Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFP9242Samsung
на замовлення 11300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC20
Код товару: 127544
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC30IRTO-3P
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40Harris CorporationDescription: 6.8A 600V 1.200 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40HARRISIRFPC40
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+158.44 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.64 грн
5+189.62 грн
10+147.29 грн
25+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.79 грн
25+219.78 грн
50+198.92 грн
100+170.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 6.8A N-CH MOSFET
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC42International RectifierDescription: 3.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC (TO-3P)
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC48Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC48Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 8.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC48Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50
Код товару: 83094
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 11 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,60 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2700/140
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+64.00 грн
10+58.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50SiliconixTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+137.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50AIRTO-247
на замовлення 95725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50AVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50AVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF.VISHAYDescription: VISHAY - IRFPC50APBF. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50LCVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPC50LCPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50LCPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 190W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 190W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 600V N-CH HEXFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+304.45 грн
10+223.25 грн
25+221.08 грн
50+210.98 грн
100+168.24 грн
500+159.92 грн
1000+158.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 180W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.92 грн
10+264.11 грн
25+231.94 грн
50+208.24 грн
100+186.23 грн
250+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.71 грн
70+203.52 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+303.27 грн
64+222.38 грн
65+210.15 грн
100+167.57 грн
500+159.29 грн
1000+157.71 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+395.79 грн
42+339.29 грн
50+306.10 грн
100+252.39 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60IRTO-247
на замовлення 37799 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+980.63 грн
20+738.68 грн
26+563.59 грн
50+497.26 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 600V 16A N-CH MOSFET
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.36 грн
10+427.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBF(N-CH U=600B, I=16A,TO-247AC) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+578.55 грн
38+378.51 грн
100+330.91 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBF
Код товару: 34257
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+499.57 грн
10+319.98 грн
25+289.51 грн
50+264.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+727.36 грн
34+427.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60LCPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.83 грн
10+380.00 грн
100+332.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+904.67 грн
20+738.36 грн
26+563.59 грн
50+497.26 грн
100+387.73 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBF
Код товару: 113650
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+833.78 грн
27+523.58 грн
100+452.68 грн
500+399.08 грн
1000+360.51 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+517.80 грн
10+401.25 грн
25+352.15 грн
50+314.90 грн
100+280.20 грн
125+270.04 грн
250+239.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.07 грн
10+525.64 грн
100+454.45 грн
500+400.65 грн
1000+361.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPC60PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.4 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+762.10 грн
26+544.66 грн
100+443.59 грн
500+359.49 грн
1000+322.97 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC60PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.73 грн
25+398.97 грн
100+336.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30
Код товару: 23708
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 4,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
у наявності: 5 шт
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+58.00 грн
10+53.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+483.76 грн
40+355.43 грн
100+268.22 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+85.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+249.50 грн
63+224.76 грн
100+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.72 грн
100+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+161.01 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.50 грн
10+224.76 грн
100+203.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.33 грн
10+299.40 грн
25+283.05 грн
100+235.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFPE40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.4 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBF
Код товару: 47298
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 5,4 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+62.50 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPE40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+354.81 грн
48+299.80 грн
50+283.43 грн
100+235.35 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]