.43 грн
34+416.76 грн
100+395.24 грн
250+359.90 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1251.75 грн
10+855.02 грн
100+744.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]