Продукція > irf

Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V

на замовлення 14699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.77 грн
10+	55.69 грн
100+	36.70 грн
500+	26.81 грн
1000+	24.35 грн
2000+	22.28 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8318TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 3790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

474+	29.83 грн

Мінімальне замовлення: 474 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8318TRPBF транзистор
Код товару: 196964

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8321TR

International Rectifier

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	23.75 грн

Мінімальне замовлення: 30 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8321TRPBF

Description: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8321TRPBF

MOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6

на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8321TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1546 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

895+	39.45 грн
1000+	36.37 грн

Мінімальне замовлення: 895 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TR2PBF

MOSFETs MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TR2PBF
Код товару: 157383

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TR2PBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

842+	41.95 грн
1000+	38.68 грн

Мінімальне замовлення: 842 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.39 грн
10+	66.21 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	29.50 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 10387 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1095+	32.22 грн
10000+	28.73 грн

Мінімальне замовлення: 1095 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

554+	25.51 грн
760+	18.59 грн
767+	18.40 грн
982+	13.87 грн
1507+	8.37 грн

Мінімальне замовлення: 554 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1095+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 1095 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

380+	37.18 грн
396+	35.68 грн
500+	34.40 грн
1000+	32.09 грн

Мінімальне замовлення: 380 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	29.48 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	38.96 грн
30+	25.51 грн
100+	17.93 грн
250+	16.43 грн
500+	12.33 грн
1000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 20 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V

на замовлення 61 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.69 грн
13+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 3300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1095+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 1095 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

507+	27.86 грн

Мінімальне замовлення: 507 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

MOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC

на замовлення 3283 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8324TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm

на замовлення 3931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.09 грн
25+	33.01 грн
50+	31.75 грн
100+	29.33 грн
250+	28.09 грн
500+	28.02 грн
1000+	27.96 грн
3000+	27.89 грн

Мінімальне замовлення: 23 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 37 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC

на замовлення 4058 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.04 грн
10+	40.99 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 7249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

430+	32.85 грн
431+	32.78 грн
500+	32.69 грн
1000+	31.45 грн
3000+	29.06 грн
6000+	27.82 грн

Мінімальне замовлення: 430 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

на замовлення 304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 287 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.14 грн
27+	27.91 грн
100+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8325TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TR2PBF

MOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TR2PBF

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 1981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1605+	22.00 грн

Мінімальне замовлення: 1605 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 2398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC

на замовлення 6012 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8330TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 2398 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TR2PBF

MOSFETs 30V 999A SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 11453 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1581+	22.33 грн
10000+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 1581 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	43.51 грн
13+	24.00 грн
100+	18.22 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 2710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

300+	47.13 грн
527+	26.81 грн
560+	25.21 грн
1000+	24.22 грн

Мінімальне замовлення: 300 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Description: INFINEON - IRFH8334TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 9000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	22.17 грн
37+	20.76 грн
100+	17.47 грн
250+	16.02 грн
500+	13.68 грн
1000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 34 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Infineon

на замовлення 88000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 2095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

680+	20.76 грн
779+	18.12 грн
787+	17.94 грн
885+	15.39 грн
1000+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 680 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8334TRPBF

MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC

на замовлення 6615 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TR2PBF
Код товару: 98279

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TR2PBF

MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TR2PBF

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin QFN EP T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	21.73 грн
36+	21.41 грн
50+	20.34 грн

Мінімальне замовлення: 35 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TR2PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TRPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC

на замовлення 933 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH8337TRPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/35A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TR
Код товару: 99498

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: PQFN5*6
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 21 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,6 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 5250/58
Монтаж: SMD

товару немає в наявності

1+	30.50 грн

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.67 грн
10+	79.54 грн
100+	55.64 грн
500+	41.40 грн
1000+	38.55 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

International Rectifier

P-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PQFN (5x6) Транзистори

на замовлення 2 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

2+	390.00 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

MOSFETs 1 P-CH -30V HEXFET 7.7mOhms 11nC

на замовлення 43 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Description: INFINEON - IRFH9310TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, p-Kanal, 30 V, 21 A, 4600 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 3004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	48.99 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Description: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 40A (Tc)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	53.32 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

на замовлення 3004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 14944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	136.42 грн
113+	125.83 грн
154+	91.85 грн
200+	83.01 грн
500+	64.68 грн
1000+	56.15 грн
2000+	50.60 грн
4000+	49.39 грн

Мінімальне замовлення: 104 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFH9310TRPBF

International Rectifier HiRel Products

Trans MOSFET P-CH Si 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	48.76 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHE4250DTRPBF

IRFHE4250DTRPBF

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

180+	196.39 грн
500+	185.81 грн
1000+	176.40 грн

Мінімальне замовлення: 180 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHE4250DTRPBF

International Rectifier

Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

136+	149.04 грн

Мінімальне замовлення: 136 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET MOSFET, 25V,60 A Power Block PQFN 6x6

на замовлення 2545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 572000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	47.39 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	26.28 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 1676000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	85.74 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	91.16 грн
243+	58.14 грн
500+	39.70 грн
1000+	36.29 грн
2000+	28.14 грн
4000+	24.35 грн

Мінімальне замовлення: 155 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.2A; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Case: PQFN8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

MOSFETs PLANAR FET

на замовлення 5875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm

на замовлення 2909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

196+	72.06 грн
250+	69.16 грн
500+	66.67 грн
1000+	62.19 грн
2500+	55.88 грн

Мінімальне замовлення: 196 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	28.14 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4000+	24.63 грн

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 4000 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 3.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 50 V

на замовлення 1347 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.82 грн
10+	52.95 грн
100+	34.60 грн
500+	25.06 грн
1000+	22.67 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Trans MOSFET N-CH 100V 3.2A 8-Pin PQFN EP T/R

на замовлення 29715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1259+	28.03 грн
10000+	24.99 грн

Мінімальне замовлення: 1259 шт

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF

Description: INFINEON - IRFHM3911TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.2 A, 0.115 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm

на замовлення 2909 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IRFHM3911TRPBF