Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V | на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY | на замовлення 2890 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | IRFHM8326TRPBFXTMA1 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Y | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | IRFHM8326TRPBFXTMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM8326TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8326TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH <= 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 2622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8329TRPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 3nC Qg, PQFN 3.3x3.3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | на замовлення 3187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 28W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8334TRPBF-INF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 5nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | на замовлення 895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V 3.8nC SGL N-CH HEXFET Pwr MOSFET | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2.7W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | VBSEMI | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V DUAL N-CH HEXFET 14.9mOhms 15nC | на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM8363TRPBF | Infineon | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 14.6mOhms 16nC | на замовлення 4807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | International Rectifier | Single P-Channel 30 V 2.8 W 32 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - PQFN-8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -9A; 2.8W; PQFN3.3X3.3 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -9A Power dissipation: 2.8W Case: PQFN3.3X3.3 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | на замовлення 787 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: PQFN (3x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 2962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHM9331TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.01 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9331TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHM9391TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 30V SGL P-CH HEXFET Pwr MOSFET | на замовлення 9800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHP8321TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHP8334TRPBF | Infineon Technologies Americas Corp. | Description: MOSFET 30V 25A POWER 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TR2 Код товару: 99499
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN2*2 Uds,V: 25 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 653/4,3 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 9.9A; 2.1W; PQFN2X2 Mounting: SMD Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: PQFN2X2 Kind of package: reel Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.1W Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 25V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 8.5 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 4.3nC | на замовлення 3641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 177700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 25V 9.9A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8342 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8342TR2 Код товару: 99500
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PQFN2*2 Uds,V: 30 V Idd,A: 8,5 A Rds(on), Ohm: 16 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 600/4,2 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFHS8342TR2PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-6 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 4.2nC | на замовлення 3417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 8.8A 6-Pin PQFN EP T/R | на замовлення 3818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFHS8342TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFHS8342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|