Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK33N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80IXYSMOSFET 800V 34A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80
Код товару: 43387
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: TO264
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK34N80Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK35N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 35A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1055.88 грн
10+657.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 360A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.90 грн
25+680.35 грн
100+584.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 360 А, Qg, нКл = 715 @ 10 В, Rds = 4 мОм @ 60 А, 10 В, Ugs(th) = 5 В @ 8 мА, Р, Вт = 1670, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 360A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2MOSFET, Vdss= 150V, Id25=360A, TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60IXYSMOSFETs 600V 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60PIXYSMOSFETs 600V 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK36N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK38N80Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK38N80Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 800V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 38A TO264AA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK38N80Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3IXYSMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-264(3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK400N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2927.91 грн
25+1921.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40A TO264
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 40A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK40N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2065.07 грн
25+1315.80 грн
100+1237.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 100V; 420A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; Trench™
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1289.53 грн
5+1078.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 420A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1369.20 грн
25+887.30 грн
100+819.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK420N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 420 A, 2600 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1325.68 грн
5+1249.98 грн
10+1174.27 грн
50+1020.09 грн
100+876.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK420N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1766.24 грн
10+1321.04 грн
100+978.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50
Код товару: 36560
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50IXYSMOSFETs 500V 44A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50FIXYS-RFDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYSMOSFETs 500V 44A
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1168.63 грн
10+724.03 грн
100+597.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 44 A, 0.14 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiperFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+885.94 грн
5+802.18 грн
10+717.61 грн
50+646.91 грн
100+578.51 грн
250+566.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1113.69 грн
25+674.31 грн
100+579.76 грн
500+496.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50P
Код товару: 129821
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50PMOSFET N-CH 500V 44A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50QIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60IXYSMOSFET DIODE Id44 BVdass600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N60
Код товару: 117720
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1589.32 грн
2+1418.46 грн
3+1367.77 грн
5+1288.83 грн
10+1162.52 грн
25+1098.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYSMOSFETs 44 Amps 800V
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1935.37 грн
10+1266.26 грн
100+1073.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.2kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1934.57 грн
5+1916.85 грн
10+1657.51 грн
50+1297.55 грн
100+1120.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80P
Код товару: 170265
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK44N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1205.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYSMOSFETs DIODE Id48 BVdass500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1901.54 грн
5+1750.93 грн
10+1601.13 грн
50+1346.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50
Код товару: 36561
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2165.25 грн
25+1384.81 грн
100+1231.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50QIXYSMOSFETs 48 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N50QТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 48A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1473.07 грн
5+1289.44 грн
10+1067.96 грн
50+958.02 грн
100+852.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1574.24 грн
25+980.28 грн
100+853.27 грн
500+772.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1023.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50
Код товару: 221654
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-264AA
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 50 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 100 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 9400/330
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+620.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50IXYSMOSFETs 50 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N50Транзистори
на замовлення 15 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1557.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 50A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1294.65 грн
25+797.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK50N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1595.49 грн
10+1024.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.13 грн
25+827.47 грн
100+716.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1313.39 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 520, Ciss, пФ @ Uds, В = 41000 @ 25, Qg, нКл = 545, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 5, Р, Вт = 1250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Gate charge: 545nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1079.23 грн
5+859.22 грн
10+845.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1311.19 грн
10+878.84 грн
100+760.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK520N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1429.58 грн
5+1250.78 грн
10+1132.39 грн
50+940.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]