Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 22691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 54870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 5326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884Fairchild SemiconductorDescription: 9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
на замовлення 330019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
на замовлення 22691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel Power Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 309693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
100000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884On SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A POWER33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 14382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
10000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8884 - MOSFET, N CH, 30V, 15A, MLP 3.3X3.3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-F126onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-F126onsemi / FairchildMOSFET 30V N-CHAN 9A 19mOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-F126ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC8884-F126 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1106+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 1106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884-FSFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-MLP (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8884_F126ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 30V 9A 8-PIN POWER 33 T/R
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
871+40.73 грн
1000+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 871 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 8.2A; Idm: 40A; 16W; Power33
Case: Power33
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 16W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.95 грн
10+131.34 грн
25+130.26 грн
100+107.76 грн
250+93.83 грн
500+83.55 грн
1000+73.22 грн
3000+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.00 грн
6000+73.43 грн
9000+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.40 грн
10+154.64 грн
100+106.31 грн
500+82.27 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LonsemiMOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.97 грн
10+114.32 грн
100+78.01 грн
500+69.72 грн
1000+64.13 грн
3000+59.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.28 грн
10+98.10 грн
100+85.02 грн
500+72.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+150.95 грн
108+131.34 грн
109+130.26 грн
127+107.76 грн
250+93.83 грн
500+83.55 грн
1000+73.22 грн
3000+72.67 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMC89521L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 16W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: Power 33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.31 грн
500+82.27 грн
1000+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.38 грн
6000+81.53 грн
9000+79.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8PWR33
Supplier Device Package: 8-Power33 (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.9W (Ta), 16W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.91 грн
10+130.05 грн
100+89.56 грн
500+67.78 грн
1000+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC89521Lonsemi / FairchildMOSFETs 60V Dual N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 6883 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.74 грн
10+104.79 грн
100+68.90 грн
500+59.99 грн
1000+58.13 грн
3000+51.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 11.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+80.47 грн
100+57.03 грн
500+43.71 грн
1000+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemiMOSFETs 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+106.38 грн
100+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 11.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085ONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 12A; 11.4W; Power33
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Power dissipation: 11.4W
Case: Power33
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC9430L-F085onsemi / FairchildMOSFETs 40V Dual NChnl LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 5559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.75 грн
10+88.12 грн
100+57.64 грн
500+43.77 грн
1000+42.59 грн
3000+38.80 грн
6000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100onsemi / FairchildMOSFET PT5 100/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.33 грн
10+281.83 грн
25+231.95 грн
100+200.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.92 грн
10+175.30 грн
100+140.89 грн
500+108.64 грн
1000+90.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100Lonsemi / FairchildMOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.79 грн
10+184.98 грн
25+155.33 грн
100+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 N-ch40VLLDualNch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.52 грн
10+161.16 грн
100+111.14 грн
250+102.86 грн
500+93.20 грн
1000+79.39 грн
3000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 10887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.29 грн
10+146.43 грн
100+116.56 грн
500+92.57 грн
1000+78.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 12-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.44 грн
10+107.12 грн
25+106.79 грн
100+102.67 грн
250+94.78 грн
500+90.70 грн
1000+90.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40ON SemiconductorFDMD8240LET40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40onsemi / FairchildMOSFETs 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40ON SemiconductorFDMD8240LET40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.65 грн
10+122.76 грн
25+120.87 грн
100+114.64 грн
250+104.46 грн
500+98.66 грн
1000+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 120190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+149.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 118715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+115.80 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260Lonsemi / FairchildMOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Part Status: Active
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-PowerWDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+228.52 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60onsemi / FairchildMOSFET 60V/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
на замовлення 207621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280ON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100onsemi / FairchildMOSFET FET 100V 20.0 MOHM PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100ON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8430ON SemiconductorMOSFET 30V Dual N-Chnl Pwr Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8440LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power 3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8440LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
Part Status: Active
Supplier Device Package: Power 3.3x5
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8440LonsemiMOSFET FET 40V 87A 2.6 mOhm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 395-404 дні (днів)
2+172.36 грн
10+141.31 грн
100+97.34 грн
500+82.84 грн
1000+69.72 грн
3000+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD85100ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 100V 48A, 9.9m
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD85100Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V
на замовлення 656218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD85100Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530
Код товару: 165563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8540LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A, 156A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7940pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8540Lonsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.51 грн
10+214.79 грн
100+153.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.66 грн
500+143.59 грн
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LON Semiconductor
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Part Status: Obsolete
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.29 грн
10+227.12 грн
100+187.66 грн
500+143.59 грн
1000+129.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8580ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8580onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 82A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.87 грн
10+250.16 грн
100+179.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]