Продукція > FDM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMC9430L-F085onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 12A 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100onsemi / FairchildMOSFET PT5 100/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 2601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100Lonsemi / FairchildMOSFET FET 100V 19.5 MOHM PQFN
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD82100LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.79 грн
10+176.92 грн
100+142.19 грн
500+109.64 грн
1000+90.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 10887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+147.79 грн
100+117.64 грн
500+93.42 грн
1000+79.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240Lonsemi / FairchildMOSFET PT8 N-ch40VLLDualNch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 12-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.20 грн
10+106.88 грн
25+106.56 грн
100+102.44 грн
250+94.57 грн
500+90.49 грн
1000+90.24 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 23A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+83.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40ON SemiconductorFDMD8240LET40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.37 грн
10+122.48 грн
25+120.60 грн
100+114.38 грн
250+104.22 грн
500+98.44 грн
1000+96.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40ON SemiconductorFDMD8240LET40 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 24A 12-Pin PQFN EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8240LET40onsemi / FairchildMOSFETs 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260Lonsemi / FairchildMOSFET 60V/20V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8260L - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 64 A, 64 A, 0.0045 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0045ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 120190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 40A; Idm: 293A; 37W; PQFN12
Mounting: SMD
Case: PQFN12
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 68nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.7mΩ
Pulsed drain current: 293A
Power dissipation: 37W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 118715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+116.87 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5245pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
Part Status: Active
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+230.63 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 15A 12-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8260LET60onsemi / FairchildMOSFET 60V/20V Dual Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
на замовлення 2076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280ON Semiconductor / FairchildMOSFET FET 80V 8.2 MOHM PQFN
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8280Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
на замовлення 207621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100onsemi / FairchildMOSFET FET 100V 20.0 MOHM PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD84100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8430ON SemiconductorMOSFET 30V Dual N-Chnl Pwr Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8440LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power 3.3x5
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8440LonsemiMOSFET FET 40V 87A 2.6 mOhm
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 395-404 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8440LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 21A PWR 3.3X5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 87A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 21A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power 3.3x5
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD85100Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD85100Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V
на замовлення 656218000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD85100ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 100V 48A, 9.9m
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 26900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530
Код товару: 165563
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8530ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8540Lonsemi / FairchildMOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 8990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8540LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A, 156A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7940pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMD8560L - Dual-MOSFET, PowerTrench, n-Kanal, 60 V, 93 A, 0.0032 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 93A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8560LonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, 93A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11130pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Obsolete
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.61 грн
10+216.77 грн
100+154.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8580ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual NChnl Power Trench MOSFET
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8580onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 16A/82A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 82A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.47 грн
10+252.48 грн
100+180.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100onsemi / FairchildMOSFET FET 100V 10.5 MOHM PQFN56
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD86100onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8630onsemiStepper Motors PANdrive / Smart Stepper Motor, Magnetic Encoder, 24/48V, 7Nm, NEMA34/86mm, CAN, TMCL Firmware
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680onsemi / FairchildMOSFET 80V Dual N Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680onsemiDescription: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680onsemiDescription: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Power 5x6
Part Status: Active
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.96 грн
10+270.06 грн
100+221.24 грн
500+176.75 грн
1000+149.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 66A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8900onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2605pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-Power3.3x5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMD8900ON Semiconductor / FairchildMOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME0106NZTFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 21625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 1902 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZTonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 358483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.62 грн
10+57.51 грн
100+44.82 грн
500+34.74 грн
1000+27.43 грн
2000+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZTonsemi / FairchildMOSFETs 20V Dual P-Channel PowerTrench
на замовлення 57999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.20 грн
22+35.65 грн
25+35.09 грн
100+33.31 грн
250+30.36 грн
500+28.67 грн
1000+28.20 грн
3000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZTonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 355000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.91 грн
10000+24.94 грн
25000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 4828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
397+35.65 грн
404+35.09 грн
410+34.55 грн
416+32.79 грн
500+29.86 грн
1000+28.20 грн
3000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 397 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1023PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZTONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 3.8A; 1.4W; MicroFET
Case: MicroFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 4.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 3.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.16Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZTONSEMIDescription: ONSEMI - FDME1024NZT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.055 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.055ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.055ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZTonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.97 грн
100+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZTonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1024NZTonsemi / FairchildMOSFETs 20V Dual N-Channel PowerTrench
на замовлення 39998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZTON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/2.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZTonsemi / FairchildMOSFETs 20V Complementary PowerTrench
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZTonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.95 грн
100+28.11 грн
500+20.37 грн
1000+18.44 грн
2000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZTON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/2.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME1034CZTonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (1.6x1.6)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME410NZTON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME410NZTON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME430NTON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME430NTFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
на замовлення 21155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZTonsemi / FairchildMOSFETs -20V P-Channel PowerTrench
на замовлення 13749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZTonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.69 грн
10000+22.68 грн
25000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin MicroFET T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZTonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 10 V
на замовлення 39867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+49.44 грн
100+38.41 грн
500+30.55 грн
1000+24.89 грн
2000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME510PZTON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin MicroFET T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.10 грн
24+32.28 грн
25+32.02 грн
100+25.92 грн
250+23.63 грн
500+20.78 грн
1000+18.73 грн
3000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME820NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 11537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.29 грн
100+40.72 грн
500+29.94 грн
1000+27.27 грн
2000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDME820NZTONSEMIDescription: ONSEMI - FDME820NZT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.014 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDME820NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: MicroFet 1.6x1.6 Thin
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.