Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SiR696DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.03 грн
6000+34.19 грн
9000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.57 грн
9000+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 18520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.09 грн
10+95.89 грн
50+72.47 грн
100+60.92 грн
500+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-110-125VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...70°C
Contact material: AgSnO2
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Coil voltage min.: 110V AC; 110V DC
Current rating: 6A
Coil voltage max.: 125V AC; 125V DC
Release time: 25ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-110-125VAC/DC-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 110VAC,110VDC; 100mA; 100mA
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Coil voltage: 110V AC; 110V DC
Max. operating current: 0.1A
Contact current max.: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6W
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 88.6x6.2x76mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-12VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 12VAC,12VDC; 1A; 1A/280VAC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 12V AC; 12V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 30ms
Coil power consumption: 150mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Switched voltage: max. 280V AC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC-10RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; for DIN rail mounting; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC
Relay variant: Relay set
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Contacts configuration: SPST
Coil voltage max.: 240V AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; Ucoil: 220VAC; SPDT; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Coil voltage: 220V AC
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 0.05A / 36V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6W
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 88.6x6.2x76mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC; 220V DC
Contact material: AgSnO2
Contact current max.: 6A
Current rating: 6A
Relay variant: Relay set
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Coil power consumption: 860mW
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -40...70°C
Contacts configuration: SPDT
Operate time: 20ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Coil voltage max.: 240V AC; 240V DC
Release time: 25ms
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+962.01 грн
10+835.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/280VAC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 30ms
Coil power consumption: 300mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Switched voltage: max. 280V AC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VDC-R вихід: контакт 1C/O 6A 250VAC
Код товару: 167067
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-110-125VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Coil voltage min.: 110V AC; 110V DC
Current rating: 6A
Coil power consumption: 700mW
Coil voltage max.: 125V AC; 125V DC
Release time: 25ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-110-125VAC/DC-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 110VAC,110VDC; 100mA; 100mA
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Coil voltage: 110V AC; 110V DC
Max. operating current: 0.1A
Contact current max.: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6WB
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-220-240VAC-10RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; for DIN rail mounting; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC
Relay variant: Relay set
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -40...55°C
Contacts configuration: SPST
Coil voltage max.: 240V AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; Ucoil: 220VAC; SPDT; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Coil voltage: 220V AC
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6WB
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-220-240VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC; 220V DC
Contact material: AgSnO2
Contact current max.: 6A
Current rating: 6A
Relay variant: Relay set
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Coil power consumption: 860mW
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -40...55°C
Contacts configuration: SPDT
Operate time: 20ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Coil voltage max.: 240V AC; 240V DC
Release time: 25ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VDC-RAltech CorporationDescription: INTERFACE RELAY, SPDT, 6A
Packaging: Bulk
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1113.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VDC-RAltechIndustrial Relays Interface relay, SPDT, 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VDC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; Ucoil: 24VDC; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; 100mΩ
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Relay variant: Relay set
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Coil power consumption: 400mW
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Current rating: 6A
Operating temperature: -40...70°C
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
IP rating: IP20
Operate time: 8ms
Release time: 10ms
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+845.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72003FOOB2
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72104F00B200EPSON06+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72104FOOB1EPSON2010+ QFP
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72105FOA21
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72805F00A1EPSONQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72805FOOA1EPSON
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR747DP-T1-GE3
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR798DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
на замовлення 8266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.89 грн
10+96.89 грн
100+65.90 грн
500+49.39 грн
1000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.25 грн
10+55.19 грн
100+36.46 грн
500+26.68 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3VishayMOSFET 20V 50A N-CH MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.11 грн
10+111.15 грн
100+75.76 грн
500+56.88 грн
1000+52.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.96 грн
10+167.04 грн
50+128.85 грн
100+109.38 грн
500+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR808DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR812DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR814DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.66 грн
10+73.77 грн
100+57.39 грн
500+45.65 грн
1000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volts 50 Amps 69 Watts
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 27.5W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 40A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADPVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.59 грн
6000+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 25625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.94 грн
10+153.32 грн
100+106.43 грн
500+81.09 грн
1000+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
на замовлення 23655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.69 грн
10+92.27 грн
100+62.64 грн
500+46.89 грн
1000+45.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 25019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.28 грн
6000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.96 грн
10+174.28 грн
100+121.75 грн
500+93.23 грн
1000+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
на замовлення 12921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.50 грн
6000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 21.3A
на замовлення 79099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 21884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.29 грн
10+90.73 грн
100+61.58 грн
500+46.06 грн
1000+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]