Продукція > SI2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2314EDS-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 58396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.96 грн
10+35.80 грн
100+21.54 грн
500+18.02 грн
1000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
на замовлення 85832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+48.16 грн
100+31.72 грн
500+23.12 грн
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.77A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2314EDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 84-93 дні (днів)
6+59.92 грн
10+51.68 грн
100+33.96 грн
3000+19.40 грн
6000+18.36 грн
9000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315KEXIN09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315-DS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS(M5SUB)
на замовлення 8486 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1VISHAYSOT23
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P CHAN 1.8V
на замовлення 186033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+44.46 грн
100+25.27 грн
500+19.54 грн
1000+15.88 грн
3000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.30 грн
100+22.81 грн
500+16.35 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 1.8V 3.2A 1.25W
на замовлення 150091 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.21 грн
10+37.39 грн
100+21.06 грн
500+16.08 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.99 грн
6000+12.36 грн
9000+11.79 грн
15000+10.47 грн
21000+10.11 грн
30000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+38.24 грн
480+29.58 грн
549+25.86 грн
1000+22.65 грн
3000+15.83 грн
6000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 109460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.20 грн
20+38.23 грн
100+29.57 грн
500+24.93 грн
1000+20.97 грн
3000+15.19 грн
6000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3VishayP-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+35.30 грн
100+22.81 грн
500+16.35 грн
1000+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3VishayMOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.53 грн
19+43.49 грн
100+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+28.00 грн
526+26.99 грн
1000+26.10 грн
2500+24.43 грн
5000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V
на замовлення 165774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.00 грн
10+44.46 грн
100+25.27 грн
500+19.54 грн
1000+17.67 грн
3000+15.26 грн
6000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+33.08 грн
432+32.89 грн
546+25.99 грн
1000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 715 pF @ 6 V
на замовлення 14431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.89 грн
10+46.37 грн
100+30.32 грн
500+21.96 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3.VISHAYDescription: VISHAY - SI2315BDS-T1-GE3. - P CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 750mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 5858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+58.71 грн
25+52.03 грн
50+42.11 грн
100+33.14 грн
250+29.68 грн
500+26.03 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-TI-E3
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315DVI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315DSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315DSVISHAY09+
на замовлення 201018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315DS-T1VISHAY
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315DS-T1-E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316-DSVISHAY
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+38.89 грн
100+29.80 грн
500+22.11 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta), 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 16853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.69 грн
10+36.92 грн
100+21.88 грн
500+18.92 грн
3000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-BE3VishayN-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+38.89 грн
100+29.80 грн
500+22.11 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 4.5A 1.66W
на замовлення 9887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.46 грн
10+35.73 грн
100+21.19 грн
500+17.74 грн
1000+15.12 грн
3000+12.84 грн
6000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-E3VISHAY
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V
на замовлення 17394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.44 грн
10+38.74 грн
100+22.51 грн
500+18.09 грн
1000+15.88 грн
3000+13.67 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 61123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
10+33.65 грн
100+23.30 грн
500+18.27 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.70 грн
28+27.11 грн
29+26.84 грн
100+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.32 грн
6000+13.98 грн
9000+12.94 грн
30000+12.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316BDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DSVISHAY
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DSVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.15 грн
6000+32.45 грн
9000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.37 грн
10+75.74 грн
100+47.50 грн
500+37.55 грн
1000+33.48 грн
3000+30.24 грн
6000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.25 грн
15+52.64 грн
25+52.33 грн
50+50.16 грн
100+44.58 грн
250+40.99 грн
500+39.20 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.80 грн
10+81.37 грн
100+54.64 грн
500+40.52 грн
1000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.64 грн
271+52.33 грн
273+52.02 грн
284+48.14 грн
297+42.70 грн
500+39.20 грн
1000+37.39 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 215 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.77 грн
6000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.00 грн
6000+23.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2316DS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2317DS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318AUMWSOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.53 грн
31+9.95 грн
35+8.77 грн
100+7.04 грн
250+6.47 грн
500+6.12 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318AUMWDescription: SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.07 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A транзистор
Код товару: 220515
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
6000+4.21 грн
9000+3.98 грн
15000+3.49 грн
21000+3.34 грн
30000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2318A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs 40Vds 20Vgs 20A 5.0A 93pF 1.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
на замовлення 69580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+13.61 грн
100+8.53 грн
500+5.92 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2318A-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.37 грн
53+15.38 грн
100+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 N-CH 40V 4.3A
на замовлення 181052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.26 грн
16+20.24 грн
100+11.18 грн
500+8.35 грн
1000+7.46 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+19.22 грн
100+12.15 грн
500+8.54 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2318CDS-T1-E3
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+7.59 грн
9000+7.21 грн
15000+6.37 грн
21000+6.14 грн
30000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.95 грн
9000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 56022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.74 грн
100+14.49 грн
500+10.26 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 126486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.58 грн
500+13.24 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 2028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.19 грн
13+24.45 грн
100+13.60 грн
500+10.29 грн
1000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3
Код товару: 148867
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET OBSOLETE - USE SI2318DS-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.81 грн
10+31.34 грн
100+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]