Продукція > NVT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVTFWS016N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGON SemiconductorPOWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
418+84.63 грн
500+76.18 грн
1000+70.25 грн
Мінімальне замовлення: 418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.16 грн
10+84.32 грн
100+56.97 грн
500+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorPOWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+79.12 грн
500+71.22 грн
1000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.58 грн
100+56.32 грн
500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.83 грн
3000+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CT1GonsemiDescription: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL,
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max): 28W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.73 грн
10+81.11 грн
100+54.59 грн
500+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+65.52 грн
100+43.63 грн
500+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.78 грн
3000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS027N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.44 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+72.61 грн
100+48.77 грн
500+36.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.85 грн
3000+31.06 грн
4500+29.78 грн
7500+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAGonsemiMOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiMOSFETs PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+54.32 грн
100+35.93 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiMOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+52.61 грн
100+36.41 грн
500+28.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.45 грн
3000+20.74 грн
4500+19.79 грн
7500+17.58 грн
10500+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiMOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 13 A, 64.4 mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+51.26 грн
100+33.77 грн
500+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.19 грн
10+112.51 грн
100+77.39 грн
500+57.38 грн
1000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.39 грн
500+57.38 грн
1000+49.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+68.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D9N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.59 грн
10+33.95 грн
25+30.53 грн
100+25.11 грн
250+23.41 грн
500+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAGonsemiMOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAGonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS8D1N08HTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+32.94 грн
3000+31.46 грн
4500+30.36 грн
7500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single P-Channel Wettable Option
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.26 грн
10+70.07 грн
100+48.00 грн
500+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTGS3455T1GON SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTGS3455T1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2662 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.79 грн
21+19.90 грн
24+17.41 грн
50+12.69 грн
100+11.28 грн
500+8.62 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 55288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
15+20.45 грн
100+12.98 грн
500+9.13 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1GonsemiMOSFETs NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 928055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 14731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET 20V 0.63A SC-88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4158CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4401NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
443+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 443 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02Lonsemionsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiMOSFETs PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.65 грн
15+21.04 грн
100+13.30 грн
500+9.35 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.94 грн
6000+5.59 грн
9000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.26 грн
55+14.79 грн
102+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.12 грн
17+18.36 грн
100+9.26 грн
500+7.70 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GonsemiMOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 29560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.26 грн
55+14.79 грн
102+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502Ponsemi PFET SOT23 30V 1.95A 20MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.19 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1864+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 1864 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.67 грн
100+19.79 грн
500+14.18 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.01 грн
23+35.04 грн
100+24.19 грн
500+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.67 грн
6000+14.39 грн
9000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.73 грн
6000+14.45 грн
9000+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GonsemiMOSFETs PFET 30V 1.95A 20MO
на замовлення 26633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1271+11.14 грн
1432+9.88 грн
1447+9.78 грн
1713+7.96 грн
1759+7.18 грн
3000+6.34 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 1271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.96 грн
67+11.36 грн
68+11.14 грн
100+9.53 грн
250+8.73 грн
500+7.08 грн
1000+6.89 грн
3000+6.34 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 30V 2A 0.110R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 15128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.67 грн
18+17.09 грн
100+10.78 грн
500+7.54 грн
1000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4519+7.83 грн
10000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 4519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.22 грн
50+19.69 грн
100+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
6000+6.15 грн
9000+6.05 грн
12000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
6000+4.88 грн
9000+4.77 грн
15000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4503NT1G транзистор
Код товару: 199485
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTS4409NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+67.68 грн
100+45.27 грн
500+33.49 грн
1000+30.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]