Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK100N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N25IXYSMOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK100N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 100 A, 0.03 ohm, TO-264P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.04kW
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; 1040W; TO264; 200ns
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 183nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Mounting: THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1482.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 100A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1588.01 грн
25+988.65 грн
50+919.06 грн
100+807.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK100N65X2MOSFET, N-CH, 650V, 100A, TO-246P Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 102A; 700W; TO264
Power dissipation: 700W
Gate charge: 224nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 102A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1169.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 102A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30PMOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 102A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK102N30PIXYSMOSFETs 102 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1327.78 грн
25+951.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07IXYSMOSFETs 70V 110A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 110A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N65X3LittelfuseMOSFETs TO264 650V 110A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK110N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 TO2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20IXYSMOSFETs 200V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1168.90 грн
150+1089.16 грн
300+1028.74 грн
450+946.78 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264; 100ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 22mΩ
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25Power MOSFET, 250V, 120A, 22mOhm, TO-264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25IXYSMOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1181.74 грн
13+1095.37 грн
25+1051.71 грн
50+969.69 грн
100+888.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1135.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 700W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25PIXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.024 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1070.00 грн
300+1061.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1070.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 300, Id = 120 А, Ptot, Вт = 1 130, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 8630 @ 25, Qg, нКл = 150 @ 10 В, Rds = 27 мОм @ 60A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 4 мА,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 1130W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.13kW
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 27mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30TMOSFET N-CH 300V 120A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 265nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30TIXYSMOSFETs 120A 300V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N30T
Код товару: 124250
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 TO2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N60X3LittelfuseMOSFETs TO264 600V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 120A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2039.49 грн
25+1296.93 грн
50+1211.05 грн
100+1069.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK120N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK130N65X3LittelfuseMOSFETs TO264 650V 130A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1407.73 грн
25+866.52 грн
50+803.44 грн
100+704.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 140A; 830W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 830W
Gate charge: 240nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 18mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20PIXYSMOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 140A; 960W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 960W
Gate charge: 255nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 17mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25T
Код товару: 45121
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.21 грн
25+812.12 грн
50+752.17 грн
100+658.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2040.12 грн
10+1977.86 грн
20+1855.99 грн
50+1677.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1585.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2010.48 грн
25+1268.46 грн
50+1182.49 грн
100+1041.92 грн
500+970.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2040.12 грн
10+1977.86 грн
20+1855.99 грн
50+1677.75 грн
100+1576.81 грн
250+1547.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK140N30P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 300 V, 140 A, 0.024 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2040.12 грн
10+1977.86 грн
20+1855.99 грн
50+1677.75 грн
100+1576.81 грн
250+1547.41 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 140A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1621.17 грн
5+1387.13 грн
10+1283.97 грн
25+1124.63 грн
50+1112.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PIXYSMOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohms Rds
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N60X3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 140A 600V X3 TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK140N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 TO2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N10IXYSMOSFETs 150 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N15IXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.0125 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO264AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK150N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.019 ohm, TO-264AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.3
Bauform - Transistor: TO-264AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 150A; 1300W; TO264
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 300V
Mounting: THT
Power dissipation: 1.3kW
Kind of package: tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1488.41 грн
3+1251.26 грн
10+1147.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1838.83 грн
25+1159.29 грн
50+1080.52 грн
100+951.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30X3IXYSMOSFETs TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK150N30X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK150N30X3. - MOSFET, N-CH, 300V, 150A, TO-264P
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK160N30TIXYSMOSFETs 160A 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK160N30TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 300V; 160A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: GigaMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.