Продукція > IXG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXGR60N60U1IXYSDescription: IGBT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/600ns
Switching Energy: 16mJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170AIXYSIGBTs High Voltage IGBTs
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 5.5A 50W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR6N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 5.5A ISOPLUS247
Power - Max: 50 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Gate Charge: 18.5 nC
Test Condition: 850V, 6A, 33Ohm, 15V
Switching Energy: 590µJ (on), 180µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60A3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/320ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 3.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60A3H1IXYSIGBT Modules Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1IXYSIGBTs Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 40A; 200W; PLUS247™
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 200W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 450A
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 63ns
Turn-off time: 370ns
Technology: GenX3™; PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/152ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1
Код товару: 150400
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60B3H1LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 200W 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60C3IXYSDescription: IGBT PT 600V 80A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/77ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60C3IXYSIGBT Transistors DISC IGBT PT-HIFREQUENCY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60C3D1IXYSIGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR72N60C3D1IXYSDescription: IGBT PT 600V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/77ns
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Test Condition: 480V, 50A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR80N60BIXYSIGBT Transistors 85 Amps 600V 2.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGR80N60BIXYSDescription: IGBT 600V ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 20A TO-268AA
Power - Max: 110 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Gate Charge: 32 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 10A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1142.02 грн
30+674.63 грн
120+581.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 110W
Gate charge: 32nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Transistor: IGBT
Turn-on time: 0.3µs
Kind of package: tube
Turn-off time: 630ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170IXYSIGBT Transistors 20 Amps 1700 V 4 V Rds
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170-TRLIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.7kV; 10A; 110W; TO268
Collector current: 10A
Case: TO268
Power dissipation: 110W
Transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170AIXYSIGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 5A; 140W; TO268
Collector current: 5A
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Gate charge: 29nC
Technology: NPT
Features of semiconductor devices: high voltage
Transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 240ns
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 1.7kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT10N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 10A 140W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT12N120A2D1IXYSDescription: IGBT 1200V TO268
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Supplier Device Package: TO-268AA
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120BIXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120BD1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.75mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120CIXYSDescription: IGBT 1200V 30A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 69 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120CD1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V 3.8 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT15N120CD1IXYSDescription: IGBT 1200V 30A 150W TO268
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 69 nC
Test Condition: 960V, 15A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170IXYSDescription: IGBT 1700V 32A 190W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170IXYSIGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AIXYSIGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170ALittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1700V 16A 190W 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AIXYSDescription: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1492.38 грн
30+911.20 грн
120+835.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AIXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1IXYSDescription: IGBT NPT 1700V 16A TO-268AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 850V, 16A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/160ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 11A
Reverse Recovery Time (trr): 230 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 11A; 190W; TO268
Transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 190W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 298ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT16N170AH1IXYSIGBTs 11 Amps 1700V 5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N 60BIXYSIGBTs 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N 60BD1IXYSIGBTs 40 Amps 600 V 2.0 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N100IXYSDescription: IGBT 1000V 40A 150W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N120IXYSIGBT Transistors 40 Amps 1200V 3 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N120IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 150W TO268
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 63 nC
Test Condition: 800V, 20A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 6.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/400ns
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 40A TO268AA
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V 40A 190W TO268
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
Power - Max: 190 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 72 nC
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N140C3H1IXYSIGBT Modules 40khz C-IGBT w/Diode Power Device
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N140C3H1IXYSDescription: IGBT 1400V 42A 250W TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT20N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 40A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/110ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170IXYSDescription: IGBT 1700V 50A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170IXYSIGBTs 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170AIXYSIGBTs 24 Amps 1200 V 5 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170AIXYSDescription: IGBT 1700V 24A 250W TO268
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Gate Charge: 140 nC
Test Condition: 850V, 24A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.97mJ (on), 790µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/336ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 16A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170AH1IXYSDescription: IGBT 1700V 24A 250W TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N170AH1IXYSIGBT Transistors 48 Amps 1700V 6.0 V Rds
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N60BIXYSIGBTs 48 Amps 600 V 1.7 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N60BIXYSDescription: IGBT 600V 24A TO268AA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N60CIXYSIGBTs 48 Amps 600V 2.3 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N60CIXYSDescription: IGBT 600V 48A TO268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT24N60CD1IXYSDescription: IGBT 600V 48A TO-268AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Switching Energy: 240µJ (off)
Test Condition: 480V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO268
Transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 283ns
Turn-off time: 526ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160LittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160IXYSIGBT Transistors 75 Amps 1600V 2.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N160IXYSDescription: IGBT NPT 1600V 75A TO-268AA
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 84 nC
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250 TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250 TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+133.35 грн
8+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250 TRLLittelfuseTrans IGBT Chip N-CH 2500V 60A 250W 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.35 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/RIXYSIGBT Transistors IGBT TRANSISTORS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/RIXYSDescription: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+2261.45 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250-T/RIXYSDescription: IGBT NPT 2500V 60A TO-268HV
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3397.84 грн
10+2665.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT25N250HVIXYSIGBT Transistors IGBT NPT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT28N120BIXYSDescription: IGBT PT 1200V 50A TO-268AA
Packaging: Box
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 92 nC
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT28N120BD1IXYSDescription: IGBT PT 1200V 50A TO-268AA
Power - Max: 250 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Gate Charge: 92 nC
Test Condition: 960V, 28A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/210ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 28A
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT28N60BIXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/175ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 28A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT28N60BD1IXYSDescription: IGBT 600V 40A 150W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 28A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/175ns
Switching Energy: 2mJ (off)
Test Condition: 480V, 28A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT2N250Ixys CorporationTrans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT2N250IXYSIGBT Transistors IGBT NPT-VERY HIVOLT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT2N250IXYSDescription: IGBT 2500V 5.5A TO268AA
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Gate Charge: 10.5 nC
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4779.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1IXYSIGBTs 30 Amps 1200V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1IXYSDescription: IGBT PT 1200V TO-268AA
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-268AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Power - Max: 300 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Active
Gate Charge: 87 nC
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120B3D1IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO268
Transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 300W
Gate charge: 87nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Kind of package: tube
Case: TO268
Turn-off time: 471ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120BD1IXYSDescription: IGBT 1200V TO268AA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N120BD1IXYSIGBTs 50 Amps 1200V 3.5 V Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60BIXYSIGBT Transistors 60 Amps 600V 1.8 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60BIXYSDescription: IGBT 600V 60A 200W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-268AA
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/130ns
Switching Energy: 1.3mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60B2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/110ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60B2IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60B2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 1.8 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60B2D1IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/110ns
Switching Energy: 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 66 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60C2IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60C2IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/70ns
Switching Energy: 290µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60C2D1IXYSDescription: IGBT 600V 70A 190W TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-268AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/70ns
Switching Energy: 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 190 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGT30N60C2D1IXYSIGBT Transistors 30 Amps 600V 2.7 V Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14  [ Наступна Сторінка >> ]